JP5291859B2 - 懸架状態に固定された吸収膜を備えた熱電磁放射検出器 - Google Patents
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- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 title claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0225—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
- G01J5/023—Particular leg structure or construction or shape; Nanotubes
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- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
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Description
少なくとも二つの電気接続端子を備えた基板の上に犠牲層を堆積し、
基板と平行な下方及び上方の平坦領域を得るように犠牲層をエッチングして、下方平坦領域が電気接続端子を被覆するようにし、
犠牲層の上に、支持部品を形成するように設計された誘電層及び導電層を堆積し、
犠牲層の下方領域及び支持部品の中に、それぞれ電気接続端子に開放される開口をエッチングし、
上記開口の中に、導電性柱を形成する導電層を堆積して、導電性柱を形成する導電層をエッチングし、
誘電層及び導電層をエッチングし、
上記各層によって形成されたアセンブリ全体の上に追加の犠牲層を堆積して、上記支持部品を形成する導電層と共通平坦面を形成するようにし、
上記共通平坦面の上に膜を堆積し、
上記犠牲層を除去する、
ことを含む。
2 基板
3、3a、3d、3i、3l 電気接続端子
4 集積回路
5 支持部品、支持端部
5ab、5cd、5ef ブリッジ
5g、5h アーム
5i、5j、5k、5l 支持部品
6、6a、6b、6c、6d、6e、6f、6g、6h ベース端部
7、7ab、7cd 隆起領域
8、8a、8b、8c、8d、8g、8h、8i、8l 導電性柱
9、9a、9d、9e、9f、9g、9h 導電層
9i、9j、9k、9l 領域
10、10i、10j、10k、10l 平坦導体
11 反射金属層
12 所定の位置
13 犠牲層
14 下方平坦領域
15 上方平坦領域
16 傾斜領域
17 誘電層
18 活性層、活性領域
19 追加の導体
20、21 絶縁層
22 犠牲層
23 誘電層
24 活性層
25 導電性部品
Claims (10)
- 熱絶縁支持手段によって基板(2)の表面に懸架状態に固定された吸収膜(1)を備える熱電磁放射検出器であって、前記吸収膜は、温度に従って変化する抵抗率を有し、前記基板は、前記吸収膜に電流を流すように前記膜(1)と前記基板とを電気的に接続する電気接続端子(3)を備え、前記支持手段は、2つの支持部品(5)を含み、前記各支持部品は、前記基板(2)と前記膜(1)との間に配置されてベース端部(6)及び隆起領域(7)を有する、前記熱電磁放射検出器において、
前記支持部品(5)の前記ベース端部(6)は、導電性柱(8)の上部に固定され、且つ、前記導電性柱は、前記電気接続端子(3)に固着された基部を有することから、前記支持部品(5)のベース端部(5)は前記基板(2)の上方に浮いた状態にあって、前記支持部品(5)の前記ベース端部(6)と前記基板(2)とは前記導電性柱(8)により所定の距離を持って離れており、前記ベース端部(6)と前記基板(2)との間に空間が存在し、前記膜(1)の底面の平坦な領域が、前記支持部品(5)の前記隆起領域(7)と直接接触しており、
前記各支持部品(5)は、前記各導電性柱(8)の上部に固定された2つの前記ベース端部(6)を有するブリッジによって形成され、前記隆起領域(7)は、前記ブリッジの中央部によって形成され、
前記支持部品(5)と前記膜(1)との下方であって前記基板(2)の上に、反射層(11)が配置されている、
ことを特徴とする熱電磁放射検出器。 - 前記支持部品(5)は、前記隆起領域(7)を形成する第2の端部を有するアームによって形成されることを特徴とする請求項1に記載の検出器。
- それぞれ第1及び第2の導電性柱(8)に固定された二つのアームを備え、前記各アームは、前記膜(1)を前記導電性柱(8)の一つに接続するように設計された導電層(9g、9h)を備えていることを特徴とする請求項2に記載の検出器。
- 前記ブリッジは、二つの導電層(9e、9f)を備え、前記二つの導電層は、一方と他方とが相互に電気的に絶縁されて、それぞれ前記膜(1)を前記導電性柱(8)に電気的に接続するように設計されており、前記導電性柱(8)の各々は、電気接続端子(3)に固着された基部を有することを特徴とする請求項1に記載の検出器。
- 対応する前記導電性柱(8a、8d)に前記膜(1)を接続するように設計されている導電層(9a、9d)をそれぞれ備える二つのブリッジを備えていることを特徴とする請求項1に記載の検出器。
- 前記膜(1)は、その平坦な底面に、少なくとも二つの平坦な導体(10)を備え、前記導体は、それぞれ前記導電層(9)と接触するように配置されていることを特徴とする請求項3、4及び5のいずれか一項に記載の検出器。
- 前記導体(10)は、前記膜(1)の端部に位置することを特徴とする請求項6に記載の検出器。
- 前記導体(10)は、前記膜(1)の全幅に渡って延在していることを特徴とする請求項6又は7に記載の検出器。
- 前記支持部品(5)の前記隆起領域(7)は、平坦な部品部分によって形成されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の検出器。
- 請求項1乃至9のいずれか一項に従った検出器の製造プロセスであって、
少なくとも二つの電気接続端子(3)を備えた前記基板(2)の上に犠牲層(13)を堆積し、
前記基板(2)と平行な下方平坦領域(14)及び上方平坦領域(15)を得るように前記犠牲層(13)をエッチングして、前記下方平坦領域(14)が前記電気接続端子(3)を被覆するようにし、
前記犠牲層(13)の上に、前記支持部品(5)を形成するように設計された誘電層(17)及び導電層(9)を堆積し、
前記犠牲層(13)の前記下方領域(14)及び前記支持部品(5)の中に、それぞれ前記電気接続端子(3)に開放される開口をエッチングし、
前記開口の中に、前記導電性柱(8)を形成する導電層を堆積して、前記導電性柱(8)を形成する導電層をエッチングし、
前記誘電層(17)及び前記導電層(9)をエッチングし、
前記各層(13、17、9、8)によって形成されたアセンブリ全体の上に追加の犠牲層(22)を堆積して、前記支持部品を形成する前記導電層(9)と共通平坦面を形成するようにし、
前記共通平坦面の上に前記膜(1)を堆積し、
前記犠牲層(13、22)を除去する、
ことを含むことを特徴とする、検出器の製造プロセス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0409846 | 2004-09-16 | ||
FR0409846A FR2875298B1 (fr) | 2004-09-16 | 2004-09-16 | Detecteur thermique de rayonnement electromagnetique comportant une membrane absorbante fixee en suspension |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006086535A JP2006086535A (ja) | 2006-03-30 |
