JP5311934B2 - 電子写真画像形成装置 - Google Patents
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1.弾性層からの低分子量成分のブリードアウトを有効に抑制できること、
2.弾性層への密着性に優れ、繰返しの画像形成によっても弾性層からの剥離等が生じにくいこと、
3.弾性層の変形に追従可能な十分な可撓性を有し、繰返しの画像形成によってもひび割れを生じにくいこと。
該電子写真感光体と当接して配置されている帯電部材と、
該帯電部材に電圧を印加して、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段とを具備している電子写真画像形成装置であって、
該帯電部材は、軸芯体、弾性層及び該弾性層の表面を被覆している表面層とを具備し、
該表面層は、ケイ素原子と化学結合している炭素原子を含む酸化ケイ素膜を含み、
該酸化ケイ素膜は、ケイ素原子と化学結合を形成している酸素原子のケイ素原子に対する存在比(O/Si)が、0.95以上1.80以下であり、かつ、ケイ素原子と化学結合を形成している炭素原子のケイ素原子に対する存在比(C/Si)が、0.10以上1.25以下であることを特徴とする。
本発明に係る帯電部材の一態様としての帯電ローラの具体的な構成を図2に示す。図2(a)は、帯電ローラの軸に直交する方向の概略断面図である。また、図2(b)は、軸方向の概略断面図である。
導電性支持体1は、炭素鋼合金表面に5μm程度の厚さのニッケルメッキを施した円柱である。導電性支持体を構成する他の材料として、以下のものが挙げられる。鉄、アルミニウム、チタン、銅及びニッケルの如き金属;これらの金属を含むステンレス、ジュラルミン、真鍮及び青銅の如き合金;カーボンブラックや炭素繊維をプラスチックで固めた複合材料。剛直で導電性を示す公知の材料を使用することもできる。また、形状としては円柱形状の他に、中心部分を空洞とした円筒形状とすることもできる。
導電性弾性層2は、導電剤と高分子弾性体とを混合して成形される。高分子弾性体としては、以下のものが挙げられる。エピクロルヒドリンゴム、NBR(ニトリルゴム)、クロロプレンゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、あるいはSBS(スチレン・ブタジエン・スチレン−ブロックコポリマー)、SEBS(スチレン・エチレンブチレン・スチレン−ブロックコポリマー)の如き熱可塑性エラストマー。
ファーネスブラックとしては、以下のものが挙げられる。SAF−HS、SAF、ISAF−HS、ISAF、ISAF−LS、I−ISAF−HS、HAF−HS、HAF、HAF−LS、T−HS、T−NS、MAF、FEF、GPF、SRF−HS−HM、SRF−LM、ECF、FEF−HS。サーマルブラックとしては、FT、MTがある。
低温低湿環境(環境1;15℃/10%RH);
常温常湿環境(環境2:23℃/50%RH);
高温高湿環境(環境3:30℃/80%RH)。
導電性弾性層の成形方法としては、上記の導電性弾性層の原料を密閉型ミキサーで混合して、例えば、押し出し成形、射出成形、又は、圧縮成形の如き公知の方法により成型するのが好ましい。また、導電性弾性層は、導電性支持体の上に直接導電性弾性層を成形して作製してもよいし、予めチューブ形状に成形した導電性弾性層を導電性支持体上に被覆形成させてもよい。なお、導電性弾性層の作製後に表面を研磨して形状を整えてもよい。このようにして作製された部材を導電性基層ローラと称することにする。
表面層3は、ケイ素原子と化学結合している炭素原子を含む酸化ケイ素膜(以降「SiOx膜」と記載することがある)を有する。即ち、表面層3を構成するSiOx膜は、Si−O及びSi−Cの化学結合を有する。そして、ケイ素原子と化学結合している酸素原子のケイ素原子に対する存在比(O/Si)が0.95以上1.80以下である。また、ケイ素原子と化学結合を形成している炭素原子のケイ素原子に対する存在比(C/Si)が0.10以上1.25以下である。
平板電極42の間に軸芯体上に導電性弾性層が形成された基層ローラ48を設置し、得られるSiOx膜が均一となるように、モータ47を駆動させて周方向に回転させる。
排気手段により、真空チャンバ41内を真空に引く。
原料ガス導入口より原料ガスを導入し、平板電極42に高周波供給電源46により高周波電力を供給し、プラズマを発生させ、成膜を行う。
所定時間経過した後、原料ガス及び高周波電力供給を停止し、真空チャンバ41内に空気又は窒素を大気圧まで導入(リーク)し、基層ローラ48を取り出す。
本発明の帯電装置の一例を図3に示す。例えば、帯電ローラ34は、その導電性支持体(芯金)31の両端部がそれぞれ軸受35に軸受けされ、さらに、その両軸受がそれぞれバネ36によって不図示の感光ドラム方向に付勢されることにより、感光ドラムに加圧接触する。軸受35は、枠体37によってガイドされている。また、電源19により、接点38、バネ36、軸受35、芯金31を介して帯電ローラに電圧が印加される。なお、芯金と軸受の摺動部には潤滑性を付与する目的でグリースの如き潤滑剤を介在させてもよい。また、図3(c)に示すように、帯電ローラ表面に清掃部材39として、一端を固定された可撓性フィルム部材を面接触配置することもできる。このフィルム状の清掃部材39とローラが摺動することによって、帯電ローラ表面に付着したトナーや外添剤の如き汚れを清掃除去することができる。
