JP5288652B2 - 電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、陽極、陰極、および前記陽極と前記陰極との間に、エレクトロルミネセンス
（以下、「ＥＬ」と記す）によって発光する薄膜を挟んだ構造からなる素子を基板上に備
えた表示装置に関する。

ＥＬ素子とは、陰極と陽極の間に有機化合物、あるいは無機化合物を含む薄膜もしくは結
晶を形成し、陰陽極間に通電することで発光を得る素子である。近年、とりわけ有機化合
物を主構成成分とする薄膜が陰極と陽極間に設置されたＥＬ素子、すなわち有機ＥＬ素子
の開発が盛んに行われている。

有機ＥＬ素子は、様々な分野で応用が期待されており、単なる照明器具から携帯電話やパ
ーソナルコンピュータで用いられるディスプレイなどへの用途が考えられている。有機Ｅ
Ｌ素子は、通電することで発光する材料を一対の電極間に挟み込むことで作製され、液晶
と異なりそれ自体が発光するのでバックライトなどの光源がいらないうえ、素子自体が非
常に薄いため薄型軽量ディスプレイを作製するにあたり非常に有利である。

このようなディスプレイとして例えば、陰極に反射性の高い金属を用い、陽極に透明電極
を用いた有機ＥＬ素子を基板上に備えた表示装置が提案されている。陰極に反射性の高い
金属を用いることで、発光層からの発光輝度を向上させることができるが、一方で金属表
面で外光が反射することにより外部の映像が映り込み、観測者から表示画像を見えにくく
し、表示画像の明るさを暗くするなど画像の表示特性を低下させるという問題がある。こ
の問題を解決するために、反射防止手段を備えることで外部の映像の映り込みを抑える方
法が提案されている。例えば、１／４波長板、反射偏光板、及び吸収偏光板からなる反射
防止手段を備えた表示装置（特許文献１）や、波長補正板、平面型直線偏光ビームスプリ
ッタ、及び偏光板からなる反射防止手段を備えた表示装置（特許文献２）が開示されてい
る。

特開２００５−１００７８９号公報 特開平１１−４５０５８号公報

しかしながら、１／４波長板、反射偏光板、及び吸収偏光板からなる反射防止手段を備え
た表示装置や、波長補正板、平面型直線偏光ビームスプリッタ、及び偏光板からなる反射
防止手段を備えた表示装置において、陰極表面における外光の反射による外部の映像の映
り込みを効率的に抑え込めないだけでなく、表示装置に入射した外光の一部が反射偏光板
や平面型直線偏光ビームスプリッタを通過せず、その表面で反射してしまい外部の映像の
映り込みが完全には解消されない可能性がある。

本発明において、反射偏光板における外光の反射を防止し、かつ発光層からの光の取り出
し効率を向上させる表示装置を提案することを課題とする。

本発明の表示装置は、反射性電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた
透明電極と、前記透明電極上に設けられた反射偏光板と、前記反射偏光板上に設けられた
１／４波長板と、前記１／４波長板上に設けられた偏光板とを有することを特徴とする。

本発明の表示装置は、基板の一方の面上に、透明電極、発光層、及び反射性電極とを有
し、前記基板の他方の面上に反射偏光板、１／４波長板、及び偏光板とを有し、前記１／
４波長板は、前記反射偏光板と前記偏光板との間に設けられていることを特徴とする。

本発明の表示装置は、透明基板の一方の面上に、透明電極、発光層、及び反射性電極と
を有し、前記透明基板の他方の面上に反射偏光板、可視光の範囲において１／４波長板と
しての効果を有する広帯域化１／４波長板、及び偏光板とを有し、前記広帯域化１／４波
長板は、前記反射偏光板と前記偏光板との間に設けられていることを特徴とする。

本発明の表示装置は、反射性電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた
透明電極と、前記透明電極上に設けられた基板と、前記基板上に設けられた反射偏光板と
、前記反射偏光板上に設けられた１／４波長板と、前記１／４波長板上に設けられた偏光
板とを有することを特徴とする。

本発明の表示装置は、基板上に設けられた反射性電極と、前記反射性電極上に設けられ
た発光層と、前記発光層上に設けられた透明電極と、前記透明電極上に設けられた反射偏
光板と、前記反射偏光板上に設けられた１／４波長板と、前記１／４波長板上に設けられ
た偏光板とを有することを特徴とする。

本発明の表示装置は、第１の偏光板上に設けられた第１の１／４波長板と、前記第１の
１／４波長板上に設けられた第１の反射偏光板と、前記第１の反射偏光板上に設けられた
基板と、前記基板上に設けられた第１の透明電極と、前記第１の透明電極上に設けられた
発光層と、前記発光層上に設けられた第２の透明電極と、前記第２の透明電極上に設けら
れた第２の反射偏光板と、前記第２の反射偏光板上に設けられた第２の１／４波長板と、
前記第２の１／４波長板上に設けられた第２の偏光板とを有することを特徴とする。

本発明の表示装置は、偏光板上に設けられた１／４波長板と、１／４波長板上に設けら
れた反射偏光板と、反射偏光板上に設けられた基板と、基板上に設けられた、ソース領域
又はドレイン領域を有する半導体膜を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ
上に設けられた、前記ソース領域又はドレイン領域に達するコンタクトホールを有する層
間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられた前記ソース領域又はドレイン領域と電気的に
接続された配線と、前記層間絶縁膜及び前記配線上に設けられた透明電極と、前記透明電
極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた反射性電極とを有することを特徴
とする。

本発明の表示装置は、基板上に設けられた、ソース領域又はドレイン領域を有する半導
体膜を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に設けられた、前記ソース領
域又はドレイン領域に達するコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上
に設けられた前記ソース領域又はドレイン領域と電気的に接続された配線と、前記層間絶
縁膜及び前記配線上に設けられた反射性電極と、前記反射性電極上に設けられた発光層と
、前記発光層上に設けられた透明電極と、前記透明電極上に設けられた反射偏光板と、前
記反射偏光板上に設けられた１／４波長板と、前記１／４波長板上に設けられた偏光板と
を有することを特徴とする。

本発明の表示装置は、第１の偏光板上に設けられた第１の１／４波長板と、前記第１の
１／４波長板上に設けられた第１の反射偏光板と、前記第１の反射偏光板上に設けられた
基板と、前記基板上に設けられた、ソース領域又はドレイン領域を有する半導体膜を有す
る薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に設けられた、前記ソース領域又はドレ
イン領域に達するコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられ
た前記ソース領域又はドレイン領域と電気的に接続された配線と、前記層間絶縁膜及び前
記配線上に設けられた第１の透明電極と、前記第１の透明電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２の透明電極と、前記第２の透明電極上に設けられた第２の
反射偏光板と、前記第２の反射偏光板上に設けられた第２の１／４波長板と、前記第２の
１／４波長板上に設けられた第２の偏光板とを有することを特徴とする。

本発明の表示装置は、前記基板と前記反射偏光板との間にプリズムが形成されてなるこ
とを特徴とする。

本発明の表示装置は、基板の一方の面上に、透明電極、発光層、及び反射性電極とを有
し、前記基板の他方の面上に第１の１／４波長板、反射偏光板、第２の１／４波長板、及
び偏光板とを有することを特徴とする。

本発明の表示装置は、反射性電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた
透明電極と、前記透明電極上に設けられた基板と、前記基板上に設けられた第１の１／４
波長板と、前記第１の１／４波長板上に設けられた反射偏光板と、前記反射偏光板上に設
けられた第２の１／４波長板と、前記第２の１／４波長板上に設けられた偏光板とを有す
ることを特徴とする。

本発明の表示装置は、偏光板上に設けられた第２の１／４波長板と、前記第２の１／４
波長板上に設けられた反射偏光板と、前記反射偏光板上に設けられた第１の１／４波長板
と、前記第１の１／４波長板上に設けられた基板と、基板上に設けられた、ソース領域又
はドレイン領域を有する半導体膜を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上
に設けられた、前記ソース領域又はドレイン領域に達するコンタクトホールを有する層間
絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられた前記ソース領域又はドレイン領域と電気的に接
続された配線と、前記層間絶縁膜及び前記配線上に設けられた透明電極と、前記透明電極
上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた反射性電極とを有することを特徴と
する。

本発明の表示装置は、前記基板と前記第１の１／４波長板との間にプリズムが形成され
てなることを特徴とする。

本発明の表示装置は、前記１／４波長板、前記第１の１／４波長板、又は前記第２の１
／４波長板は、広帯域化１／４波長板であることを特徴とする。

本発明の電子機器は、当該表示装置を具備することを特徴とする。

本発明において、反射偏光板上での外光の反射による外部の映像の映り込みを抑え、画像
の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光層において発光した光を効率よく
取り出すことができ、表示画像の明るさの減少を抑えることが可能となる。

