JP2001342271A - 樹脂成形品への成膜方法 - Google Patents
樹脂成形品への成膜方法Info
- Publication number
- JP2001342271A JP2001342271A JP2000166858A JP2000166858A JP2001342271A JP 2001342271 A JP2001342271 A JP 2001342271A JP 2000166858 A JP2000166858 A JP 2000166858A JP 2000166858 A JP2000166858 A JP 2000166858A JP 2001342271 A JP2001342271 A JP 2001342271A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin molded
- molded product
- sputtering
- holder
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
- B29L2031/3493—Moulded interconnect devices, i.e. moulded articles provided with integrated circuit traces
Landscapes
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂成形品の表面だけでなく側面についても
厚みのある薄膜を形成する。 【解決手段】 ホルダー２上に載せた樹脂成形品１の表
面をスパッタリング用ターゲット３に対向させてスパッ
タリングを行う。この際、ホルダー２として樹脂成形品
１よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲット３か
らのスパッタで発生して樹脂成形品１に向かう粒子をイ
オン化手段５でイオン化し、該イオンで上記ホルダー２
をスパッタする。ターゲット３のスパッタで成膜するだ
けでなく、ホルダー２もスパッタして成膜するととも
に、ホルダー２のスパッタをターゲット３から出る粒子
を利用して行う。
厚みのある薄膜を形成する。 【解決手段】 ホルダー２上に載せた樹脂成形品１の表
面をスパッタリング用ターゲット３に対向させてスパッ
タリングを行う。この際、ホルダー２として樹脂成形品
１よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲット３か
らのスパッタで発生して樹脂成形品１に向かう粒子をイ
オン化手段５でイオン化し、該イオンで上記ホルダー２
をスパッタする。ターゲット３のスパッタで成膜するだ
けでなく、ホルダー２もスパッタして成膜するととも
に、ホルダー２のスパッタをターゲット３から出る粒子
を利用して行う。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＭＩＤ基板の製造に
適用することができる樹脂成形品への成膜方法、殊にス
パッタリングによる成膜方法に関するものである。
適用することができる樹脂成形品への成膜方法、殊にス
パッタリングによる成膜方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＭＩＤ基板（Ｍｏｌｄｅｄ Ｉｎｔｅｒ
ｃｏｎｎｅｃｔ Ｄｅｖｉｃｅ、立体回路基板とも称さ
れている）は、射出成形による樹脂成形品上に銅スパッ
タリング法によって形成した銅薄膜に対してたとえばレ
ーザー加工を行うことで回路として必要な部分と不必要
な部分とを分離し、電気めっきによって回路として必要
な部分にのみメッキを施すことで立体的な電気的配線パ
ターンを形成したものであるが、上記銅スパッタリング
法によって銅薄膜を樹脂成形品の表面に形成するにあた
っては、通常の２次元基板上に形成する場合と異なっ
て、樹脂成形品の表面だけでなく、側面にもスパッタリ
ングによる銅薄膜を形成することが要求される。
ｃｏｎｎｅｃｔ Ｄｅｖｉｃｅ、立体回路基板とも称さ
れている）は、射出成形による樹脂成形品上に銅スパッ
タリング法によって形成した銅薄膜に対してたとえばレ
ーザー加工を行うことで回路として必要な部分と不必要
な部分とを分離し、電気めっきによって回路として必要
な部分にのみメッキを施すことで立体的な電気的配線パ
ターンを形成したものであるが、上記銅スパッタリング
法によって銅薄膜を樹脂成形品の表面に形成するにあた
っては、通常の２次元基板上に形成する場合と異なっ
て、樹脂成形品の表面だけでなく、側面にもスパッタリ
ングによる銅薄膜を形成することが要求される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ターゲットに
樹脂成形品の表面を対向させた状態でのスパッタリング
では、ターゲットに対向していない側面に形成される薄
膜は、表面に形成される薄膜に比して膜厚が薄くなる。
樹脂成形品の表面を対向させた状態でのスパッタリング
では、ターゲットに対向していない側面に形成される薄
膜は、表面に形成される薄膜に比して膜厚が薄くなる。
