JP5309175B2 - プラズマトーチ装置 - Google Patents
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Description
10 装置ボディ部
20 第1金属ボディ部
22 第1ボディ
24 ハウジング
26 第1ケーシング
30 絶縁ボディ部
32 第1絶縁ボディ
34 第2絶縁ボディ
40 第2金属ボディ部
42 第2ボディ
44 カソード電気印加片
50 電極部
52 カソード
54 アノード
60 ガス通路
70 冷却水通路
80 ガスツイスティング手段
90 磁石手段
110 ガス/冷却水の連結ブロック
120 支持ブロック
200a、200b 処理された返鉱
210、210a 返鉱移送手段
Claims (11)
- アノードと電気的に通じる第1金属ボディ部と、前記第1金属ボディ部と組み立てられる絶縁ボディ部と、前記絶縁ボディ部に内在されてカソードと電気的に通じる第2金属ボディ部とを含む装置ボディ部と、
前記カソードと、その前方にプラズマノズル部を形成するように間隔を置いて配置される前記アノードとを含み、放電を通じプラズマを発生させる電極部と、
前記装置ボディ部に夫々備えられ、電極部側にガスを供給し、及び装置を冷却するためのボディ一体型ガス通路及び冷却水通路と、
を含み、
前記ボディ一体型冷却水通路は、前記装置ボディ部の第1金属ボディ部と、絶縁ボディ部及び第2金属ボディ部に備えられた冷却水路と空間とを含んで構成され、
前記第1金属ボディ部は、装置の外縁を形成する第1ボディと、
前記第1ボディの内側に組み立てられて前記アノードを支持しながら電気を印加するハウジングと、
前記第1ボディの一側に組み立てられて前記アノードを固定する第1ケーシングと、
を含んで構成されたことを特徴とするプラズマトーチ装置。 - 前記絶縁ボディ部は、前記第1金属ボディ部の第1ボディとハウジングにわたってその内側に組み立てられる第1絶縁ボディと、
前記第1ボディと第1絶縁ボディの一側に固定して組み立てられる第2ケーシングである第2絶縁ボディと、
を含んで構成されたことを特徴とする請求項1に記載のプラズマトーチ装置。 - 前記第2金属ボディ部は、前記絶縁ボディ部の第1及び第2絶縁ボディにわたってその内側に電極部に備えられたカソードに電気を印加するように組み立てられる第2ボディと、
前記第2ボディに組み立てられ前記カソードの内側に締結される電気印加片と、
を含んで構成されたことを特徴とする請求項2に記載のプラズマトーチ装置。 - 前記ボディ一体型冷却水通路は、前記第1金属ボディ部の第1ボディとハウジングに形成された第1及び第2冷却水通路と、
前記絶縁ボディ部の第1絶縁ボディに形成された第3冷却水通路と、
前記第2金属ボディ部の第2ボディに形成された第4冷却水通路と、
前記第2ボディとカソードの間に形成される空間と、
前記第2ボディの内側に締結されるカソードの電気印加片に形成された第5冷却水通路と、
前記第2ボディの内部に形成された第6冷却水通路と、
を含み、装置を全体的に均一に冷却するように構成されたことを特徴とする請求項3に記載のプラズマトーチ装置。 - 前記ボディ一体型ガス通路は、前記装置ボディ部を構成する第1金属ボディ部と、絶縁ボディ部及び第1金属ボディ部に内在され、供給ガスをツイスティングさせて電極部の摩耗を防止するように提供されるガスツイスティング手段に備えられたガス通路と空間を含み、電極部のカソードとアノードの間にガスを供給するように構成されたことを特徴とする請求項4に記載のプラズマトーチ装置。
- 前記ボディ一体型ガス通路は、前記第1金属ボディ部の第1ボディとハウジングに形成された第1及び第2ガス通路と、
前記絶縁ボディ部の第1絶縁ボディと前記ハウジングの間に形成された空間と、
前記第1絶縁ボディとハウジングの間に配置されるガスツイスティング手段に備えられた第3ガス通路と、
を含んで構成されたことを特徴とする請求項5に記載のプラズマトーチ装置。 - 前記ガスツイスティング手段は、前記装置ボディ部を構成する第1金属ボディ部のハウジングと絶縁ボディ部の第1絶縁ボディの間にカソードの外縁に環形態で組み立てられ、前記ガスツイスティング手段の胴体に傾いて貫通する第3ガス通路を含むことを特徴とする請求項6に記載のプラズマトーチ装置。
- 前記第2ボディの第6冷却水通路には、冷却水供給用連結口が締結され、前記第1ボディの第1冷却水通路と連結される連結ブロックには、冷却水排出用連結口が締結され、冷却水は第6冷却水通路に流入されて通路と空間を経て第1冷却水通路から排出されることを特徴とする請求項7に記載のプラズマトーチ装置。
- 前記第1ボディの第1ガス通路と連結されて前記第1ボディに固定される連結ブロックには、ガス供給用連結口が締結され、ガスは第1ガス通路に流入され、かつ第2及び第3ガス通路と空間を経て電極部のカソードとアノードの間に供給されることを特徴とする請求項8に記載のプラズマトーチ装置。
- 電極部の周辺に配置され、電子の流れを活発化させトーチ効率を向上させるように提供された磁石をさらに含み、
前記磁石手段は、前記装置ボディ部を構成する第1金属ボディ部のハウジングと電極部のアノードの間に組み立てられて配置され、電子の流れを磁力で活性化させることによりトーチ効率を向上させるように提供されたことを特徴とする請求項9に記載のプラズマトーチ装置。 - 前記磁石手段は、中央のメイン磁石環と、その両側に組み立てられてハウジングとアノードに支持される外縁環を含んで構成されたことを特徴とする請求項10に記載のプラズマトーチ装置。
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