JP3729024B2 - 樹脂成形品への成膜方法 - Google Patents
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- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＭＩＤ基板の製造に適用することができる樹脂成形品への成膜方法、殊にスパッタリングによる成膜方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＭＩＤ基板（Ｍｏｌｄｅｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｄｅｖｉｃｅ、立体回路基板とも称されている）は、射出成形による樹脂成形品上に銅スパッタリング法によって形成した銅薄膜に対してたとえばレーザー加工を行うことで回路として必要な部分と不必要な部分とを分離し、電気めっきによって回路として必要な部分にのみメッキを施すことで立体的な電気的配線パターンを形成したものであるが、上記銅スパッタリング法によって銅薄膜を樹脂成形品の表面に形成するにあたっては、通常の２次元基板上に形成する場合と異なって、樹脂成形品の表面だけでなく、側面にもスパッタリングによる銅薄膜を形成することが要求される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ターゲットに樹脂成形品の表面を対向させた状態でのスパッタリングでは、ターゲットに対向していない側面に形成される薄膜は、表面に形成される薄膜に比して膜厚が薄くなる。
【０００４】
一方で、上記電気めっきに際して上記側面から給電を行うことがあるが、膜厚が薄い側面からの給電では導通不良を生じやすく、これが歩留まりを悪くする原因となってしまっている。
【０００５】
本発明はこのような点に鑑みなされたものであって、その目的とするところは樹脂成形品の表面だけでなく側面についても厚みのある薄膜を形成することができる樹脂成型品への成膜方法を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
しかして本発明は、ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲットからのスパッタで発生して樹脂成形品に向かう粒子をイオン化手段でイオン化し、該イオンで上記ホルダーをスパッタすることに特徴を有している。ターゲットのスパッタで成膜するだけでなく、ホルダーもスパッタして成膜するとともに、ホルダーのスパッタにターゲットから出る粒子を利用するようにしたものである。
【０００７】
上記イオン化手段として誘導結合プラズマを用いてもよい。イオン化量を大とすることができる。
【０００８】
ホルダーとしては、ターゲットと同材料のものを用いることが好ましいが、ターゲットよりもスパッタされやすい材料のものを用いるようにしてもよい。
【０００９】
また、ホルダーに樹脂成形品の側面の外周に位置するとともに上記側面に向けて傾斜した被スパッタ面を設けておくと、樹脂成形品の側面への成膜のためのホルダーのスパッタ量を多くすることができる。
【００１０】
ホルダー及び樹脂成形品を傾かせた状態でスパッタリングしたり、ターゲットを傾かせた状態でスパッタリングしても、樹脂成形品の側面への成膜のためのホルダーのスパッタ量を多くすることができる。
【００１１】
プラズマ発生手段として上記誘導結合プラズマを用いる場合、そのコイルと、ターゲットから飛び出した粒子の流路との間をスパッタされにくい材料からなる筒で仕切っておくとよい。
【００１２】
また、ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、樹脂成形品の表面に対向するターゲットと樹脂成形品の側面に対向するターゲットとを用いて多方向からスパッタリングするようにしてもよい。
【００１３】
さらに、ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲットのスパッタに加えてホルダーの樹脂成形品の側面近傍部に対するレーザー照射でレーザーアブレーションを行うようにしてもよい。
【００１４】
ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、樹脂成形品の周囲より蒸着を行うようにしてもよいものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下本発明を実施の形態の一例に基づいて詳述すると、図１において、１はＭＩＤ基板用の樹脂成形品であり、ホルダー２上にセットした状態でその表面がターゲット３と対向するようにスパッタ装置内に配置する。そして上記ターゲット３にイオンを打ち込んでスパッタすることによって、ターゲット３の材料（この場合は銅）による薄膜を樹脂成形品１の主として表面に形成するのであるが、上記ホルダー２として、ターゲット３と同じく銅を材料とするとともに樹脂成形品１よりも表面が大きいものを用いている。また、スパッタによってターゲット３から飛び出した銅粒子をイオン化するための電子シャワー５を設置している。
【００１６】
つまり、銅イオンをホルダー２に打ち込むことができるようにして、ホルダー２のスパッタを行い、ホルダー２から飛び出した銅粒子が樹脂成形品１の側面に銅薄膜を形成するようにしたものである。なお、ホルダー２には高周波によるところのバイアス電圧をかけておく。