【０００４】一方で、上記電気めっきに際して上記側面
から給電を行うことがあるが、膜厚が薄い側面からの給
電では導通不良を生じやすく、これが歩留まりを悪くす
る原因となってしまっている。
から給電を行うことがあるが、膜厚が薄い側面からの給
電では導通不良を生じやすく、これが歩留まりを悪くす
る原因となってしまっている。
【０００５】本発明はこのような点に鑑みなされたもの
であって、その目的とするところは樹脂成形品の表面だ
けでなく側面についても厚みのある薄膜を形成すること
ができる樹脂成型品への成膜方法を提供するにある。
であって、その目的とするところは樹脂成形品の表面だ
けでなく側面についても厚みのある薄膜を形成すること
ができる樹脂成型品への成膜方法を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】しかして本発明は、ホル
ダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用タ
ーゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、
ホルダーとして樹脂成形品よりも大きい導電性金属板を
用いて、ターゲットからのスパッタで発生して樹脂成形
品に向かう粒子をイオン化手段でイオン化し、該イオン
で上記ホルダーをスパッタすることに特徴を有してい
る。ターゲットのスパッタで成膜するだけでなく、ホル
ダーもスパッタして成膜するとともに、ホルダーのスパ
ッタにターゲットから出る粒子を利用するようにしたも
のである。
ダー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用タ
ーゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、
ホルダーとして樹脂成形品よりも大きい導電性金属板を
用いて、ターゲットからのスパッタで発生して樹脂成形
品に向かう粒子をイオン化手段でイオン化し、該イオン
で上記ホルダーをスパッタすることに特徴を有してい
る。ターゲットのスパッタで成膜するだけでなく、ホル
ダーもスパッタして成膜するとともに、ホルダーのスパ
ッタにターゲットから出る粒子を利用するようにしたも
のである。
【０００７】上記イオン化手段として誘導結合プラズマ
を用いてもよい。イオン化量を大とすることができる。
を用いてもよい。イオン化量を大とすることができる。
【０００８】ホルダーとしては、ターゲットと同材料の
ものを用いることが好ましいが、ターゲットよりもスパ
ッタされやすい材料のものを用いるようにしてもよい。
ものを用いることが好ましいが、ターゲットよりもスパ
ッタされやすい材料のものを用いるようにしてもよい。
【０００９】また、ホルダーに樹脂成形品の側面の外周
に位置するとともに上記側面に向けて傾斜した被スパッ
タ面を設けておくと、樹脂成形品の側面への成膜のため
のホルダーのスパッタ量を多くすることができる。
に位置するとともに上記側面に向けて傾斜した被スパッ
タ面を設けておくと、樹脂成形品の側面への成膜のため
のホルダーのスパッタ量を多くすることができる。
【００１０】ホルダー及び樹脂成形品を傾かせた状態で
スパッタリングしたり、ターゲットを傾かせた状態でス
パッタリングしても、樹脂成形品の側面への成膜のため
のホルダーのスパッタ量を多くすることができる。
スパッタリングしたり、ターゲットを傾かせた状態でス
パッタリングしても、樹脂成形品の側面への成膜のため
のホルダーのスパッタ量を多くすることができる。
【００１１】プラズマ発生手段として上記誘導結合プラ
ズマを用いる場合、そのコイルと、ターゲットから飛び
出した粒子の流路との間をスパッタされにくい材料から
なる筒で仕切っておくとよい。
ズマを用いる場合、そのコイルと、ターゲットから飛び
出した粒子の流路との間をスパッタされにくい材料から
なる筒で仕切っておくとよい。
【００１２】また、ホルダー上に載せた樹脂成形品の表
面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタ
リングを行うに際して、樹脂成形品の表面に対向するタ
ーゲットと樹脂成形品の側面に対向するターゲットとを
用いて多方向からスパッタリングするようにしてもよ
い。
面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタ
リングを行うに際して、樹脂成形品の表面に対向するタ
ーゲットと樹脂成形品の側面に対向するターゲットとを
用いて多方向からスパッタリングするようにしてもよ
い。
【００１３】さらに、ホルダー上に載せた樹脂成形品の
表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッ
タリングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よ
りも大きい導電性金属板を用いて、ターゲットのスパッ
タに加えてホルダーの樹脂成形品の側面近傍部に対する
レーザー照射でレーザーアブレーションを行うようにし
てもよい。
表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッ
タリングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よ
りも大きい導電性金属板を用いて、ターゲットのスパッ
タに加えてホルダーの樹脂成形品の側面近傍部に対する
レーザー照射でレーザーアブレーションを行うようにし
てもよい。
【００１４】ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をス
パッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリング
を行うに際して、樹脂成形品の周囲より蒸着を行うよう
にしてもよいものである。
パッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリング
を行うに際して、樹脂成形品の周囲より蒸着を行うよう
にしてもよいものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下本発明を実施の形態の一例に
基づいて詳述すると、図１において、１はＭＩＤ基板用
の樹脂成形品であり、ホルダー２上にセットした状態で
その表面がターゲット３と対向するようにスパッタ装置
内に配置する。そして上記ターゲット３にイオンを打ち
込んでスパッタすることによって、ターゲット３の材料
（この場合は銅）による薄膜を樹脂成形品１の主として
表面に形成するのであるが、上記ホルダー２として、タ
ーゲット３と同じく銅を材料とするとともに樹脂成形品
１よりも表面が大きいものを用いている。また、スパッ
タによってターゲット３から飛び出した銅粒子をイオン
化するための電子シャワー５を設置している。
基づいて詳述すると、図１において、１はＭＩＤ基板用
の樹脂成形品であり、ホルダー２上にセットした状態で
その表面がターゲット３と対向するようにスパッタ装置
内に配置する。そして上記ターゲット３にイオンを打ち
込んでスパッタすることによって、ターゲット３の材料
（この場合は銅）による薄膜を樹脂成形品１の主として
表面に形成するのであるが、上記ホルダー２として、タ
ーゲット３と同じく銅を材料とするとともに樹脂成形品
１よりも表面が大きいものを用いている。また、スパッ
タによってターゲット３から飛び出した銅粒子をイオン
化するための電子シャワー５を設置している。
【００１６】つまり、銅イオンをホルダー２に打ち込む
ことができるようにして、ホルダー２のスパッタを行
い、ホルダー２から飛び出した銅粒子が樹脂成形品１の
側面に銅薄膜を形成するようにしたものである。なお、
ホルダー２には高周波によるところのバイアス電圧をか
けておく。
ことができるようにして、ホルダー２のスパッタを行
い、ホルダー２から飛び出した銅粒子が樹脂成形品１の
側面に銅薄膜を形成するようにしたものである。なお、
ホルダー２には高周波によるところのバイアス電圧をか
けておく。
【００１７】図２に他例を示す。これはスパッタによっ
てターゲット３から飛び出した粒子をイオン化するため
の手段として、螺旋状コイル５０に高周波を印加する誘
導結合型のプラズマ発生手段を用いて、ターゲット３か
ら飛び出した粒子がプラズマ中を通過することでイオン
化されるようにしたものである。電子シャワー５を用い
る場合に比して、イオン化量を大きくすることができ
る。なお、コイル５０の内周側にはスパッタされにくい
材料、たとえばＳｉＯ2からなる筒５１を配置して、コ
イル５０に上記粒子が付着することがないようにしてい
る。
てターゲット３から飛び出した粒子をイオン化するため
の手段として、螺旋状コイル５０に高周波を印加する誘
導結合型のプラズマ発生手段を用いて、ターゲット３か
ら飛び出した粒子がプラズマ中を通過することでイオン
化されるようにしたものである。電子シャワー５を用い
る場合に比して、イオン化量を大きくすることができ
る。なお、コイル５０の内周側にはスパッタされにくい
材料、たとえばＳｉＯ2からなる筒５１を配置して、コ
イル５０に上記粒子が付着することがないようにしてい
る。
【００１８】ホルダー２としては、ターゲット３と同材
料のもの、つまりターゲット３が銅であればホルダー２
も銅とすることが好ましいが、ターゲット３よりもスパ
ッタされやすい材料、たとえばＡｌを用いることを妨げ
ない。ターゲット３に比してホルダー２のスパッタ量が
少ない点を補うことができる。
料のもの、つまりターゲット３が銅であればホルダー２
も銅とすることが好ましいが、ターゲット３よりもスパ
ッタされやすい材料、たとえばＡｌを用いることを妨げ
ない。ターゲット３に比してホルダー２のスパッタ量が
少ない点を補うことができる。
【００１９】また、図３に示すように、ホルダー２に樹
脂成形品１の側面の外周に位置するとともに上記側面に
向けて傾斜した被スパッタ面２０を設けておくと、樹脂
成形品１の側面への成膜のためのホルダー２のスパッタ
量を多くすることができる。なお、被スパッタ面２０の
角度αは２０〜６０°程度が好ましい。なお、バイアス
電圧をかけておくホルダー２と上記スパッタ面２０との
間には絶縁層２４を介在させておくとよい。