本発明に係る帯電ローラを搭載した帯電装置を有する電子写真画像形成装置の一例を図1に示す。
下記の各材料を密閉型ミキサーで10分間混合した。
・アクリロニトリルブタジエンゴム(NBR)
(商品名:Nipol DN−219;日本ゼオン株式会社製):100質量部、
・可塑剤としてセバシン酸系ポリエステル
(商品名:ポリサイザーP202;大日本インキ化学工業株式会社製、数平均分子量8000):7質量部、
・加硫助剤としてステアリン酸(商品名:MXST;ミヨシ油脂株式会社製):1質量部、
・酸化亜鉛(商品名:酸化亜鉛2種;堺化学工業株式会社製):5質量部、
・カーボンブラック
(商品名:トーカブラック#7360SB;東海カーボン株式会社製):50質量部。
下記の各材料を密閉型ミキサーで10分間混練した。
・エピクロルヒドリンゴム
(エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体、商品名:エピオン301;ダイソー株式会社製):100質量部、
・充填剤としての炭酸カルシウム(商品名:スーパー#1700;丸尾カルシウム株式会社製):50質量部、
・加硫助剤としてのステアリン酸亜鉛(商品名:ジンクステアレートN;淡南化学工業株式会社):1質量部、
・酸化亜鉛:5質量部、
・研磨性改善のための補強材としてのカーボンブラック(FEF):5質量部、
・可塑剤として、セバシン酸系ポリエステル(数平均分子量8000):5質量部、
・下記式の過塩素酸四級アンモニウム塩:2質量部、
下記の各材料を混合し、直径φ30mmL/D32の2軸押出機にて熔融押出して、ペレット状の樹脂組成物を得た。
・熱可塑性ポリウレタン系エラストマー
(商品名:クラミロンU8145;株式会社クラレ製):100質量部、
・導電剤としてのカーボンブラック(商品名:トーカブラック#7360SB;東海カーボン株式会社製):45質量部。
下記の各材料を混合し、直径φ30mmL/D32の2軸押出機にて熔融押出して、ペレット状の樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を、クロスヘッド押出成形して、軸芯体(直径6mm、長さ256mm)上に樹脂層を形成した。この樹脂層の両端部を突っ切り、さらに樹脂層部分を回転砥石で研磨して、製造例1と同様のクラウン形状を有する基層ローラ4−1及び4−2を得た。基層ローラ4−1の解析結果を表1に示す。
・ポリオレフィン系エラストマー
(商品名:サントプレーン8211−25;AESジャパン社製):100質量部、
・導電剤としてのカーボンブラック(商品名:トーカブラック#4500;東海カーボン株式会社製):50質量部。
下記の各材料を密閉型ミキサーで10分間混練した。
・エピクロルヒドリンゴム
(エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体、商品名:エピオン301;ダイソー株式会社製):70質量部、
・アクリロニトリルブタジエンゴム(NBR)
(商品名:Nipol DN−219;日本ゼオン株式会社製):30質量部、
・充填剤としての炭酸カルシウム:50質量部、
・加硫助剤としてのステアリン酸亜鉛:1質量部、
・酸化亜鉛:5質量部、
・研磨性改善のための補強材としてのカーボンブラック(FEF):5質量部、
・可塑剤として、セバシン酸系ポリエステル(数平均分子量8000):5質量部、
・下記式の過塩素酸四級アンモニウム塩:2質量部、
下記の材料を密閉型ミキサーで10分間混合した。
・アクリロニトリルブタジエンゴム(NBR)
(商品名:Nipol DN−219;日本ゼオン株式会社製):100重量部、
・可塑剤としてのセバシン酸系ポリエステル(数平均分子量8000):5質量部、
・加硫助剤としてのステアリン酸:1質量部、
・酸化亜鉛:5質量部、
・導電剤としてのカーボンブラック
(商品名:トーカブラック#7360SB;東海カーボン株式会社製):50質量部。
・エピクロルヒドリンゴム
(エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体):100質量部、
・充填剤としての炭酸カルシウム:50質量部、
・加硫助剤としてのステアリン酸亜鉛:1質量部、
・酸化亜鉛:5質量部、
・研磨性改善のための補強材としてのカーボンブラック(FEF):5質量部、
・可塑剤として、セバシン酸系ポリエステル(数平均分子量8000):5質量部、
・老化防止剤としての2−メルカプトベンズイミダゾール:1質量部。
製造例1において、可塑剤としてセバシン酸系ポリエステル(数平均分子量8000)の配合を無し(0質量部)とした以外は製造例1と同様にして基層ローラ7−1及び7−2を作成した。
製造例1において、可塑剤としてセバシン酸系ポリエステル(数平均分子量8000)の配合を12質量部とした以外は製造例1と同様にして基層ローラ8−1及び8−2を作成した。
製造例1において、可塑剤としてセバシン酸系ポリエステル(分子量8000)の配合を10質量部、アジピン酸エステルの化合物(数平均分子量500)を2質量部とした以外は製造例1と同様にして基層ローラ9−1及び9−2を作成した。この基層ローラ9−1の解析結果を表1に示す。