JP5291859B2 true JP5291859B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=34949415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005270734A Expired - Fee Related JP5291859B2 (ja) | 2004-09-16 | 2005-09-16 | 懸架状態に固定された吸収膜を備えた熱電磁放射検出器 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7294836B2 (ja) |
EP (1) | EP1637853B1 (ja) |
JP (1) | JP5291859B2 (ja) |
CN (1) | CN1749713B (ja) |
AT (1) | ATE487930T1 (ja) |
CA (1) | CA2518841A1 (ja) |
DE (1) | DE602005024656D1 (ja) |
FR (1) | FR2875298B1 (ja) |
RU (1) | RU2374610C2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8080797B2 (en) | 2006-09-08 | 2011-12-20 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Bolometer and method of producing a bolometer |
US8426818B2 (en) * | 2007-02-05 | 2013-04-23 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Post-supported microbolometer pixel |
FR2919049B1 (fr) * | 2007-07-20 | 2009-10-02 | Ulis Soc Par Actions Simplifie | Detecteur de rayonnement electromagnetique et procede de fabrication d'un tel detecteur |
CN101246052B (zh) * | 2008-03-18 | 2010-05-12 | 吉林省光电子产业孵化器有限公司 | 一种微型光辐射探测器的制作方法 |
US9214604B2 (en) * | 2010-01-21 | 2015-12-15 | Cambridge Cmos Sensors Limited | Plasmonic IR devices |
JP5644121B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2014-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | 熱型光検出器、熱型光検出装置、電子機器および熱型光検出器の製造方法 |
JP5589605B2 (ja) * | 2010-06-25 | 2014-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | 焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器 |
FR2966925B1 (fr) * | 2010-11-03 | 2012-11-02 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur infrarouge a base de micro-planches bolometriques suspendues |
FR2969284B1 (fr) * | 2010-12-17 | 2012-12-14 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur infrarouge a base de micro-planches bolometriques suspendues |
CN102169919B (zh) * | 2011-03-17 | 2016-08-24 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 探测器及其制造方法 |
US9117515B2 (en) * | 2012-01-18 | 2015-08-25 | Macronix International Co., Ltd. | Programmable metallization cell with two dielectric layers |
WO2014074825A1 (en) | 2012-11-09 | 2014-05-15 | L'oreal | Methods for altering the color and appearance of hair |
CN105007984B (zh) | 2012-11-09 | 2018-07-17 | 欧莱雅 | 用于改变头发颜色和外观的方法 |
US9437266B2 (en) | 2012-11-13 | 2016-09-06 | Macronix International Co., Ltd. | Unipolar programmable metallization cell |
FR3048125B1 (fr) * | 2016-02-24 | 2020-06-05 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif de detection de rayonnement electromagnetique a plot de connexion electrique sureleve |
CN107403863A (zh) * | 2017-03-15 | 2017-11-28 | 杭州立昂微电子股份有限公司 | 热电堆红外探测器及其制造方法 |
WO2018216265A1 (ja) * | 2017-05-22 | 2018-11-29 | 三菱電機株式会社 | 赤外線撮像素子、赤外線撮像アレイおよび赤外線撮像素子の製造方法 |
US11519785B2 (en) | 2017-08-10 | 2022-12-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light detector |
FR3087262A1 (fr) * | 2018-10-12 | 2020-04-17 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif de detection d'un rayonnement electromagnetique comportant une structure tridimensionnelle suspendue |
FR3087260B1 (fr) * | 2018-10-12 | 2020-09-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un dispositif de detection d'un rayonnement electromagnetique comportant un element de detection suspendu |