脂成形品１の側面の外周に位置するとともに上記側面に
向けて傾斜した被スパッタ面２０を設けておくと、樹脂
成形品１の側面への成膜のためのホルダー２のスパッタ
量を多くすることができる。なお、被スパッタ面２０の
角度αは２０〜６０°程度が好ましい。なお、バイアス
電圧をかけておくホルダー２と上記スパッタ面２０との
間には絶縁層２４を介在させておくとよい。
【００２０】図４に示すように、ホルダー２及び樹脂成
形品１を傾かせた状態でスパッタリングしたり、図５に
示すようにターゲット３を傾かせた状態でスパッタリン
グすることも有効である。ただし、ホルダー２及び樹脂
成形品１は軸１０の回りに回転させながらスパッタリン
グを行う。
形品１を傾かせた状態でスパッタリングしたり、図５に
示すようにターゲット３を傾かせた状態でスパッタリン
グすることも有効である。ただし、ホルダー２及び樹脂
成形品１は軸１０の回りに回転させながらスパッタリン
グを行う。
【００２１】このほか、図６に示すように、樹脂成形品
１の表面に対向するターゲット３ａと樹脂成形品１の側
面に対向するターゲット３ｂとを用いて多方向からスパ
ッタリングを行っても、樹脂成形品の側面に形成される
薄膜の厚みを厚くすることができる。
１の表面に対向するターゲット３ａと樹脂成形品１の側
面に対向するターゲット３ｂとを用いて多方向からスパ
ッタリングを行っても、樹脂成形品の側面に形成される
薄膜の厚みを厚くすることができる。
【００２２】このほか、スパッタリングと他の成膜方法
とを組み合わせることで樹脂成形品１の側面への成膜を
行うようにしてもよい。図７はスパッタリングとレーザ
ーアブレーションとを組み合わせたもので、樹脂成形品
１の表面はターゲット３に対向させてスパッタリングで
成膜する。また、樹脂成形品１の側面については、ホル
ダー３における上記側面の近傍部に斜めからレーザー
（エキシマレーザー）Ｌを照射してレーザーアブレーシ
ョンにより成膜する。
とを組み合わせることで樹脂成形品１の側面への成膜を
行うようにしてもよい。図７はスパッタリングとレーザ
ーアブレーションとを組み合わせたもので、樹脂成形品
１の表面はターゲット３に対向させてスパッタリングで
成膜する。また、樹脂成形品１の側面については、ホル
ダー３における上記側面の近傍部に斜めからレーザー
（エキシマレーザー）Ｌを照射してレーザーアブレーシ
ョンにより成膜する。
【００２３】図８に示すものでは、樹脂成形品１の周囲
に抵抗加熱で加熱する坩堝２５より導電性金属（銅）を
蒸発させて樹脂成形品１の側面に蒸着し、ターゲット３
に対向させた樹脂成形品１の表面はスパッタリングで成
膜している。
に抵抗加熱で加熱する坩堝２５より導電性金属（銅）を
蒸発させて樹脂成形品１の側面に蒸着し、ターゲット３
に対向させた樹脂成形品１の表面はスパッタリングで成
膜している。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明においては、ホルダ
ー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ター
ゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、ホ
ルダーとして樹脂成形品よりも大きい導電性金属板を用
いて、ターゲットからのスパッタで発生して樹脂成形品
に向かう粒子をイオン化手段でイオン化し、該イオンで
上記ホルダーをスパッタするものであり、ターゲットの
スパッタで樹脂成形品の主として表面を成膜し、ホルダ
ーもスパッタして樹脂成形品の側面を成膜することか
ら、側面に成膜した薄膜の厚みをターゲットのスパッタ
だけで行う場合に比して厚くすることができるものであ
り、また、ホルダーのスパッタにターゲットから出る粒
子を利用するために、スパッタを容易に行うことができ
る。
ー上に載せた樹脂成形品の表面をスパッタリング用ター
ゲットに対向させてスパッタリングを行うに際して、ホ
ルダーとして樹脂成形品よりも大きい導電性金属板を用
いて、ターゲットからのスパッタで発生して樹脂成形品
に向かう粒子をイオン化手段でイオン化し、該イオンで
上記ホルダーをスパッタするものであり、ターゲットの
スパッタで樹脂成形品の主として表面を成膜し、ホルダ
ーもスパッタして樹脂成形品の側面を成膜することか
ら、側面に成膜した薄膜の厚みをターゲットのスパッタ
だけで行う場合に比して厚くすることができるものであ
り、また、ホルダーのスパッタにターゲットから出る粒
子を利用するために、スパッタを容易に行うことができ
る。
【００２５】上記イオン化手段として誘導結合プラズマ
を用いたならば、イオン化量を大とすることができるた
めに、ホルダーのスパッタをより確実に行うことができ
る。
を用いたならば、イオン化量を大とすることができるた
めに、ホルダーのスパッタをより確実に行うことができ
る。
【００２６】ホルダーとしては、ターゲットと同材料の
ものを用いることで、樹脂成形品の表面側面を単一材料
からなる薄膜で被覆することができるが、ターゲットよ
りもスパッタされやすい材料のものを用いれば、側面の
薄膜の膜厚をさらに厚くすることができる。
ものを用いることで、樹脂成形品の表面側面を単一材料