【００１７】
図２に他例を示す。これはスパッタによってターゲット３から飛び出した粒子をイオン化するための手段として、螺旋状コイル５０に高周波を印加する誘導結合型のプラズマ発生手段を用いて、ターゲット３から飛び出した粒子がプラズマ中を通過することでイオン化されるようにしたものである。電子シャワー５を用いる場合に比して、イオン化量を大きくすることができる。なお、コイル５０の内周側にはスパッタされにくい材料、たとえばＳｉＯ2からなる筒５１を配置して、コイル５０に上記粒子が付着することがないようにしている。
【００１８】
ホルダー２としては、ターゲット３と同材料のもの、つまりターゲット３が銅であればホルダー２も銅とすることが好ましいが、ターゲット３よりもスパッタされやすい材料、たとえばＡｌを用いることを妨げない。ターゲット３に比してホルダー２のスパッタ量が少ない点を補うことができる。
【００１９】
また、図３に示すように、ホルダー２に樹脂成形品１の側面の外周に位置するとともに上記側面に向けて傾斜した被スパッタ面２０を設けておくと、樹脂成形品１の側面への成膜のためのホルダー２のスパッタ量を多くすることができる。なお、被スパッタ面２０の角度αは２０〜６０°程度が好ましい。なお、バイアス電圧をかけておくホルダー２と上記スパッタ面２０との間には絶縁層２４を介在させておくとよい。
【００２０】
図４に示すように、ホルダー２及び樹脂成形品１を傾かせた状態でスパッタリングしたり、図５に示すようにターゲット３を傾かせた状態でスパッタリングすることも有効である。ただし、ホルダー２及び樹脂成形品１は軸１０の回りに回転させながらスパッタリングを行う。
【００２１】
このほか、図６に示すように、樹脂成形品１の表面に対向するターゲット３ａと樹脂成形品１の側面に対向するターゲット３ｂとを用いて多方向からスパッタリングを行っても、樹脂成形品の側面に形成される薄膜の厚みを厚くすることができる。
【００２２】
このほか、スパッタリングと他の成膜方法とを組み合わせることで樹脂成形品１の側面への成膜を行うようにしてもよい。図７はスパッタリングとレーザーアブレーションとを組み合わせたもので、樹脂成形品１の表面はターゲット３に対向させてスパッタリングで成膜する。また、樹脂成形品１の側面については、ホルダー３における上記側面の近傍部に斜めからレーザー（エキシマレーザー）Ｌを照射してレーザーアブレーションにより成膜する。
【００２３】
図８に示すものでは、樹脂成形品１の周囲に抵抗加熱で加熱する坩堝２５より導電性金属（銅）を蒸発させて樹脂成形品１の側面に蒸着し、ターゲット３に対向させた樹脂成形品１の表面はスパッタリングで成膜している。
【００２４】
【発明の効果】
以上のように本発明においては、ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲットからのスパッタで発生して樹脂成形品に向かう粒子をイオン化手段でイオン化し、該イオンで上記ホルダーをスパッタするものであり、ターゲットのスパッタで樹脂成形品の主として表面を成膜し、ホルダーもスパッタして樹脂成形品の側面を成膜することから、側面に成膜した薄膜の厚みをターゲットのスパッタだけで行う場合に比して厚くすることができるものであり、また、ホルダーのスパッタにターゲットから出る粒子を利用するために、スパッタを容易に行うことができる。
【００２５】
上記イオン化手段として誘導結合プラズマを用いたならば、イオン化量を大とすることができるために、ホルダーのスパッタをより確実に行うことができる。
【００２６】
ホルダーとしては、ターゲットと同材料のものを用いることで、樹脂成形品の表面側面を単一材料からなる薄膜で被覆することができるが、ターゲットよりもスパッタされやすい材料のものを用いれば、側面の薄膜の膜厚をさらに厚くすることができる。
【００２７】
また、ホルダーに樹脂成形品の側面の外周に位置するとともに上記側面に向けて傾斜した被スパッタ面を設けておくと、樹脂成形品の側面への成膜のためのホルダーのスパッタ量を多くすることができて、やはり側面の薄膜の膜厚をさらに厚くすることができる。
【００２８】
ホルダー及び樹脂成形品を傾かせた状態でスパッタリングしたり、ターゲットを傾かせた状態でスパッタリングすることも、樹脂成形品の側面への成膜のためのホルダーのスパッタ量を多くすることができる上に、ターゲットからの粒子が側面に至る量も多くなるために、側面の薄膜の膜厚を厚くすることができる。
【００２９】
プラズマ発生手段として上記誘導結合プラズマを用いる場合には、そのコイルと、ターゲットから飛び出した粒子の流路との間をスパッタされにくい材料からなる筒で仕切っておくと、コイルがスパッタリングの影響を受けてしまうことがなくて、好ましい結果を得ることができる。
【００３０】
また、ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、樹脂成形品の表面に対向するターゲットと樹脂成形品の側面に対向するターゲットとを用いて多方向からスパッタリングすることも、側面の薄膜の膜厚を厚くする点で有効である。
【００３１】
さらに、ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲットのスパッタに加えてホルダーの樹脂成形品の側面近傍部に対するレーザー照射でレーザーアブレーションを行うようにしても、側面の薄膜の膜厚を厚くすることができる。
【００３２】
ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、樹脂成形品の周囲より蒸着を行うようにしても、側面の薄膜の膜厚を厚くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例の概略断面図である。
【図２】同上の他例の概略断面図である。
【図３】同上のさらに他例の部分断面図である。
【図４】別の例の部分断面図である。
【図５】さらに別の例の部分断面図である。
【図６】他例の概略断面図である。
【図７】さらに他例の概略断面図である。
【図８】別の例の概略断面図である。
【符号の説明】
１ 樹脂成形品
２ ホルダー
３ ターゲット
５ イオン化手段
【発明の属する技術分野】
本発明はＭＩＤ基板の製造に適用することができる樹脂成形品への成膜方法、殊にスパッタリングによる成膜方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＭＩＤ基板（Ｍｏｌｄｅｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｄｅｖｉｃｅ、立体回路基板とも称されている）は、射出成形による樹脂成形品上に銅スパッタリング法によって形成した銅薄膜に対してたとえばレーザー加工を行うことで回路として必要な部分と不必要な部分とを分離し、電気めっきによって回路として必要な部分にのみメッキを施すことで立体的な電気的配線パターンを形成したものであるが、上記銅スパッタリング法によって銅薄膜を樹脂成形品の表面に形成するにあたっては、通常の２次元基板上に形成する場合と異なって、樹脂成形品の表面だけでなく、側面にもスパッタリングによる銅薄膜を形成することが要求される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ターゲットに樹脂成形品の表面を対向させた状態でのスパッタリングでは、ターゲットに対向していない側面に形成される薄膜は、表面に形成される薄膜に比して膜厚が薄くなる。
【０００４】
一方で、上記電気めっきに際して上記側面から給電を行うことがあるが、膜厚が薄い側面からの給電では導通不良を生じやすく、これが歩留まりを悪くする原因となってしまっている。
【０００５】
本発明はこのような点に鑑みなされたものであって、その目的とするところは樹脂成形品の表面だけでなく側面についても厚みのある薄膜を形成することができる樹脂成型品への成膜方法を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
しかして本発明は、ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲットからのスパッタで発生して樹脂成形品に向かう粒子をイオン化手段でイオン化し、該イオンで上記ホルダーをスパッタすることに特徴を有している。ターゲットのスパッタで成膜するだけでなく、ホルダーもスパッタして成膜するとともに、ホルダーのスパッタにターゲットから出る粒子を利用するようにしたものである。
【０００７】
上記イオン化手段として誘導結合プラズマを用いてもよい。イオン化量を大とすることができる。
【０００８】
ホルダーとしては、ターゲットと同材料のものを用いることが好ましいが、ターゲットよりもスパッタされやすい材料のものを用いるようにしてもよい。
【０００９】
また、ホルダーに樹脂成形品の側面の外周に位置するとともに上記側面に向けて傾斜した被スパッタ面を設けておくと、樹脂成形品の側面への成膜のためのホルダーのスパッタ量を多くすることができる。
【００１０】
ホルダー及び樹脂成形品を傾かせた状態でスパッタリングしたり、ターゲットを傾かせた状態でスパッタリングしても、樹脂成形品の側面への成膜のためのホルダーのスパッタ量を多くすることができる。
【００１１】
プラズマ発生手段として上記誘導結合プラズマを用いる場合、そのコイルと、ターゲットから飛び出した粒子の流路との間をスパッタされにくい材料からなる筒で仕切っておくとよい。
【００１２】
また、ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、樹脂成形品の表面に対向するターゲットと樹脂成形品の側面に対向するターゲットとを用いて多方向からスパッタリングするようにしてもよい。
【００１３】
さらに、ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲットのスパッタに加えてホルダーの樹脂成形品の側面近傍部に対するレーザー照射でレーザーアブレーションを行うようにしてもよい。
【００１４】
ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、樹脂成形品の周囲より蒸着を行うようにしてもよいものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下本発明を実施の形態の一例に基づいて詳述すると、図１において、１はＭＩＤ基板用の樹脂成形品であり、ホルダー２上にセットした状態でその表面がターゲット３と対向するようにスパッタ装置内に配置する。そして上記ターゲット３にイオンを打ち込んでスパッタすることによって、ターゲット３の材料（この場合は銅）による薄膜を樹脂成形品１の主として表面に形成するのであるが、上記ホルダー２として、ターゲット３と同じく銅を材料とするとともに樹脂成形品１よりも表面が大きいものを用いている。また、スパッタによってターゲット３から飛び出した銅粒子をイオン化するための電子シャワー５を設置している。
