JP5272068B2 - 電気接点構造 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態となるDLC皮膜の加工方法では、始めに図1(a)に示すような銀やSUS304ステンレス鋼等の基体1を用意する。次に図1(b)に示すようにプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法,スパッタリング法,PBII(Plasma-Based Ion Implantation)法等の皮膜形成方法により基体1表面に絶縁性のDLC皮膜2を形成する。そして最後にDLC皮膜2表面に適当なエネルギー密度(0.015[mJ/Pulse]程度)のレーザ光を部分的に照射することにより、図1(c)に示すようにレーザ光の照射領域にあるDLC皮膜を変質させて導電性を有するグラファイト領域3を形成する。
グラファイト領域3を有するDLC皮膜2は、第1の部材と第2の部材とを接触させることにより第1の部材と第2の部材を電気的に接続する電気接点構造に適用することにより、導電性を維持しながら電気接点構造の摩耗を低減して電気接点構造の長寿命化を実現できる。具体的には、図3に示すような突起部11aを介して部材11と部材12が接触する電気接点構造において、突起部11aと接する部材12の表面領域にグラファイト領域3を有するDLC皮膜2を形成することにより、導電性を維持しながら突起部11aの摩耗を低減して電気接点構造の長寿命化を実現することができる。
以下、本発明の幾つかの実施例について説明する。
〔実施例1〕
プラズマCVD法によりSUS304ステンレス鋼表面に膜圧1[μm]のDLC皮膜を形成した後、DLC皮膜表面にエネルギー密度0.015[mJ/Pulse]のレーザ光を部分的、且つ、均一な分布状態になるように照射した。DLC皮膜の抵抗を測定した結果、抵抗値は10[Ω]であり、DLC皮膜が導電性を有することが確認された。またレーザ加工を施してないDLC皮膜に対する比摩耗量は1.0であり、DLC皮膜の耐摩耗性が良好であることが確認された。
スパッタリング法により銀表面に膜圧1μmのDLC皮膜を形成した後、DLC皮膜表面にエネルギー密度0.015[mJ/Pulse]のレーザ光を部分的、且つ、均一な分布状態になるように照射した。DLC皮膜の抵抗を測定した結果、抵抗値は10[Ω]であり、DLC皮膜が導電性を有することが確認された。またレーザ加工を施してないDLC皮膜に対する比摩耗量は1.05であり、DLC皮膜の耐摩耗性が良好であることが確認された。
PBII法によりSUS304ステンレス鋼表面に膜圧1.5μmのDLC皮膜を形成した後、DLC皮膜表面にエネルギー密度0.015[mJ/Pulse]のレーザ光を部分的、且つ、均一な分布状態になるように照射した。DLC皮膜の抵抗を測定した結果、抵抗値は10[Ω]であり、DLC皮膜が導電性を有することが確認された。またレーザ加工を施してないDLC皮膜に対する比摩耗量は0.97であり、DLC皮膜の耐摩耗性が良好であることが確認された。
プラズマCVD法によりSUS304ステンレス鋼表面に膜圧1μmのDLC皮膜を形成した後、DLC皮膜の全面にエネルギー密度0.015[mJ/Pulse]のレーザ光を照射した。DLC皮膜の抵抗を測定した結果、抵抗値は10[Ω]であり、DLC皮膜が導電性を有することが確認された。但し、レーザ加工を施してないDLC皮膜に対する比摩耗量は20.0であり、DLC皮膜の耐摩耗性がほとんど消失していることが確認された。
プラズマCVD法によりSUS304ステンレス鋼表面に膜圧1μmのDLC皮膜を形成した後、DLC皮膜表面にエネルギー密度0.005[mJ/Pulse]のレーザ光を部分的、且つ、均一な分布状態になるように照射した。DLC皮膜の抵抗を測定した結果、抵抗値は100[Ω]であり、DLC皮膜が導電性を有さないことが確認された。
プラズマCVD法によりSUS304ステンレス鋼表面に膜圧1μmのDLC皮膜を形成した後、DLC皮膜表面にエネルギー密度0.180[mJ/Pulse]のレーザ光を部分的、且つ、均一な分布状態になるように照射した。この結果、レーザ光の照射領域部分のDLC皮膜が消滅していることが確認された。
〔実施例4〕
プラズマCVD法により銀表面に膜圧1μmのDLC皮膜を形成した後、DLC皮膜表面にエネルギー密度0.013[mJ/Pulse]
のレーザ光を部分的、且つ、均一な分布状態になるように照射した。このDLC皮膜を電気接点構造に適用した所、通常通り通電し、接点の寿命が従来の3倍になった。
スパッタリング法により銀表面に膜圧1μmのDLC皮膜を形成した後、DLC皮膜表面にエネルギー密度0.013[mJ/Pulse]のレーザ光を部分的、且つ、均一な分布状態になるように照射した。このDLC皮膜を電気接点構造に適用した所、通常通り通電し、接点の寿命が従来の4倍になった。
PBII法によりSUS304ステンレス鋼表面に膜圧1.5μmのDLC皮膜を形成した後、DLC皮膜表面にエネルギー密度0.017[mJ/Pulse]のレーザ光を部分的、且つ、均一な分布状態になるように照射した。このDLC皮膜を電気接点構造に適用した所、通常通り通電し、接点の寿命が従来の3.5倍になった。
PBII法によりSUS304ステンレス鋼表面に膜圧1.5μmのDLC皮膜を形成した後、DLC皮膜表面にエネルギー密度0.017[mJ/Pulse]のレーザ光を照射領域が円形形状になるように照射した。このDLC皮膜を電気接点構造に適用した所、通常通り通電し、接点の寿命が従来の4.5倍になった。
プラズマCVD法により銀表面に膜圧1μmのDLC皮膜を形成した後、DLC皮膜表面にエネルギー密度0.100[mJ/Pulse]のレーザ光を部分的、且つ、均一な分布状態になるように照射した。このDLC皮膜を電気接点構造に適用した所、通電しなかった。この原因を確認した所、レーザ光の照射領域部分のDLC皮膜が消滅し、銀表面が露出していることが確認された。
イオン化蒸着法により銀表面に膜圧1μmのDLC皮膜を形成した後、DLC皮膜表面にエネルギー密度0.100[mJ/Pulse]のレーザ光を部分的、且つ、均一な分布状態になるように照射した。このDLC皮膜を電気接点構造に適用した所、通電しなかった。この原因を確認した所、レーザ照射領域がグラファイトにほとんど変質していないことが確認された。
PBII法によりSUS304ステンレス鋼表面に膜圧1.5μmのDLC皮膜を形成した後、DLC皮膜表面にエネルギー密度0.017[mJ/Pulse]のレーザ光を照射領域が部分的、且つ、不均一な分布状態になるように照射した。このDLC皮膜を電気接点構造に適用した所、通常通り通電したが、使用中にDLC皮膜がSUS304ステンレス鋼表面から剥離した。
図7に示すように、DLC皮膜2に照射するレーザ光のエネルギー密度が0.038〜0.185[mJ/Pulse]の範囲内にある時は、レーザ光の照射領域部分のDLC皮膜は消滅し、露出した基体表面において導通が確認された。またレーザ光のエネルギー密度が0.009[mJ/Pulse]である時は、レーザ光の照射領域部分のDLC皮膜がグラファイト化せず、導通が確認されなかった。これに対して、レーザ光のエネルギー密度が0.015[mJ/Pulse]である時には、レーザ光の照射領域部分のDLC皮膜がグラファイト化し、グラファイト領域において導通が確認された。
2:DLC皮膜
3:グラファイト領域
Claims (6)
- 第1の部材と、
前記第1の部材に接触することで当該第1の部材に電気的に接続される第2の部材と、
を備え、
前記第1の部材と前記第2の部材との電気的な接続及び非接続は切り替えが自在であり、
前記第1及び第2の部材の少なくとも一方の接触領域に、レーザ光を照射することによって部分的に形成されたグラファイト領域を有するDLC皮膜を備えることを特徴とする電気接点構造。 - 前記グラファイト領域がDLC皮膜の面内方向に均一に分布していることを特徴とする請求項1に記載の電気接点構造。
- 前記接触領域の外周部の接触圧が、当該接触領域の外周部より内側の領域の接触圧よりも低く、
前記グラファイト領域が前記外周部に位置することを特徴とする請求項1に記載の電気接点構造。 - 前記第1及び第2の部材の少なくとも一方が、移動面上を移動する移動体における当該移動面との接触面を含む部材を形成し、
前記第1及び第2の部材の他方が、前記移動面を形成し、
前記移動面における前記グラファイト領域からの通電により、前記移動体を移動させることを特徴とする請求項1に記載の電気接点構造。 - 前記移動体が前記移動面上でランダムに移動するものであり、前記グラファイト領域がランダムに分布していることを特徴とする請求項4に記載の電気接点構造。
- 前記移動体が前記移動面上で所定方向に移動するものであり、前記グラファイト領域が当該所定方向に沿って分布していることを特徴とする請求項4に記載の電気接点構造。
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