からなる薄膜で被覆することができるが、ターゲットよ
りもスパッタされやすい材料のものを用いれば、側面の
薄膜の膜厚をさらに厚くすることができる。
【００２７】また、ホルダーに樹脂成形品の側面の外周
に位置するとともに上記側面に向けて傾斜した被スパッ
タ面を設けておくと、樹脂成形品の側面への成膜のため
のホルダーのスパッタ量を多くすることができて、やは
り側面の薄膜の膜厚をさらに厚くすることができる。
に位置するとともに上記側面に向けて傾斜した被スパッ
タ面を設けておくと、樹脂成形品の側面への成膜のため
のホルダーのスパッタ量を多くすることができて、やは
り側面の薄膜の膜厚をさらに厚くすることができる。
【００２８】ホルダー及び樹脂成形品を傾かせた状態で
スパッタリングしたり、ターゲットを傾かせた状態でス
パッタリングすることも、樹脂成形品の側面への成膜の
ためのホルダーのスパッタ量を多くすることができる上
に、ターゲットからの粒子が側面に至る量も多くなるた
めに、側面の薄膜の膜厚を厚くすることができる。
スパッタリングしたり、ターゲットを傾かせた状態でス
パッタリングすることも、樹脂成形品の側面への成膜の
ためのホルダーのスパッタ量を多くすることができる上
に、ターゲットからの粒子が側面に至る量も多くなるた
めに、側面の薄膜の膜厚を厚くすることができる。
【００２９】プラズマ発生手段として上記誘導結合プラ
ズマを用いる場合には、そのコイルと、ターゲットから
飛び出した粒子の流路との間をスパッタされにくい材料
からなる筒で仕切っておくと、コイルがスパッタリング
の影響を受けてしまうことがなくて、好ましい結果を得
ることができる。
ズマを用いる場合には、そのコイルと、ターゲットから
飛び出した粒子の流路との間をスパッタされにくい材料
からなる筒で仕切っておくと、コイルがスパッタリング
の影響を受けてしまうことがなくて、好ましい結果を得
ることができる。
【００３０】また、ホルダー上に載せた樹脂成形品の表
面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタ
リングを行うに際して、樹脂成形品の表面に対向するタ
ーゲットと樹脂成形品の側面に対向するターゲットとを
用いて多方向からスパッタリングすることも、側面の薄
膜の膜厚を厚くする点で有効である。
面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタ
リングを行うに際して、樹脂成形品の表面に対向するタ
ーゲットと樹脂成形品の側面に対向するターゲットとを
用いて多方向からスパッタリングすることも、側面の薄
膜の膜厚を厚くする点で有効である。
【００３１】さらに、ホルダー上に載せた樹脂成形品の
表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッ
タリングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よ
りも大きい導電性金属板を用いて、ターゲットのスパッ
タに加えてホルダーの樹脂成形品の側面近傍部に対する
レーザー照射でレーザーアブレーションを行うようにし
ても、側面の薄膜の膜厚を厚くすることができる。
表面をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッ
タリングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よ
りも大きい導電性金属板を用いて、ターゲットのスパッ
タに加えてホルダーの樹脂成形品の側面近傍部に対する
レーザー照射でレーザーアブレーションを行うようにし
ても、側面の薄膜の膜厚を厚くすることができる。
【００３２】ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面をス
パッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリング
を行うに際して、樹脂成形品の周囲より蒸着を行うよう
にしても、側面の薄膜の膜厚を厚くすることができる。
パッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリング
を行うに際して、樹脂成形品の周囲より蒸着を行うよう
にしても、側面の薄膜の膜厚を厚くすることができる。
【図１】本発明の実施の形態の一例の概略断面図であ
る。
る。
【図２】同上の他例の概略断面図である。
【図３】同上のさらに他例の部分断面図である。
【図４】別の例の部分断面図である。
【図５】さらに別の例の部分断面図である。
【図６】他例の概略断面図である。
【図７】さらに他例の概略断面図である。
【図８】別の例の概略断面図である。
１ 樹脂成形品 ２ ホルダー ３ ターゲット ５ イオン化手段
Claims (11)
- 【請求項１】 ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面を
スパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリン
グを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よりも大
きい導電性金属板を用いて、ターゲットからのスパッタ
で発生して樹脂成形品に向かう粒子をイオン化手段でイ
オン化し、該イオンで上記ホルダーをスパッタすること
を特徴とする樹脂成形品への成膜方法。 - 【請求項２】 イオン化手段として誘導結合プラズマを
用いることを特徴とする請求項１記載の樹脂成形品への
成膜方法。 - 【請求項３】 ホルダーとして、ターゲットと同材料の
ものを用いることを特徴とする請求項１または２記載の
樹脂成形品への成膜方法。 - 【請求項４】 ホルダーとして、ターゲットよりもスパ
ッタされやすい材料のものを用いることを特徴とする請
求項１〜３のいずれかの項に記載の樹脂成形品への成膜
方法。 - 【請求項５】 ホルダーに樹脂成形品の側面の外周に位
置するとともに上記側面に向けて傾斜した被スパッタ面
を設けていることを特徴とする請求項１または２記載の
樹脂成形品への成膜方法。 - 【請求項６】 ホルダー及び樹脂成形品を傾かせた状態
でスパッタリングすることを特徴とする請求項１〜４の
いずれかの項に記載の樹脂成形品への成膜方法。 - 【請求項７】 ターゲットを傾かせた状態でスパッタリ
ングすることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項
に記載の樹脂成形品への成膜方法。 - 【請求項８】 誘導結合プラズマ用のコイルと、ターゲ
ットから飛び出した粒子の流路との間をスパッタされに
くい材料からなる筒で仕切っていることを特徴とする請
求項２記載の樹脂成形品への成膜方法。 - 【請求項９】 ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面を
スパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリン
グを行うに際して、樹脂成形品の表面に対向するターゲ
ットと樹脂成形品の側面に対向するターゲットとを用い
て多方向からスパッタリングすることを特徴とすること
を特徴とする樹脂成形品への成膜方法。 - 【請求項１０】 ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面
をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリ
ングを行うに際して、ホルダーとして樹脂成形品よりも
大きい導電性金属板を用いて、ターゲットのスパッタに
加えてホルダーの樹脂成形品の側面近傍部に対するレー
ザー照射でレーザーアブレーションを行うことを特徴と
する樹脂成形品への成膜方法。 - 【請求項１１】 ホルダー上に載せた樹脂成形品の表面
をスパッタリング用ターゲットに対向させてスパッタリ
ングを行うに際して、樹脂成形品の周囲より蒸着を行う
ことを特徴とする樹脂成形品への成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000166858A JP3729024B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 樹脂成形品への成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000166858A JP3729024B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 樹脂成形品への成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001342271A true JP2001342271A (ja) | 2001-12-11 |
| JP3729024B2 JP3729024B2 (ja) | 2005-12-21 |
Family
ID=18670110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000166858A Expired - Fee Related JP3729024B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 樹脂成形品への成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3729024B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7189009B2 (en) | 2003-05-15 | 2007-03-13 | Infineon Technologies, Ag | Micro-optical module with housing and method for producing the same |
-
2000
