JPH01148472A - プラズマジェットトーチ - Google Patents
プラズマジェットトーチInfo
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- JPH01148472A JPH01148472A JP62307302A JP30730287A JPH01148472A JP H01148472 A JPH01148472 A JP H01148472A JP 62307302 A JP62307302 A JP 62307302A JP 30730287 A JP30730287 A JP 30730287A JP H01148472 A JPH01148472 A JP H01148472A
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- Japan
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- electrode
- plasma jet
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- gas
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- Granted
Links
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Arc Welding In General (AREA)
- Arc Welding Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高出力および高アーク放電電圧が可能なプラ
ズマジェットトーチに関する。
ズマジェットトーチに関する。
プラズマジェットトーチは一般的には第3図に示すよう
に電極10、ノズル12、絶縁体14、電極台16を備
え、電源18により電極台16を通して電極10とノズ
ル12の間に電圧を加えてアークを発生させ、また電極
10の周囲からプラズマガスGを供給してノズル12よ
りプラズマジェット20を噴出させ、このプラズマジェ
ット20を用いて切断、溶接、溶射などを行なう。
に電極10、ノズル12、絶縁体14、電極台16を備
え、電源18により電極台16を通して電極10とノズ
ル12の間に電圧を加えてアークを発生させ、また電極
10の周囲からプラズマガスGを供給してノズル12よ
りプラズマジェット20を噴出させ、このプラズマジェ
ット20を用いて切断、溶接、溶射などを行なう。
電極10にはタングステンなどの耐熱性導電体を用い、
ノズル12は内部を空洞にしてまた電極台16も内部を
空洞にして冷却水を導入し、水冷を行なう。しかしそれ
でも電極10およびノズル12の消耗は少なくなく、特
にノズルは陽極にされるので加熱度が太き(、しかも高
速プラズマ流が通るので消耗が大きい。
ノズル12は内部を空洞にしてまた電極台16も内部を
空洞にして冷却水を導入し、水冷を行なう。しかしそれ
でも電極10およびノズル12の消耗は少なくなく、特
にノズルは陽極にされるので加熱度が太き(、しかも高
速プラズマ流が通るので消耗が大きい。
高出力化を図ったものに第4図のガストンネルプラズマ
トーチがある。これは、電極10、ノズル12、電源1
8等の部分は第3図と同様であり、プラズマジェット2
0を発生する。このプラズマジェット20に沿って第4
図のトーチでは渦流発生ノズル22とガスダイバータノ
ズル24を設ける。ノズル22には図示しないが内周面
に沿うガス流を生じるように孔が複数箇所にあけられて
おり、作動ガスGが供給されると、プラズマジェット2
0を中心にして高速に回転する渦流を生じる。
トーチがある。これは、電極10、ノズル12、電源1
8等の部分は第3図と同様であり、プラズマジェット2
0を発生する。このプラズマジェット20に沿って第4
図のトーチでは渦流発生ノズル22とガスダイバータノ
ズル24を設ける。ノズル22には図示しないが内周面
に沿うガス流を生じるように孔が複数箇所にあけられて
おり、作動ガスGが供給されると、プラズマジェット2
0を中心にして高速に回転する渦流を生じる。
またノズル12と24の間には電源26により電圧を加
えるのでこれらのノズルの間に放電電流が流れ、この放
電による電力供給と高速渦流によるサーマルピンチ効果
