JP5297525B2 - 不揮発性記憶における同時書込みと検証 - Google Patents
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 271
- 238000012795 verification Methods 0.000 title description 6
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims abstract description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 27
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 7
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101000739577 Homo sapiens Selenocysteine-specific elongation factor Proteins 0.000 description 5
- 102100037498 Selenocysteine-specific elongation factor Human genes 0.000 description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co].[Ni].[Ni].[Ni] ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- SCCCLDWUZODEKG-UHFFFAOYSA-N germanide Chemical compound [GeH3-] SCCCLDWUZODEKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
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- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0007—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
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- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0064—Verifying circuits or methods
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- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
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- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/3468—Prevention of overerasure or overprogramming, e.g. by verifying whilst erasing or writing
- G11C16/3481—Circuits or methods to verify correct programming of nonvolatile memory cells whilst programming is in progress, e.g. by detecting onset or cessation of current flow in cells and using the detector output to terminate programming
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- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
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- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/30—Resistive cell, memory material aspects
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- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/72—Array wherein the access device being a diode
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Description
図1は、メモリセル200に関する1つの実施形態の概略斜視図を示す。メモリセル200は、第1導電体206と第2導電体208の間においてステアリング素子204に直列に接続される可逆的抵抗スイッチング素子202を備える。
上記したように、可逆的抵抗スイッチング素子202は、2以上の状態の間を可逆的にスイッチしてもよい。例えば、可逆的抵抗性スイッチング材料は、製造時の初期状態で高抵抗率であり、第1の電圧及び/又は電流の印加によって低抵抗率にスイッチしてもよい。可逆的抵抗性スイッチング材料は、第2の電圧及び/又は電流の印加によって高抵抗率状態に戻ってもよい。図7は、酸化金属可逆的抵抗スイッチング素子の1つの実施形態における電圧・電流を示す図である。ライン400は、可逆的抵抗スイッチング素子が高抵抗率(ROFF)のときのI−V特性を示す。ライン402は、可逆的抵抗スイッチング素子が低抵抗率(RON)のときのI−V特性を示す。
ある実施形態では、メモリセルを流れる電流を制御及び/又は制限する回路がメモリセルから離れて設けられてもよい。この距離は、モノリシックな3次元メモリアレイにとって大きな問題となり得る。3次元メモリアレイでは、制御回路が基板表面上にあり、メモリセルが3次元メモリアレイの上側層上にある(上述)。この距離によって、導電経路が長くなり、その結果、配線に比較的大きな容量が形成される。場合によっては、メモリセルがセットされると、次に、配線上の容量充電がメモリセルを介して消散され、それにより、余分な電流が可逆的抵抗スイッチング素子を流れる。この余分な電流は、素子をリセットするのが困難又は不可能なほどの低い抵抗値にまで可逆的抵抗スイッチング素子をセットするかもしれない。一つの提案は、セット動作中にビット線とデータバスを放電させることによって、セット完了後に不要な電流がメモリセルを介して駆動されないようにすることである。この実施形態では、セット動作中にダイオードは順バイアスされ、Vsetがパルスとして印加される。Vsetパルスは可逆的抵抗スイッチング素子をセットするのに必要な時間よりも短い。これにより、余分な電荷は、ビット線及びデータバスからの放電にのみ提供され、Vsetパルスによって提供されない。ある実施形態では、セット動作に続いて、セット動作が成功したか否かを見るための検証動作が行われる。失敗の場合、セット動作は再実行される。
これまでの実施形態では、可逆的抵抗スイッチング素子は、Vresetを印加して大きな電流を可逆的抵抗スイッチング素子に流すことでリセットされる。ステアリング素子としてダイオードを利用するメモリセルでは、セットとリセットの間での振動又は大きくて十分な電流の提供を失敗するということをリセット動作中に経験する可能性がある。本明細書で提案される1つの解決方法では、セット電圧以上の電圧を短いパルス時間(数十ナノ秒のオーダー)で印加することによってリセットを実行することである。パルスは、セット動作に必要とされるものよりも短いが、リセット動作又は複数パルスに分割されたリセット動作にとっては十分に長い。これにより、セット動作が発生しないこと、そしてセットとリセットの間での振動も発生しないことが保証される。短いパルスの印加後に、メモリセルがリセットされたかどうかを見るためにメモリセルは検証される。リセットが検証されなければ、他のパルスが印加される。このプロセスは、メモリセルがリセットされるまで続けられる。1つの実施形態では、ダイオードはリセット中に順バイアスされ、正電圧のみが用いられる。
上記したように、セット中に可逆的抵抗スイッチング素子がオーバーセットされる可能性があり、それにより、リセット又はセットとリセットの間で振動してしまう。同様に、リセット中に可逆的スイッチング素子がオーバーリセットされる可能性があり、それにより、セット又はセットとリセットの間で振動してしまう。他の提案する解決方法は、即時に可逆的抵抗スイッチング素子をテストしてリセット(又はセット)することであり、これにより、反対動作又は振動が始まる前にプログラミングプロセスをとても素早く停止させる。
Claims (13)
- 不揮発性記憶システムであって、
不揮発性記憶素子と、
前記不揮発性記憶素子と通信する制御線と、
前記制御線と通信しており、前記制御線の電流を表わす電流を参照と比較して、その比較に基づいて出力を提供する電流比較回路と、
前記電流比較回路の出力と通信しており、書込み動作が完了したことを前記出力が示しているかどうかを決定する決定ロジック回路と、
前記決定ロジック回路と通信しており、前記書込み動作が完了したことを前記決定ロジック回路が決定したことに応答して前記書込み動作を停止する制御線放電回路と、を備えており、
前記書込み動作は、前記不揮発性記憶素子の抵抗を低抵抗状態に変化させるセット動作、及び前記不揮発性記憶素子の抵抗を高抵抗状態に変化させるリセット動作の双方であり、
前記決定ロジック回路は、セット動作が成功して完了したかどうか、又はリセット動作が成功して完了したかどうかを決定するための組合せロジックを有している不揮発性記憶システム。 - 前記電流比較回路は、
第1入力と第1出力を有する第1カレントミラー回路と、
第2入力と第2出力を有する第2カレントミラー回路と、を有しており、
前記第1入力は、前記制御線の電流を表わす電流を受信するために、前記制御線と通信しており、
前記第2出力は、第1ノードにおいて前記第1出力に接続されており、
前記第2入力は、前記参照を受信しており、
前記第1ノードは、前記制御線の電流を表わす電流と参照の比較を示す請求項1に記載の不揮発性記憶システム。 - 前記制御線放電回路は、前記制御線から接地への経路を選択的に提供するスイッチを有しており、
前記制御線は、前記スイッチが接地への経路を提供する前に、前記書込み動作中に前記不揮発性記憶素子に書込み信号を提供する請求項1又は2に記載の不揮発性記憶システム。 - 前記決定ロジック回路は、適切な抵抗変化が書込み動作中に生じたかどうかを決定する請求項1〜3のいずれか一項に記載の不揮発性記憶システム。
- 前記不揮発性記憶素子は、可逆的抵抗スイッチング素子を含んでおり、
前記書込み動作は、前記可逆的抵抗スイッチング素子の抵抗を低抵抗状態に変化させる、又は前記可逆的抵抗スイッチング素子の抵抗を高抵抗状態に変化させるのいずれかに予め設定されている請求項1〜4のいずれか一項に記載の不揮発性記憶システム。 - 前記不揮発性記憶素子はモノリシックな3次元メモリアレイの一部である請求項1〜5のいずれか一項に記載の不揮発性記憶システム。
- 前記電流比較回路、前記決定ロジック回路、及び前記制御線放電回路は、セット動作とリセット動作を実行するために用いられる請求項1〜6のいずれか一項に記載の不揮発性記憶システム。
- 不揮発性記憶を動作させる方法であって、
不揮発性記憶素子に書込み動作を実行する工程と、
前記書込み動作中に前記不揮発性記憶素子の抵抗変化を即時に検出する工程と、
前記抵抗変化を検出する工程が前記書込み動作が完了したことを示しているかどうかを決定する工程と、
前記抵抗変化の検出に応答して前記書込み動作を終了させる工程と、を備えており、
前記書込み動作は、前記不揮発性記憶素子の抵抗を低抵抗状態に変化させるセット動作、及び前記不揮発性記憶素子の抵抗を高抵抗状態に変化させるリセット動作の双方であり、
前記書込み動作が完了したかどうかを前記決定する工程は、セット動作が成功して完了したかどうか、又はリセット動作が成功して完了したかどうかを決定することを含む方法。 - 前記抵抗変化を検出する工程は、前記不揮発性記憶素子を流れる電流の変化を検出することを含む請求項8に記載の方法。
- 前記不揮発性記憶素子を流れる電流の変化を検出することは、制御線の電流を表わす電流を参照と比較するために接続された2つのカレントミラーの利用を含んでおり、
前記制御線は、前記不揮発性記憶素子に接続されている請求項9に記載の方法。 - 前記書込み動作を実行する工程は、前記不揮発性記憶素子と通信する制御線に書込み信号を提供することを含んでおり、
前記書込み動作を終了させる工程は、前記制御線から前記書込み信号を取り除くことを含む請求項8〜10のいずれか一項に記載の方法。 - 前記不揮発性記憶素子は、可逆的抵抗スイッチング素子を含んでいる請求項8〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記不揮発性記憶素子は、モノリシックな3次元メモリアレイの一部である請求項8〜12のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US7655308P | 2008-06-27 | 2008-06-27 | |
US61/076,553 | 2008-06-27 | ||
US12/339,327 | 2008-12-19 | ||
US12/339,327 US8111539B2 (en) | 2008-06-27 | 2008-12-19 | Smart detection circuit for writing to non-volatile storage |
PCT/US2009/048951 WO2009158673A1 (en) | 2008-06-27 | 2009-06-26 | Simultaneous write and verify in a non-volatile storage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011526401A JP2011526401A (ja) | 2011-10-06 |
JP5297525B2 true JP5297525B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=40957948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011516736A Active JP5297525B2 (ja) | 2008-06-27 | 2009-06-26 | 不揮発性記憶における同時書込みと検証 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8111539B2 (ja) |
EP (1) | EP2304731B1 (ja) |
JP (1) | JP5297525B2 (ja) |
KR (1) | KR101568327B1 (ja) |
CN (1) | CN102077293B (ja) |
TW (1) | TW201015550A (ja) |
WO (1) | WO2009158673A1 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9153960B2 (en) | 2004-01-15 | 2015-10-06 | Comarco Wireless Technologies, Inc. | Power supply equipment utilizing interchangeable tips to provide power and a data signal to electronic devices |
US7869258B2 (en) * | 2008-06-27 | 2011-01-11 | Sandisk 3D, Llc | Reverse set with current limit for non-volatile storage |
US7978507B2 (en) * | 2008-06-27 | 2011-07-12 | Sandisk 3D, Llc | Pulse reset for non-volatile storage |
US8130528B2 (en) | 2008-08-25 | 2012-03-06 | Sandisk 3D Llc | Memory system with sectional data lines |
US8027209B2 (en) | 2008-10-06 | 2011-09-27 | Sandisk 3D, Llc | Continuous programming of non-volatile memory |
US7920407B2 (en) * | 2008-10-06 | 2011-04-05 | Sandisk 3D, Llc | Set and reset detection circuits for reversible resistance switching memory material |
US8441837B2 (en) * | 2009-04-15 | 2013-05-14 | Panasonic Corporation | Variable resistance nonvolatile memory device |
US8279650B2 (en) | 2009-04-20 | 2012-10-02 | Sandisk 3D Llc | Memory system with data line switching scheme |
JP5135373B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2013-02-06 | 株式会社東芝 | 不揮発性記憶装置 |
KR101201857B1 (ko) * | 2010-08-27 | 2012-11-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 데이터 읽기방법 |
US8767482B2 (en) | 2011-08-18 | 2014-07-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses, devices and methods for sensing a snapback event in a circuit |
US9082479B2 (en) * | 2011-10-06 | 2015-07-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nonvolatile memory element and nonvolatile memory device |
TWI488192B (zh) * | 2011-11-10 | 2015-06-11 | Ind Tech Res Inst | 非揮發性記憶體的寫入時序控制電路和控制方法 |
KR20130069029A (ko) * | 2011-12-16 | 2013-06-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 저항성 메모리 장치 |
US8885400B2 (en) | 2013-02-21 | 2014-11-11 | Sandisk 3D Llc | Compensation scheme for non-volatile memory |
US8885428B2 (en) | 2013-02-22 | 2014-11-11 | Sandisk 3D Llc | Smart read scheme for memory array sensing |
US9165633B2 (en) | 2013-02-26 | 2015-10-20 | Honeywell International Inc. | Carbon nanotube memory cell with enhanced current control |
US9007810B2 (en) | 2013-02-28 | 2015-04-14 | Sandisk 3D Llc | ReRAM forming with reset and iload compensation |
US9842991B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-12-12 | Honeywell International Inc. | Memory cell with redundant carbon nanotube |
US8953387B2 (en) | 2013-06-10 | 2015-02-10 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for efficient write in a cross-point array |
US9312005B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-04-12 | Micron Technology, Inc. | Accessing memory cells in parallel in a cross-point array |
US8995169B1 (en) | 2013-09-12 | 2015-03-31 | Sandisk 3D Llc | Method of operating FET low current 3D Re-RAM |
US9324423B2 (en) | 2014-05-07 | 2016-04-26 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for bi-directional access of cross-point arrays |
US9286976B2 (en) | 2014-05-29 | 2016-03-15 | Intel Corporation | Apparatuses and methods for detecting write completion for resistive memory |
US9711213B2 (en) * | 2014-09-04 | 2017-07-18 | Micron Technology, Inc. | Operational signals generated from capacitive stored charge |
KR102217243B1 (ko) * | 2014-10-28 | 2021-02-18 | 삼성전자주식회사 | 저항성 메모리 장치, 저항성 메모리 시스템 및 저항성 메모리 장치의 동작방법 |
US9312001B1 (en) * | 2015-02-17 | 2016-04-12 | Winbond Electronics Corp. | Writing and verifying circuit for a resistive memory and method for writing and verifying a resistive memory |
TWI579848B (zh) * | 2015-07-07 | 2017-04-21 | 華邦電子股份有限公司 | 記憶體寫入裝置以及方法 |
US20170345496A1 (en) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | Intel Corporation | Asymmetrical write driver for resistive memory |
US9792984B1 (en) * | 2016-10-27 | 2017-10-17 | Arm Ltd. | Method, system and device for non-volatile memory device operation |
US10553647B2 (en) * | 2018-06-28 | 2020-02-04 | Sandisk Technologies Llc | Methods and apparatus for three-dimensional non-volatile memory |
CN110993001B (zh) * | 2019-11-06 | 2021-10-08 | 华中科技大学 | 一种stt-mram的双端自检写电路及数据写入方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5111071A (en) * | 1989-10-19 | 1992-05-05 | Texas Instruments Incorporated | Threshold detection circuit |
DE69222762T2 (de) * | 1992-07-30 | 1998-02-12 | St Microelectronics Srl | Steuerungsteil und Fehlerverstärker enthaltende Vorrichtung mit einer Schaltung zum Messen der auf einen Spannungssollwert bezogenen Spannungsschwankungen |
US5369614A (en) * | 1992-10-12 | 1994-11-29 | Ricoh Company, Ltd. | Detecting amplifier with current mirror structure |
US6809462B2 (en) * | 2000-04-05 | 2004-10-26 | Sri International | Electroactive polymer sensors |
JP3344313B2 (ja) * | 1998-03-25 | 2002-11-11 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
US6214666B1 (en) * | 1998-12-18 | 2001-04-10 | Vantis Corporation | Method of forming a non-volatile memory device |
KR100331847B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2002-04-09 | 박종섭 | 레퍼런스 메모리셀의 문턱전압 설정회로 및 그를 이용한 문턱전압 설정방법 |
US6567287B2 (en) * | 2001-03-21 | 2003-05-20 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory device with row and column decoder circuits arranged in a checkerboard pattern under a plurality of memory arrays |
US6574145B2 (en) * | 2001-03-21 | 2003-06-03 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory device and method for sensing while programming a non-volatile memory cell |
US6879525B2 (en) | 2001-10-31 | 2005-04-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Feedback write method for programmable memory |
US6563369B1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-05-13 | Intel Corporation | Active current mirror circuit |
US6657889B1 (en) * | 2002-06-28 | 2003-12-02 | Motorola, Inc. | Memory having write current ramp rate control |
US6940744B2 (en) * | 2002-10-31 | 2005-09-06 | Unity Semiconductor Corporation | Adaptive programming technique for a re-writable conductive memory device |
JP4249992B2 (ja) * | 2002-12-04 | 2009-04-08 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置及びメモリセルの書き込み並びに消去方法 |
DE10310163A1 (de) * | 2003-03-08 | 2004-09-16 | Braun Gmbh | Schiebeschalter |
US7085154B2 (en) * | 2003-06-03 | 2006-08-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Device and method for pulse width control in a phase change memory device |
US7307268B2 (en) | 2005-01-19 | 2007-12-11 | Sandisk Corporation | Structure and method for biasing phase change memory array for reliable writing |
US20060250836A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-09 | Matrix Semiconductor, Inc. | Rewriteable memory cell comprising a diode and a resistance-switching material |
US7304888B2 (en) * | 2005-07-01 | 2007-12-04 | Sandisk 3D Llc | Reverse-bias method for writing memory cells in a memory array |
US7426128B2 (en) * | 2005-07-11 | 2008-09-16 | Sandisk 3D Llc | Switchable resistive memory with opposite polarity write pulses |
US7362604B2 (en) * | 2005-07-11 | 2008-04-22 | Sandisk 3D Llc | Apparatus and method for programming an array of nonvolatile memory cells including switchable resistor memory elements |
WO2008012871A1 (fr) * | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Fujitsu Limited | Dispositif à mémoire à semi-conducteur rémanente |
US7499355B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-03-03 | Sandisk 3D Llc | High bandwidth one time field-programmable memory |
US7463546B2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-12-09 | Sandisk 3D Llc | Method for using a passive element memory array incorporating reversible polarity word line and bit line decoders |
KR100755409B1 (ko) * | 2006-08-28 | 2007-09-04 | 삼성전자주식회사 | 저항 메모리 소자의 프로그래밍 방법 |
US7589989B2 (en) * | 2006-10-24 | 2009-09-15 | Sandisk 3D Llc | Method for protecting memory cells during programming |
US7391638B2 (en) * | 2006-10-24 | 2008-06-24 | Sandisk 3D Llc | Memory device for protecting memory cells during programming |
US7420850B2 (en) * | 2006-10-24 | 2008-09-02 | Sandisk 3D Llc | Method for controlling current during programming of memory cells |
-
2008
- 2008-12-19 US US12/339,327 patent/US8111539B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-06-26 EP EP09771204.6A patent/EP2304731B1/en active Active
- 2009-06-26 CN CN200980124527.2A patent/CN102077293B/zh active Active
- 2009-06-26 TW TW098121699A patent/TW201015550A/zh unknown
- 2009-06-26 WO PCT/US2009/048951 patent/WO2009158673A1/en active Application Filing
- 2009-06-26 KR KR1020117001342A patent/KR101568327B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-26 JP JP2011516736A patent/JP5297525B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009158673A1 (en) | 2009-12-30 |
CN102077293A (zh) | 2011-05-25 |
TW201015550A (en) | 2010-04-16 |
KR20110036046A (ko) | 2011-04-06 |
CN102077293B (zh) | 2014-10-15 |
KR101568327B1 (ko) | 2015-11-12 |
EP2304731A1 (en) | 2011-04-06 |
US20090323392A1 (en) | 2009-12-31 |
JP2011526401A (ja) | 2011-10-06 |
EP2304731B1 (en) | 2017-04-05 |
US8111539B2 (en) | 2012-02-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130604 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130614 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5297525 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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