- 2000-06-02 JP JP2000166858A patent/JP3729024B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7189009B2 (en) | 2003-05-15 | 2007-03-13 | Infineon Technologies, Ag | Micro-optical module with housing and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3729024B2 (ja) | 2005-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006083408A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPS59200755A (ja) | イオンめつき法 | |
| JP2010242213A (ja) | スパッタリング方法及び成膜装置 | |
| US9355864B2 (en) | Method for increasing adhesion of copper to polymeric surfaces | |
| JPH07258828A (ja) | 膜形成方法 | |
| JP5464800B2 (ja) | スパッタリング装置及び成膜方法 | |
| JP2002512310A (ja) | 誘導結合プラズマ堆積で形成された金属膜の均一性を強化する小直径コイル | |
| JP3729024B2 (ja) | 樹脂成形品への成膜方法 | |
| KR100642201B1 (ko) | 연성회로기판의 제조방법 | |
| JP5924872B2 (ja) | プラズマ発生装置による絶縁性窒化層の形成方法およびプラズマ発生装置 | |
| JP2001518558A5 (ja) | ||
| JP2002111176A (ja) | 導電路の形成方法および基板 | |
| JP4225290B2 (ja) | 金属膜形成方法 | |
| TW201038759A (en) | Magnetron sputtering apparatus | |
| JP4211757B2 (ja) | 金属膜形成方法 | |
| CN101573001B (zh) | 绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法 | |
| JP2913319B2 (ja) | ステンレス鋼表面に密着強度の高い真空蒸着金属薄膜を形成する方法 | |
| JP2003073802A (ja) | 金属膜形成方法及び金属膜形成装置 | |
| JP2022103918A (ja) | 樹脂シート表面処理方法及び樹脂シート表面処理装置 | |
| JPH06306578A (ja) | 電磁波シールド用成膜方法と装置 | |
| JP2768960B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2002363735A (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JP2014231633A (ja) | 基板ホルダ | |
| JP2019073788A (ja) | プラズマスパッタリング成膜装置 | |
| KR200211722Y1 (ko) | 반도체 소자의 스퍼터 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050908 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050913 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050926 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081014 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091014 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091014 Year of fee payment: 4 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091014 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101014 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101014 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111014 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111014 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121014 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131014 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |