JP5291230B1 - 基板嵌め換え工法、多ピース基板の製造方法、及び多ピース基板 - Google Patents

Abstract

【課題】ピース基板を切り取る際に生じる加工誤差を低減する。
【解決手段】基板嵌め換え工法が、レーザ照射に先立って、基板１０ａの第１主面Ｆ１１上に、後でレーザ照射される部位に端面が位置するように、導体パターン１２１ｂを形成することと、レーザ照射に先立って、導体パターン１２１ｂに対向する基板１０ａの第２主面Ｆ１２上に、導体パターン１２１ｂの端面よりも外側に端面を有する導体パターン１２１ｃを形成することと、を含み、第１主面Ｆ１１側から、導体パターン１２１ｂの端面を境とする導体パターン１２１ｂと基板１０ａとの両方にレーザ光を照射することで、基板１０ａに、導体パターン１２１ｂの端面と導体パターン１２１ｃの端面とを結ぶ切断面Ｆ２を形成して、基板１０ａの一部を基板片として切り出し、導体パターン１２１ｃの端面に別の基板が接触するように、基板片と別の基板とを嵌め合わせる。
【選択図】図２１Ｂ

Description

本発明は、基板嵌め換え工法、多ピース基板の製造方法、及び多ピース基板に関する。

配線基板の製造工程では、一体化されたピース基板からなるユニットに対して、エッチングや露光等の処理が行われる。

例えば特許文献１には、ピース基板を収容するスペースを有するフレームと、当該フレームとは別のフレームから切り出された複数のピース基板とからなる多ピース基板が開示されている。この多ピース基板を構成するピース基板は、所定の品質検査をクリアした健全なピース基板である。

特開２０１１−２３６５７号公報

特許文献１に開示された多ピース基板では、すべてのピース基板が健全（良品質なもの）である。このため、多ピース基板の製造工程では、当該多ピース基板を構成するピース基板に対して、同時にエッジングや露光等の処理を行うことで、製品の歩留まりが向上する。

しかしながら、この種の多ピース基板を構成するピース基板は、機械加工によって他のフレームや基材等から切り離される。このため、別々に切り取った複数のピース基板を、再度共通のフレームに接続すると、機械加工誤差によって、ピース基板相互間の実際の位置関係と、設計上の位置関係とに差が生じることがある。この場合、多ピース基板を構成するピース基板それぞれに、設計上の位置関係を考慮して電子部品を実装したり、ビルドアップ層を形成したりすると、電子部品の実装不良等が生じることが考えられる。

本発明は、上述の事情の下になされたものであり、ピース基板を切り取る際に生じる加工誤差を低減することを目的とする。また、本発明は、基板から切り出された基板片（例えばピース基板）と別の基板（例えばフレーム）との位置合わせ精度を向上させることを他の目的とする。

本発明の第１の観点に係る基板嵌め換え工法は、
第１主面及びその反対側の第２主面を有する基板を準備することと、
前記基板の前記第１主面上に、第１導体パターンを形成することと、
前記第１導体パターンに対向する前記基板の前記第２主面上に、前記第１導体パターンの１つの端面よりも外側に端面を有する第２導体パターンを形成することと、
前記第１主面側から前記基板にレーザ照射を行うことにより、前記基板の一部を、基板片として切り出すことと、
前記切り出された基板片を別の基板に嵌め合わせることと、
を含む基板嵌め換え工法であって、
前記レーザ照射では、前記第１導体パターンの前記端面を境とする前記第１導体パターンと前記基板との両方にレーザ光が照射されることで、前記基板に、前記第１導体パターンの前記端面と前記第２導体パターンの前記端面とを結ぶ切断面が形成され、
前記基板片と前記別の基板との嵌め合わせでは、前記第２導体パターンの前記端面に前記別の基板が接触するように、両者を嵌め合わせる、ことを特徴とする。

本発明の第２の観点に係る多ピース基板の製造方法は、
本発明の第１の観点に係る基板嵌め換え工法により、複数の配線基板と該複数の配線基板の各々に接続されるフレームとを有する多ピース基板を製造する方法であって、
本発明の第１の観点に係る基板嵌め換え工法において、前記別の基板が前記フレームを構成し、前記基板片が前記複数の配線基板の１つを構成する。

本発明の第３の観点に係る多ピース基板は、
複数の配線基板と、該複数の配線基板の各々に接続されるフレームと、を有する多ピース基板であって、
前記複数の配線基板の１つである第１配線基板は、第１嵌合部を有し、前記フレームは、前記第１嵌合部と嵌合する第２嵌合部を有し、
前記第１配線基板の前記第１嵌合部は、第１主面及びその反対側の第２主面を有し、前記第１主面上に第１導体パターンを有し、前記第１導体パターンに対向する前記第１嵌合部の前記第２主面上に、前記第１導体パターンの１つの端面よりも外側に端面を有する第２導体パターンを有し、
前記第１配線基板の前記第１嵌合部には、前記第１導体パターンの前記端面と前記第２導体パターンの前記端面とを結ぶ切断面が形成され、
前記第１配線基板の前記第１嵌合部と前記フレームの前記第２嵌合部とは、前記第２導体パターンの前記端面に前記フレームの前記第２嵌合部が接触するように、互いに嵌合している。

本発明によれば、ピース基板を切り取る際に生じる加工誤差を低減することが可能になる。本発明によれば、この効果に加えて又はこの効果に代えて、基板から切り出された基板片（例えばピース基板）と別の基板（例えばフレーム）との位置合わせ精度を向上させることが可能になるという効果が奏される場合がある。

本発明の実施形態に係る多ピース基板の一方の主面を模式的に示す平面図である。 本発明の実施形態に係る多ピース基板の他方の主面を模式的に示す平面図である。 本発明の実施形態に係る多ピース基板におけるピース基板とフレームとの第１の接続部位を示す図である。 本発明の実施形態に係る多ピース基板におけるピース基板とフレームとの第２の接続部位を示す図である。 本発明の実施形態に係る多ピース基板の製造方法（基板嵌め換え工法）において、第１基板から良ピースを切り出す方法を示すフローチャートである。 図４の方法において、第１基板を準備する工程を説明するための図である。 図５の工程により準備された第１基板の一方の主面を模式的に示す平面図である。 図５の工程により準備された第１基板の他方の主面を模式的に示す平面図である。 図６Ａに示される第１基板の一方の主面におけるピース基板とフレームとの接続部位を模式的に示す平面図である。 図６Ｂに示される第１基板の他方の主面におけるピース基板とフレームとの接続部位を模式的に示す平面図である。 図７Ａ又は図７ＢのＡ−Ａ断面図である。 図８の部分拡大図である。 図４の方法において、レーザにより第１基板から良ピースを切り出す工程を説明するための斜視図である。 図４の方法において、レーザにより第１基板から良ピースを切り出す工程を説明するための断面図である。 図１０Ａ及び図１０Ｂの工程により形成された第１基板の切断面を示す図である。 図１０Ａ及び図１０Ｂの工程により第１基板から切り離されたピース基板を示す図である。 本発明の実施形態に係る多ピース基板の製造方法（基板嵌め換え工法）において、図４の方法により切り出された良ピースを第２基板に嵌め込んで、本発明の実施形態に係る多ピース基板を製造する方法を示すフローチャートである。 図１３の方法において準備される第２基板の一方の主面を模式的に示す平面図である。 図１３の方法において準備される第２基板の他方の主面を模式的に示す平面図である。 図１４Ａに示される第２基板の一方の主面におけるピース基板とフレームとの接続部位を模式的に示す平面図である。 図１４Ｂに示される第２基板の他方の主面におけるピース基板とフレームとの接続部位を模式的に示す平面図である。 図１５Ａ又は図１５ＢのＡ−Ａ断面図である。 図１６の部分拡大図である。 図１３の方法において、レーザにより第２基板から不良ピースを切り出す工程を説明するための斜視図である。 図１３の方法において、レーザにより第２基板から不良ピースを切り出す工程を説明するための断面図である。 図１８Ａ及び図１８Ｂの工程により形成された第２基板の切断面を示す図である。 図１８Ａ及び図１８Ｂの工程により空き所が形成された第２基板を示す図である。 図２０に示される第２基板の空き所に、図４の方法により切り出された良ピースを嵌め込む工程を説明するための斜視図である。 図２０に示される第２基板の空き所に、図４の方法により切り出された良ピースを嵌め込む工程を説明するための断面図である。 図２１Ａ及び図２１Ｂの工程により良ピースが嵌め込まれた第２基板を示す図である。 図２２に示す多ピース基板について、ピース基板の嵌合部とフレームの嵌合部との間に接着材を形成する工程を説明するための斜視図である。 図２２に示す多ピース基板について、ピース基板の嵌合部とフレームの嵌合部との間に接着材を形成する工程を説明するための断面図である。 比較例に係る方法において用いる第１基板を示す図である。 比較例に係る方法において用いる第２基板を示す図である。 比較例に係る方法において、図２４Ａに示す第１基板から切り出されたピース基板が、図２４Ｂに示す第２基板の空き所に嵌め込まれた様子を示す図である。 本発明の他の実施形態において、ピース基板の嵌合部についてのレーザ照射部位に形成される導体パターンの変形例を示す図である。 図２６ＡのＡ−Ａ断面図である。 本発明の他の実施形態において、フレームの嵌合部についてのレーザ照射部位に形成される導体パターンの変形例を示す図である。 図２７ＡのＡ−Ａ断面図である。 本発明の他の実施形態に係る多ピース基板の製造方法（基板嵌め換え工法）において、基板から切り出した基板片を、その基板片よりも厚い別の基板に嵌め合わせた例を示す図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ基板の主面（表裏面）の法線方向に相当する基板の積層方向（又は基板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。基板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、基板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。導体パターンの端面は、導体パターンの側面に相当する。

図１Ａは、本実施形態に係る多ピース基板１００の一方の主面を模式的に示す平面図である。図１Ｂは、本実施形態に係る多ピース基板１００の他方の主面を模式的に示す平面図である。

本実施形態の多ピース基板１００は、図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、ピース基板１０１〜１０４と、フレーム１０５、１０６と、各ピース基板を部分的にフレーム１０５に接続するためのブリッジ１０１ａ〜１０４ａと、各ピース基板を部分的にフレーム１０６に接続するためのブリッジ１０１ｂ〜１０４ｂと、を有している。多ピース基板１００の厚さは、例えば全体的に均一になっている。すなわち、フレーム１０５、１０６の厚さとピース基板１０１〜１０４の厚さとは、互いに略同一になっている。なお、１つの多ピース基板あたりのピース基板の数、また、１つのピース基板又は１つのフレームあたりのブリッジの数は、任意に変更できる。また、ピース基板の表面又は内部に電子部品が実装されてもよい。

フレーム１０５は、隙間Ｒ１を空けて、ピース基板１０１〜１０４の一側（例えばＹ１側）に配置されており、フレーム１０６は、隙間Ｒ２を空けて、ピース基板１０１〜１０４の他側（例えばＹ２側）に配置されている。ただし、ピース基板１０１〜１０４はそれぞれ、ブリッジ１０１ａ〜１０４ａを介して、フレーム１０５に接続されるとともに、ブリッジ１０１ｂ〜１０４ｂを介して、フレーム１０６に接続されている。一側のブリッジ（ブリッジ１０１ａ〜１０４ａ）と他側のブリッジ（ブリッジ１０１ｂ〜１０４ｂ）とはそれぞれ、例えば１つのピース基板につき２つずつ設けられている。ただしこれに限られず、ブリッジの数は任意である。また、一側のブリッジの数と他側のブリッジの数とが、互いに異なっていてもよい。

ピース基板１０１〜１０４はそれぞれ、例えば矩形状のリジッド配線基板である。ピース基板１０１〜１０４はそれぞれ、例えば電子機器の回路を含む。ピース基板１０１〜１０４は、例えば互いに同一の構造を有する。すなわち、本実施形態では、ピース基板１０１〜１０４が互換性を有する。ただしこれに限られず、ピース基板１０１〜１０４は、互いに異なる構造を有していてもよい。

各ピース基板の導体（配線層、ビア導体、及びスルーホール導体など）は、例えば銅からなる。各ピース基板の絶縁層は、例えばガラス布、アラミド繊維の不織布、又は紙等の基材に、未硬化のエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、又はフェノール系樹脂等を含浸させたものからなる。ただし、各ピース基板の材料は任意である。各ピース基板の構造（層数など）は、基本的には、任意である。

フレーム１０５、１０６は、４つのピース基板１０１〜１０４を挟む２本の細長い棒状の部分である。フレーム１０５、１０６は、例えばピース基板１０１〜１０４の絶縁層と同質の材料からなる。

なお、多ピース基板１００を構成するピース基板及びフレームの形状はそれぞれ、任意に変更できる。フレームの形状は、例えばピース基板を包囲するリング状（例えば楕円形又は四角形のリング状）であってもよいし、Ｌ状、Ｔ状、Ｙ状、又はＨ状であってもよい。ピース基板の形状は、平行四辺形、楕円形、Ｌ状、Ｔ状、又はＹ状等であってもよい。ピース基板は、リジッド配線基板に限られず、フレキシブル配線基板であってもよいし、フレックスリジッド配線基板等であってもよい。

本実施形態では、３つのピース基板１０１、１０２、１０４が、フレーム１０５、１０６と一体になっている。本実施形態では、例えば図２に示すように、ピース基板１０１とフレーム１０５との接続部位（図１Ａ及び図１Ｂ中の領域Ｒ１０１に相当する部位）において、ピース基板１０１、ブリッジ１０１ａ、及びフレーム１０５の全てが、単一の基板（例えば第２基板２０）によって構成されている。また、本実施形態では、ピース基板１０１とフレーム１０６との接続部位が、ピース基板１０１とフレーム１０５との接続部位と同様の構造（図２参照）を有する。すなわち、本実施形態では、ピース基板１０１、ブリッジ１０１ａ、１０１ｂ、及びフレーム１０５、１０６の全てが、単一の基板（例えば第２基板２０）によって構成されている。また、本実施形態では、ピース基板１０２、１０４の接続部位が、ピース基板１０１の接続部位と同様の構造（図２参照）を有する。すなわち、本実施形態の多ピース基板１００（図１）では、ピース基板１０１、１０２、１０４、ブリッジ１０１ａ、１０１ｂ、１０２ａ、１０２ｂ、１０４ａ、１０４ｂ、及びフレーム１０５、１０６の全てが、単一の基板（例えば第２基板２０）によって構成されている。

一方、ピース基板１０３（第１配線基板）は、フレーム１０５、１０６とは別に製造された後、フレーム１０５、１０６に取り付けられたものである。本実施形態では、例えば図３に示すように、ピース基板１０３とフレーム１０５との接続部位（図１Ａ及び図１Ｂ中の領域Ｒ１０２に相当する部位）において、ピース基板１０３は、嵌合部Ｐ２１（第１嵌合部）を有し、フレーム１０５は、嵌合部Ｐ２１と嵌合する嵌合部Ｐ１（第２嵌合部）を有する。本実施形態では、嵌合部Ｐ１が、奥に向かって幅が広くなる台形状の凹部からなる。嵌合部Ｐ２１が、先端に向かって幅が広くなる台形状の凸部からなる。ピース基板１０３は、凸部Ｐ２を有する。凸部Ｐ２は、嵌合部Ｐ２１（先端部）と、ブリッジＰ２２（基端部）と、から構成される。すなわち、本実施形態では、ピース基板１０３と、嵌合部Ｐ２１と、ブリッジＰ２２とが、単一の基板（例えば第１基板１０）によって構成され、嵌合部Ｐ１が、別の基板（例えば第２基板２０）に形成されている。本実施形態の多ピース基板１００（図１）では、ピース基板１０３の嵌合部Ｐ２１とフレーム１０５の嵌合部Ｐ１とが互いに嵌合することで、ピース基板１０３とフレーム１０５とが互いに接続される。そして、嵌合部Ｐ２１が、フレーム１０５の一部を構成し、ブリッジＰ２２が、ブリッジ１０３ａを構成する。なお、本実施形態では、ピース基板１０３とフレーム１０６との接続部位が、ピース基板１０３とフレーム１０５との接続部位と同様の構造（図３参照）を有する。また、本実施形態では、嵌合による接続部位を、接着剤により補強するようにしている（詳しくは、後述の製造方法の説明を参照）。

本実施形態の多ピース基板１００（図１）は、ピース基板とフレームとの接続部位に導体パターンを有する。ただし、第１基板１０から構成されるピース基板１０３と、第２基板２０から構成されるピース基板１０１、１０２、１０４とでは、異なる形態の導体パターンが接続部位に形成される。

以下、本実施形態に係る多ピース基板１００の製造方法について説明する。この説明の中で、上記各接続部位の導体パターンについても詳述する。

まず、図４に示すような手順で、第１基板１０（多ピース基板）から良ピース（第１配線基板）を切り出す。

図４のステップＳ１１では、第１基板１０を準備する。第１基板１０は、多ピース基板である。本実施形態では、例えば図５に示すように、１つの製造パネル１０００に複数の第１基板１０を製造する。第１基板１０の各々は、例えばめっき法及び樹脂付き銅箔を用いたビルドアップ方式のプロセスなど、積層配線基板の一般的な製造方法により製造することができる。その後、アライメントルータ等により、製造パネル１０００から第１基板１０の各々を切り取ることで、第１基板１０の個片が得られる。