表示装置の断面の模式図。 表示装置の断面の模式図。 表示装置の断面の模式図。 表示装置の断面の模式図。 表示装置の作製工程の例を示す図。 表示装置の作製工程の例を示す図。 表示装置の作製工程の例を示す図。 表示装置が有する発光層の構成を示す図。 表示装置のパネルを示す図。 表示装置のパネルを示す図。 表示装置を用いた電子機器を示す図。

本発明を実施するための最良の形態を、図面を用いながら説明する。但し、本発明は以
下の形態に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳
細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に
示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本
発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面
間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態１〜７は自
由に組み合わせて用いることができる。

なお、本明細書において、偏光板又は反射偏光板の偏光軸のうち光を透過する軸を透過軸
とよぶ。また、偏光板の偏光軸のうち光を吸収する軸を吸収軸とよぶ。なお、透過軸と吸
収軸とは直交している。このように吸収軸を有する吸収偏光板を単に偏光板とよぶ。また
、特定の偏光成分の光を透過させ、他の偏光成分の光を反射させる機能を有する偏光板を
反射偏光板とよぶ。

ここで、反射偏光板として、直線偏光反射偏光板若しくは円偏光反射偏光板を用いること
ができる。本明細書において、直線偏光反射偏光板とは、直線偏光の一偏光成分を透過し
、他の偏光成分を反射する（つまり、Ｐ波又はＳ波のような直線偏光に対して、いずれか
の成分、例えばＰ波成分を透過させ、Ｓ波成分を反射させる）性質を有するものを指し、
円偏光反射偏光板とは、右回り若しくは左回りの回転方向を有する円偏光のうち一方の回
転方向成分を通過させ、他方を反射する性質を有するものを指す。直線偏光反射偏光板と
して、例えば異なる屈折率を有する透明層を積層させた多層膜などを用いることができる
。また、円偏光反射偏光板として、例えばコレステリック層を有する物質からなるものな
どを用いることができる。

また、本明細書において、１／４波長板のかわりに１／２波長板と１／４波長板とを組
み合わせたものを用いてもよい。また、本明細書では、可視光の範囲（好ましくは、３８
０ｎｍ〜７８０ｎｍ）において１／４波長板としての効果を有する広帯域化１／４波長板
を含めて１／４波長板と称する。

（実施の形態１）
本実施の形態において、反射偏光板、１／４波長板、及び偏光板を有する表示装置につい
て説明する。図１に、本実施の形態における表示装置の一部を示す。なお、本構成は有機
ＥＬや無機ＥＬだけでなく、ＰＤＰ、ＳＥＤ、ＦＥＤなどのディスプレイに対しても有効
である。

本実施の形態における表示装置は、図１に示すように基板１００上に、透明電極１１、
発光層１２、反射性電極１３が積層され、透明電極１１の形成面とは反対の基板１００上
に反射偏光板１４、１／４波長板１５、偏光板１６が積層されている。つまり、反射性電
極１３、発光層１２、透明電極１１、基板１００、反射偏光板１４、１／４波長板１５、
偏光板１６とが順に積層された構造を有する。本実施の形態において、発光層１２からの
発光は透明電極１１側（基板１００側）から取り出す構造となっており、透明電極１１と
反射性電極１３間に電流を流すことによって発光を得ることができる。

偏光板１６は、その透過軸と平行な振動面を有する直線偏光成分を透過させ、当該透過軸
と直交する振動面を有する直線偏光成分を吸収する機能を有する。

本実施の形態において、反射偏光板として直線偏光反射偏光板を用いる場合、反射偏光板
１４の透過軸と１／４波長板１５の遅相軸とは４５°若しくは１３５°の角度をなすよう
に配置する。また、直線反射偏光板を用いる場合、この反射偏光板１４の透過軸と偏光板
１６の透過軸とは平行になるように配置する。

また、本実施の形態において、発光層１２からの発光は基板１００を介して取り出される
構成なので基板１００は透明基板である必要がある。基板１００として、例えば、ガラス
基板、石英基板、可撓性基板等を用いることができる。可撓性基板とは、折り曲げること
ができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリエチ
レンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等か
らなるプラスチック基板等が挙げられる。また、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル
、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる膜厚の薄いフィルム状の基板を用いること
もできる。これらの基板は必要に応じて、平坦化膜を塗布してもよいし、窒化膜、酸化膜
若しくはこれらの積層膜を成膜してもよいし、ＣＭＰ等により研磨してから使用しても良
い。

透明電極１１として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ
）、または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、酸
化珪素を含んだ酸化インジウムにさらに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した
ターゲットを用いて形成された酸化インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ、Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎ
ｃ Ｏｘｉｄｅ）、ガリウムを含む亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ_２）、イン
ジウム酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３）等を用いることができる。

発光層１２は、発光物質を含む層であり、例えば透明電極１１上にホール輸送層、発光層
、電子輸送層とが順に積層された構成を有している。発光層１２の構成は、この構成に限
定されず少なくとも発光層を有していればよい。また、例えば、発光層以外に、電子注入
層、電子輸送層、ホールブロッキング層、ホール輸送層、ホール注入層等の機能性の各層
を自由に組み合わせてもよい。なお、本実施の形態において透明電極１１が陽極として機
能するため、透明電極１１側からホール注入層、ホール輸送層、ホールブロッキング層、
発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層する。また、これらの各層を合わせた混合層
又は混合接合を形成しても良い。なお各層の境目は必ずしも明確である必要はなく、互い
の層を構成している材料が一部混合し、界面が不明瞭になっている場合もある。各層には
、有機系の材料、無機系の材料を用いることが可能である。有機系の材料として、高分子
系、中分子系、低分子系のいずれの材料も用いることが可能である。なお中分子系の材料
とは、構造単位の繰返しの数（重合度）が２から２０程度の低重合体に相当する。

反射性電極１３として、反射率の高い金属（例えば、反射率が４０％以上の金属）を用い
ることが好ましい。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、またはこれらを含む合
金であるＡｌＬｉ合金、ＭｇＡｇ合金等を用いることができる。また、反射性電極１３は
、反射率の高い金属と他の電極材料との積層構造としてもよい。アルカリ金属やアルカリ
土類金属の膜を薄く（例えば５ｎｍ程度）形成し、反射率の高い金属と積層させることに
より、電子注入性を高めることが可能となる。

ここで、反射偏光板１４が直線偏光反射偏光板である場合について説明する。まず、表示
装置の観察面、つまり偏光板１６の表側から入射する外光のうち偏光板１６の吸収軸に平
行な光成分（第１の偏光とよぶ）が偏光板１６によって吸収され、表示装置には偏光板１
６の透過軸に平行な第２の偏光が入射される。この第２の偏光は、１／４波長板１５を通
ることで右回り又は左回りの円偏光に変換される。本実施の形態では、右回り円偏光に変
換される場合を考える。右回り円偏光に変換された第２の偏光のうち反射偏光板１４の透
過軸と一致しない偏光成分は、反射偏光板１４において反射されて左回り円偏光として１
／４波長板１５へ戻り、該左回り円偏光は１／４波長板１５を透過することにより、第２
の偏光の偏光軸と垂直な偏光軸を有する第３の偏光に変換される。つまり、第３の偏光は
偏光板１６の吸収軸に平行な偏光軸を有する。左回り円偏光とした場合も同様に、偏光板
１６の吸収軸に平行な偏光軸を有する第３の偏光が射出される。従って、第３の偏光は偏
光板１６を透過することなく吸収される。

また、当該第２の偏光のうち反射偏光板１４の透過軸と一致する偏光成分は、反射偏光板
１４を透過する。そして、反射性電極１３上で反射し、再び反射偏光板１４を通過した後
、１／４波長板１５を介して当該第２の偏光の偏光軸と垂直な偏光成分を有する第４の偏
光に変換される。第４の偏光は、偏光板１６の吸収軸と一致するため、偏光板１６を透過
することなく吸収される。従って、表示装置に入射した外光の成分は偏光板１６により吸
収され、外光は再び外部に射出することがなくなり、外部の映像の映り込みを抑えること
ができる。

一方、発光層１２において発光した光は、反射偏光板１４の透過軸と平行な偏光成分はそ
のまま反射偏光板１４を通り、１／４波長板１５を介して円偏光となり、透過軸と同じ成
分の光が偏光板１６を通過して表示装置から射出される。残りの偏光成分は、反射偏光板
１４で反射されて発光層１２方向へ戻り、反射性電極１３において反射されて再度反射偏
光板１４へ入射する。ここで、反射偏光板１４の偏光軸と平行でない偏光軸を有する光は
、反射偏光板１４と反射性電極１３との間で繰り返し反射される。そして、繰り返し反射
されることで、偏光軸がずれ、反射が繰り返された光の偏光軸が反射偏光板１４の偏光軸
と平行になり、反射偏光板１４、１／４波長板１５、偏光板１６を通過して表示装置から
射出される。このため、従来は利用することのできなかった発光成分を有効活用すること
が可能となり、表示画像の明るさの向上を図ることができる。