製造例1において、可塑剤としてアジピン酸エステルの化合物(数平均分子量500)を12質量部とした以外は製造例1と同様にして基層ローラ10−1及び10−2を作成した。この基層ローラ10−1の解析結果を表1に示す。
下記の材料をプラネタリーミキサーを用いて混合脱泡し、液状シリコーンゴムのベース材料とした。
・両末端ビニル基のジメチルポリシロキサン
(ビニル基含有量0.15質量%):100質量部、
・充填剤としての石英粉末
(商品名:Min−USil;Pennsylvania Glass Sand社製):7質量部、
・カーボンブラック
(商品名:デンカブラック;電気化学工業株式会社製):10質量部。
基層ローラ2−1を図4に示したプラズマCVD装置内に設置した。その後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を1Paまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気1.0sccm、酸素1.5sccm及びアルゴンガス22.5sccmの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力を25.3Paとした。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数13.56MHz、120Wの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した基層ローラ2−1を24rpmで回転させて、120秒間処理した。処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された帯電ローラを取り出した。
基層ローラ1−1を用い、かつ、表面層の形成におけるプラズマCVD処理の時間を90秒間とした。それ以外は、実施例1と同様にして帯電ローラを調製した。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
プラズマCVD処理の時間を8秒間とした以外は、実施例2と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
プラズマCVD処理の時間を5秒間とした以外は、実施例2と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
プラズマCVD処理の時間を60秒間とした以外は、実施例2と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
プラズマCVD処理の時間を150秒間とした以外は、実施例2と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
表面層の形成において、原料ガスの組成をヘキサメチルジシロキサン蒸気1.0sccm、酸素2.5sccm及びアルゴンガス21.5sccmとした。またプラズマCVD処理の時間を30秒間とした。それ以外は、実施例2と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
表面層の形成において、原料ガスの組成をヘキサメチルジシロキサン蒸気1.0sccm、酸素0.5sccm及びアルゴンガス23.5sccmとした。また、プラズマCVD処理の時間を360秒間とした。それ以外は、実施例2と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
表面層の形成において、プラズマCVD処理の時間を100秒間とした以外は、実施例8と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
表面層の形成において、プラズマCVD処理の時間を60秒間とした以外は、実施例8と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
表面層の形成において、プラズマCVD処理の時間を240秒間とした以外は、実施例1と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
表面層の形成において、プラズマCVD処理の時間を12秒間とした以外は、実施例2と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
基層ローラ3−1を用いた以外は、実施例2と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
基層ローラ4−1を用いた以外は、実施例2と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
基層ローラ5−1を用いた以外は、実施例2と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
基層ローラ6−1を用いた以外は、実施例2と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
基層ローラ7−1を用いた以外は、実施例1と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
基層ローラ8−1を用いた以外は、実施例1と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
基層ローラ9−1を用いた以外は、実施例1と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
基層ローラ10−1を用いた以外は、実施例1と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
基層ローラ11−1を用いた以外は、実施例1と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
表面層の形成において、原料ガス組成をテトラメチルシラン蒸気1.0sccm、酸素0.5sccm及びアルゴンガス22.5sccmと変え、プラズマCVD処理の時間を180秒間とした。それ以外は、実施例2と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
表面層の形成において、原料ガス組成をヘキサメチルジシロキサン蒸気1.0sccm及びアルゴンガス21.5sccmと変え、プラズマCVD処理の時間を90秒間とした以外は、実施例1と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
実施例23の表面層の形成において、原料ガスとしてヘキサメチルシロキサン蒸気5sccmを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力を3Paとした。また、高周波電源により200Wの電力を平行平板電極に供給した。さらに、プラズマCVD処理の時間を360秒間とした以外は、実施例23と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
実施例24の表面層の形成において、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気9sccm及びトルエン蒸気16sccmの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力を6Paとした。さらに、プラズマCVD処理の時間を300秒間とした以外は、実施例24と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
実施例8の表面層の形成において、プラズマCVD処理の時間を240秒間とした以外は、実施例8と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
実施例25の表面層の形成において、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気9sccm及びトルエン蒸気10sccmの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力を6Paとした。さらに、プラズマCVD処理の時間を240秒間とした以外は、実施例25と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
実施例21の表面層の形成において、原料ガス組成をテトラメチルシラン蒸気1.0sccm、酸素2.5sccm及びアルゴンガス21.5sccmに変えた。また、プラズマCVD処理の時間を120秒間とした。それ以外は実施例21と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
実施例21の表面層の形成において、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気30sccmを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力を6Paとした。また、高周波電源により200Wの電力を供給した。さらに、プラズマCVD処理の時間を300秒間とした以外は、実施例21と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
加熱硬化型シリコーン接着シール剤(商品名TSE3251−C;モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製)を固形分で5%の濃度に調整したメチルエチルケトンを主溶媒とする混合溶液を調製した。この混合溶液にカーボンブラック(商品名:デンカブラック;電気化学工業株式会社製、粉状品)を、樹脂成分100質量部に対し21質量部添加し、十分に攪拌して表面層形成用の塗工液を調製した。弾性層の表面をエキシマ光にて表面処理した基層ローラ4を上記塗工液に浸漬し、引き上げて乾燥させ、更に、140℃にて2時間加熱処理して帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
実施例3の表面層の形成において、原料ガスとしてヘキサメチルシロキサン蒸気3sccmを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力を2Paとした。さらに高周波電源により200Wの電力を平行平板電極に供給した。それ以外は、実施例21と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
実施例2の表面層の形成において、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気10sccm及びトルエン蒸気20sccmの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内圧力を8Paとした。さらに高周波電源により30Wの電力を平行平板電極に供給した。それ以外は、実施例2と同様にして帯電ローラを得た。この帯電ローラの解析結果を表2に示す。
上記実施例1〜27及び比較例1〜5で作成した帯電ローラを下記(1)の評価に供した。
実施例1〜27及び比較例1〜5に係る帯電ローラの各々を、上記のレーザープリンタ用カートリッジに帯電ローラとして組み込んだ。次いで各カートリッジを上記レーザープリンタに装填した。そして、低温低湿環境(環境1:15℃/10%RH)、常温常湿環境(環境2:23℃/50%RH)、高温高湿環境(環境3:30℃/80%RH)の各環境下において、印字濃度1%画像を連続して1万枚出力した。
A:帯電ローラ表面層にクラックの発生が認められない。
B:帯電ローラ表面層にクラックが極軽微に認められる。
C:帯電ローラ表面層にクラックが軽微に認められる。
D:帯電ローラ表面層にクラックが多数発生している。
次に、上記実施例1〜27及び比較例1〜5で作成した帯電ローラについて、下記の(2)及び(3)の試験を行った。
本発明に係る表面層による帯電ローラの弾性層からの低分子量物質の染み出しの抑制効果を以下のようにして試験した。
A:感光層への染み出し物の付着もクラックの発生も認められない。
B:感光層への染み出し物の付着は僅かに認められるものの、クラックの発生はない。
C:感光層への染み出し物の付着は僅かに認められ、クラックの発生が軽微に観察される。
D:感光層への染み出し物の付着、クラックの発生ともに、はっきりと観察される。
帯電ローラが感光ドラムと長期間当接することによる帯電ローラの圧縮変形(Cセット)を下記のようにして試験した。
A:当接跡に基づく帯電ローラ周期の横線が認められない。
B:当接跡に基づく帯電ローラ周期の横線が極軽微に認められる。
C:当接跡に基づく帯電ローラ周期の横線が軽微に認められる。
D:当接跡に基づく帯電ローラ周期の横線が目立つレベルにある。
上記評価1の評価に供した、画像出力後の実施例1〜27の帯電ローラの各々について、帯電ローラを回転治具にセットし、回転させながら表面の水拭きを行った。水拭きについては、水を含ませた不織布を用いてローラ表面に軽く押し当てて洗浄を行った。また、洗浄後のローラをエアーブローすることによって、表面の水を除去し乾燥させた。洗浄後の帯電ローラを、新品のプロセスカートリッジに組み込み、再び上記評価1と同様の評価に供した。評価結果を下記表5に示す。
基層ローラ2−1を基層ローラ2−2に変えた以外は実施例1と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ1−1を基層ローラ1−2に変えた以外は実施例2と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ1−1を基層ローラ1−2に変えた以外は実施例3と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ1−1を基層ローラ1−2に変えた以外は実施例4と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ1−1を基層ローラ1−2に変えた以外は実施例5と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ1−1を基層ローラ1−2に変えた以外は実施例6と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ1−1を基層ローラ1−2に変えた以外は実施例7と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ1−1を基層ローラ1−2に変えた以外は実施例8と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ1−1を基層ローラ1−2に変えた以外は実施例9と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ1−1を基層ローラ1−2に変えた以外は実施例10と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ2−1を基層ローラ2−2に変えた以外は実施例2と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ2−1を基層ローラ2−2に変えた以外は実施例2と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ3−1を基層ローラ3−2に変えた以外は実施例13と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ4−1を基層ローラ4−2に変えた以外は実施例14と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ5−1を基層ローラ5−2に変えた以外は実施例15と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ6−1を基層ローラ6−2に変えた以外は実施例16と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ7−1を基層ローラ7−2に変えた以外は実施例17と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ8−1を基層ローラ8−2に変えた以外は実施例18と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ9−1を基層ローラ9−2に変えた以外は実施例19と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ10−1を基層ローラ10−2に変えた以外は実施例20と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ11−1を基層ローラ11−2に変えた以外は実施例21と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ1−1を基層ローラ1−2に変えた以外は実施例22と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ2−1を基層ローラ2−2に変えた以外は実施例23と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ2−1を基層ローラ2−2に変えた以外は実施例24と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ2−1を基層ローラ2−2に変えた以外は実施例25と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ1−1を基層ローラ1−2に変えた以外は実施例26と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ2−1を基層ローラ2−2に変えた以外は実施例2と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ11−1を基層ローラ11−2に変えた以外は比較例1と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ11−1を基層ローラ11−2に変えた以外は比較例2と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ4−1を基層ローラ4−2に変えた以外は比較例3と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ1−1を基層ローラ1−2に変えた以外は比較例4と同様にして帯電ローラを作成した。
基層ローラ1−1を基層ローラ1−2に変えた以外は比較例5と同様にして帯電ローラを作成した。
上記実施例28〜54及び比較例6〜10の各帯電ローラについて下記の評価(4)を行った。
A:帯電ローラ表面層にクラックの発生が認められない。
B:帯電ローラ表面層にクラックが極軽微に認められる。
C:帯電ローラ表面層にクラックが軽微に認められる。
D:帯電ローラ表面層にクラックが多数発生している。
2 弾性層
3 表面層
4 感光ドラム
5 帯電ローラ
6 現像ローラ
7 印刷メディア
8 転写ローラ
9 定着部
10 クリーニングブレード
11 露光
12 帯電前露光装置
13 弾性規制ブレード
14 トナー供給ローラ
18、19、20 電源
31 導電性支持体(芯金)
32 弾性層
33 表面層
34 帯電ローラ
35 軸受
36 バネ
37 枠体
38 接点
39 帯電ローラ表面の清掃部材
41 真空チャンバ
42 平板電極
43 原料ガスボンベ及び原料液体タンク
44 原料供給手段
45 ガス排気手段
46 高周波供給電源
47 モータ
48 基層ローラ
Claims (4)
- 電子写真感光体と、
該電子写真感光体と当接して配置されている帯電部材と、
該帯電部材に電圧を印加して、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段とを具備している電子写真画像形成装置であって、
該帯電部材は、軸芯体、弾性層及び該弾性層の表面を被覆している表面層とを具備し、
該表面層は、ケイ素原子と化学結合している炭素原子を含む酸化ケイ素膜を含み、
該酸化ケイ素膜は、ケイ素原子と化学結合を形成している酸素原子のケイ素原子に対する存在比(O/Si)が、0.95以上1.80以下であり、かつ、ケイ素原子と化学結合を形成している炭素原子のケイ素原子に対する存在比(C/Si)が、0.10以上1.25以下であることを特徴とする電子写真画像形成装置。 - 前記表面層がプラズマCVD法により作成されたものである請求項1に記載の電子写真画像形成装置。
- 前記帯電手段が、前記帯電部材、直流電圧、または直流電圧に交流電圧を重畳した電圧を印加する手段を具備している請求項1に記載の電子写真画像形成装置。
- 前記帯電部材が前記電子写真感光体に対して従動回転する請求項1または2に記載の電子写真画像形成装置。
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