図６Ａは、第１基板１０の一方の主面を模式的に示す平面図である。図６Ｂは、第１基板１０の他方の主面を模式的に示す平面図である。

図６Ａ及び図６Ｂに示されるように、第１基板１０は、概ね多ピース基板１００（図１Ａ及び図１Ｂ参照）と同様の構造を有する。すなわち、第１基板１０は、ピース基板１１〜１４と、フレーム１５、１６と、ブリッジ１１ａ〜１４ａ及び１１ｂ〜１４ｂと、を有している。また、第１基板１０の材質、形状、及び寸法についても、これらはそれぞれ、例えば多ピース基板１００（図１）と同じである。ただし、第１基板１０では、少なくともこの段階では、全てのピース基板１１〜１４が、フレーム１５、１６と一体になっている。なお、第１基板１０におけるピース基板の数、また、１つのピース基板又は１つのフレームあたりのブリッジの数は、任意に変更できる。また、ピース基板の表面又は内部に電子部品が実装されてもよい。

第１基板１０における各ピース基板とフレームとの接続部位には、導体パターンが形成されている。以下、ピース基板１２とフレーム１５との接続部位（図６Ａ及び図６Ｂ中の領域Ｒ１１に相当する部位）について説明する。

図７Ａは、第１基板１０の一方の主面におけるピース基板１２とフレーム１５との接続部位を模式的に示す平面図である。図７Ｂは、第１基板１０の他方の主面におけるピース基板１２とフレーム１５との接続部位を模式的に示す平面図である。図８は、図７Ａ又は図７ＢのＡ−Ａ断面図である。図９は、図８の部分拡大図である。

図８に示されるように、第１基板１０は、基板１０ａと、導体層１０ｂ、１０ｃと、を有する。基板１０ａは、第１主面Ｆ１１（Ｚ１側の主面）及びその反対側の第２主面Ｆ１２（Ｚ２側の主面）を有する。導体層１０ｂは、基板１０ａの第１主面Ｆ１１上に形成され、導体層１０ｃは、基板１０ａの第２主面Ｆ１２上に形成される。基板１０ａの厚さは、例えば７００μｍであり、導体層１０ｂの厚さは、例えば２５μｍであり、導体層１０ｃの厚さは、例えば２５μｍである。

図７Ａ及び図８に示されるように、導体層１０ｂは、導体パターン１２１ｂ（第１導体パターン）と、導体パターン１２２ｂ（第３導体パターン）と、を含む。導体パターン１２２ｂは、図７Ａ及び図９に示されるように、導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３に対向する端面Ｆ１５を有する。導体パターン１２１ｂは、後述の切り出し工程（図４のステップＳ１３）においてレーザ光が照射される部位に端面Ｆ１３が位置するように、形成される。また、導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３と導体パターン１２２ｂの端面Ｆ１５との間には、後述の切り出し工程（図４のステップＳ１３）におけるレーザ照射の走査方向（照射位置の移動方向）に沿った線状（例えば略Ｕ字状）のスリット１２３ｂ（第１スリット）が形成される。導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３は、図７Ａに示されるように、後述の切り出し工程（図４のステップＳ１３）において切り出される図３に示した凸部Ｐ２（嵌合部Ｐ２１及びブリッジＰ２２）の縁に沿って形成される。本実施形態では、導体パターン１２１ｂが、凸部Ｐ２の外形に対応した線状（例えば略Ｕ字状）の形態を有する。また、導体パターン１２２ｂも、線状（例えば略Ｕ字状）に形成されている。

本実施形態では、導体パターン１２１ｂ、１２２ｂ、及びスリット１２３ｂがそれぞれ、例えば一定の幅を有する。図９において、スリット１２３ｂの幅Ｄ１１は、例えば２８０μｍであり、導体パターン１２１ｂの幅Ｄ１３は、例えば４５０μｍである。なお、導体パターン１２１ｂ、１２２ｂは、面状の導体パターンにしてもよい。導体パターン１２２ｂは、フレーム１５のほぼ全体を覆っていてもよい。

図７Ｂ及び図８に示されるように、導体層１０ｃは、導体パターン１２１ｃ（第２導体パターン）と、導体パターン１２２ｃ（第４導体パターン）と、を含む。導体パターン１２１ｃは、導体パターン１２１ｂに対向する基板１０ａの第２主面Ｆ１２上に形成され、図７Ａ、図７Ｂ、及び図９に示されるように、導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３よりも外側（図９においてはＹ１側）に端面Ｆ１４を有する。図９において、端面Ｆ１４の突出量Ｄ１５（導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３の位置と導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４の位置とのずれ量）は、例えば９０μｍである。また、図７Ａ、図７Ｂ、及び図９に示されるように、本実施形態では、導体パターン１２２ｃの端面Ｆ１６が、導体パターン１２２ｂの端面Ｆ１５よりも外側（図９においてはＹ２側）に位置する。

導体パターン１２２ｃは、図７Ｂ及び図９に示されるように、導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４に対向する端面Ｆ１６を有する。導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４と導体パターン１２２ｃの端面Ｆ１６との間には、スリット１２３ｂの形態に対応した線状（例えば略Ｕ字状）のスリット１２３ｃ（第２スリット）が形成されている。ただし、図９において、スリット１２３ｂの幅Ｄ１１は、スリット１２３ｃの幅Ｄ１２よりも大きくなっている。詳しくは、導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４、導体パターン１２２ｃの端面Ｆ１６がそれぞれ、導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３、導体パターン１２２ｂの端面Ｆ１５の外側（スリット１２３ｃの幅Ｄ１２を狭める側）に位置することで、スリット１２３ｃの幅Ｄ１２はスリット１２３ｂの幅Ｄ１１よりも狭められている。本実施形態では、導体パターン１２１ｃが、導体パターン１２１ｂの形態に対応した線状（例えば略Ｕ字状）の形態を有する。また、導体パターン１２２ｃは、導体パターン１２２ｂの形態に対応した線状（例えば略Ｕ字状）の形態を有する。

本実施形態では、導体パターン１２１ｃ、１２２ｃ、及びスリット１２３ｃがそれぞれ、例えば一定の幅を有する。図９において、スリット１２３ｃの幅Ｄ１２は、例えば１００μｍであり、導体パターン１２１ｃの幅Ｄ１４は、例えば４５０μｍである。なお、導体パターン１２１ｃ、１２２ｃは、面状の導体パターンにしてもよい。導体パターン１２２ｃは、フレーム１５のほぼ全体を覆っていてもよい。

導体層１０ｂ及び１０ｃ（ひいては、導体パターン１２１ｂ、１２２ｂ、１２１ｃ、１２２ｃ）はそれぞれ、例えば銅の無電解めっき膜（下層）及び銅の電解めっき膜（上層）から構成される。電解めっき膜は、無電解めっき膜をシード層にして形成することができる。ただしこれに限られず、導体層１０ｂ及び１０ｃの構造は任意である。導体層１０ｂ及び１０ｃはそれぞれ、例えば銅箔（下層）、銅の無電解めっき膜（中間層）、及び銅の電解めっき膜（上層）から構成されてもよい。導体層１０ｂ及び１０ｃはそれぞれ、例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、転写法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、形成することができる。導体層１０ｂ及び１０ｃはそれぞれ、金属からなることが好ましい。

なお、本実施形態では、導体層１０ｂ及び１０ｃがそれぞれ、ピース基板１２（配線基板）の最外導体層に相当する。したがって、導体層１０ｂ及び１０ｃは、上記導体パターン１２１ｂ、１２２ｂ、１２１ｃ、１２２ｃのほかに、電気回路を構成する配線パターン等を含んでいる。

本実施形態の第１基板１０における、図６Ａ及び図６Ｂに示すピース基板１２とフレーム１５との接続部位（領域Ｒ１１）においては、図８に示されるように、基板１０ａの内層に、導体パターンが形成されておらず、絶縁層（例えば樹脂）のみが存在する。これにより、後述の切り出し工程（図４のステップＳ１３）において、レーザにより基板１０ａを切断し易くなる。

なお、ピース基板１１、１３、１４の各々とフレーム１５との接続部位、及び、ピース基板１１〜１４の各々とフレーム１６との接続部位も、上記ピース基板１２とフレーム１５との接続部位（図７Ａ〜図９参照）と同様の構造を有する。