【００１６】
つまり、銅イオンをホルダー２に打ち込むことができるようにして、ホルダー２のスパッタを行い、ホルダー２から飛び出した銅粒子が樹脂成形品１の側面に銅薄膜を形成するようにしたものである。なお、ホルダー２には高周波によるところのバイアス電圧をかけておく。
【００１７】
図２に他例を示す。これはスパッタによってターゲット３から飛び出した粒子をイオン化するための手段として、螺旋状コイル５０に高周波を印加する誘導結合型のプラズマ発生手段を用いて、ターゲット３から飛び出した粒子がプラズマ中を通過することでイオン化されるようにしたものである。電子シャワー５を用いる場合に比して、イオン化量を大きくすることができる。なお、コイル５０の内周側にはスパッタされにくい材料、たとえばＳｉＯ2からなる筒５１を配置して、コイル５０に上記粒子が付着することがないようにしている。
【００１８】
ホルダー２としては、ターゲット３と同材料のもの、つまりターゲット３が銅であればホルダー２も銅とすることが好ましいが、ターゲット３よりもスパッタされやすい材料、たとえばＡｌを用いることを妨げない。ターゲット３に比してホルダー２のスパッタ量が少ない点を補うことができる。
【００１９】
また、図３に示すように、ホルダー２に樹脂成形品１の側面の外周に位置するとともに上記側面に向けて傾斜した被スパッタ面２０を設けておくと、樹脂成形品１の側面への成膜のためのホルダー２のスパッタ量を多くすることができる。なお、被スパッタ面２０の角度αは２０〜６０°程度が好ましい。なお、バイアス電圧をかけておくホルダー２と上記スパッタ面２０との間には絶縁層２４を介在させておくとよい。
【００２０】
図４に示すように、ホルダー２及び樹脂成形品１を傾かせた状態でスパッタリングしたり、図５に示すようにターゲット３を傾かせた状態でスパッタリングすることも有効である。ただし、ホルダー２及び樹脂成形品１は軸１０の回りに回転させながらスパッタリングを行う。
【００２１】
このほか、図６に示すように、樹脂成形品１の表面に対向するターゲット３ａと樹脂成形品１の側面に対向するターゲット３ｂとを用いて多方向からスパッタリングを行っても、樹脂成形品の側面に形成される薄膜の厚みを厚くすることができる。
【００２２】
このほか、スパッタリングと他の成膜方法とを組み合わせることで樹脂成形品１の側面への成膜を行うようにしてもよい。図７はスパッタリングとレーザーアブレーションとを組み合わせたもので、樹脂成形品１の表面はターゲット３に対向させてスパッタリングで成膜する。また、樹脂成形品１の側面については、ホルダー３における上記側面の近傍部に斜めからレーザー（エキシマレーザー）Ｌを照射してレーザーアブレーションにより成膜する。
【００２３】
図８に示すものでは、樹脂成形品１の周囲に抵抗加熱で加熱する坩堝２５より導電性金属（銅）を蒸発させて樹脂成形品１の側面に蒸着し、ターゲット３に対向させた樹脂成形品１の表面はスパッタリングで成膜している。
【００２４】
【発明の効果】
以上のように本発明においては、ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲットからのスパッタで発生して樹脂成形品に向かう粒子をイオン化手段でイオン化し、該イオンで上記ホルダーをスパッタするものであり、ターゲットのスパッタで樹脂成形品の主として表面を成膜し、ホルダーもスパッタして樹脂成形品の側面を成膜することから、側面に成膜した薄膜の厚みをターゲットのスパッタだけで行う場合に比して厚くすることができるものであり、また、ホルダーのスパッタにターゲットから出る粒子を利用するために、スパッタを容易に行うことができる。
【００２５】
上記イオン化手段として誘導結合プラズマを用いたならば、イオン化量を大とすることができるために、ホルダーのスパッタをより確実に行うことができる。
【００２６】
ホルダーとしては、ターゲットと同材料のものを用いることで、樹脂成形品の表面側面を単一材料からなる薄膜で被覆することができるが、ターゲットよりもスパッタされやすい材料のものを用いれば、側面の薄膜の膜厚をさらに厚くすることができる。
【００２７】
また、ホルダーに樹脂成形品の側面の外周に位置するとともに上記側面に向けて傾斜した被スパッタ面を設けておくと、樹脂成形品の側面への成膜のためのホルダーのスパッタ量を多くすることができて、やはり側面の薄膜の膜厚をさらに厚くすることができる。
【００２８】
ホルダー及び樹脂成形品を傾かせた状態でスパッタリングしたり、ターゲットを傾かせた状態でスパッタリングすることも、樹脂成形品の側面への成膜のためのホルダーのスパッタ量を多くすることができる上に、ターゲットからの粒子が側面に至る量も多くなるために、側面の薄膜の膜厚を厚くすることができる。
【００２９】
プラズマ発生手段として上記誘導結合プラズマを用いる場合には、そのコイルと、ターゲットから飛び出した粒子の流路との間をスパッタされにくい材料からなる筒で仕切っておくと、コイルがスパッタリングの影響を受けてしまうことがなくて、好ましい結果を得ることができる。
【００３０】
また、ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、樹脂成形品の表面に対向するターゲットと樹脂成形品の側面に対向するターゲットとを用いて多方向からスパッタリングすることも、側面の薄膜の膜厚を厚くする点で有効である。
【００３１】
さらに、ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲットのスパッタに加えてホルダーの樹脂成形品の側面近傍部に対するレーザー照射でレーザーアブレーションを行うようにしても、側面の薄膜の膜厚を厚くすることができる。
【００３２】
ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、樹脂成形品の周囲より蒸着を行うようにしても、側面の薄膜の膜厚を厚くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例の概略断面図である。
【図２】同上の他例の概略断面図である。
【図３】同上のさらに他例の部分断面図である。
【図４】別の例の部分断面図である。
【図５】さらに別の例の部分断面図である。
【図６】他例の概略断面図である。
【図７】さらに他例の概略断面図である。
【図８】別の例の概略断面図である。
【符号の説明】
１ 樹脂成形品
２ ホルダー
３ ターゲット
５ イオン化手段
Claims (11)
- ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲットからのスパッタで発生して樹脂成形品に向かう粒子をイオン化手段でイオン化し、該イオンで上記ホルダーをスパッタすることを特徴とする樹脂成形品への成膜方法。
- イオン化手段として誘導結合プラズマを用いることを特徴とする請求項１記載の樹脂成形品への成膜方法。
- ホルダーとして、ターゲットと同材料のものを用いることを特徴とする請求項１または２記載の樹脂成形品への成膜方法。
- ホルダーとして、ターゲットよりもスパッタされやすい材料のものを用いることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載の樹脂成形品への成膜方法。
- ホルダーに樹脂成形品の側面の外周に位置するとともに上記側面に向けて傾斜した被スパッタ面を設けていることを特徴とする請求項１または２記載の樹脂成形品への成膜方法。
- ホルダー及び樹脂成形品を傾かせた状態でスパッタリングすることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載の樹脂成形品への成膜方法。
- ターゲットを傾かせた状態でスパッタリングすることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載の樹脂成形品への成膜方法。
- 誘導結合プラズマ用のコイルと、ターゲットから飛び出した粒子の流路との間をスパッタされにくい材料からなる筒で仕切っていることを特徴とする請求項２記載の樹脂成形品への成膜方法。
- ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、樹脂成形品の表面に対向するターゲットと樹脂成形品の側面に対向するターゲットとを用いて多方向からスパッタリングすることを特徴とすることを特徴とする樹脂成形品への成膜方法。
- ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲットのスパッタに加えてホルダーの樹脂成形品の側面近傍部に対するレーザー照射でレーザーアブレーションを行うことを特徴とする樹脂成形品への成膜方法。
- ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、樹脂成形品の周囲より蒸着を行うことを特徴とする樹脂成形品への成膜方法。
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| JP2000166858A JP3729024B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 樹脂成形品への成膜方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001342271A JP2001342271A (ja) | 2001-12-11 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE10322071A1 (de) | 2003-05-15 | 2004-09-02 | Infineon Technologies Ag | Mikrooptikmodul mit Gehäuse und Verfahren zur Herstellung desselben |
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2000
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| JP2001342271A (ja) | 2001-12-11 |
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