によりプラズマジェット20は大出力、高密度になる。
えるのでこれらのノズルの間に放電電流が流れ、この放
電による電力供給と高速渦流によるサーマルピンチ効果
によりプラズマジェット20は大出力、高密度になる。
第3図のプラズマトーチでは高電圧出力化が困難であり
、第4図のプラズマトーチでは高出力化が可能であるが
、高速渦流を発生させるので機構が複雑であり、渦流を
発生させガストンネル状態を作るのに多量の作動ガスG
が必要であり、ランニングコストが大である。また溶射
では渦流のため溶射粉末の飛散も多く歩留りが悪い。
、第4図のプラズマトーチでは高出力化が可能であるが
、高速渦流を発生させるので機構が複雑であり、渦流を
発生させガストンネル状態を作るのに多量の作動ガスG
が必要であり、ランニングコストが大である。また溶射
では渦流のため溶射粉末の飛散も多く歩留りが悪い。
また溶射には、投入した粉体がプラズマジェットに充分
な時間接触して溶融するよう、プラズマジェットの長さ
が長い方がよいが、第3図のトーチではトーチ内プラズ
マジェット長がそれ程長くない。
な時間接触して溶融するよう、プラズマジェットの長さ
が長い方がよいが、第3図のトーチではトーチ内プラズ
マジェット長がそれ程長くない。
本発明はか\る点を改善し、プラズマジェット長を大に
することができて、高い電源電圧が使用可能で、高出力
が得られ、構造も簡単なプラズマジェットトーチを提供
することを目的とするものである。
することができて、高い電源電圧が使用可能で、高出力
が得られ、構造も簡単なプラズマジェットトーチを提供
することを目的とするものである。
第1図に本発明のプラズマジェットトーチを示し、第2
図にその要部を拡大して示す。10は電極であり、実際
にアークが発生する部分10aとその支持部分10bか
らなる。アーク発生部材10aはタングステンまたはそ
の合金などの耐熱金属で作られ、支持部材10bは銅な
どの良導電性材で作られる。支持部材10bは筒状をな
し、内部にパイプ32が挿入されており、これはパイプ
32aを通して外部より給水されて冷却水をアーク発生
部材10aの背面へ吐出し、該部材10aを冷却する。
図にその要部を拡大して示す。10は電極であり、実際
にアークが発生する部分10aとその支持部分10bか
らなる。アーク発生部材10aはタングステンまたはそ
の合金などの耐熱金属で作られ、支持部材10bは銅な
どの良導電性材で作られる。支持部材10bは筒状をな
し、内部にパイプ32が挿入されており、これはパイプ
32aを通して外部より給水されて冷却水をアーク発生
部材10aの背面へ吐出し、該部材10aを冷却する。
冷却後の水はパイプ32と支持部材10bの間の空間、
トーチ内部、狭搾ノズル台52、狭搾ノズル34、水路
カラー50との空間を通り、パイプ32bより外部へ排
出される。
トーチ内部、狭搾ノズル台52、狭搾ノズル34、水路
カラー50との空間を通り、パイプ32bより外部へ排
出される。
電極の前方には狭搾ノズル34と母材ノズル36が配置
される。狭搾ノズル34は、電極から発生したアークを
よく搾り込むように小さな開口を持つ、これに対して母
材ノズル34は、高速プラズマジェットが強く接触しな
いようにノズル34よりは大きな開口を持ち、かつこの
開口は下方へ行く程拡がるようにテーパがついている。
される。狭搾ノズル34は、電極から発生したアークを
よく搾り込むように小さな開口を持つ、これに対して母
材ノズル34は、高速プラズマジェットが強く接触しな
いようにノズル34よりは大きな開口を持ち、かつこの
開口は下方へ行く程拡がるようにテーパがついている。
ノズル34.36も水冷されるように、裏面は冷却水路
の一部を構成する。
の一部を構成する。
母材ノズル36の冷却水路は、入水管38、パイプ継手
40,42、母材ノズル台44、パイプ継手46・、戻
水管48である。狭搾ノズル34の冷却水路は電極の冷
却水路と一部を共用している。
40,42、母材ノズル台44、パイプ継手46・、戻
水管48である。狭搾ノズル34の冷却水路は電極の冷
却水路と一部を共用している。
50は水路カラー、52は狭搾ノズル台であり、狭搾ノ
ズル34はこれらと図示の如き空洞を形成するが、この
空洞60が狭搾ノズル冷却水路の一部であり、これは図
示しないがパイプ32a、32bと連通ずる。
ズル34はこれらと図示の如き空洞を形成するが、この
空洞60が狭搾ノズル冷却水路の一部であり、これは図
示しないがパイプ32a、32bと連通ずる。
また54は電極10とノズル34との間の絶縁体(セン
タリングストーン)、56はノズル34゜36間の絶縁
体である。絶縁カラー56には孔が開いており、この孔
を通してサイドガスがノズル34.36間へ旋回流とな
って供給される。サイドガスの供給路は、第1図、第2
図の表/裏面側に配設されるサイドガス供給管、母材ノ
ズル台44の孔(いずれも図示しない)、空洞58であ
る。
タリングストーン)、56はノズル34゜36間の絶縁
体である。絶縁カラー56には孔が開いており、この孔
を通してサイドガスがノズル34.36間へ旋回流とな
って供給される。サイドガスの供給路は、第1図、第2
図の表/裏面側に配設されるサイドガス供給管、母材ノ
ズル台44の孔(いずれも図示しない)、空洞58であ
る。
60はガスシールカラーである。
また62はパイロット電源で、一端を電極10へまた他
端を狭搾ノズル34に接続する。64は主電源で、一端
を電極10に、他端をノズル台44を通して母材ノズル
36へ接続する。図ではこの結線を略示しているが実際
はパイプ38.48のように配設されたケーブルにより
行なわれる。
端を狭搾ノズル34に接続する。64は主電源で、一端
を電極10に、他端をノズル台44を通して母材ノズル
36へ接続する。図ではこの結線を略示しているが実際
はパイプ38.48のように配設されたケーブルにより
行なわれる。
例えばノズル36への配線は第1図、第2図の表/裏面
、前記サイドガス供給管とは反対の側に配設されノズル
台44へ接続される電気ケーブルにより行なわれる。
、前記サイドガス供給管とは反対の側に配設されノズル
台44へ接続される電気ケーブルにより行なわれる。
プラズマ動作ガスは、該ガスの供給管68より、電極1
0とノズル34との間の空間へ供給される。
0とノズル34との間の空間へ供給される。
電源62.64により電極10.ノズル34゜36に電
圧を加え、ガス供給管68よりプラズマガスを供給する
と、電極10の部材10aとノズル34との間にアーク
が発生し、この空間に供給されるガス流を電離してプラ
ズマジェットにする。
圧を加え、ガス供給管68よりプラズマガスを供給する
と、電極10の部材10aとノズル34との間にアーク
が発生し、この空間に供給されるガス流を電離してプラ
ズマジェットにする。
このプラズマジェットはノズル34で搾られ、高温、高
速となって該ノズル34より、続いてノズル36より外
部へ噴出する。
速となって該ノズル34より、続いてノズル36より外
部へ噴出する。
プラズマジェットがノズル36を通ると、電極10とノ
ズル36間でアーク放電が発生する。この放電長は長い
から、アーク電圧は大である。これは主電源64はパイ
ロット電源62より高圧でよいことを意味し、電圧・電
流積であるトーチ出力を容易に高めることができる。主
電源64による電極10、ノズル36間のアーク放電が
発生したのちは、スイッチ66を開いてパイロット電源
を遮断してよい。
ズル36間でアーク放電が発生する。この放電長は長い
から、アーク電圧は大である。これは主電源64はパイ
ロット電源62より高圧でよいことを意味し、電圧・電
流積であるトーチ出力を容易に高めることができる。主
電源64による電極10、ノズル36間のアーク放電が
発生したのちは、スイッチ66を開いてパイロット電源
を遮断してよい。
母材ノズル36に発生する陽極点部分は部分的に非常に
高温となり水冷してあってもノズル面の消耗が激しい。
高温となり水冷してあってもノズル面の消耗が激しい。
よって陽極点発生位置を母材ノズル36のテーパ部分と
なる様に設定し、高温、高速プラズマジェット流がノズ
ル面に直接作用しない様回避している。ノズル34は、
バイブロ8から供給したまだ高温にはなっていないガス
がノズル面をなでるように流れ、高温プラズマは中心部
に絞り込むようにして保護する。
なる様に設定し、高温、高速プラズマジェット流がノズ
ル面に直接作用しない様回避している。ノズル34は、
バイブロ8から供給したまだ高温にはなっていないガス
がノズル面をなでるように流れ、高温プラズマは中心部
に絞り込むようにして保護する。
このプラズマジェットトーチではアーク長が大であるの
で高圧電源を使用でき、容易に高出力化を図ることがで
きる。第4図のように渦流発生機構を設ける必要はない
。サイドガスとして粉体混合ガスを使用すると溶射を行
なうことができ、該ガスの粉体はノズル36を通る間に
充分加熱、溶融される。サイドガスは絶縁体56を冷却
して保護する。
で高圧電源を使用でき、容易に高出力化を図ることがで
きる。第4図のように渦流発生機構を設ける必要はない
。サイドガスとして粉体混合ガスを使用すると溶射を行
なうことができ、該ガスの粉体はノズル36を通る間に
充分加熱、溶融される。サイドガスは絶縁体56を冷却
して保護する。
このプラズマジェットトーチでは電極の前に、プラズマ
ガスでプラズマジェットを中心部に強く絞り込む狭搾ノ
ズル34を置くので、プラズマガスとして窒素、アルゴ
ン、水素の混合ガス及び、窒素ガス単独の使用も出きる
。即ち窒素、水素ガスは電離電圧が高く、高温になり、
ノズル消耗を大にするが、プラズマジェットを中心部に
絞り込む狭搾ノズル34を使用すると、高温、高速プラ
ズマジェットは中心部に絞られるからノズル面の消耗が
少な(なり、ひいては上記混合ガス及び単独のガスの使
用が可能になる。
ガスでプラズマジェットを中心部に強く絞り込む狭搾ノ
ズル34を置くので、プラズマガスとして窒素、アルゴ
ン、水素の混合ガス及び、窒素ガス単独の使用も出きる
。即ち窒素、水素ガスは電離電圧が高く、高温になり、
ノズル消耗を大にするが、プラズマジェットを中心部に
絞り込む狭搾ノズル34を使用すると、高温、高速プラ
ズマジェットは中心部に絞られるからノズル面の消耗が
少な(なり、ひいては上記混合ガス及び単独のガスの使
用が可能になる。
加熱用熱源又は溶射熱源として使用した場合を、従来例
とともに説明する。
とともに説明する。
本発明はプラズマジェット電流200(A)、プラズマ
ガス(窒素ガス) 40 J/min 、狭搾ノズル径
2.4鶴、母材ノズル径(最小径部)6.5in、サイ
ドガス(窒素ガス) 10 j!/winの条件で、
アーク電圧は180(V)であった。このように本発明
では小電流、高電圧が可能となり、小電流でも高出力3
6KVAが得られた。このプラズマジェットフレームの
温度は、トーチ先端より 2001m離れた位置で約1
200℃であった。
ガス(窒素ガス) 40 J/min 、狭搾ノズル径
2.4鶴、母材ノズル径(最小径部)6.5in、サイ
ドガス(窒素ガス) 10 j!/winの条件で、
アーク電圧は180(V)であった。このように本発明
では小電流、高電圧が可能となり、小電流でも高出力3
6KVAが得られた。このプラズマジェットフレームの
温度は、トーチ先端より 2001m離れた位置で約1
200℃であった。
また第3図に示す従来技術においては、プラズマ電流1
000(A)でプラズマガス(アルゴンガス)60j2
/+win、ノズル径6.25mの条件で、アーク電圧
は40(V)であった。このように1000(A)の大
電流にもかかわらず、出力は40 KVAであり、プラ
ズマジェットフレームの温度は、トーチ先端から200
寵離れた位置で約500℃であった。
000(A)でプラズマガス(アルゴンガス)60j2
/+win、ノズル径6.25mの条件で、アーク電圧
は40(V)であった。このように1000(A)の大
電流にもかかわらず、出力は40 KVAであり、プラ
ズマジェットフレームの温度は、トーチ先端から200
寵離れた位置で約500℃であった。
このようにほぼ同等の出力を得るのに、本発明では低電
流でよく、その結果はノズルの消耗量は約1/2となり
、電源は小型化、ケーブルは細くなった。さらに溶射の
場合、本発明は放電長が長く、金属粉末を完全に溶解し
て溶射することができた。
流でよく、その結果はノズルの消耗量は約1/2となり
、電源は小型化、ケーブルは細くなった。さらに溶射の
場合、本発明は放電長が長く、金属粉末を完全に溶解し
て溶射することができた。
さらに第4図に示す従来技術では初期プラズマジェット
で100A 、プラズマガス(アルゴンガス)40#/
1linでアーク電圧20(V)、重畳プラズマジェッ
ト電流400A 、作動ガス(アルゴンガス) 25
01/ winでアーク電圧110Vであった。
で100A 、プラズマガス(アルゴンガス)40#/
1linでアーク電圧20(V)、重畳プラズマジェッ
ト電流400A 、作動ガス(アルゴンガス) 25
01/ winでアーク電圧110Vであった。
この条件で本発明以上の温度であるプラズマフレームが
得られたが、作動ガスとしてアルゴンガスを多量に使用
し、全体としては本発明に比べて約6倍を使用するもの
であり、装置が複雑、制御も容易でなく、問題である。
得られたが、作動ガスとしてアルゴンガスを多量に使用
し、全体としては本発明に比べて約6倍を使用するもの
であり、装置が複雑、制御も容易でなく、問題である。
以上説明したように本発明によれば高電圧が使用できて
比較的少ない電流で高出力が得られ、窒素ガス単独の使
用も出来、長いプラズマジェット長が得られるので溶射
などに有効であり、構造が比較的簡単でランニングコス
トも低いプラズマジェットトーチが得られる。
比較的少ない電流で高出力が得られ、窒素ガス単独の使
用も出来、長いプラズマジェット長が得られるので溶射
などに有効であり、構造が比較的簡単でランニングコス
トも低いプラズマジェットトーチが得られる。
第1図は本発明のプラズマジェットトーチの側面図で、
一部は断面で示す。 第2図は第1図の要部拡大図、 第3図および第4図は従来例の説明図である。 第1図、第2図で10は電極、34は狭搾ノズル、36
は母材ノズル、62はパイロット電源、64は主電源、
32a、32b、38.40は冷却水供給管、68はプ
ラズマガス供給管である。 出 願 人 日鐵熔接工業株式会社 代理人弁理士 青 柳 稔 第2図 第30 第4図
一部は断面で示す。 第2図は第1図の要部拡大図、 第3図および第4図は従来例の説明図である。 第1図、第2図で10は電極、34は狭搾ノズル、36
は母材ノズル、62はパイロット電源、64は主電源、
32a、32b、38.40は冷却水供給管、68はプ
ラズマガス供給管である。 出 願 人 日鐵熔接工業株式会社 代理人弁理士 青 柳 稔 第2図 第30 第4図
Claims (1)
- 電極(10)、該電極の前に置かれる狭搾ノズル(34
)、および該狭搾ノズルの前に置かれる母材ノズル(3
6)を備え、狭搾ノズルはプラズマジェットを中心部に
強く絞り込むように狭い開口を持ち、母材ノズルは狭搾
ノズルより広い開口を持ち、電極と狭搾ノズルとの間に
パイロット電源(62)が、また電極と母材ノズルとの
間に主電源(64)が、接続され、電極、狭搾ノズル、
および母材ノズルを冷却する機構、電極と狭搾ノズルと
の間の空間へプラズマガスを供給する機構および狭搾ノ
ズルと母材ノズルの間からサイドガスを供給する機構が
設けられたことを特徴とするプラズマジェットトーチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62307302A JP2510091B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | プラズマジェットト―チ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62307302A JP2510091B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | プラズマジェットト―チ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01148472A true JPH01148472A (ja) | 1989-06-09 |
JP2510091B2 JP2510091B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=17967510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62307302A Expired - Lifetime JP2510091B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | プラズマジェットト―チ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2510091B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100784413B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2007-12-11 | 주식회사 케이피씨 | 플라즈마 아크 토치 및 그 플라즈마 아크 토치를 이용한스크러버 |
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