続けて、図４のステップＳ１２では、第１基板１０を構成するピース基板１１〜１４の各々について通電検査を行い、ピース基板１１〜１４の中に、異常のあるピース基板があると判断された場合には、続くステップＳ１３で、第１基板１０から良ピース（異常のないピース基板）を切り出す。

他方、ステップＳ１２の通電検査で、いずれのピース基板にも異常がないと判断された場合には、ステップＳ１３の切り出しは行わない。全てのピース基板が健全であると判断された第１基板１０（多ピース基板）は、例えば製品として用いることができる。

以下、図４のステップＳ１２の通電検査でピース基板１１のみに異常があると判断された場合について説明する。すなわち、続く図４のステップＳ１３で、第１基板１０から他のピース基板１２〜１４（それぞれ良ピース）がそれぞれ切り出される。第１基板１０からピース基板１２を切り出す場合を例にとって、図４のステップＳ１３における切り出し工程について説明する。

本実施形態では、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、例えばＣＯ_２レーザを用いて、第１主面Ｆ１１側から基板１０ａにレーザ照射を行うことにより、基板１０ａの一部を、基板片として切り出す。具体的には、図１０Ａに示されるように、レーザ光ＬＢを、スリット１２３ｂ（より詳しくは、図７Ａ及び図９に示される導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３）に照射し、スリット１２３ｂ（より詳しくは、図７Ａ及び図９に示される端面Ｆ１３）に沿ってレーザ光ＬＢの照射位置を移動させる。この際、レーザ光は、図１０Ｂに示されるように、端面Ｆ１３（図９参照）を境とする導体パターン１２１ｂと基板１０ａとの両方に照射される。これにより、図１１に示すように、導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３（図９参照）と導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４（図９参照）とを結ぶ切断面Ｆ１が基板１０ａに形成され、ピース基板１２がフレーム１５から切り離される。また、ピース基板１２は、フレーム１５から切り離す場合（図１０Ａ〜図１１参照）と同様の方法により、フレーム２６とも切り離される。その結果、ピース基板１２が、第１基板１０から切り離される。

第１基板１０から切り離されたピース基板１２は、図１２に示すように、一側（例えばＹ１側の一辺）に設けられた複数（例えば２つ）の凸部１２ｃと、他側（例えばＹ２側の一辺）に設けられた複数（例えば２つ）の凸部１２ｄと、を有する。凸部１２ｃは、嵌合部１５ａ（先端部）と、ブリッジ１２ａ（基端部）と、から構成され、凸部１２ｄは、嵌合部１６ａと、ブリッジ１２ｂと、から構成される。嵌合部１５ａ、１６ａはそれぞれ、先の図３に示した嵌合部Ｐ２１に相当し、ブリッジ１２ａ、１２ｂはそれぞれ、先の図３に示したブリッジＰ２２に相当する。

本実施形態では、ピース基板１２と同様にして、ピース基板１３、１４も、第１基板１０から切り離す。本実施形態では、レーザにより、第１基板１０からピース基板１２〜１４の各々を切り出す。

次に、図１３に示すような手順で、第２基板２０（多ピース基板）に良ピース（第１配線基板）を嵌め込んで、本実施形態に係る多ピース基板１００（図１Ａ、図１Ｂ）を製造する。

図１３のステップＳ２１では、第２基板２０（第１基板１０とは別の基板）を準備する。第２基板２０は、多ピース基板である。本実施形態では、例えば第１基板１０の場合と同様（図５参照）、１つの製造パネルに複数の第２基板２０を製造する。その後、例えば第１基板１０の場合と同様にして、第２基板２０の個片が得られる。

図１４Ａは、第２基板２０の一方の主面を模式的に示す平面図である。図１４Ｂは、第２基板２０の他方の主面を模式的に示す平面図である。

図１４Ａ及び図１４Ｂに示されるように、第２基板２０は、概ね多ピース基板１００（図１）と同様の構造を有する。すなわち、第２基板２０は、ピース基板２１〜２４と、フレーム２５、２６と、ブリッジ２１ａ〜２４ａ及び２１ｂ〜２４ｂと、を有している。また、第２基板２０の材質、形状、及び寸法についても、これらはそれぞれ、例えば多ピース基板１００（図１）と同じである。ただし、第２基板２０では、少なくともこの段階では、全てのピース基板２１〜２４が、フレーム２５、２６と一体になっている。なお、第２基板２０におけるピース基板の数、また、１つのピース基板又は１つのフレームあたりのブリッジの数は、任意に変更できる。また、ピース基板の表面又は内部に電子部品が実装されてもよい。

第２基板２０における各ピース基板とフレームとの接続部位には、導体パターンが形成されている。以下、ピース基板２３とフレーム２５との接続部位（図１４Ａ及び図１４Ｂ中の領域Ｒ１２に相当する部位）について説明する。

図１５Ａは、第２基板２０の一方の主面におけるピース基板２３とフレーム２５との接続部位を模式的に示す平面図である。図１５Ｂは、第２基板２０の他方の主面におけるピース基板２３とフレーム２５との接続部位を模式的に示す平面図である。図１６は、図１５Ａ又は図１５ＢのＡ−Ａ断面図である。図１７は、図１６の部分拡大図である。

図１６に示されるように、第２基板２０は、基板２０ａと、導体層２０ｂ、２０ｃと、を有する。基板２０ａは、第３主面Ｆ２１（Ｚ１側の主面）及びその反対側の第４主面Ｆ２２（Ｚ２側の主面）を有する。導体層２０ｂは、基板２０ａの第３主面Ｆ２１上に形成され、導体層２０ｃは、基板２０ａの第４主面Ｆ２２上に形成される。基板２０ａの厚さは、例えば７００μｍであり、導体層２０ｂの厚さは、例えば２５μｍであり、導体層２０ｃの厚さは、例えば２５μｍである。

図１５Ａ及び図１６に示されるように、導体層２０ｂは、導体パターン２３１ｂと、導体パターン２３２ｂ（第５導体パターン）と、を含む。導体パターン２３２ｂは、図１５Ａ及び図１７に示されるように、導体パターン２３１ｂの端面Ｆ２３に対向する端面Ｆ２５を有する。導体パターン２３２ｂは、後述の切り出し工程（図１３のステップＳ２３）においてレーザ光が照射される部位に端面Ｆ２５が位置するように、形成される。また、導体パターン２３１ｂの端面Ｆ２３と導体パターン２３２ｂの端面Ｆ２５との間には、後述の切り出し工程（図１３のステップＳ２３）におけるレーザ照射の走査方向（照射位置の移動方向）に沿った線状（例えば略Ｕ字状）のスリット２３３ｂが形成される。導体パターン２３２ｂの端面Ｆ２５は、図１５Ａに示されるように、後述の切り出し工程（図１３のステップＳ２３）において形成される図３に示した嵌合部Ｐ１（凹部）の縁に沿って形成される。本実施形態では、導体パターン２３２ｂが、嵌合部Ｐ１の外形に対応した線状（例えば略Ｕ字状）の形態を有する。また、導体パターン２３１ｂは、面状に形成されている。

本実施形態では、導体パターン２３２ｂ及びスリット２３３ｂがそれぞれ、例えば一定の幅を有する。図１７において、スリット２３３ｂの幅Ｄ２１は、例えば２８０μｍであり、導体パターン２３２ｂの幅Ｄ２３は、例えば４５０μｍである。なお、導体パターン２３２ｂは、面状の導体パターンにしてもよい。導体パターン２３２ｂは、フレーム２５のほぼ全体を覆っていてもよい。

図１５Ｂ及び図１６に示されるように、導体層２０ｃは、導体パターン２３１ｃと、導体パターン２３２ｃ（第６導体パターン）と、を含む。導体パターン２３２ｃは、導体パターン２３２ｂに対向する基板２０ａの第４主面Ｆ２２上に形成され、図１５Ａ、図１５Ｂ、及び図１７に示されるように、導体パターン２３２ｂの端面Ｆ２５よりも外側（図１７においてはＹ２側）に端面Ｆ２６を有する。図１７において、端面Ｆ２６の突出量Ｄ２５（導体パターン２３２ｂの端面Ｆ２５の位置と導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６の位置とのずれ量）は、例えば９０μｍである。また、図１５Ａ、図１５Ｂ、及び図１７に示されるように、本実施形態では、導体パターン２３１ｃの端面Ｆ２４が、導体パターン２３１ｂの端面Ｆ２３よりも外側（図１７においてはＹ１側）に位置する。

導体パターン２３２ｃは、図１５Ｂ及び図１７に示されるように、導体パターン２３１ｃの端面Ｆ２４に対向する端面Ｆ２６を有する。導体パターン２３１ｃの端面Ｆ２４と導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６との間には、スリット２３３ｂの形態に対応した線状（例えば略Ｕ字状）のスリット２３３ｃが形成されている。ただし、図１７において、スリット２３３ｂの幅Ｄ２１は、スリット２３３ｃの幅Ｄ２２よりも大きくなっている。詳しくは、導体パターン２３１ｃの端面Ｆ２４、導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６がそれぞれ、導体パターン２３１ｂの端面Ｆ２３、導体パターン２３２ｂの端面Ｆ２５の外側（スリット２３３ｃの幅Ｄ２２を狭める側）に位置することで、スリット２３３ｃの幅Ｄ２２はスリット２３３ｂの幅Ｄ２１よりも狭められている。本実施形態では、導体パターン２３２ｃが、導体パターン２３２ｂの形態に対応した線状（例えば略Ｕ字状）の形態を有する。また、導体パターン２３１ｃは、面状に形成されている。

本実施形態では、導体パターン２３２ｃ及びスリット２３３ｃがそれぞれ、例えば一定の幅を有する。図１７において、スリット２３３ｃの幅Ｄ２２は、例えば１００μｍであり、導体パターン２３２ｃの幅Ｄ２４は、例えば４５０μｍである。なお、導体パターン２３２ｃは、面状の導体パターンにしてもよい。導体パターン２３２ｃは、フレーム２５のほぼ全体を覆っていてもよい。

導体層２０ｂ及び２０ｃ（ひいては、導体パターン２３１ｂ、２３２ｂ、２３１ｃ、２３２ｃ）はそれぞれ、例えば銅の無電解めっき膜（下層）及び銅の電解めっき膜（上層）から構成される。電解めっき膜は、無電解めっき膜をシード層にして形成することができる。ただしこれに限られず、導体層２０ｂ及び２０ｃの構造は任意である。例えば導体層２０ｂ及び２０ｃはそれぞれ、例えば銅箔（下層）、銅の無電解めっき膜（中間層）、及び銅の電解めっき膜（上層）から構成されてもよい。導体層２０ｂ及び２０ｃはそれぞれ、例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、転写法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、形成することができる。導体層２０ｂ及び２０ｃはそれぞれ、金属からなることが好ましい。

なお、本実施形態では、導体層２０ｂ及び２０ｃがそれぞれ、ピース基板２３（配線基板）の最外導体層に相当する。したがって、導体層２０ｂ及び２０ｃは、上記導体パターン２３１ｂ、２３２ｂ、２３１ｃ、２３２ｃのほかに、電気回路を構成する配線パターン等を含んでいる。

本実施形態の第２基板２０における、図１４Ａ及び図１４Ｂに示すピース基板２３とフレーム２５との接続部位（領域Ｒ１２）においては、図１６に示されるように、基板２０ａの内層に、導体パターンが形成されておらず、絶縁層（例えば樹脂）のみが存在する。これにより、後述の切り出し工程（図１３のステップＳ２３）において、レーザにより基板２０ａを切断し易くなる。

なお、ピース基板２１、２２、２４の各々とフレーム２５との接続部位、及び、ピース基板２１〜２４の各々とフレーム２６との接続部位も、上記ピース基板２３とフレーム２５との接続部位（図１５Ａ〜図１７参照）と同様の構造を有する。

続けて、図１３のステップＳ２２では、第２基板２０を構成するピース基板２１〜２４の各々について通電検査を行い、ピース基板２１〜２４の中に、異常のあるピース基板があると判断された場合には、続くステップＳ２３で、第２基板２０から不良ピース（異常のあるピース基板）を切り出す。

他方、ステップＳ２２の通電検査で、いずれのピース基板にも異常がないと判断された場合には、ステップＳ２３の切り出しは行わない。全てのピース基板が健全であると判断された第２基板２０（多ピース基板）は、例えば製品として用いることができる。

以下、図１３のステップＳ２２の通電検査でピース基板２３のみに異常があると判断された場合について説明する。すなわち、続く図１３のステップＳ２３で、第２基板２０からピース基板２３（不良ピース）が切り出される。図１３のステップＳ２３における切り出し工程（詳しくは、空き所を形成するためのレーザ照射）は、例えば以下のような態様で行われる。

本実施形態では、図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、例えばＣＯ_２レーザを用いて、第３主面Ｆ２１側から基板２０ａにレーザ照射を行うことにより、基板２０ａの一部（ピース基板２３）を、基板片として切り出す。具体的には、図１８Ａに示されるように、レーザ光ＬＢを、スリット２３３ｂ（より詳しくは、図１５Ａ及び図１７に示される導体パターン２３２ｂの端面Ｆ２５）に照射し、スリット２３３ｂ（より詳しくは、図１５Ａ及び図１７に示される端面Ｆ２５）に沿ってレーザ光ＬＢの照射位置を移動させる。この際、レーザ光は、図１８Ｂに示されるように、端面Ｆ２５（図１７参照）を境とする導体パターン２３２ｂと基板２０ａとの両方に照射される。これにより、図１９に示すように、導体パターン２３２ｂの端面Ｆ２５（図１７参照）と導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６（図１７参照）とを結ぶ切断面Ｆ２が、基板２０ａに形成される。これにより、ピース基板２３がフレーム２５から切り離される。また、ピース基板２３は、フレーム２５から切り離す場合（図１８Ａ〜図１９参照）と同様の方法により、フレーム２６とも切り離される。その結果、ピース基板２３が、第２基板２０から切り離される。

ピース基板２３が第２基板２０から切り離されることで、図２０に示すように、第２基板２０には、空き所Ｒ２０が形成される。すなわち、本実施形態では、第３主面Ｆ２１側から第２基板２０にレーザ照射を行うことにより、第２基板２０の本体から、空き所Ｒ２０に対応した第２基板２０の一部（ピース基板２３）を切り離して、空き所Ｒ２０を形成する。

また、第２基板２０からピース基板２３が切り離されることで、図２０に示されるように、フレーム２５には嵌合部２５ａ（例えば凹部）が形成され、フレーム２６には嵌合部２６ａ（例えば凹部）が形成される。嵌合部２５ａ、２６ａはそれぞれ、先の図３に示した嵌合部Ｐ１に相当する。

続けて、図１３のステップＳ２４では、図４の処理により切り出された基板片（良ピース）を第２基板２０に嵌め合わせる。以下、図４の処理により切り出されたピース基板１２〜１４（いずれも良ピース）のうちピース基板１２を第２基板２０に嵌め合わせる場合を例にとって、図１３のステップＳ２４における嵌め合わせ工程について説明する。

本実施形態では、図２１Ａ及び図２１Ｂに示すように、基板１０ａの第１主面Ｆ１１と基板２０ａの第３主面Ｆ２１とが同じ向きになるように、ピース基板１２を第２基板２０に嵌め合わせる。詳しくは、フレーム２５の嵌合部２５ａ（例えば凹部）にピース基板１２の嵌合部１５ａ（例えば凸部の先端部）を嵌め込む。また、図２２に示すように、フレーム２６の嵌合部２６ａには、ピース基板１２の嵌合部１６ａを嵌め込む。この際、図２１Ｂに示すように、導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４（図９参照）に第２基板２０（詳しくは、図１７に示される導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６）が接触するように、ピース基板１２と第２基板２０（詳しくは、フレーム２５）とを互いに嵌め合わせる。また、図２２に示すように、これと同じ態様にて、ピース基板１２（詳しくは、嵌合部１６ａ）とフレーム２６（詳しくは、嵌合部２６ａ）とも互いに嵌め合わせる。その結果、接触箇所における摩擦力により、図１３のステップＳ２３で形成した第２基板２０の空き所Ｒ２０（図２０参照）に、ピース基板１２が固定され、図２２に示すような多ピース基板１００ａが形成される。本実施形態では、導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４（図９参照）と導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６（図１７参照）とが互いに接触することによって、ピース基板１２と第２基板２０との相対的な位置が決まる。また、ピース基板１２の嵌合部１５ａ（図２２参照）とフレーム２５の嵌合部２５ａ（図２２参照）との間、及び、ピース基板１２の嵌合部１６ａ（図２２参照）とフレーム２６の嵌合部２６ａ（図２２参照）との間にはそれぞれ、例えば図２１Ｂに示すような隙間Ｒ３０が形成される。隙間Ｒ３０は、図２１Ｂに示されるように、切断面Ｆ１と切断面Ｆ２との間に形成され、第１主面Ｆ１１又は第３主面Ｆ２１に向かって幅（Ｙ方向の幅）が広くなっている。