また、反射偏光板１４と１／４波長板１５との間に追加して偏光板１７を設けてもよい図
１（Ｂ）。その場合、偏光板１６及び偏光板１７の透過軸が一致するように配置する。偏
光板１７を設けることにより、上記右回り円偏光に変換された第２の偏光のうち反射偏光
板１４の透過軸と一致せず、反射偏光板１４において反射された偏光が、偏光板１７にお
いて吸収されるため、外光は再び外部に射出することがなくなり、外部の映像の映り込み
をより効果的に抑えることができる。

また、反射偏光板１４が円偏光反射偏光板である場合について説明する。まず、表示装置
の観察面、つまり偏光板１６の表側から入射する外光のうち偏光板１６の吸収軸に平行な
光成分（第１の偏光とよぶ）が偏光板１６によって吸収され、表示装置には偏光板１６の
透過軸に平行な第２の偏光が入射される。この第２の偏光は、１／４波長板１５を通るこ
とで右回り又は左回りの円偏光に変換される。本実施の形態では、右回り円偏光に変換さ
れる場合を考える。ここで反射偏光板１４は、左回りの円偏光成分を透過させ、右回りの
円偏光成分を反射する機能を有する。右回り円偏光に変換された第２の偏光は、反射偏光
板１４において反射されて１／４波長板１５へ戻り、１／４波長板１５を透過することに
より、第２の偏光の偏光軸と垂直な偏光軸を有する第３の偏光に変換される。つまり、第
３の偏光は偏光板１６の吸収軸に平行な偏光軸を有する。ここで、第２の偏光が１／４波
長板１５で左回り円偏光に変換される場合は、反射偏光板１４に右回り円偏光を透過し、
左回り円偏光を反射する機能を有するものを用いれば、偏光板１６の吸収軸に平行な偏光
軸を有する第３の偏光に変換される。従って、表示装置に入射した外光の成分は偏光板１
６により吸収され、外光は再び外部に射出することがなくなり、外部の映像の映り込みを
抑えることができる。

一方、発光層１２において発光した光は、反射偏光板のコレステリック層のらせんの回転
方向に一致しない円偏光成分はそのまま反射偏光板１４、１／４波長板１５、偏光板１６
を通過して表示装置から射出される。また、らせんの回転方向に一致する円偏光成分は、
反射偏光板１４で反射されて発光層１２方向へ戻り、反射性電極１３において反射されて
再度反射偏光板１４へ入射する。ここで、反射偏光板１４の透過しない偏光は、反射偏光
板１４と反射性電極１３との間で繰り返し反射される。そして、繰り返し反射されること
で、偏光軸がずれ、反射が繰り返された光が反射偏光板１４を透過し、１／４波長板１５
、偏光板１６を通過して表示装置から射出される。このため、従来は利用することのでき
なかった発光成分を有効活用することが可能となり、表示画像の明るさの向上を図ること
ができる。

本実施の形態において、偏光板１６上に反射防止膜や無反射防止膜などを設けてもよい。
反射防止膜とは、屈折率の異なる薄膜などを積層することにより表面における外光の反射
を抑えるものである。反射防止膜を設けることにより、偏光板１６表面での外光の反射が
抑えられ、さらに外部の映像の映り込みを抑えることが可能となる。

また、１／４波長板として可視光の範囲（好ましくは、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）におい
て１／４波長板としての機能を有する広帯域化１／４波長板を用いることにより、可視光
の範囲で良好な１／４波長特性が得られ、外光を広い範囲で打ち消すことができるだけで
なく、発光層１２からの射出光を効率よく取り出すことが可能である。

本実施の形態の表示装置において、反射偏光板１４上での外光の反射による外部の映像の
映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光層１２にお
いて発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの改善を図ることが可
能となる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、反射偏光板１４と基板１００との間にプリズム層を設ける場合を説明
する。なお、図２において図１と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。図
２に、本実施の形態における表示装置の一部を示す。

本実施の形態における表示装置は、図２（Ａ）に示すように基板１００上に、透明電極１
１、発光層１２、反射性電極１３が積層され、透明電極１１の形成面とは反対の基板１０
０上にプリズム層２０１、反射偏光板１４、１／４波長板１５、偏光板１６が積層されて
いる。つまり、反射性電極１３、発光層１２、透明電極１１、基板１００、プリズム層２
０１、反射偏光板１４、１／４波長板１５、偏光板１６とが順に積層された構造を有する
。

本実施の形態において、プリズム層２０１は偏光の偏光軸をずらすために設けられた、表
面に突起がストライプ状に形成され、該ストライプに垂直な方向の断面がランダムな大き
さのくし形であるフィルム状の部材である。なお、本実施の形態において、プリズム層２
０１は、偏光の偏光軸をずらすことができる散乱層であればよく特に限定されない。この
ような散乱層として、例えば、大きさや屈折率の異なる材料からなる物質２０２が拡散さ
れた薄い膜２０３であってもよい（図２（Ｂ））。また、散乱層とプリズム層とを両方設
けてもよい。

本実施の形態において、反射偏光板として直線偏光反射偏光板を用いる場合、反射偏光
板１４の偏光軸と１／４波長板１５の遅相軸とは４５°若しくは１３５°の角度をなすよ
うに配置する。また、直線反射偏光板を用いる場合、反射偏光板１４の透過軸と偏光板１
６の透過軸とは平行になるように配置する。

この構成によって、実施の形態１と同様に、表示装置に入射した外光は偏光板１６におい
て吸収され、再び外部に射出することがなくなり、外部の映像の映り込みを抑えることが
できる。

一方、発光層１２において発光した光は、実施の形態１と同様に、反射偏光板１４と反
射性電極１３との間で繰り返し反射されることにより、発光層１２において発光した光を
効率的に射出させることができ、従来は利用することのできなかった発光成分を有効活用
することが可能となり、表示画像の明るさの向上を図ることができる。本実施の形態にお
いて、プリズム層２０１を介して反射偏光板１４と反射性電極１３との間で繰り返し反射
が行われているため、効率的に偏光軸をずらすことができ、発光層１２において発光され
た光の取り出し効率をより向上させることができる。プリズム層２０１は、発光の集光だ
けでなく反射偏光板１４と反射性電極１３との間で繰り返し反射される偏光の向きや状態
を変化させる作用を有すれば、１枚だけ設けてもよいし複数枚設けてもよい。

本実施の形態の表示装置において、反射偏光板１４上での外光の反射による外部の映像の
映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光層１２にお
いて発光した光をより効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの改善を図ること
が可能となる。

（実施の形態３）
本実施の形態において、反射偏光板１４と基板１００との間に１／４波長板を設ける場合
を説明する。なお、図３において図１と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略す
る。図３に、本実施の形態における表示装置の一部を示す。

本実施の形態における表示装置は、図３に示すように基板１００上に、透明電極１１、発
光層１２、反射性電極１３が積層され、透明電極１１の形成面とは反対の基板１００上に
１／４波長板３０１（第１の１／４波長板とよぶ）、反射偏光板１４、１／４波長板１５
（第２の１／４波長板とよぶ）、偏光板１６が積層されている。つまり、反射性電極１３
、発光層１２、透明電極１１、基板１００、１／４波長板３０１、反射偏光板１４、１／
４波長板１５、偏光板１６とが順に積層された構造を有する。

本実施の形態において、反射偏光板として直線偏光反射偏光板を用いる場合、反射偏光
板１４の偏光軸と第１の１／４波長板３０１の偏光軸とは４５°若しくは１３５°の角度
をなすように配置する。また、反射偏光板１４として直線偏光反射偏光板を用いる場合、
反射偏光板１４の透過軸と第２の１／４波長板１５の透過軸とは４５°若しくは１３５°
の角度をなすように配置する。また、直線偏光反射偏光板を用いる場合、反射偏光板１４
の透過軸と偏光板１６の透過軸とは平行になるように配置する。

ここで、反射偏光板が、直線偏光反射偏光板である場合について説明する。まず、表示装
置の観察面、つまり偏光板１６の表側から入射する外光のうち偏光板１６の吸収軸に平行
な偏光成分（第１の偏光とよぶ）が偏光板１６によって吸収され、表示装置には偏光板１
６の透過軸に平行な第２の偏光が入射する。この第２の偏光は、第２の１／４波長板１５
を通ることで右回り又は左回りの円偏光に変換され、当該第２の偏光のうち反射偏光板１
４の透過軸と一致しない成分は反射偏光板１４で反射されるが、実施の形態１と同様に、
偏光板１６を透過することなく吸収され、表示装置に入射した外光の成分が再び外部に射
出することがなくなる。

また、当該第２の偏光のうち反射偏光板１４の透過軸と一致する偏光成分は、反射偏光板
１４を透過する。その後、第１の１／４波長板３０１において右回り又は左回りの円偏光
に変換され、反射性電極１３において反射されて第１の１／４波長板３０１のほうへ戻る
。反射性電極１３で反射された円偏光は、偏光方向が反転するため、第１の１／４波長板
３０１を通過した偏光は反射偏光板１４で反射する。この反射光は再び第１の１／４波長
板３０１を通り、円偏光となり反射性電極１３において再び反射する。当該円偏光が再び
１／４波長板を通過することにより、反射偏光板１４の透過軸と一致した直線偏光となり
、第２の１／４波長板１５において円偏光に変換され、偏光板１６吸収軸と一致する成分
が吸収される。一部の成分は射出されるが、最終的に表示装置内部で減衰した光が射出す
ることになるので、使用上問題のない程度に外部の映像の映り込みを抑えることができる
。

一方、発光層１２において発光した光は、まず第１の１／４波長板３０１において、円
偏光又は直線偏光に変換され、変換された成分のうち反射偏光板１４の透過軸と平行な偏
光成分は反射偏光板１４、１／４波長板１５、偏光板１６を通過して表示装置から射出さ
れる。残りの偏光成分は、反射偏光板１４で反射されて第１の１／４波長板３０１方向へ
戻り右回り又は左回りの円偏光に変換される。この右回り又は左回り円偏光は、反射性電
極１３において反射されて偏光方向が反転した円偏光として再度第１の１／４波長板３０
１へ入射する。そして、第１の１／４波長板３０１において、反射偏光板１４と平行な偏
光軸を有する偏光に変換され、偏光板１６を通過して表示装置から射出される。従って、
従来は利用することのできなかった発光層１２からの発光成分を有効活用することが可能
となり、表示画像の明るさの向上を図ることができる。

また、反射偏光板が円偏光反射偏光板である場合の構成について説明する。ここで、反射
偏光板１４が左回り円偏光を透過し、右回り円偏光を反射する機能を有する場合を説明す
る。まず、表示装置の面観察、つまり偏光板１６の表側から入射する外光のうち偏光板１
６の吸収軸に平行な偏光成分（第１の偏光とよぶ）が偏光板１６によって吸収され、表示
装置には偏光板１６の透過軸に平行な第２の偏光が入射される。この第２の偏光は、１／
４波長板１５を通ることで、例えば右回りの円偏光に変換されることにより、実施の形態
１と同様に偏光板１６を透過することなく吸収され、表示装置に入射した外光の成分が再
び外部に射出することがなくなり、外部の映像の映り込みを抑えることができる。

一方、発光層１２において発光した光は、まず第１の１／４波長板３０１において、円偏
光、楕円偏光又は直線偏光に変換され、変換された成分のうち一円偏光成分はそのまま反
射偏光板１４、１／４波長板１５、偏光板１６を通過して表示装置から射出される。残り
の偏光成分は、反射偏光板１４で反射されて第１の１／４波長板３０１を介して発光層１
２方向へ戻り、反射性電極１３において反射されて再度反射偏光板１４へ入射する。ここ
で、反射偏光板１４の透過しない偏光は、反射偏光板１４と反射性電極１３との間で第１
の１／４波長板３０１を介して繰り返し反射される。そして、繰り返し反射されることで
、偏光軸がずれ、反射が繰り返された光が反射偏光板１４を透過し、１／４波長板１５、
偏光板１６を通過して表示装置から射出される。このため、従来は利用することのできな
かった発光成分を有効活用することが可能となり、表示画像の明るさの向上を図ることが
できる。

本実施の形態において、基板１００と第１の１／４波長板３０１との間に、プリズム層
、散乱層やこれらの組み合わせたものを設けてもよい。

本実施の形態の表示装置において、反射偏光板１４上での外光の反射による外部の映像の
映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、反射偏光板１４
と基板１００との間に１／４波長板を設けることにより、反射偏光板１４を通過した外光
が再び表示装置の外に戻るのを防ぐことができ、さらに外部の映像の映り込みを抑え、画
像の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光層１２において発光した光をよ
り効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの改善を図ることが可能となる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、発光層からの発光の取り出し方向が実施の形態１〜３とは異なる構造
の表示装置について説明する。なお、図４において図１と同じ部分は同じ符号を用いて示
し、説明は省略する。図４に、本実施の形態における表示装置の一部を示す。

本実施の形態における表示装置は、図４（Ａ）に示すように基板１００上に、反射性電
極４００１、発光層１２、透明電極４００２、反射偏光板１４、１／４波長板１５、偏光
板１６が順に積層された構造を有する。本実施の形態において、発光層１２からの発光は
透明電極４００２側（基板１００と反対側）から取り出す構造となっている。なお、本実
施の形態において、透明電極４００２と反射偏光板１４との間に、単層又は積層の絶縁膜
を設けてもよい。また、透明電極４００２と反射偏光板１４との間にプリズムなどの散乱
層を設けてもよいし、さらに１／４波長板を設けてもよい。

なお、図４（Ａ）の構成において、発光層１２からの発光の取り出しに際して、基板１
００を介さないため、基板１００は必ずしも透明基板である必要はない。例えば、セラミ
ックス基板、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板などを用いてもよい。

図４（Ａ）に示す構成によって、偏光板１６側から表示装置に入射した外光は偏光板１６
において吸収されることにより外部の映像の映り込みを抑えることができる。

一方、発光層１２において発光した光は、反射偏光板１４と反射性電極４００１との間
で繰り返し反射されることにより、従来は利用することのできなかった発光層１２からの
発光成分を有効活用することが可能となり、表示画像の明るさの向上を図ることができる
。

図４（Ａ）に示す表示装置において、反射偏光板１４上での外光の反射による外部の映像
の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光層１２に
おいて発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの減少を抑えること
が可能となる。

また、図４（Ａ）の反射性電極４００１のかわりに透明電極４００３を設けてもよい（図
４（Ｂ））。その場合、基板１００の両側に、反射偏光板、１／４波長板、偏光板を設け
るとよい。つまり、図４（Ｂ）に示すように、第１の偏光板４００４、第１の１／４波長
板４００５、第１の反射偏光板４００６、基板１００、第１の透明電極４００３、発光層
１２、第２の透明電極４００２、第２の反射偏光板１４、第２の１／４波長板１５、第２
の偏光板１６とを順に積層した構造を有する。本実施の形態において、発光層１２からの
発光は、透明電極４００２側と透明電極４００３側から取り出す構造となっている。つま
り、基板１００側と基板１００と反対側との２つの方向から光を取り出す構造となってい
る。

なお、本実施の形態において、透明電極４００２と反射偏光板１４との間に、単層又は積
層の絶縁膜を設けてもよい。また、透明電極４００２と反射偏光板１４との間にプリズム
などの散乱層を設けてもよいし、さらに１／４波長板を設けてもよい。

図４（Ｂ）に示す構成によって、第１の偏光板４００４又は第２の偏光板１６側から表示
装置に入射した外光は、第１の偏光板４００４又は第２の偏光板１６において吸収され、
再び外部に射出することがなくなり、外部の映像の映り込みを抑えることができる。なお
、反射偏光板として直線偏光反射偏光板を用いる場合、好ましくは、第１の偏光板と第２
の偏光板とは、その透過軸が直交するように配置するのがよい。透過軸を直交させて配置
することにより、発光層１２から発光して一発光面へ向かった光のうち第１の反射偏光板
４００６又は第２の反射偏光板１４で反射して戻った光を反対側の発光面から効率よく取
り出すことができる。また、反射偏光板として円偏光反射偏光板を用いる場合、好ましく
は、第１の反射偏光板と第２の反射偏光板のらせんの回転方向が逆向きになるように配置
するのがよい。回転方向が逆向きになるように配置することにより、発光層１２からの発
光を効率よく取り出すことが可能となる。

偏光板１６、４００４は、その偏光軸と平行な振動面を有する直線偏光を透過させ、当該
偏光軸と直交する振動面を有する直線偏光を吸収する機能を有する。

本実施の形態において、反射偏光板として直線偏光反射偏光板を用いた場合、反射偏光板
１４の偏光軸と１／４波長板１５の遅相軸とは４５°若しくは１３５°の角度をなすよう
に配置し、反射偏光板４００６の偏光軸と１／４波長板４００５の遅相軸とは４５°若し
くは１３５°の角度をなすように配置する。

図４（Ａ）、（Ｂ）の透明電極４００２、４００３として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ
、Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（Ｉ
ＴＳＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、酸化珪素を含んだ酸化インジウムにさらに２〜２０ｗ
ｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いて形成された酸化インジウム酸化
亜鉛（ＩＺＯ、Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ガリウムを含む亜鉛酸化物（Ｇ
ＺＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ_２）、インジウム酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３）等を用いることができ
る。

図４（Ａ）の反射性電極４００１として、反射率の高い金属を用いることが好ましく、ア
ルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、またはこれらを含む合金であるＡｌＬｉ合金、ＭｇＡ
ｇ合金等を用いることができる。また、反射性電極４００１は、反射率の高い金属と他の
電極材料との積層構造としてもよい。アルカリ金属やアルカリ土類金属の膜を薄く（例え
ば５ｎｍ程度）形成し、反射率の高い金属と積層させることにより、電子注入性を高める
ことが可能となる。

本実施の形態の表示装置において、反射偏光板上での外光の反射による外部の映像の映り
込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光層１２において
発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの改善を図ることが可能と
なる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する表示装置の作製工程を説明す
る。なお、本実施の形態では、発光層１２からの発光を基板１００側からのみ取り出す構
造について説明するがこの構造に限定されない。基板１００とは反対側から発光を取り出
す構造でもよいし、基板１００側と基板１００と反対側との２つの方向から発光を取り出
す構造であってもよい。

まず図５（Ａ）に示すように、基板１００を用意する。基板１００は、例えばバリウム
ホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミッ
ク基板等を用いることができる。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板
は、一般的に上記基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温
度に耐え得るのであれば用いることが可能である。基板１００の表面を、ＣＭＰ法などの
研磨により平坦化しておいても良い。

次に、基板１００上に下地膜１０１を形成する（図５（Ａ））。下地膜１０１は、基板
１００にガラスを用いた場合に、基板に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類
金属が半導体膜中に拡散し、半導体素子の特性に悪影響をおよぼすのを防ぐことができる
。そのため、アルカリ金属やアルカリ土類金属の半導体膜への拡散を抑えることができる
酸化珪素や、窒化珪素または窒化酸化珪素などの絶縁膜を用いて形成する。本実施の形態
では、プラズマＣＶＤ法を用いて窒化酸化珪素膜を１０〜４００ｎｍの膜厚になるように
成膜する。なお、プラズマＣＶＤ以外にもスパッタ法や減圧ＣＶＤ法等の公知の方法を用
いても形成することができる。また、本実施の形態では下地膜１０１を単層の構造として
いるが、２層あるいはそれ以上の複数層で形成してもよい。

ガラス基板またはプラスチック基板のように、アルカリ金属やアルカリ土類金属が多少
なりとも含まれている基板を用いる場合、不純物の拡散を防ぐという観点から下地膜１０
１を設けることは有効であるが、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合
は、必ずしも設ける必要はない。

次に、下地膜１０１上に非晶質半導体膜１０２を形成する。非晶質半導体膜１０２はシ
リコンまたはシリコンを主成分とする材料（例えばＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ等）で２５〜８０ｎ
ｍの厚さに形成すればよい。作製方法としては、公知の方法、例えばスパッタ法、減圧Ｃ
ＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等が使用できる。

続いて、非晶質半導体膜１０２の結晶化を行う。非晶質半導体膜１０２をレーザ結晶化
法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を
用いる熱結晶化法などの公知の結晶化法により結晶化させる（図５（Ａ））。

次に、結晶性半導体膜をエッチングにより島状の半導体膜１０２ａ〜１０２ｃとする。
続いて、島状の半導体膜１０２ａ〜１０２ｃを覆うようにゲート絶縁膜１０３を形成する
（図５（Ｂ））。ゲート絶縁膜１０３には、例えば酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪
素等を用いて単層または複数の膜を積層させて形成することができる。また成膜方法は、
プラズマＣＶＤ法、スパッタ法などを用いることができる。ここでは、スパッタ法を用い
て、膜厚を３０ｎｍ〜２００ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。

次に、ゲート絶縁膜１０３上にゲート電極を形成する。本実施の形態において、ゲート
電極は第１の導電膜及び第２の導電膜との２層構造を有する。第１の導電層１０４ａ〜１
０４ｃとして窒化タンタル（ＴａＮ）膜とその上に第２の導電層１０５ａ〜１０５ｃとし
てタングステン（Ｗ）膜を形成する（図５（Ｃ））。ＴａＮ膜、Ｗ膜は共にスパッタ法で
形成すればよく、ＴａＮ膜はＴａのターゲットを用いて窒素雰囲気中で、Ｗ膜はＷのター
ゲットを用いて成膜すれば良い。

なお、本実施の形態では第１の導電層をＴａＮ、第２の導電層をＷとしたが、これに限
定されず、第１の導電層と第２の導電層は共にＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ
、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で
形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される
半導体膜を用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。さらに、その組み合
わせも適宜選択すればよい。膜厚は第１の導電層が２０〜１００ｎｍ、第２の導電層が１
００〜４００ｎｍの範囲で形成すれば良い。また、本実施の形態では、ゲート電極は、２
層の積層構造としたが、１層としてもよいし、もしくは３層以上の積層構造としてもよい
。

次に、ゲート電極またはレジストを形成しエッチングしたものをマスクとして用い、半
導体膜１０２ａ〜１０２ｃにｎ型またはｐ型の導電性を付与する不純物を選択的に添加し
、ソース領域、ドレイン領域、さらにはＬＤＤ領域等を形成する。

次いで、レジストからなるマスクを除去して第１のパッシベーション膜１０６を形成す
る（図５（Ｄ））。この第１のパッシベーション膜１０６としてはシリコンを含む絶縁膜
を１００〜２００ｎｍの厚さに形成する。成膜法としてはプラズマＣＶＤ法や、スパッタ
法を用いればよい。本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法により酸化窒化珪素膜を形成し
た。酸化窒化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ_４、Ｎ_２Ｏ、ＮＨ_３か
ら作製される酸化窒化珪素膜、またはＳｉＨ_４、Ｎ_２Ｏから作製される酸化窒化珪素膜を
形成すれば良い。この場合の作製条件は反応圧力２０〜２００Ｐａ、基板温度３００〜４
００℃とし、高周波（６０ＭＨｚ）電力密度０．１〜１．０Ｗ／ｃｍ^２である。また、第
１のパッシベーション膜としてＳｉＨ_４、Ｎ_２Ｏ、Ｈ_２から作製される酸化窒化水素化珪
素膜を適用しても良い。もちろん、第１のパッシベーション膜１０６は、本実施の形態の
ような酸化窒化珪素膜の単層構造に限定されるものではなく、他の珪素を含む絶縁膜を単
層構造、もしくは積層構造として用いても良い。

その後、レーザアニール法を行い、半導体膜の結晶性の回復、半導体膜に添加された不
純物元素の活性化を行うことが好ましい。また、第１のパッシベーション膜１０６を形成
した後で熱処理を行うことで、活性化処理と同時に半導体膜の水素化も行うことができる
。水素化は、第１のパッシベーション膜１０６に含まれる水素によって、半導体膜のダン
グリングボンドを終端するものである。ここでは、パッシべーション膜１０６としてＳｉ
ＮＯ膜を用い、窒素雰囲気下で４１０℃で行うとよい。

また、第１のパッシベーション膜１０６を形成する前に加熱処理を行ってもよい。但し
、第１の導電層１０４ａ〜１０４ｃ及び第２の導電層１０５ａ〜１０５ｃを構成する材料
が熱に弱い場合には、本実施の形態のように配線などを保護するため、第１のパッシベー
ション膜１０６を形成した後で熱処理を行うことが望ましい。さらに、この場合、第１の
パッシベーション膜がないため、当然パッシベーション膜に含まれる水素を利用しての水
素化は行うことができない。

この場合は、プラズマにより励起された水素を用いる手段（プラズマ水素化）を用いて
の水素化や、３〜１００％の水素を含む雰囲気中において、３００〜４５０℃で１〜１２
時間の加熱処理による水素化を用いれば良い。このようにして、半導体膜、ゲート絶縁膜
、ゲート電極とを有するＴＦＴ４０１〜４０３を得ることができる。なお、４０１〜４０
３の構造は本実施の形態のものに限られない。

次いで、第１のパッシベーション膜１０６上に、第１の層間絶縁膜１０７を形成する（
図５（Ｅ））。第１の層間絶縁膜１０７としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いること
ができる。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜や、ＳＯＧ（
Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）法により塗布された酸化シリコン膜などを用いることがで
き、有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、アク
リルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。
また、アクリル膜と酸化窒化シリコン膜の積層構造を用いても良い。

また、層間絶縁膜は、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される
シロキサンを用いることができる。シロキサンは、置換基として、少なくとも水素を含む
有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。また、置換基として、フル
オロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ
基とを用いてもよい。