JP6854796B2 (ja) | 2018-11-08 | 2021-04-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体センサ装置 |
KR102286307B1 (ko) * | 2019-11-01 | 2021-08-05 | 주식회사 트루윈 | 마이크로 볼로미터 및 마이크로 볼로미터 제조 방법 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5015858A (en) * | 1990-03-27 | 1991-05-14 | Hughes Aircraft Company | Thermally isolated focal plane readout |
US5485010A (en) * | 1994-01-13 | 1996-01-16 | Texas Instruments Incorporated | Thermal isolation structure for hybrid thermal imaging system |
US5486698A (en) * | 1994-04-19 | 1996-01-23 | Texas Instruments Incorporated | Thermal imaging system with integrated thermal chopper |
US5600148A (en) * | 1994-12-30 | 1997-02-04 | Honeywell Inc. | Low power infrared scene projector array and method of manufacture |
FR2752299B1 (fr) * | 1996-08-08 | 1998-09-11 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur infrarouge et procede de fabication de celui-ci |
US5990481A (en) * | 1996-08-30 | 1999-11-23 | Raytheon Company | Thermal detector with preferentially-ordered thermally sensitive element and method |
US6020216A (en) * | 1996-08-30 | 2000-02-01 | Texas Instruments Incorporated | Thermal detector with stress-aligned thermally sensitive element and method |
US5945673A (en) * | 1996-08-30 | 1999-08-31 | Raytheon Company | Thermal detector with nucleation element and method |
US6137107A (en) * | 1996-08-30 | 2000-10-24 | Raytheon Company | Thermal detector with inter-digitated thin film electrodes and method |
US5831266A (en) * | 1996-09-12 | 1998-11-03 | Institut National D'optique | Microbridge structure for emitting or detecting radiations and method for forming such microbridge structure |
US5962909A (en) * | 1996-09-12 | 1999-10-05 | Institut National D'optique | Microstructure suspended by a microsupport |
JPH10185681A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-07-14 | Mitsuteru Kimura | 熱型赤外線センサとその製造方法およびこれを用いた赤外線イメージセンサ |
JP3574368B2 (ja) * | 1997-01-27 | 2004-10-06 | 三菱電機株式会社 | 赤外線固体撮像素子 |
US5929441A (en) * | 1997-06-27 | 1999-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Low mass optical coating for thin film detectors |
JP3003853B2 (ja) * | 1997-09-09 | 2000-01-31 | 本田技研工業株式会社 | ブリッジ構造を有するセンサ |
JPH11148861A (ja) * | 1997-09-09 | 1999-06-02 | Honda Motor Co Ltd | マイクロブリッジ構造 |
US5900799A (en) * | 1997-10-03 | 1999-05-04 | Mcdonnell Douglas Corporation | High responsivity thermochromic infrared detector |
US6144030A (en) * | 1997-10-28 | 2000-11-07 | Raytheon Company | Advanced small pixel high fill factor uncooled focal plane array |
US6087661A (en) * | 1997-10-29 | 2000-07-11 | Raytheon Company | Thermal isolation of monolithic thermal detector |
FR2773215B1 (fr) * | 1997-12-31 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur thermique bolometrique |
US6198098B1 (en) * | 1998-05-26 | 2001-03-06 | Philips Laou | Microstructure for infrared detector and method of making same |
US6160257A (en) * | 1998-07-06 | 2000-12-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Hybridized biological microbolometer |
US6201243B1 (en) * | 1998-07-20 | 2001-03-13 | Institut National D'optique | Microbridge structure and method for forming the microbridge structure |
WO2000012985A1 (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Bolometer including an absorber made of a material having a low deposition-temperature and a low heat-conductivity |
WO2000012986A1 (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Bolometer including a reflective layer |
WO2000034751A1 (en) | 1998-12-04 | 2000-06-15 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Infrared bolometer and method for manufacturing same |
DE69831759T2 (de) * | 1998-12-18 | 2006-03-23 | Daewoo Electronics Corp. | Infrarotempfindliches bolometer |
CN1327535A (zh) * | 1998-12-18 | 2001-12-19 | 大宇电子株式会社 | 红外辐射热测量计及其制造方法 |
US6262417B1 (en) * | 1998-12-29 | 2001-07-17 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Infrared bolometer |
US6297511B1 (en) * | 1999-04-01 | 2001-10-02 | Raytheon Company | High frequency infrared emitter |
JP3460810B2 (ja) * | 1999-07-26 | 2003-10-27 | 日本電気株式会社 | 熱分離構造を有する熱型赤外線検出器 |
US6576904B1 (en) * | 1999-11-10 | 2003-06-10 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Transition edge detector technology for high performance IR focal plane arrays |
JP3921320B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2007-05-30 | 日本電気株式会社 | 熱型赤外線検出器およびその製造方法 |
US6690014B1 (en) * | 2000-04-25 | 2004-02-10 | Raytheon Company | Microbolometer and method for forming |
US6392233B1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-05-21 | Sarnoff Corporation | Optomechanical radiant energy detector |
JP3409848B2 (ja) * | 2000-08-29 | 2003-05-26 | 日本電気株式会社 | 熱型赤外線検出器 |
US6621083B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-09-16 | Honeywell International Inc. | High-absorption wide-band pixel for bolometer arrays |
JP4009832B2 (ja) * | 2002-05-10 | 2007-11-21 | 日本電気株式会社 | ボロメータ型赤外線固体撮像素子 |
KR100538996B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2005-12-27 | 한국전자통신연구원 | 적외선 흡수층으로 실리콘 산화막을 사용한 적외선 센서및 그 제조 방법 |
US20050109940A1 (en) * | 2003-11-25 | 2005-05-26 | Carr William N. | Radiation sensor |
-
2004
- 2004-09-16 FR FR0409846A patent/FR2875298B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-11 DE DE602005024656T patent/DE602005024656D1/de active Active
- 2005-08-11 EP EP05354029A patent/EP1637853B1/fr not_active Not-in-force
- 2005-08-11 AT AT05354029T patent/ATE487930T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-08-19 US US11/206,801 patent/US7294836B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-12 CA CA002518841A patent/CA2518841A1/en not_active Abandoned
- 2005-09-15 RU RU2005128905/28A patent/RU2374610C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2005-09-16 JP JP2005270734A patent/JP5291859B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-16 CN CN2005101038609A patent/CN1749713B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2875298A1 (fr) | 2006-03-17 |
US20060054823A1 (en) | 2006-03-16 |
EP1637853B1 (fr) | 2010-11-10 |
RU2005128905A (ru) | 2007-03-20 |
RU2374610C2 (ru) | 2009-11-27 |
CN1749713B (zh) | 2010-10-13 |
CN1749713A (zh) | 2006-03-22 |
FR2875298B1 (fr) | 2007-03-02 |
ATE487930T1 (de) | 2010-11-15 |
JP2006086535A (ja) | 2006-03-30 |
DE602005024656D1 (de) | 2010-12-23 |
EP1637853A1 (fr) | 2006-03-22 |
CA2518841A1 (en) | 2006-03-16 |
US7294836B2 (en) | 2007-11-13 |
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CN113720471A (zh) | 一种基于cmos工艺的红外探测器像元和红外探测器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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