続けて、図１３のステップＳ２５では、例えばプレス機により、多ピース基板１００ａ（図２２）をプレスして、多ピース基板１００ａ（特に、ピース基板１２とフレーム２５、２６と接続箇所）の表面を平坦化する。なお、平坦化の方法は任意であり、例えばローラプレス機を用いて平坦化してもよい。

続けて、図１３のステップＳ２６では、例えばレーザ変位計を用いて、多ピース基板１００ａの平坦度を検査する。ステップＳ２６で平坦度が良好であると判断されるまで、ステップＳ２５に戻ってプレスを繰り返す。

ステップＳ２６で平坦度が良好であると判断された場合には、続く図１３のステップＳ２７において、図２３Ａ及び図２３Ｂに示すように、ピース基板１２の嵌合部１５ａ（図２２参照）とフレーム２５の嵌合部２５ａ（図２２参照）との間、及び、ピース基板１２の嵌合部１６ａ（図２２参照）とフレーム２６の嵌合部２６ａ（図２２参照）との間にそれぞれ、紫外線硬化性を有する接着材１００１を塗布する。接着材１００１は、図２３Ｂに示すように、切断面Ｆ１と切断面Ｆ２との間の隙間に充填される。本実施形態では、導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４（図９参照）と導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６（図１７参照）とが互いに接触しているため、接着材１００１が裏側（Ｚ２側）に流出しにくい。

続けて、図１３のステップＳ２８では、接着材１００１に紫外線を照射する。これにより、塗布された接着材１００１が硬化する。その結果、フレーム２５、２６とピース基板１２とが強固に接着される。なお、接着材は、紫外線硬化性の接着材に限られず任意である。例えば紫外線硬化性の接着材に代えて、熱硬化性の接着剤を用いてもよい。また、２種類以上の接着剤を使用してもよい。例えば光硬化型接着剤又はアクリル系接着剤で接着（仮止め）した後、熱硬化型接着剤で補強するようにしてもよい。

以上の工程により、本実施形態に係る多ピース基板１００（図１参照）が完成する。詳しくは、ピース基板２１、２２、２４がそれぞれピース基板１０１、１０２、１０４を構成し、ピース基板１２がピース基板１０３を構成し、フレーム２５、２６がそれぞれフレーム１０５、１０６を構成し、ブリッジ２１ａ、２２ａ、２４ａ、２１ｂ、２２ｂ、２４ｂがそれぞれブリッジ１０１ａ、１０２ａ、１０４ａ、１０１ｂ、１０２ｂ、１０４ｂを構成し、ブリッジ１２ａ、１２ｂがそれぞれブリッジ１０３ａ、１０３ｂを構成する（図１Ａ及び図２２参照）。図２に示した一体的な接続部位（図１Ａ及び図１Ｂ中の領域Ｒ１０１）と、図３に示した嵌合による接続部位（図１Ａ及び図１Ｂ中の領域Ｒ１０２）とでは、互いに異なる導体パターンが形成されることになる。本実施形態に係る多ピース基板１００は、図４及び図１３に示すような基板嵌め換え工法により製造される。

本実施形態に係る多ピース基板１００は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、ピース基板１０１〜１０４（複数の配線基板）と、ピース基板１０１〜１０４の各々に接続されるフレーム１０５、１０６と、を有する。ピース基板１０３（第１配線基板）は、ピース基板１２から構成され、フレーム１０５、１０６はそれぞれ、フレーム２５、２６から構成される（図１Ａ及び図２２参照）。ピース基板１２（第１配線基板）は、嵌合部１５ａ、１６ａ（それぞれ第１嵌合部）を有し、フレーム２５は、ピース基板１２の嵌合部１５ａと嵌合する嵌合部２５ａ（第２嵌合部）を有し、フレーム２６は、ピース基板１２の嵌合部１６ａと嵌合する嵌合部２６ａ（第２嵌合部）を有する。

ピース基板１２の嵌合部１５ａ、１６ａは、第１主面Ｆ１１及びその反対側の第２主面Ｆ１２を有し、第１主面Ｆ１１上に導体パターン１２１ｂ（第１導体パターン）を有し、導体パターン１２１ｂに対向する嵌合部１５ａ、１６ａの第２主面Ｆ１２上に、導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３よりも外側に端面Ｆ１４を有する導体パターン１２１ｃ（第２導体パターン）を有する（図９、図２２、及び図２３Ｂ参照）。ピース基板１２の嵌合部１５ａ、１６ａには、導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３と導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４とを結ぶ切断面Ｆ１が形成されている（図９、図２２、及び図２３Ｂ参照）。

フレーム２５、２６の嵌合部２５ａ、２６ａは、第３主面Ｆ２１及びその反対側の第４主面Ｆ２２を有し、第３主面Ｆ２１上に導体パターン２３２ｂ（第５導体パターン）を有し、導体パターン２３２ｂに対向する嵌合部２５ａ、２６ａの第４主面Ｆ２２上に、導体パターン２３２ｂの端面Ｆ２５よりも外側に端面Ｆ２６を有する導体パターン２３２ｃ（第６導体パターン）を有する（図１７、図２２、及び図２３Ｂ参照）。フレーム２５、２６の嵌合部２５ａ、２６ａには、導体パターン２３２ｂの端面Ｆ２５と導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６とを結ぶ切断面Ｆ２が形成されている（図１７、図２２、及び図２３Ｂ参照）。

ピース基板１２の嵌合部１５ａとフレーム２５の嵌合部２５ａ、また、ピース基板１２の嵌合部１６ａとフレーム２６の嵌合部２６ａとはそれぞれ、導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４と導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６とが接触した状態で、互いに嵌合している（図９、図１７、図２２、及び図２３Ｂ参照）。

導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４は、ピース基板１２の嵌合部１５ａ、１６ａの縁に沿って連続して形成されており、導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６は、嵌合部２５ａ、２６ａの縁に沿って連続して形成されている（図９、図１７、図２２、及び図２３Ｂ参照）。導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４と導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６とは、両嵌合部の縁の全体にわたって接触している。ただしこれに限られず、導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４が、ピース基板１２の嵌合部１５ａ、１６ａの縁に沿って断続的に形成されてもよいし、導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６が、嵌合部２５ａ、２６ａの縁に沿って断続的に形成されてもよい。さらにこの場合、嵌合部１５ａ又は１６ａと嵌合部２５ａ又は２６ａとの境界において、導体パターン１２１ｃ、２３２ｃの切れ目に相当する部分（不連続になる部分）に、例えばドリル又はレーザ等により接着材を入れるための穴又は溝（例えば非貫通の穴又は溝）を形成してもよい。

本実施形態に係る多ピース基板の製造方法（又は基板嵌め換え工法）では、第１主面Ｆ１１及びその反対側の第２主面Ｆ１２を有する基板１０ａ（第１基板１０）を準備し、第１主面Ｆ１１側から基板１０ａにレーザ照射を行うことにより、基板１０ａの一部を、基板片（ピース基板１２）として切り出す（図４のステップＳ１１、Ｓ１３）。また、上記レーザ照射に先立って、基板１０ａの第１主面Ｆ１１上に、レーザ照射される部位に端面Ｆ１３が位置するような導体パターン１２１ｂが形成され、上記レーザ照射では、導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３を境とする導体パターン１２１ｂと基板１０ａとの両方にレーザ光が照射されることで、第１主面Ｆ１１から第２主面Ｆ１２まで基板１０ａが切断される（図４のステップＳ１３）。こうした方法では、導体パターン１２１ｂをマスクとしてレーザ加工が行われるため、基板片（ピース基板１２）を切り出す際に生じる加工誤差を低減することが可能になる。

また、本実施形態では、第２基板２０の切断加工においては、導体パターン２３２ｂをマスク（又はストッパ）としてレーザ加工が行われるため、第２基板２０に空き所を形成する際に生じる加工誤差を低減することが可能になる（図１８Ａ〜図１９参照）。

本実施形態に係る多ピース基板の製造方法（又は基板嵌め換え工法）では、上記レーザ照射に先立って、導体パターン１２１ｂに対向する基板１０ａの第２主面Ｆ１２上に、導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３よりも外側に端面Ｆ１４を有する導体パターン１２１ｃが形成され（図９参照）、基板１０ａに、導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３と導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４とを結ぶ切断面Ｆ１が形成される（図１１参照）。そして、導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４に第２基板２０（詳しくは、図１７に示される導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６）が接触するように、上記切り出されたピース基板１２を第２基板２０の空き所Ｒ２０に嵌め合わせる（図２０及び図２２参照）。こうした方法では、導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４が基準となり、基板片（ピース基板１２）と第２基板２０との位置合わせが行われる。詳しくは、本実施形態では、導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４（図９参照）と導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６（図１７参照）とが相互に接触することによって、ピース基板１２と第２基板２０（特に、フレーム２５、２６）との相対的な位置が決まる。このため、第１基板１０から切り出された基板片（ピース基板１２）と別の基板（第２基板２０）とを互いに嵌め合わせる場合において両者の位置合わせ精度を向上させることが可能になる。以下、図２４Ａ〜図２５を参照して、このことについてさらに説明する。

例えば図２４Ａに示すような第１基板２０１と図２４Ｂに示すような第２基板２０２とを用いた多ピース基板の製造方法（又は基板嵌め換え工法）について考える。以下、この方法を、上述の実施形態に係る方法とは区別して、比較例に係る方法という。

図２４Ａに示す第１基板２０１では、基板１０ａの第１主面Ｆ１１上のレーザ光が照射される部位に導体パターン１２１ｂ、１２２ｂが設けられているが、反対側の第２主面Ｆ１２上には導体パターンが設けられていない（又はレーザ加工部位から離れている）。図２４Ｂに示す第２基板２０２では、基板２０ａの第３主面Ｆ２１上のレーザ光が照射される部位に導体パターン２３１ｂ、２３２ｂが設けられているが、反対側の第４主面Ｆ２２上には導体パターンが設けられていない（又はレーザ加工部位から離れている）。

例えば図２４Ａに示すように、第１基板２０１からピース基板１２を切り出し、図２４Ｂに示すように、第２基板２０２の一部を切り出して、第２基板２０２に空き所を形成する。絶縁層（特に樹脂）をレーザで加工する場合には、そのレーザ加工が進む（深くなる）につれて加工量が減少する傾向にあるため、基板１０ａの切断面Ｆ１は、図２４Ａに示すように、導体パターン１２１ｂの端面よりも外側に突出する。切断された基板１０ａは、第２主面Ｆ１２において、導体パターン１２１ｂの端面に対して最も突出すると考えられる。また、基板２０ａの切断面Ｆ２は、導体パターン２３２ｂの端面よりも外側に突出する。切断された基板２０ａは、第４主面Ｆ２２において、導体パターン２３２ｂの端面に対して最も突出すると考えられる。

図２４Ａに示す第１基板２０１から切り出されたピース基板１２を、図２４Ｂに示す第２基板２０２の空き所に嵌め合わせる場合には、図２５に示されるように、最も突出する基板１０ａの一部（例えば第２主面Ｆ１２）と基板２０ａの一部（例えば第４主面Ｆ２２）とが相互に接触した状態で、固定されると考えられる。この場合、ピース基板１２と第２基板２０２との相対的な位置は、第２主面Ｆ１２における切断面Ｆ１の位置（切断面Ｆ１と第２主面Ｆ１２との交線の位置）及び第４主面Ｆ２２における切断面Ｆ２の位置（切断面Ｆ２と第４主面Ｆ２２との交線の位置）によって決まると考えられる。しかしながら、切断面Ｆ１、Ｆ２の角度（傾斜の度合）などは、加工条件によって変動し易いため、上記比較例に係る方法では、高い精度でピース基板１２と第２基板２０２とを位置合わせすることは困難である。

これに対し、本実施形態に係る多ピース基板の製造方法（又は基板嵌め換え工法）では、図１１に示すような第１基板１０と図１９に示すような第２基板２０とが用いられる。

図１１に示す第１基板１０では、基板１０ａの第１主面Ｆ１１上のレーザ光が照射される部位に導体パターン１２１ｂ、１２２ｂが設けられ、反対側の第２主面Ｆ１２上には導体パターン１２１ｃ、１２２ｃが設けられている。図１９に示す第２基板２０では、基板２０ａの第３主面Ｆ２１上のレーザ光が照射される部位に導体パターン２３１ｂ、２３２ｂが設けられ、反対側の第４主面Ｆ２２上には導体パターン２３１ｃ、２３２ｃが設けられている。

このため、基板１０ａを切断する際には、図１０Ａ〜図１１に示されるように、導体パターン１２１ｂ、１２２ｂ（特に、導体パターン１２１ｂ）と共に、導体パターン１２１ｃ、１２２ｃ（特に、導体パターン１２１ｃ）がマスクとして機能することで、基板１０ａに、導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３（図９参照）と導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４（図９参照）とを結ぶ切断面Ｆ１を形成し易くなる。

また、基板２０ａを切断する際には、図１８Ａ〜図１９に示されるように、導体パターン２３１ｂ、２３２ｂ（特に、導体パターン２３２ｂ）と共に、導体パターン２３１ｃ、２３２ｃ（特に、導体パターン２３２ｃ）がマスクとして機能することで、基板２０ａに、導体パターン２３２ｂの端面Ｆ２５（図１７参照）と導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６（図１７参照）とを結ぶ切断面Ｆ２を形成し易くなる。

また、本実施形態に係る方法では、前述したレーザ加工の傾向に対応させて、導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４を導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３よりも外側に配置し（図９参照）、導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６を導体パターン２３２ｂの端面Ｆ２５よりも外側に配置している（図１７参照）。このため、基板１０ａに、導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３と導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４とを結ぶ切断面Ｆ１を形成し易くなり（図１１参照）、基板２０ａに、導体パターン２３２ｂの端面Ｆ２５と導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６とを結ぶ切断面Ｆ２を形成し易くなる（図１９参照）。

図１１に示す第１基板１０から切り出されたピース基板１２を、図２０に示す第２基板２０の空き所Ｒ２０に嵌め合わせる場合には、図２１Ａ〜図２２に示されるように、導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４（図９参照）と導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６（図１７参照）とが相互に接触した状態で、固定される。すなわち、ピース基板１２と第２基板２０との位置合わせにおいては、互いに接触する導体パターンの端面が基準になる。導体パターン（特に金属）はレーザで加工されにくいため、レーザ加工後も基準位置は維持され易い。導体パターンを設けずに基板１０ａ又は基板２０ａを切断する際の加工誤差に比べて、導体パターン１２１ｃ又は２３２ｃを形成する際に、その端面Ｆ１４又はＦ２６が所望の位置からずれて形成される度合（誤差）は小さいと考えられるため、本実施形態に係る多ピース基板の製造方法（又は基板嵌め換え工法）によれば、第１基板１０から切り出された基板片（ピース基板１２）と別の基板（第２基板２０）とを互いに嵌め合わせる場合において両者の位置合わせ精度を向上させることが可能になる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。

上記実施形態では、ピース基板１２の嵌合部１５ａ及び１６ａがそれぞれ凸部からなり、フレーム２５の嵌合部２５ａ及びフレーム２６の嵌合部２６ａがそれぞれ凹部からなる。しかしこれに限られず、ピース基板１２の嵌合部１５ａ及び１６ａの少なくとも１つが凹部からなり、それに対応するフレーム２５の嵌合部２５ａ及びフレーム２６の嵌合部２６ａの少なくとも１つが凸部からなってもよい。

配線基板（ピース基板）の構成、特に、その構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。

本発明に係る多ピース基板の製造方法（又は基板嵌め換え工法）は、図４又は図１３に示した順序に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序を変更することができる。また、用途等に応じて、工程を省略してもよい。

基板片（ピース基板１２）と第２基板２０（特に、フレーム２５、２６）との嵌合によって必要な接合強度を確保できる場合には、接着材を用いた接着工程（図１３のステップＳ２７、Ｓ２８）を割愛してもよい。

図２６Ａ（図７Ａに対応する図）及び図２６Ｂ（図１１に対応する図）に示すように、上記実施形態における導体パターン１２２ｂ、１２２ｃ（図７Ａ及び図１１参照）を割愛してもよい。この場合も、図２６Ｂに示すように、導体パターン１２１ｂ、１２１ｃをマスクにして、基板１０ａに、導体パターン１２１ｂの端面Ｆ１３（図９参照）と導体パターン１２１ｃの端面Ｆ１４（図９参照）とを結ぶ切断面Ｆ１を形成することができる。

図２７Ａ（図１５Ａに対応する図）及び図２７Ｂ（図１９に対応する図）に示すように、上記実施形態における導体パターン２３１ｂ、２３１ｃ（図１５Ａ及び図１９参照）を割愛してもよい。この場合も、図２７Ｂに示すように、導体パターン２３２ｂ、２３２ｃをマスクにして、基板２０ａに、導体パターン２３２ｂの端面Ｆ２５（図１７参照）と導体パターン２３２ｃの端面Ｆ２６（図１７参照）とを結ぶ切断面Ｆ２を形成することができる。

上述の基板嵌め換え工法は、多ピース基板の製造以外の用途に用いてもよい。例えば第１基板１０から切り出した基板片（例えばピース基板１２）を、ピース基板が１つも接続されていないフレームに取り付けてもよい。

図２８に示すように、基板（第１基板１０）から切り出した基板片（ピース基板１２）を、その基板片（ピース基板１２）よりも厚い別の基板（フレーム２０３）に嵌め合わせてもよい。図２８の例では、導体パターン１２１ｃが、フレーム２０３の基板２０ａ（樹脂）に接触する。この場合も、導体パターン１２１ｃの端面が基準になることで、基板片（ピース基板１２）とフレーム２０３との位置合わせ精度が向上する。

以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。

１０ 第１基板
１０ａ 基板
１０ｂ、１０ｃ 導体層
１１〜１４ ピース基板
１１ａ〜１４ａ ブリッジ
１１ｂ〜１４ｂ ブリッジ
１２ｃ、１２ｄ 凸部
１５、１６ フレーム
１５ａ、１６ａ 嵌合部
２０ 第２基板
２０ａ 基板
２０ｂ、２０ｃ 導体層
２１〜２４ ピース基板
２１ａ〜２４ａ ブリッジ
２１ｂ〜２４ｂ ブリッジ
２５、２６ フレーム
２５ａ、２６ａ 嵌合部
１００ 多ピース基板
１００ａ 多ピース基板
１０１〜１０４ ピース基板
１０１ａ〜１０４ａ ブリッジ
１０１ｂ〜１０４ｂ ブリッジ
１０５、１０６ フレーム
１２１ｂ、１２１ｃ、１２２ｂ、１２２ｃ 導体パターン
１２３ｂ、１２３ｃ スリット
２０１ 第１基板
２０２ 第２基板
２０３ フレーム
２３１ｂ、２３１ｃ、２３２ｂ、２３２ｃ 導体パターン
２３３ｂ、２３３ｃ スリット
１０００ 製造パネル
１００１ 接着材
Ｆ１、Ｆ２ 切断面
Ｆ１１ 第１主面
Ｆ１２ 第２主面
Ｆ１３〜Ｆ１６ 端面
Ｆ２１ 第３主面
Ｆ２２ 第４主面
Ｆ２３〜Ｆ２６ 端面
Ｐ１ 嵌合部
Ｐ２ 凸部
Ｐ２１ 嵌合部
Ｐ２２ ブリッジ
Ｒ１１、Ｒ１２ 領域
Ｒ２０ 空き所
Ｒ１０１、Ｒ１０２ 領域

Claims (9)

1. 第１主面及びその反対側の第２主面を有する基板を準備することと、
   前記基板の前記第１主面上に、第１導体パターンを形成することと、
   前記第１導体パターンに対向する前記基板の前記第２主面上に、前記第１導体パターンの１つの端面よりも外側に端面を有する第２導体パターンを形成することと、
   前記第１主面側から前記基板にレーザ照射を行うことにより、前記基板の一部を、基板片として切り出すことと、
   前記切り出された基板片を別の基板に嵌め合わせることと、
   を含む基板嵌め換え工法であって、
   前記レーザ照射では、前記第１導体パターンの前記端面を境とする前記第１導体パターンと前記基板との両方にレーザ光が照射されることで、前記基板に、前記第１導体パターンの前記端面と前記第２導体パターンの前記端面とを結ぶ切断面が形成され、
   前記基板片と前記別の基板との嵌め合わせでは、前記第２導体パターンの前記端面に前記別の基板が接触するように、両者を嵌め合わせる、
   ことを特徴とする基板嵌め換え工法。
2. さらに、前記基板の前記第１主面上に、前記第１導体パターンの前記端面に対向する端面を有する第３導体パターンを形成することと、
   前記基板の前記第２主面上に、前記第２導体パターンの前記端面に対向する端面を有する第４導体パターンを形成することと、
   を含み、
   前記第１導体パターンの前記端面と前記第３導体パターンの前記端面との間には、前記レーザ照射の走査方向に沿った線状の第１スリットが形成されており、前記第２導体パターンの前記端面と前記第４導体パターンの前記端面との間には、前記レーザ照射の走査方向に沿った線状の第２スリットが形成されており、前記第１スリットの幅は、前記第２スリットの幅よりも大きい、
   ことを特徴とする請求項１に記載の基板嵌め換え工法。
3. さらに、第３主面及びその反対側の第４主面を有する前記別の基板を準備することと、
   前記別の基板に空き所を形成することと、
   を含み、
   前記基板片と前記別の基板との嵌め合わせでは、前記第１主面と前記第３主面とが同じ向きになるように、前記空き所に前記基板片が固定される、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板嵌め換え工法。
4. 前記空き所の形成は、
   前記別の基板の前記第３主面上に、第５導体パターンを形成することと、
   前記第５導体パターンに対向する前記別の基板の前記第４主面上に、前記第５導体パターンの１つの端面よりも外側に端面を有する第６導体パターンを形成することと、
   前記第３主面側から前記別の基板にレーザ照射を行うことにより、前記別の基板の本体から、前記空き所に対応した前記別の基板の一部を切り離すことと、
   を含み、
   前記空き所を形成するための前記レーザ照射では、前記第５導体パターンの前記端面を境とする前記第５導体パターンと前記基板との両方にレーザ光が照射されることで、前記別の基板に、前記第５導体パターンの前記端面と前記第６導体パターンの前記端面とを結ぶ切断面が形成され、
   前記基板片と前記別の基板との嵌め合わせでは、前記第２導体パターンの前記端面に前記第６導体パターンの前記端面が接触するように、両者を嵌め合わせる、
   ことを特徴とする請求項３に記載の基板嵌め換え工法。
5. 前記基板片は、第１嵌合部を有し、前記別の基板は、前記第１嵌合部と嵌合する第２嵌合部を有し、
   前記第１導体パターンの形成及び前記第２導体パターンの形成では、前記第１導体パターンの前記端面及び前記第２導体パターンの前記端面がそれぞれ、前記第１嵌合部の縁に沿って形成され、
   前記基板片と前記別の基板との嵌め合わせでは、前記第１嵌合部と前記第２嵌合部とを互いに嵌め合わせる、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板嵌め換え工法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板嵌め換え工法により、複数の配線基板と該複数の配線基板の各々に接続されるフレームとを有する多ピース基板を製造する方法であって、
   請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板嵌め換え工法において、前記別の基板が前記フレームを構成し、前記基板片が前記複数の配線基板の１つを構成する、
   ことを特徴とする多ピース基板の製造方法。
7. 複数の配線基板と、該複数の配線基板の各々に接続されるフレームと、を有する多ピース基板であって、
   前記複数の配線基板の１つである第１配線基板は、第１嵌合部を有し、前記フレームは、前記第１嵌合部と嵌合する第２嵌合部を有し、
   前記第１配線基板の前記第１嵌合部は、第１主面及びその反対側の第２主面を有し、前記第１主面上に第１導体パターンを有し、前記第１導体パターンに対向する前記第１嵌合部の前記第２主面上に、前記第１導体パターンの１つの端面よりも外側に端面を有する第２導体パターンを有し、
   前記第１配線基板の前記第１嵌合部には、前記第１導体パターンの前記端面と前記第２導体パターンの前記端面とを結ぶ切断面が形成され、
   前記第１配線基板の前記第１嵌合部と前記フレームの前記第２嵌合部とは、前記第２導体パターンの前記端面に前記フレームの前記第２嵌合部が接触するように、互いに嵌合している、
   ことを特徴とする多ピース基板。
8. 前記フレームの前記第２嵌合部は、第３主面及びその反対側の第４主面を有し、前記第３主面上に第５導体パターンを有し、前記第５導体パターンに対向する前記第２嵌合部の前記第４主面上に、前記第５導体パターンの１つの端面よりも外側に端面を有する第６導体パターンを有し、
   前記フレームの前記第２嵌合部には、前記第５導体パターンの前記端面と前記第６導体パターンの前記端面とを結ぶ切断面が形成され、
   前記第１配線基板の前記第１嵌合部と前記フレームの前記第２嵌合部とは、前記第２導体パターンの前記端面と前記第６導体パターンの前記端面とが接触した状態で、互いに嵌合している、
   ことを特徴とする請求項７に記載の多ピース基板。
9. 前記第２導体パターンの前記端面は、前記第１嵌合部の縁に沿って形成されており、前記第６導体パターンの前記端面は、前記第２嵌合部の縁に沿って形成されている、
   ことを特徴とする請求項８に記載の多ピース基板。

Images