シロキサン系ポリマーは、その構造により、例えば、シリカガラス、アルキルシロキサ
ンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー
、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーなどに分類することができる。また、Ｓｉ
−Ｎ結合を有するポリマー（ポリシラザン）を含む材料で層間絶縁膜を形成してもよい。

上記の材料を用いることで、膜厚を薄くしても十分な絶縁性および平坦性を有する層間
絶縁膜を得ることができる。また、上記の材料は耐熱性が高いため、多層配線におけるリ
フロー処理にも耐えうる層間絶縁膜を得ることができる。さらに、吸湿性が低いため、脱
水量の少ない層間絶縁膜を形成することができる。

本実施の形態では、シロキサン系のポリマーを第１の層間絶縁膜１０７として形成する
。第１の層間絶縁膜１０７によって、基板上に形成されたＴＦＴによる凹凸を緩和し、平
坦化することができる。とくに、第１の層間絶縁膜１０７は平坦化の意味合いが強いので
、平坦化されやすい材質の絶縁膜を用いることが好ましい。また、これ以外にも第１の層
間絶縁膜に窒素を含む酸化珪素を用いることができ、この場合は第１のパッシべーション
膜を設けなくともよい。

その後、第１の層間絶縁膜１０７上に窒化酸化シリコン膜等からなる第２のパッシベー
ション膜を形成してもよい。膜厚は１０〜２００ｎｍ程度で形成すれば良く、第２のパッ
シベーション膜によって第１の層間絶縁膜１０７へ水分が出入りすることを抑制すること
ができる。第２のパッシベーション膜には、他にも窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜
、酸化窒化アルミニウム膜、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜やカーボンナイト
ライド（ＣＮ）膜も同様に使用できる。

またＲＦスパッタ法を用いて成膜された膜は緻密性が高く、バリア性に優れている。Ｒ
Ｆスパッタの条件は、例えば酸化窒化珪素膜を成膜する場合、Ｓｉターゲットで、Ｎ_２、
Ａｒ及びＮ_２Ｏをガスの流量比が３１：５：４となるように流し、圧力０．４Ｐａ、電力
３０００Ｗとして成膜する。また、例えば窒化珪素膜を成膜する場合、Ｓｉターゲットで
、チャンバー内のＮ_２及びＡｒをガスの流量比が１：１となるように流し、圧力０．８Ｐ
ａ、電力３０００Ｗ、成膜温度を２１５℃として成膜するとよい。

次いで、第１の層間絶縁膜１０７及び第１のパッシベーション膜１０６をエッチングし
、ソース領域およびドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する。続いて、各ソー
ス領域およびドレイン領域とそれぞれ電気的に接続する配線１０８ａ〜１０８ｆを形成す
る（図６（Ａ））。配線１０８ａ〜１０８ｆとしては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍｎから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金からな
る単層または積層構造を用いることができる。ここでは、Ａｌを含んだ金属膜で形成する
ことが好ましい。本実施の形態では、Ｔｉ膜とＡｌとＴｉを含む合金膜との積層膜をエッ
チングして形成する。もちろん、２層構造に限らず、単層構造でも良いし、３層以上の積
層構造にしても良い。また、配線材料としては、ＡｌとＴｉの積層膜に限られない。例え
ばＴａＮ膜上にＡｌ膜やＣｕ膜を形成し、更にＴｉ膜を形成した積層膜をエッチングして
配線を形成しても良い。

次に、配線１０８ａ〜１０８ｆを覆うように第２の層間絶縁膜１０９を形成する。第２
の層間絶縁膜としては、前述した第１の層間絶縁膜と同様のものを用いることができる。
本実施の形態では、第２の層間絶縁膜１０９にシロキサン系ポリマーを用いる。シロキサ
ン系ポリマーは耐熱性が高いため、多層配線におけるリフロー処理にも耐えうる層間絶縁
膜を得ることができる。

続いて、第２の層間絶縁膜１０９を選択的にエッチングし、コンタクトホールを形成す
る。その後、配線１０８ｆと接続するための配線１１１を形成する。また、配線１１１と
同時に画素電極１１２ａを形成する（図６（Ｂ））。配線１１１および画素電極１１２ａ
は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍｎから選ばれた一種の元
素または該元素を複数含む合金からなる単層または積層構造を用いて形成することができ
る。本実施の形態では、Ａｌ合金を用いればよく、ここではＡｌ−Ｎｉ−Ｃによって形成
する。

次に、第２の層間絶縁膜１０９、配線１１１および画素電極１１２ａ上に画素電極１１
２ｂを形成する（図６（Ｃ））。画素電極１１２ｂは、少なくとも配線１１１および画素
電極１１２ａと重ならない領域１１９において、第二の層間絶縁膜１０９と接するように
形成する。本実施の形態において、画素電極１１２ａ、画素電極１１２ｂは透明性導電膜
で形成する。例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ
）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ、Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ
Ｏｘｉｄｅ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などその他の透光性酸化物導電材
料を用いることが可能である。ＩＴＯ及び酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ
）や、酸化珪素を含んだ酸化インジウムにさらに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を
混合したターゲットを用いて形成されたものを用いても良い。

次に、画素電極１１２ａ、１１２ｂの端部を覆うように絶縁膜（隔壁、バンク）１１６
を形成し、画素電極１１２ｂに接するように発光層１１４を形成する。発光層１１４は発
光物質を含む層であり、例えば、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、
電子輸送層７０４、電子注入層７０５とを有している（図７）。なお、発光層１１４は必
ずしもこの構成に限定されない。少なくとも発光層を有する単層又は積層構造を有する。
図７に、画素電極１１２ｂと電極１１５とに挟まれた正孔注入層７０１、正孔輸送層７０
２、発光層７０３、電子輸送層７０４、電子注入層７０５とを有する発光層１１４の断面
の模式図を示す。

正孔注入層７０１には、正孔輸送性を有し、なおかつイオン化ポテンシャルが比較的小
さく、正孔注入性が高い材料を用いるのが望ましい。大別すると金属酸化物、低分子系有
機化合物、および高分子系有機化合物に分けられる。金属酸化物であれば、例えば、酸化
バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウムなど用いることができ
る。低分子系有機化合物あれば、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡに代表されるスターバースト
型アミン、銅フタロシアニン（略称：Ｃｕ−Ｐｃ）に代表される金属フタロシアニン、フ
タロシアニン（略称：Ｈ_２−Ｐｃ）、２，３−ジオキシエチレンチオフェン誘導体などを
用いることができる。低分子系有機化合物と上記金属酸化物とを共蒸着させた膜であって
も良い。高分子系有機化合物であれば、例えば、ポリアニリン（略称：ＰＡｎｉ）、ポリ
ビニルカルバゾール（略称：ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体などの高分子を用いること
ができる。ポリチオフェン誘導体の一つであるポリエチレンジオキシチオフェン（略称：
ＰＥＤＯＴ）にポリスチレンスルホン酸（略称：ＰＳＳ）をドープしたものを用いても良
い。また、ベンゾオキサゾール誘導体と、ＴＣＱｎ、ＦｅＣｌ_３、Ｃ_６０またはＦ_４ＴＣ
ＮＱのいずれか一または複数の材料とを併せて用いても良い。

正孔輸送層７０２には、正孔輸送性が高く、結晶性の低い公知の材料を用いることが望
ましい。例えば、芳香族アミン系（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの）の
化合物が好適であり、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノ］ビフェニル（ＴＰＤ）や、その誘導体である４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナ
フチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）などがある。４，４’，４
’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）や、ＭＴ
ＤＡＴＡなどのスターバースト型芳香族アミン化合物も用いることができる。また４，４
’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）を用い
ても良い。また高分子材料としては、良好な正孔輸送性を示すポリ（ビニルカルバゾール
）などを用いることができる。

発光層７０３には、イオン化ポテンシャルが大きく、かつバンドギャップの大きな材料
を用いるのが望ましい。例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）
、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−
ヒドロキシベンゾ［η］−キノリナト）ベリリウム（ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）−（４−ヒドロキシ−ビフェニリル）−アルミニウム（ＢＡｌｑ）、
ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（Ｚｎ（ＢＯＸ）_２
）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（Ｚｎ（ＢＴＺ）
_２）などの金属錯体を用いることができる。また、各種蛍光色素（クマリン誘導体、キナ
クリドン誘導体、ルブレン、４，４−ジシアノメチレン、１−ピロン誘導体、スチルベン
誘導体、各種縮合芳香族化合物など）も用いることができる。白金オクタエチルポルフィ
リン錯体、トリス（フェニルピリジン）イリジウム錯体、トリス（ベンジリデンアセトナ
ート）フェナントレンユーロピウム錯体などの燐光材料も用いることができる。

また、発光層７０３に用いるホスト材料としては、上述した例に代表されるホール輸送
材料や電子輸送材料を用いることができる。また、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾリル
ビフェニル（略称：ＣＢＰ）などのバイポーラ性の材料も用いることができる。

電子輸送層７０４には、電子輸送性の高い材料を用いることが望ましい。例えば、Ａｌ
ｑ_３に代表されるような、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体やそ
の混合配位子錯体などを用いることができる。具体的には、Ａｌｑ_３、Ａｌｍｑ_３、Ｂｅ
Ｂｑ_２、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２などの金属錯体が挙げられる。
さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（ＯＸＤ−
７）などのオキサジアゾール誘導体、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェ
ニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、３−（４−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−
１，２，４−トリアゾール（ｐ−ＥｔＴＡＺ）などのトリアゾール誘導体、ＴＰＢＩのよ
うなイミダゾール誘導体、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（Ｂ
ＣＰ）などのフェナントロリン誘導体を用いることができる。

電子注入層７０５には、電子注入性の高い材料を用いるのが望ましい。例えば、ＬｉＦ
、ＣｓＦなどのアルカリ金属ハロゲン化物や、ＣａＦ_２のようなアルカリ土類ハロゲン化
物、Ｌｉ_２Ｏなどのアルカリ金属酸化物のような絶縁体の超薄膜がよく用いられる。また
、リチウムアセチルアセトネート（略称：Ｌｉ（ａｃａｃ））や８−キノリノラト−リチ
ウム（略称：Ｌｉｑ）などのアルカリ金属錯体も有効である。また、モリブデン酸化物（
ＭｏＯｘ）やバナジウム酸化物（ＶＯｘ）、ルテニウム酸化物（ＲｕＯｘ）、タングステ
ン酸化物（ＷＯｘ）等の金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体と、アルカリ金属、
アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一または複数の材料とを含むようにしても
良い。また酸化チタンを用いていても良い。

なお、発光層１１４は、必ずしもこれらの層を全て有している必要はない。本実施の形
態では、少なくとも発光層７０３を有していれば良い。また必ずしも発光層７０３からの
み発光が得られるわけではなく、他の層に用いられる材料の組み合わせによっては、発光
層７０３以外の層から発光が得られる場合もある。また、発光層７０３と電子輸送層７０
４の間に正孔ブロック層を設けても良い。

なお色によっては、燐光材料の方が蛍光材料よりも、駆動電圧を低くすることができ、
信頼性も高い場合がある。そこで、三原色の各色に対応する発光素子を用いて、フルカラ
ーの表示を行なう場合は、蛍光材料を用いた発光素子と、燐光材料を用いた発光素子とを
組み合わせて、各色の発光素子における劣化の度合いを揃えるようにしても良い。

なお発光層１１４のうち、電極１１５に最も近い層（本実施の形態では電子注入層７０
５）に、エッチングされにくい材料を用いることで、発光層１１４上に電極１１５をスパ
ッタ法で形成する際に、電極１１５に最も近い層（本実施の形態では電子注入層７０５）
に与えられるスパッタダメージを軽減させることができる。エッチングされにくい材料と
は、例えばモリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）やバナジウム酸化物（ＶＯｘ）、ルテニウム酸
化物（ＲｕＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯｘ）等の金属酸化物、またはベンゾオキサ
ゾール誘導体を用いることができる。これらは蒸着法によって形成されることが好ましい
。上記構成により、電極１１５をスパッタ法で形成した場合でも、発光層１１４が有する
有機物を含む層への、スパッタダメージを抑えることができ、電極１１５を形成するため
の物質の選択性が広がる。

その後、発光層１１４に接するように電極１１５を積層して形成する（図６（Ｄ））。
本実施の形態において、電極１１５は反射性を有する導電膜で形成する。また、電極１１
５は陰極として用いられるため、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およ
びこれらの混合物などを用いる。例えば、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉ
ｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ_２、ＣａＮ）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属
を用いることができる。また電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの他の導電膜を用いるこ
とも可能である。

その後、電極１１５上にマスクを用いた蒸着法またはスパッタ法により保護層を形成し
てもよい。保護層は、電極１１５を保護するものである。なお、必要でなければ必ずしも
設ける必要はない。

次いで、封止基板６０１をシール材で貼り合わせて発光素子を封止する。表示装置は、
表示領域の外周をシール材で囲まれ、一対の基板１００、及び封止基板６０１で封止され
る。なお、シール材で囲まれた領域には充填材６０２を充填する。或いは、シール材で囲
まれた領域には乾燥した不活性ガスを充填する（図６（Ｄ））。

次に、電極１１５が形成されている側とは反対側の基板１００上に反射偏光板１４、１
／４波長板１５、偏光板１６を順次積層する（図８）。本実施の形態において、反射偏光
板として直線偏光反射偏光板を用いる場合、反射偏光板１４の透過軸と１／４波長板１５
の遅相軸とは４５°若しくは１３５°の角度をなすように配置する。

上記構成を有する表示装置において、画素電極１１２ｂと電極１１５との間に電圧を印
加し、発光層１１４に順方向バイアスの電流を供給することで、発光層１１４から光を発
生させ、該光を画素電極１１２ｂ側から取り出すことができる。

以上の工程により、図８に示す表示装置を作製することができる。本実施の形態の表示装
置において、反射偏光板１４上での外光の反射による外部の映像の映り込みを抑え、画像
の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光層１１４において発光した光を効
率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの改善を図ることが可能となる。

（実施の形態６）
本実施の形態において、実施の形態５に示した表示装置のパネルについて、図９を用い
て説明する。

基板５０上には、発光素子を含む画素を複数有する表示領域５１、ゲートドライバ５２
、５３、ソースドライバ５４および接続フィルム５５が設けられる（図９（Ａ））。接続
フィルム５５はＩＣチップなどに接続する。

図９（Ｂ）はパネルのＡＢを結ぶ破線における断面図を示し、表示領域５１に設けられ
たトランジスタ４１２、発光素子４１３および容量素子４１６、ソースドライバ５４に設
けられた素子群４１０を示す。

表示領域５１、ゲートドライバ５２、５３およびソースドライバ５４の周囲にはシール
材４０８が設けられ、発光素子４１３は、該シール材４０８と対向基板４０６により封止
される。この封止処理は、発光素子４１３を水分から保護するための処理であり、ここで
はカバー材（ガラス、セラミックス、プラスチック、金属等）により封止する方法を用い
るが、熱硬化性樹脂や紫外光硬化性樹脂を用いて封止する方法、金属酸化物や窒化物等の
バリア能力が高い薄膜により封止する方法を用いてもよい。基板５０上に形成される素子
は、非晶質半導体に比べて移動度等の特性が良好な結晶質半導体（ポリシリコン）により
形成することが好適であり、そうすると、同一表面上におけるモノリシック化が実現され
る。上記構成を有するパネルは、接続する外部ＩＣの個数が減少するため、小型・軽量・
薄型が実現される。なお、本実施の形態において、基板５０の発光素子４１３が形成され
た側とは反対側の表面に、反射偏光板１４、１／４波長板１５、偏光板１６とが順に積層
して形成されている。

なお、表示領域５１は絶縁表面上に形成された非晶質半導体（アモルファスシリコン）
をチャネル部としたトランジスタにより構成し、表示領域５１を制御する回路はＩＣチッ
プにより構成してもよい。非晶質半導体は、ＣＶＤ法を用いることで、大面積の基板に簡
単に形成することができ、かつ結晶化の工程が不要であることから、安価なパネルの提供
を可能とする。また、この際、インクジェット法に代表される液滴吐出法により導電層を
形成すると、より安価なパネルの提供を可能とする。また、ＩＣチップは、ＣＯＧ（Ｃｈ
ｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式により基板５０上に貼り合わせたり、基板５０に接続する
接続フィルム５５に貼り合わせたりしてもよい。

ここで、図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に、チップ状のＩＣ（ＩＣチップ）を、画素を複
数有する表示領域が形成された素子基板に実装する様子を示す。図１０（Ａ）では、基板
５０上に表示領域５１と、ゲートドライバ５２、５３とが形成されている。そして、ＩＣ
チップ５８に形成されたソースドライバが、基板５０に実装されている。具体的には、Ｉ
Ｃチップ５８に形成されたソースドライバが、基板５０に貼り合わされ、表示領域５１と
電気的に接続されている。また、表示領域５１と、ゲートドライバ５２、５３と、ＩＣチ
ップ５８に形成されたソースドライバとに、それぞれ電源電位、各種信号等が、接続フィ
ルム５５を介して供給される。

図１０（Ｂ）では、基板５０上に表示領域５１と、ゲートドライバ５２、５３とが形成
されている。そして、ＩＣチップ５９に形成されたソースドライバが、基板５０に実装さ
れた接続フィルム５５に更に実装されている。表示領域５１と、ゲートドライバ５２と、
ＩＣチップ５９に形成されたソースドライバとに、それぞれ電源電位、各種信号等が、接
続フィルム５５を介して供給される。

ＩＣチップの実装方法は、特に限定されるものではなく、公知のＣＯＧ方法やワイヤボ
ンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。またＩＣチップを実装す
る位置は、電気的な接続が可能であるならば、図１０に示した位置に限定されない。また
、図１０ではソースドライバのみをＩＣチップで形成した例について示したが、ゲートド
ライバをＩＣチップで形成しても良いし、またコントローラ、ＣＰＵ、メモリ等をＩＣチ
ップで形成し、実装するようにしても良い。また、ソースドライバやゲートドライバ全体
をＩＣチップで形成するのではなく、各駆動回路を構成している回路の一部だけを、ＩＣ
チップで形成するようにしても良い。

なお、駆動回路などの集積回路を別途ＩＣチップで形成して実装することで、全ての回
路を画素部と同じ基板上に形成する場合に比べて、歩留まりを高めることができ、また各
回路の特性に合わせたプロセスの最適化を容易に行うことができる。

なお図１０では示していないが、表示領域が形成されている基板上に、保護回路を設け
ていても良い。保護回路により放電経路を確保することができるので、信号及び電源電圧
が有する雑音や、何らかの理由によって絶縁膜にチャージングされた電荷によって、基板
に形成された半導体素子が劣化あるいは絶縁破壊されるのを防ぐことができる。具体的に
図１０（Ａ）の場合、接続フィルム５５と表示領域５１とを電気的に接続している配線に
、保護回路を接続することができる。またさらに、接続フィルム５５とソースドライバが
形成されたＩＣチップ５８とを電気的に接続している配線、接続フィルム５５とゲートド
ライバ５２、５３とを電気的に接続している配線、ソースドライバが形成されたＩＣチッ
プ５８と表示領域５１とを電気的に接続している配線（ソース線）、ゲートドライバ５２
、５３と表示領域５１とを電気的に接続している配線（ゲート線）に、それぞれ保護回路
を接続することができる。

本実施の形態の表示装置において、反射偏光板１４上での外光の反射による外部の映像の
映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光素子４１３
において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの改善を図ること
が可能となる。

（実施の形態７）
本実施の形態は、実施の形態１〜６に示した表示装置を含む電子機器の一例を図１１を
参照して説明する。

図１１（Ａ）に示すテレビジョンは、本体８００１、表示部８００２等を含んでいる。
表示部８００２は、反射偏光板と１／４波長板と偏光板とを有する表示装置を有している
。該表示装置を有する表示部８００２を備えることにより、外部の映像の映り込みを抑え
、画像の表示特性を向上させたテレビジョンを提供することが可能となる。また、発光層
において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさが向上したテレビ
ジョンを提供することが可能となる。

図１１（Ｂ）に示す情報端末機器は、本体８１０１、表示部８１０２等を含んでいる。
表示部８１０２は、反射偏光板と１／４波長板と偏光板とを有する表示装置を有している
。該表示装置を有する表示部８１０２を備えることにより、外部の映像の映り込みを抑え
、画像の表示特性を向上させた情報端末機器を提供することが可能となる。また、発光層
において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさが向上した情報端
末機器を提供することが可能となる。

図１１（Ｃ）に示すビデオカメラは、本体８２０１、表示部８２０２等を含んでいる。
表示部８２０２は、反射偏光板と１／４波長板と偏光板とを有する表示装置を有している
。該表示装置を有する表示部８２０２を備えることにより、外部の映像の映り込みを抑え
、画像の表示特性を向上させたビデオカメラを提供することが可能となる。また、発光層
において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさが向上したビデオ
カメラを提供することが可能となる。

図１１（Ｄ）に示す電話機は、本体８３０１、表示部８３０２等を含んでいる。表示部
８３０２は、反射偏光板と１／４波長板と偏光板とを有する表示装置を有している。該表
示装置を有する表示部８３０２を備えることにより、外部の映像の映り込みを抑え、画像
の表示特性を向上させた電話機を提供することが可能となる。また、発光層において発光
した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさが向上した電話機を提供するこ
とが可能となる。

図１１（Ｅ）に示す携帯型のテレビジョンは、本体８４０１、表示部８４０２等を含ん
でいる。表示部８４０２は、反射偏光板と１／４波長板と偏光板とを有する表示装置を有
している。該表示装置を有する表示部８４０２を備えることにより、外部の映像の映り込
みを抑え、画像の表示特性を向上させた携帯型のテレビジョンを提供することが可能とな
る。また、発光層において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさ
が向上した携帯型のテレビジョンを提供することが可能となる。またテレビジョンとして
は、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる
中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、本発明の
表示装置を適用することができる。

なお、本発明に係る電子機器は、図１１（Ａ）〜（Ｅ）に限定されず、表示部に反射偏
光板と１／４波長板と偏光板とを有する表示装置を有するものが含まれる。

このように、反射偏光板と１／４波長板と偏光板とを有する表示装置を有する表示部等
を備えることで、外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させた電子機器を
提供することが可能となる。また、発光層において発光した光を効率よく取り出すことが
でき、表示画像の明るさが向上した電子機器を提供することが可能となる。

１１ 透明電極
１２ 発光層
１３ 反射性電極
１４ 反射偏光板
１５ 波長板
１６ 偏光板
１００ 基板

Claims (8)

1. 反射性電極上の発光層と、
   前記発光層上の透明電極と、
   前記透明電極上の散乱層と、
   前記散乱層上の反射偏光板と、
   前記反射偏光板上の１／４波長板と、
   前記１／４波長板上の吸収偏光板と、を有し、
   前記散乱層は、複数の大きさの異なる粒子を拡散させた膜を有し、
   前記複数の大きさの異なる粒子は、前記膜とは屈折率が異なり、
   前記反射偏光板は直線偏光板であることを特徴とする電子機器。
2. 反射性電極上の発光層と、
   前記発光層上の透明電極と、
   前記透明電極上の透明基板と、
   前記透明基板上の散乱層と、
   前記散乱層上の反射偏光板と、
   前記反射偏光板上の１／４波長板と、
   前記１／４波長板上の吸収偏光板と、を有し、
   前記散乱層は、複数の大きさの異なる粒子を拡散させた膜を有し、
   前記複数の大きさの異なる粒子は、前記膜とは屈折率が異なり、
   前記反射偏光板は直線偏光板であることを特徴とする電子機器。
3. 基板上の反射性電極と、
   前記反射性電極上の発光層と、
   前記発光層上の透明電極と、
   前記透明電極上の散乱層と、
   前記散乱層上の反射偏光板と、
   前記反射偏光板上の１／４波長板と、
   前記１／４波長板上の吸収偏光板と、を有し、
   前記散乱層は、複数の大きさの異なる粒子を拡散させた膜を有し、
   前記複数の大きさの異なる粒子は、前記膜とは屈折率が異なり、
   前記反射偏光板は直線偏光板であることを特徴とする電子機器。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記吸収偏光板の透過軸と前記１／４波長板の遅相軸は４５°の角度であることを特徴とする電子機器。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記吸収偏光板の透過軸と前記反射偏光板の透過軸は平行であることを特徴とする電子機器。
6. 第１の吸収偏光板上の第１の１／４波長板と、
   前記第１の１／４波長板上の第１の反射偏光板と、
   前記第１の反射偏光板上の透明基板と、
   前記透明基板上の第１の透明電極と、
   前記第１の透明電極上の発光層と、
   前記発光層上の第２の透明電極と、
   前記第２の透明電極上の散乱層と、
   前記散乱層上の第２の反射偏光板と、
   前記第２の反射偏光板上の第２の１／４波長板と、
   前記第２の１／４波長板上の第２の吸収偏光板と、を有し、
   前記散乱層は、複数の大きさの異なる粒子を拡散させた膜を有し、
   前記複数の大きさの異なる粒子は、前記膜とは屈折率が異なり、
   前記第１の反射偏光板と前記第２の反射偏光板は直線偏光板であることを特徴とする電子機器。
7. 請求項６において、
   前記第１の吸収偏光板の透過軸と前記第１の１／４波長板の遅相軸は４５°の角度であり、
   前記第２の吸収偏光板の透過軸と前記第２の１／４波長板の遅相軸は４５°の角度であることを特徴とする電子機器。
8. 請求項６又は７において、
   前記第１の吸収偏光板の透過軸と前記第１の反射偏光板の透過軸は平行であり、
   前記第２の吸収偏光板の透過軸と前記第２の反射偏光板の透過軸は平行であることを特徴とする電子機器。

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