JP5268267B2 - 発光部品およびその製造法 - Google Patents

Description

本発明は、発光部品およびその製造法に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）に代表される発光部品は、その用途範囲が広がってきている。しかし、このＬＥＤは、印加する電圧（Ｖｆ）や順方向電流（Ｉｆ）等によって、出来上がったＬＥＤの選別を行っても、最終的な輝度にはばらつきが生ずることが多い。そこで、このような輝度のばらつきを低減するために、ＬＥＤと直列に接続する抵抗器を形成し、その抵抗器とＬＥＤに定電圧を印加し、ＬＥＤの輝度を受光装置で検出しながらその抵抗器をトリミング（抵抗値調整）する技術が提案されている（特許文献１参照）。

特開２００６−２３７４０９号公報

このような発光部品に定電圧を印加しようとしても、Ｖｆのばらつきが通常大きい。そのため、この定電圧駆動では、輝度のばらつきを抑え難い。

またこのような発光部品は、複数個並べて使用されることが多い。さらに、発光部品の用途によっては、発光素子を密に並べる必要性が大きい場合がある。たとえば、一定面積当たりの光度を明るくしたい場合等には、その必要性が高まる。このように、発光部品を複数個並べた場合には、個々の発光部品の光度のばらつきがあると、それが目立ってしまう。

そこで本発明が解決しようとする課題は、ＬＥＤ等の発光素子の光度のばらつきを低減すると共に、複数の発光素子を密に並べることのできる発光部品を提供することである。

上記課題を解決するため、本発明の発光部品は、光を発する発光素子に定電流を供給する定電流回路を有する発光部品において、定電流回路は、抵抗素子とトランジスタを有し、抵抗素子は、トランジスタをオンの状態にするための電圧をトランジスタに印加するものであり、トランジスタがオンの状態になることで、発光素子へ電流の供給が可能となり、発光素子とトランジスタは、基板の表面に配置され、抵抗素子は、基板の表面とは反対側の基板の裏面に配置され、トランジスタと抵抗素子は、基板の表面と基板の裏面に亘って導通され、定電流回路が基板の表面と基板の裏面に亘って形成される。

この発明によれば、定電流回路が、発光素子に定電流を供給していると共に、抵抗素子は、発光素子の光度が所定範囲となるよう抵抗値調整されている。よって、定電圧駆動による調整に比べ発光素子の光度のばらつきを低減できる。また、その定電流回路を基板の表裏面に渡り形成しているため、発光部品を構成する基板を小型化できる。さらに、基板のｘ／ｙの値を１以上且つ１．５以下として、正方形またはそれに近い長方形の基板としている。このように、基板を小型化し、その形状を正方形またはそれに近い長方形としているため、基板の配置の際に隣り合う発光素子を近接させることができる。よって、複数の発光素子を密に並べることのできる発光部品を提供することができる。

他の発明は、上述の発光部品の発明に加え、基板の対向する辺にそれぞれ２つの外部電極端子を有し、外部電極端子は、発光部品の実装に用いられるとともに、基板の表面と裏面を導通させ、定電流回路は、＋入力端子と−入力端子を有し、外部端子電極のうちの２つは、それぞれ＋入力端子および−入力端子に相当し、２つ以外の他の外部端子電極の少なくとも１つは、抵抗素子と駆動用回路部材との接続に用いられる。

他の発明は、上述の発光部品の発明に加え、発光部品は、貫通孔を有する貫通部材の当該貫通孔の開口部が前記基板の表面に対向するように固着され、前記発光素子、前記トランジスタが貫通孔の中に収容されている。この構成を採用することによって、発光素子が発する光の方向を、基板と対向する側とは反対側の貫通孔の開口部方向へと集中させ、投光方向を揃えて意図しない方向への投光を抑制できる。

他の発明は、上述の発光部品の発明に加え、抵抗素子は、対となる厚膜の抵抗用電極の双方に厚膜の抵抗体膜が接触する部分を有し、抵抗素子を保護する厚膜のオーバーコート膜が、接触する部分を避けて形成されている。この構成を採用することによって、多数の発光部品をばらばらに袋詰め梱包し、パーツフィーダで所定の向きに整列供給するバルク供給が容易となる。また、厚膜の抵抗用電極と厚膜の抵抗体膜が接触する部分が、発光部品を実装する実装基板面に対向する位置にあるときでも、発光部品の外部端子電極と実装基板面のランドとのはんだ等による固着を阻害しない。

他の発明は、上述の発光部品の発明に加え、抵抗素子は、発光素子またはトランジスタとの電気接続が、基板の端面でなされている。この構成を採用することによって、基板に余分な穴を設けることなく抵抗素子と、発光素子またはトランジスタとの電気接続が容易に実現できる。

他の発明は、上述の発光部品の発明に加え、定電流回路は、＋入力端子と−入力端子を有し、＋入力端子と−入力端子との間には、分岐する第１の伝送路と第２の伝送路とを有し、第１の伝送路には、＋入力端子側から順に、発光素子、トランジスタである第１のＮＰＮ型トランジスタ、抵抗素子とは異なる第１の抵抗素子が接続され、第１のＮＰＮ型トランジスタは、そのコレクタよりもエミッタを−入力端子側に位置させるように配置され、第２の伝送路には、＋入力端子側から順に、抵抗素子である第２の抵抗素子、トランジスタとは異なる第２のＮＰＮ型トランジスタが接続され、第２のＮＰＮ型トランジスタは、そのエミッタがコレクタよりも−入力端子側に位置するように配置され、第２の伝送路の第２の抵抗素子と第２のＮＰＮ型トランジスタの間の第１の接点から第３の伝送路が、第１のＮＰＮ型トランジスタのベースに接続され、第１の伝送路の第１のＮＰＮ型トランジスタと第１の抵抗素子との間の第２の接点から第４の伝送路が、第２のＮＰＮ型トランジスタのベースに接続されている。

他の発明は、上述の発光部品の発明に加え、定電流回路は、＋入力端子と−入力端子を有し、＋入力端子と−入力端子との間には、分岐する第１の伝送路と第２の伝送路とを有し、第１の伝送路には、＋入力端子側から順に、発光素子、トランジスタであるＮＰＮ型トランジスタ、抵抗素子とは異なる第１の抵抗素子が接続され、ＮＰＮ型トランジスタは、そのコレクタよりもエミッタを−入力端子側に位置させるように配置され、第２の伝送路には、＋入力端子側から順に、抵抗素子である第２の抵抗素子、ダイオードが配置され、ダイオードのアノードからカソードへの方向と＋入力端子から−入力端子への方向とが一致するように配置され、第２の伝送路の第２の抵抗素子とＮＰＮ型トランジスタの間の第１の接点から第３の伝送路が、ＮＰＮ型トランジスタのベースに接続されている。

他の発明は、上述の発光部品の発明に加え、定電流回路は、＋入力端子と−入力端子を有し、＋入力端子と−入力端子との間には、分岐する第１の伝送路と第２の伝送路とを有し、第１の伝送路には、＋入力端子側から順に、発光素子、トランジスタであるＮＰＮ型トランジスタ、抵抗素子とは異なる第１の抵抗素子が接続され、ＮＰＮ型トランジスタは、そのコレクタよりもエミッタを−入力端子側に位置させるように配置され、第２の伝送路には、＋入力端子側から順に、抵抗素子である第２の抵抗素子、ツェナーダイオードが配置され、ツェナーダイオードのアノードからカソードへの方向と−入力端子から＋入力端子への方向とが一致するように配置され、第２の伝送路の第２の抵抗素子とＮＰＮ型トランジスタの間の第１の接点から第３の伝送路が、ＮＰＮ型トランジスタのベースに接続されている。

他の発明は、上述の発光部品の発明に加え、定電流回路は、抵抗素子とは抵抗値が異なる別の抵抗素子を有する。また、他の発明は、上述の発光部品の発明に加え、抵抗素子と別の抵抗素子とは、各々の抵抗体の材質が異なる。

上記課題を解決するため、本発明の発光部品の製造法は、表面に縦横に交差する線状分割部を有し、線状分割部で囲われる一単位の絶縁基板（以下、単位絶縁基板という）を複数有する分割部付き大型絶縁基板の裏面であって、単位絶縁基板各々の裏面に抵抗値調整されていない抵抗素子仕掛品を配置する抵抗形成工程と、単位絶縁基板各々に、光を発する発光素子とトランジスタが、分割部付き大型絶縁基板の裏面とは反対側の表面に配置されるように形成する配置工程と、単位絶縁基板毎に、その表面と裏面に亘って定電流回路を構成するように、抵抗素子仕掛品、発光素子、トランジスタの相互間を接続する導体を配置する導体形成工程と、配置工程および導体形成工程の終了後に、単位絶縁基板に配置される抵抗素子仕掛品がトランジスタをオンの状態にすることで、発光素子へ電流の供給を可能とするよう抵抗素子仕掛品の抵抗値を調整するトリミング工程と、トリミング工程の終了後に、線状分割部に沿って分割部付き大型絶縁基板を個々の単位絶縁基板へと分割する分割工程と、を有する。

この発明によれば、配置工程および導体形成工程によって、定電流回路が形成されるため、発光素子に定電流を供給できるようになる。またトリミング工程によって、抵抗素子仕掛品は、発光素子の光度が所定範囲となるよう抵抗値調整されることとなる。よって、発光素子の光度のばらつきを低減できる。また配置工程および導体形成工程によって、その定電流回路を基板の表裏面に渡り形成しているため、発光部品を構成する基板を小型化できる。さらに、基板のｘ／ｙの値を１以上且つ１．５以下として、正方形またはそれに近い長方形の基板となるものを採用している。このように、基板を小型化し、その形状を正方形またはそれに近い長方形とすることができているため、この製造方法を採用すると、基板の配置の際に隣り合う発光素子を近接させることができる。よって、複数の発光素子を密に並べることのできる発光部品を提供することができる。さらに分割部付き大型絶縁基板を用い、それに対して配置工程、導体形成工程および分割工程を行うことによって、発光部品を効率的に製造できる。

他の発明は、上述の発光部品の製造法の発明に加え、前記配置工程以前に、多数の貫通孔を有する大型貫通部材を、単位絶縁基板各々の表面に、貫通孔の開口部が対向するように分割部付き大型絶縁基板の表面に固着する固着工程を設け、分割工程の際に、分割部付き大型絶縁基板と共に大型貫通部材を個々の貫通部材へと分割する。この方法を採用することによって、発光素子が発する光の方向を、基板と対向する側とは反対側の貫通孔の開口部方向へと集中させ、投光方向を揃えて意図しない方向への投光を抑制できる貫通部材付きの発光部品を効率的に製造できる。

他の発明は、上述の発光部品の製造法の発明に加え、単位絶縁基板は、各々前記抵抗素子仕掛品を複数有し、トリミング工程では、複数の抵抗素子仕掛品のうち２つ以上に対し、抵抗値の調整を行う。この方法を採用することによって、複数の抵抗素子を有する定電流回路を容易に形成できる。

本発明により、ＬＥＤ等の発光素子の光度のばらつきを低減すると共に、複数の発光素子を密に並べることのできる発光部品を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態に係る発光部品について説明する。なお、説明に当っては、各構成部材と定電流回路構成に分けて、図面を参照しながら説明し、発光部品の機能は、定電流回路構成と併せて説明することとする。なお、発光部品の製造法については最後に記述する。

図１は、本発明の実施の形態に係る発光部品１Ａの表面側の斜視図を示している。また、図２は、発光部品１Ａの六面図を示しており、（Ａ）は発光部品１Ａの平面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は右側面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は背面図、（Ｆ）は底面図をそれぞれ示している。

この発光部品１Ａの構成について説明する。この発光部品１Ａは、主に光を発する発光素子（ＬＥＤ２）と、抵抗素子３と、それらが配置される基板４と、トランジスタ５とから構成される。ＬＥＤ２の光度が所定範囲となるよう調整された抵抗素子３（この実施の形態での、抵抗素子３Ａ，３Ｂ）が基板４の裏面に配置されている。以下では、２つの抵抗素子３Ａ，３Ｂを合わせて指すとき、または場合によって、その２つの抵抗素子３Ａ，３Ｂと、後述する第３の抵抗素子３Ｃを合わせて指すときには、適宜抵抗素子３と記す。ＬＥＤ２、トランジスタ５は、基板４の表面に配置されている。そして、抵抗素子３Ａ，３Ｂと、トランジスタ５Ａ，５Ｂを構成要素とする定電流回路が、基板４の表面、裏面に渡って形成されている。以下では、この２つのトランジスタ５Ａ，５Ｂを合わせて指すとき、または場合によって、その２つのトランジスタ５Ａ，５Ｂと後述する電解効果型トランジスタ５Ｃを合わせて指すときには、適宜トランジスタ５と記す。この定電流回路は、ＬＥＤ２に定電流を供給するものとなる。また、基板４は、長方形であり、その対向する１対の辺の長さをｘ、１対の辺とは異なるもう一方の対向する１対の辺の長さをｙとした場合、ｘ／ｙの比の値が１．２５である。またこの発光部品１Ａは、抵抗素子３を２個有し、２個の抵抗素子３Ａ，３Ｂの双方に抵抗値調整（トリミング）が施されている。

（各構成部材について）
発光部品１Ａを構成する基板４は、一対の対向する辺に半円形の切り欠き部（この実施の形態では各２つで計４つの切り欠き部）を有する外形が長方形のアルミナセラミックからなる。その一対の辺の長さをｙ（２．８ｍｍ）、その１対の辺とは異なるもう一方の対向する１対の辺の長さをｘ（３．５ｍｍ）とした場合、ｘ／ｙの比の値が１．２５となる。また、基板４の厚みは１．５ｍｍである。なお、基板４には、アルミナセラミック以外のセラミック、たとえば窒化アルミニウム等からなるもの、ガラス繊維混入エポキシ系樹脂成形体等の樹脂系のものを用いることができる。

基板４の表面には、発光部品１Ａの一部を構成する貫通部材１２と、貫通部材１２の貫通孔１２Ｃの中に充填される透光性樹脂（図示省略）と、透光性樹脂で覆われる部材、すなわちトランジスタ５、導体１５、導体１５と接触するパッド１５Ｃａ，１５Ｃｂ，１５Ｃｃ，１５Ｃｄ，１５Ｃｅ，１５ＣｆおよびＬＥＤ２およびトランジスタ５とパッド１５Ｃａ〜１５Ｃｆを電気接続する、ボンディングワイヤ（金線１６）の各部材とが形成または配置されている。そして基板４の裏面には、基板４の一対の対向する辺に半円形の切り欠き部に配置される４つの裏面電極１５Ｅと、各裏面電極１５Ｅの上に配置されるバンプ２１と呼ばれる突起部分と、各裏面電極１５Ｅから導出する２対のＴ字状の抵抗用電極１５Ｂと、対となる抵抗用電極１５Ｂの双方に重なり合うよう配置された抵抗体膜１８と、抵抗体膜１８の全部や抵抗用電極１５Ｂのほぼ全てを被覆するガラス膜１９と、抵抗値調整のため抵抗体１８とガラス膜１９に形成されたトリミング溝２３と、トリミング溝２３を保護するため、ガラス膜１９の上に載置されたオーバーコート膜２０とが配置されている。そして、基板４の側面には、裏面電極１５Ｅと基板４の表面の導体１５とを電気接続する側面電極１５Ｄが、半円形の切り欠き部に配置されている。

円筒状の貫通孔１２Ｃを有する貫通部材１２は、基板４に対してｘ方向とｙ方向が同じ長さとされた上面から見た形状が略長方形となる形状とされている。この貫通部材１２は、基板４の表面に固着されている。この貫通部材１２は、液晶ポリマー樹脂の成形体である。この液晶ポリマーは放熱性が良好な樹脂であり、抵抗素子３またはトランジスタ５が発する熱を逃がし、抵抗素子３およびトランジスタ５の特性を維持するのに有利である。その放熱性を得るためには、液晶ポリマー樹脂に代えて、ポリフェニレンサンファイド（ＰＰＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）等を用いることができる。

貫通部材１２は、その貫通孔１２Ｃが基板４の表面に対向するように基板４に固着されている。この結果、貫通孔１２Ｃ部分が、基板４の表面を底面とするキャビティ（凹部）１３となる。このような凹部１３を有する貫通部材１２と基板４の双方に相当する別の部材としては、たとえば、セラミック粉末にガラス等を含ませたＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同時焼成セラミックス）を用い、成形性の良好な条件下で基板４に相当する部分と、凹部１３を含む貫通部材１２に相当する部分とを一体成形し、焼成する方法で得られる部材である。このときは、基板４に凹部１３が設けられることとなる。なお、凹部１３の形状は、発光部品１Ａの形状、トランジスタ５等の凹部１３に収容されるＬＥＤ２の駆動回路部材の数、または発光部品１Ａの仕様、貫通部材１２の強度等の観点から、適宜その形状または大きさを採択できる。貫通孔１２Ｃの形状について言えば、円筒状、円錐台形状、直方体形状等を採択できる。

貫通部材１２は、その上面の四隅の一つにカソードマーク１２Ａと言われる切り欠き部を有している。このカソードマーク１２Ａは、発光部品１Ａを実装基板に実装する際に、実装方向が分かるようにする役割を担っている。このカソードマーク１２Ａは、正方形またはそれに近い長方形の基板４を用いる発光部品１Ａにとって重要である。また貫通部材１２は、その長手方向（ｘ方向）の一対の端辺に薄肉部１２Ｂを有している。この薄肉部１２Ｂは、後述する分割工程を容易ならしめる役割を担っている。

凹部１３の底面の中央であって、基板４の表面に形成されている、他の導体１５とは接続していない浮島状の導体１５の上には、ＬＥＤ２が、凹部１３の開口部側に向かって発光するように配置されている。このようなＬＥＤ２の凹部１３の中央への配置と、このＬＥＤ２を囲むような駆動用回路部材の配置は、光の方向を凹部１３の開口部方向へと集中させ、意図しない方向への投光を抑制できる点で有利である。なお、ＬＥＤ２を凹部１３の中央ではなく、少し偏心した位置に配置するようにしても良い。ＬＥＤ２の凹部１３の底面の中央への配置とは、図２（Ａ）の平面図において円形をなす凹部１３の底面の円の中心を覆うようにＬＥＤ２が配置されていることを言う。この配置によって、ＬＥＤ２の光を偏在化させずに、凹部１３の内壁面に均一に反射させて分散化させることができる。また、ＬＥＤ２を囲むように、トランジスタ５やパッド１５Ｃａ〜１５Ｃｆを配置させることで、ＬＥＤ２の各部材への反射光が分散して、分散光の均一化が図れる。その結果として、発光部品１Ａの発光方向での光度変化を低減させ、発光部品１Ａの光度の方向依存性、すなわち、取り付け方向によっての光度のばらつきを低減することができる。

また、ＬＥＤ２が、凹部１３の開口部側に向かって発光するようにＬＥＤ２の配置をした場合には、凹部１３の内側面（側面および／または底面）に光反射層を設けることが好ましい。その理由は、光反射層は、凹部１３の内側面に照射された光の反射を促進して、発光部品１Ａの光量を減少させないようにすることができるためである。この光反射層の配置には、めっき法、スパッタリング法等の薄膜形成技術、金属箔の貼り付けの技術等を採用することができる。また光反射層の材質は、ニッケル、銅、金、銀、チタン、白金等の金属とすることができる。また、これら金属の２種以上を積層して、光反射層を形成することができる。さらに、これら金属の２種以上からなる合金を用いて、光反射層を形成することができる。

またＬＥＤ２は、基板４の中央に配置されている。基板４の中央へのＬＥＤ２の配置とは、たとえば、長方形の基板４の場合は上面からみたとき、２本の対角線の交点を覆うようにＬＥＤ２が配置されていることを言う。このように基板４の中央にＬＥＤ２を配置する利点は、発光部品１Ａを複数個並べて使用した場合にも、等間隔にＬＥＤ２を配置でき、自然な発光状態を実現できる点である。この利点、すなわち、ＬＥＤ２を基板４の中央に配置することの利点は、ＬＥＤ２を、上述した凹部１３の底面に配置するか否かに関わらず、得ることができる。ここで、この利点を得る別の方法には、ＬＥＤ２の配置位置を、複数個の全ての発光部品１Ａについて、基板４における同様の位置とする方法がある。この方法を採用しても良い。ただし、そのような方法を採用した場合には、個々の発光部品１Ａを実装基板へと実装する際に、実装方向を揃える負担が生ずる。

本発明の実施の形態に係る発光素子は、ＬＥＤ２としている。しかしＬＥＤ２に代えて、たとえば半導体レーザ、有機ＥＬ（electro-luminescence）等のＥＬ素子、または蛍光表示管等の他の発光素子を用いることができる。

発光部品１Ａを構成するトランジスタ５、導体１５、導体１５と接触するパッド１５Ｃａ〜１５ＣｆおよびＬＥＤ２およびトランジスタ５とパッド１５Ｃａ〜１５Ｃｆを電気接続する金線１６からなるＬＥＤ２の駆動用回路部材は、ＬＥＤ２の周囲に配置されている。このような配置にすることによって、上述したようにＬＥＤ２が発する光をトランジスタ５、導体１５およびパッド１５Ｃａ〜１５Ｃｆに反射させて、光を偏在化させずに分散化し、その結果として、発光部品１Ａの光度のばらつきを低減することができる。また、この構成を採用することによって、ＬＥＤ２を凹部１３の底面の中央へ配置できない場合であっても、光の分散を促進し、発光部品１Ａの発光方向での光度変化を減少させることができる上に、分散した光が発光点を拡げるため、発光部品１Ａを複数個並べた発光部品群として使用した場合に、発光状態がより自然となる。

またこの光の反射は、後述する発光部品１Ｂ，１ＣのＬＥＤ２の駆動回路用部材としてダイオード１１Ａ，１１Ｂ（以下、この２つのダイオードを合わせて指すとき、場合によってはその２つのダイオードと後述するツェナーダイオード１１Ｃを合わせて指すときには、適宜ダイオード１１と記す。）を含んだ場合に、ダイオード１１を、ＬＥＤ２の周囲に配置させることによっても得ることができる（図４、図５、図６および図７を参照）。同様に、後述する発光部品１ＤのＬＥＤ２の駆動用回路部材として電解効果型トランジスタ５Ｃを含んだ場合に、電解効果型トランジスタ５Ｃを、ＬＥＤ２の周囲に配置させることによっても得ることができる（図８および図９を参照）。また、発光部品１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄのように、駆動用回路部材の配置を、ＬＥＤ２の周囲１８０度以上に渡らせることによって、光の偏在化をより抑制した状態でその光を分散化できる。

ここで、ＬＥＤ２の周囲に配置される、ＬＥＤ２の駆動用回路部材の一部であるトランジスタ５および／またはダイオード１１は、ＬＥＤ２よりも背丈が小さいことが好ましい。そうすることで、ＬＥＤ２が発する光を計算上求め易くなると共に、光度の発光方向の依存性が少なくなる。すなわち、ＬＥＤ２の光度のばらつきを、より低減することができる。しかし、トランジスタ等の背丈を大きくしても、ＬＥＤ２を囲むように配置すれば、光の方向が分散され、好ましいものとなる。また、貫通部材１２の凹部１３の内壁面も同様に、前述のようにＬＥＤ２が発する光の反射・分散をさせる効果を有している。なお、トランジスタ５および／またはダイオード１１をＬＥＤ２の周囲に配置することによって、それら相互間を金線１６を用いてワイヤーボンディング等で電気接続する際に、作業性が良く、有利となる。

発光部品１Ａを構成するトランジスタ５およびＬＥＤ２は、全てを凹部１３内に配置している。しかし、トランジスタ５やその他の駆動用回路部材の一部または全部を凹部１３を避けて配置しても良い。このことは、後述する発光部品１Ｂ，１Ｃ，１ＤのＬＥＤ２の駆動用回路部材としてダイオード１１または電解効果型トランジスタ５Ｃを含んだ場合にも同様である。

発光部品１Ａを構成するトランジスタ５およびＬＥＤ２は、いわゆるワイヤボンディング技術によって金線１６を用いて電気接続されている。しかし、この電気接続は、いわゆるフリップチップボンディングによって実現されても良い。フリップチップボンディングとは、トランジスタ５とＬＥＤ２の配線のためのバンプ（電極端子）と呼ばれる突起部分を発光部品１Ａの下面に設けて、発光部品１Ａが実装される実装基板のランドにバンプを接続し、そのランドパターンを利用して電気接続を実現するものである。

凹部１３の内部には、透光性の樹脂が充填されている（図示省略）。この透光性の樹脂は、ＬＥＤ２、トランジスタ５、金線１６等の相互間の電気接続状態を維持する役割も担っている。この透光性の樹脂は、凹部１３の内部のみに存している。透光性の樹脂には、シリコーン系樹脂を用いている。このシリコーン系樹脂は、ＬＥＤ２が発する光成分のうち、紫外線領域の成分が多く含まれている場合に、封止樹脂の劣化を抑制できる。但し、発光部品１Ａの仕様、用途、光度等によって、他の材質（たとえばエポキシ系樹脂等）を使用することができる。また、透光性の樹脂の透光度は、発光部品１Ａの仕様、用途、光度等によって、変更・調整できる。さらに透光性の樹脂は、発光部品１Ａのように凹部１３の内側のみに充填しても良いし、凹部１３の内部から外部に渡って溢れた状態で充填しても良い。ただし、透光性の樹脂を凹部１３の内部から外部に渡って溢れた状態とすることにより、発光部品１Ａの発光状態が不安定となり易い。その理由は、凹部１３から溢れ出した部分の透光性の樹脂は、形状が一定化し難く、発光部品１Ａの発光状態を乱す場合があると考えられるためである。なお、敢えて透光性の樹脂を凹部１３から溢れ出させて、貫通部材１２の上面全体に均一な高さとする等の形状調整をすれば、発光部品１Ａの発光状態は安定する。また、凹部１３から球状に突出するように透光性の樹脂を設ける、すなわち凸レンズの機能を果たすように透光性の樹脂を設けることにしても良い。このようにすると、ＬＥＤ２から放射される光が所定距離の所で合焦するような光となり、光度を強めたいときに有効となる。逆に透光性の樹脂の上面を凹面鏡のようにすると、ＬＥＤ２からの光が発散することとなり、全体的に光量を均一化したいときに有利となる。

基板４の裏面には、厚膜の抵抗素子３が２つ配置されている。この厚膜に代えて、薄膜によって構成されるものとしても良い。この抵抗素子３は、導体１５の一部である裏面電極１５Ｅから導出、一体化している対となるＴ字形状の抵抗用電極１５Ｂの双方に接触する抵抗体膜１８および、抵抗値調整用のトリミング溝２３を構成要素として有している。
また、抵抗体膜１８を有する抵抗素子３は、後述する発光部品１Ｄのように１つだけで足りる場合がある（図３（Ｄ）、図８および図９を参照）。また、抵抗体膜１８を有する抵抗素子３の数を３つ、４つ、または５つ以上と多くしても良い。さらに、厚膜の抵抗体膜１８ではなく、チップ型で且つトリミング（抵抗値調整）が可能なトリマブルチップ抵抗器を用いても良い。

また、基板４の裏面には、厚膜の抵抗体膜１８および抵抗用電極１５Ｂ等を覆って保護するための厚膜のガラス膜１９が、裏面電極１５Ｅおよびトリミング溝２３を露出させつつ、基板４の裏面のｘ方向両端を除いて略全域に配置されている。そして、ガラス膜１９の上からトリミングされた際に残るトリミング溝２３を覆って保護するためのエポキシ樹脂系のオーバーコート膜２０が、対となる抵抗用電極１５Ｂの間に、かつガラス膜１９のｘ方向中央部分をｙ方向に列状に覆うように帯状に配置されている。そして、各裏面電極１５Ｅ上に突起状の導電部材であるバンプ２１を２つずつ配置している。なお、ガラス膜１９は、裏面電極１５Ｅを露出させる程度に基板４の裏面の略全域を覆っているが、抵抗体膜１８の一部または全部を覆う程度としても良い。

ここで、抵抗体膜１８を有する抵抗素子３は、対となる厚膜の抵抗用電極１５Ｂの双方に厚膜の抵抗体膜１８が接触する部分を有している。そして、抵抗素子３を保護する厚膜のオーバーコート膜２０が、その接触する部分と重ならないように配置されている。この接触する部分は、通常、抵抗用電極１５Ｂと抵抗体膜１８が重なる部分であり、厚みが他の部分より大きい凸部となる。発光部品１Ａとしては、その形状中に大きい凸部があると、多数の発光部品１Ａをばらばらに袋詰め梱包し、パーツフィーダで所定の向きに整列供給するバルク供給が困難となる。また、その凸部が、発光部品１Ａが実装される実装基板面に対向する位置にあるときは、外部端子電極（後述の側面電極１５Ｄ、裏面電極１５Ｅおよびバンプ２１を構成要素とする。以下同じ。）と実装基板面のランドとのはんだ等による固着を阻害する場合がある。よって、発光部品１Ａや、後述する発光部品１Ｂ，１Ｃ，１Ｄのように、その凸部を避けてオーバーコート膜２０が配置されていることが好ましい（図２（Ｆ），図５（Ｆ），図７（Ｆ），図９（Ｆ）を参照）。さらに、バンプ２１は、外部端子電極と実装基板面のランドとの固着を、より確実にするための役割を担っている。ただし、抵抗体膜１８を有する抵抗素子３が主として薄膜で構成され、凸部の高さが低い場合等は凸部を避けてオーバーコート膜２０を配置せず、基板４の裏面の略全面を覆うようにしても良い。ただし、この場合は、少なくともバンプ２１を露出させる必要があり、好ましくは裏面電極１５Ｅ部分を露出させるのが良い。

基板４の裏側に配置され、発光部品１Ａを構成する抵抗素子３と、抵抗素子３とは逆側の基板４の表面にあるＬＥＤ２および駆動用回路部材（導体１５、パッド１５Ｃａ〜１５Ｃｆ、トランジスタ５）との電気接続は、基板４の端面に露出する４つの半円柱空間の側面に配置された導体である４つの側面電極１５Ｄを通じて実現されている。この構成によって、基板４に余分な穴を設けることなく基板４の裏面の抵抗素子３と、基板４の表面のＬＥＤ２または駆動用回路部材（たとえばトランジスタ５および／またはダイオード１１）との電気接続を実現できる利点を有する。ただし、その電気接続は、基板４の端面であって、半円柱空間の側面では無い端面を通じて、もしくは基板４の内側に別に設けるスルーホールを通じて、または金線１６等の電気線を通じて実現されていても良い。

側面電極１５Ｄを半円柱空間の内側面に配置する別の利点は、発光部品１Ａの製造が容易となる場合がある点である。すなわち、後述するスルーホール印刷法によって側面電極１５Ｄを形成する場合には、抵抗素子３を構成する電極と同時に形成することができる。そのため、基板４の端面にのみ側面電極１５Ｄをわざわざ別工程で形成するような煩わしさを要しない。そして、後述するその後の分割工程を行うことによって、円形のスルーホールの中心を通る直線に沿って大型の絶縁基板が分割され、側面電極１５Ｄが配置された半円柱空間の側面を得ることができる。この実施の形態では、側面電極１５Ｄが配置される場所を半円柱空間の側面としているが、後述するスルーホール印刷法が可能なスルーホール形状であれば、半円柱空間に代えて直方体空間、半楕円柱空間等の他の空間形状とし、その内側面に側面電極１５Ｄを配置するようにしても良い。

また、側面電極１５Ｄを含む外部端子電極１５Ｆａ〜１５Ｆｄには、発光部品１Ａが実装される実装基板のランドへのはんだ付けのための外部端子電極１５Ｆａ〜１５Ｆｄのはんだ濡れ性を良好にするため、通常は後述するめっき工程におけるバレルめっき法によってニッケルめっき層およびはんだめっき層（図示省略）がこの順に配置される。ここで外部端子電極１５Ｆａ〜１５Ｆｄは、それぞれ、側面電極１５Ｄと裏面電極１５Ｅとバンプ２１を有するもので、外部との電気接続を実施するものである。バレルめっき法は、めっき浴中に浸漬した籠体内に、多数の発光部品１Ａを、ダミーボールと呼ばれる金属の粒状体と一緒に投入し、籠体を回転または振動等させ、かつ通電しながらめっきするものである。ここで、このダミーボールと、外部端子電極１５Ｆａ〜１５Ｆｄが接触する確率が高まるに従い、めっき層の形成速度が速くなる。その確率は、外部端子電極１５Ｆａ〜１５Ｆｄの形状が複雑であると高くなる傾向にある。側面電極１５Ｄが、半円柱空間の側面に形成されていると、外部端子電極１５Ｆａ〜１５Ｆｄの全体形状が複雑となる。よって、側面電極１５Ｄを半円柱空間の側面に配置すると、外部端子電極１５Ｆａ〜１５Ｆｄへのめっき速度が速くなる利点もある。

また、側面電極１５Ｄは、半円柱空間の側面に配置されているため、発光部品１Ａの側面の引っ込んだ部分に配置されていることとなる。よって、発光部品１Ａを取り扱う際、たとえばチップマウンターを用いて実装基板へと実装するために発光部品１Ａを持ち上げて移動する際に、側面電極１５Ｄが他の物（たとえば、チップマウンターの部品持ち上げ部材等）によって損傷を受け難い効果を有する。この効果は、側面電極１５Ｄが形成されている基板４の上部に貫通部材１２、すなわち、その側面に引っ込んだ部分を有しない樹脂製の部材が存在することで、より顕著に得られる。その理由は、貫通部材１２が他の物と先に接触することによって、その物と側面電極１５Ｄが近づくことが阻止され、側面電極１５Ｄが他の物と接触する確率を低くなるためである。また樹脂（貫通部材１２）の弾性によって、衝撃から側面電極１５Ｄを保護しているためである。また、別の理由は、この半円柱空間の一方の端部となる基板４の表面に沿った部分は、貫通部材１２の底面によって塞がれており、貫通部材１２が側面電極１５Ｄを上述の他の物から遮蔽しているためである。特に、側面電極１５Ｄが後述するスルーホール印刷法によって配置されたものの場合等は、その膜厚が薄くなり、損傷を受け易いため、本構成は好ましい。

外部端子電極１５Ｆａ〜１５Ｆｄの表面には上述したニッケルめっき層およびはんだめっき層がこの順に配置されている（図示省略）。はんだめっき層は、発光部品１Ａが実装される実装基板へのはんだを用いて実装されるときに、はんだ濡れ性を良好にする役割を担っている。ニッケルめっき層は、外部端子電極１５ａ〜１５Ｆｄとはんだとが合金化し、外部端子電極１５ａ〜１５Ｆｄが溶融してしまうのを防ぐ役割を担っている。両めっき層とも、層厚みは３μｍから１２μｍの間であることが好ましい。層厚みが３μｍを下回ると、めっき層の形成が不十分である場合がある。層厚みが１２μｍを上回ると、発光部品１Ａの外形寸法が意図したものと異なってくる場合がある。特に、発光部品１Ａが小型化された場合には、その外形寸法の影響が大きくなる。

（定電流回路について）
次に、この発光部品１Ａの構成要素である定電流回路について説明する。

図３（Ａ）に示す定電流回路６Ａの回路構成について説明する。定電流回路６Ａは、＋入力端子７と−入力端子８を有している。そして、＋入力端子７と−入力端子８との間には、分岐する第１の伝送路９Ａと第２の伝送路９Ｂとを有している。そして、第１の伝送路９Ａには、＋入力端子７側から順に、ＬＥＤ２、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａ、第１の抵抗素子３Ａが接続されている。そして、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａは、そのコレクタよりもエミッタを−入力端子８側に位置させるように配置されている。そして、第２の伝送路９Ｂには、＋入力端子７側から順に、第２の抵抗素子３Ｂ、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂが接続されている。そして、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂは、そのエミッタがコレクタよりも−入力端子８側に位置するように配置されている。そして、第２の伝送路９Ｂの第２の抵抗素子３Ｂと第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂの間の第１の接点１０Ａと、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベースとが第３の伝送路９Ｃによって接続されている。そして、第１の伝送路９Ａの第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａと第１の抵抗素子３Ａとの間の第２の接点１０Ｂと、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂのベースとが第４の伝送路９Ｄによって接続されている。

定電流回路６Ａの動作を説明する。

＋入力端子７と−入力端子８の間に電圧が印加されると、第２の抵抗素子３Ｂによるバイアス抵抗によって第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベースに電圧が印加され、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａがオンの状態となる。すると、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａのコレクタ−エミッタ間の導通が可能となり、ＬＥＤ２に電流が供給される。そのとき、＋入力端子７から−入力端子８へと電流が流れることとなる。その際に、第１の抵抗素子３Ａに電流が流れ、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂのベースに電圧が印加される。第1の伝送路９Ａに流れる電流が多くなり、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂのベース電圧値が第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂをオンにするような、所定の電圧値以上となると、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂのコレクタ−エミッタ間の導通が可能となる。すると、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂのベース−エミッタ間の電圧Ｖ_１は一定に維持される。よって第１の抵抗素子３Ａに流れる電流Ｉ_１は、抵抗値をＲ_１とすると、Ｉ_１＝Ｖ_１／Ｒ_１となり、一定となる。第１の抵抗素子３Ａに流れる電流Ｉ１は、ＬＥＤ２へ流れる電流と同じであり、ＬＥＤ２へ流れる電流は「Ｉ_１」で一定となる。このようにして、ＬＥＤ２へと流れる電流、すなわち第1の伝送路９Ａを流れる電流を一定にして、ＬＥＤ２の光度のばらつきを低減する。

次に、定電流回路６Ａの具体的動作を説明する。

抵抗値をＲ１とする第１の抵抗素子３Ａへ流れる電流が予め設定した制限電流（Ｉ＝Ｖｔ／Ｒ１）に達すると、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂのベース電圧（＝Ｖｔ＝０．６５Ｖ）以上となり、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂがオンの状態となる。そのとき、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベース電圧は約１．３Ｖに保持される。このようにして、ＬＥＤ２へと流れる電流を一定にする定電流動作をする。

ここで、図３（Ａ）と図２の対応関係について説明する。

図３（Ａ）に示す＋入力端子７、−入力端子８、第１の接点１０Ａおよび第２の接点１０Ｂの位置は、図２（Ｆ）に示す発光部品１Ａの底面図における外部端子電極１５Ｆａ〜１５Ｆｄの位置と対応する。＋入力端子７に相当するのは、外部端子電極１５Ｆｂである。−入力端子８に相当するのは、外部端子電極１５Ｆｃである。第１の接点１０Ａに相当するのは、外部端子電極１５Ｆａであり、第２の接点１０Ｂに相当するのは、外部端子電極１５Ｆｄである。第１の伝送路９Ａに相当するのは、外部端子電極１５Ｆｂ（＋入力端子７に相当）からパッド１５Ｃａまでの導体１５、パッド１５Ｃａ、パッド１５ＣａとＬＥＤ２のアノード端子を接続する金線１６、ＬＥＤ２、ＬＥＤ２のカソード端子とパッド１５Ｃｂを接続する金線１６、パッド１５Ｃｂ、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａ、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａのエミッタ端子とパッド１５Ｃｃを接続する金線１６、パッド１５Ｃｃ、パッド１５Ｃｃから外部端子電極１５Ｆｄまでの導体１５、外部端子電極１５Ｆｄ（第２の接点１０Ｂに相当）、第１の抵抗素子３Ａの一方の抵抗用電極１５Ｂ、抵抗体膜１８、他方の抵抗用電極１５Ｂから外部端子電極１５Ｆｃまでの導体１５および外部端子電極１５Ｆｃ（−入力端子８に相当）である。

第２の伝送路９Ｂに相当するのは、外部端子電極１５Ｆｂ（＋入力端子７に相当）、第２の抵抗素子３Ｂの一方の抵抗用電極１５Ｂ、抵抗体膜１８、他方の抵抗用電極１５Ｂ、他方の抵抗用電極１５Ｂから外部端子電極１５Ｆａまでの導体１５、外部端子電極１５Ｆａ、外部端子電極１５Ｆａからパッド１５Ｃｄまでの導体１５、パッド１５Ｃｄ、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂが載置されている浮島状の導体１５、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂ、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂのエミッタ端子とパッド１５Ｃｅを接続する金線１６、パッド１５Ｃｅ、パッド１５Ｃｅから外部端子電極１５Ｆｃまでの導体１５および外部端子電極１５Ｆｃ（−入力端子８に相当）である。第１の接点１０Ａに相当するのは、外部端子電極１５Ｆａであり、パッド１５Ｃｄである。第３の伝送路９Ｃに相当するのは、パッド１５Ｃｄと第１のトランジスタ５Ａのベース端子を接続する金線１６である。第２の接点１０Ｂに相当するのは、外部端子電極１５Ｆｄであり、またパッド１５Ｃｃ、パッド１５Ｃｃとパッド１５Ｃｆを導通する導体１５、およびパッド１５Ｃｆである。第４の伝送路９Ｄに相当するのは、パッド１５Ｃｆと第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂのベース端子を接続する金線１６である。

本発明の実施の形態に係る発光部品は、定電流回路６Ａを用いた発光部品１Ａ以外に、たとえば以下に説明する図３に示す定電流回路６Ｂを用いた発光部品１Ｂ（図４、図５参照）、図３に示す定電流回路６Ｃを用いた発光部品１Ｃ（図６、図７参照）、図３に示す定電流回路６Ｄを用いた発光部品１Ｄ（図８、図９参照）等とすることができる。

図３（Ｂ）に示す定電流回路６Ｂの回路構成について説明する。なお、定電流回路６Ａの構成部品と同一の部材、同一の機能を有する部材には、定電流回路６Ａ中の符号と同一の符号を付して説明する。

定電流回路６Ｂは、＋入力端子７と−入力端子８を有している。そして、＋入力端子７と−入力端子８との間には、分岐する第１の伝送路９Ａと第２の伝送路９Ｂとを有している。そして、第１の伝送路９Ａには、＋入力端子７側から順に、ＬＥＤ２、定電流回路６Ａの第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａに相当するＮＰＮ型トランジスタ５Ａ、第１の抵抗素子３Ａが接続されている。そして、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａは、そのコレクタよりもエミッタを−入力端子８側に位置させるように配置されている。そして、第２の伝送路９Ｂには、＋入力端子７側から順に、第２の抵抗素子３Ｂ、ダイオード１１Ａ，１１Ｂが、そのアノードからカソードへの方向と＋入力端子７から−入力端子８への方向とが一致するように直列に接続されている。そして、第２の伝送路９Ｂの第２の抵抗素子３Ｂとダイオード１１の間の第１の接点１０Ａと、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベースとが、第３の伝送路９Ｃによって接続されている。

次に、定電流回路６Ｂの動作を説明する。

＋入力端子７と−入力端子８の間に電圧が印加されると、第２の抵抗素子３Ｂによるバイアス抵抗によってＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベースに電圧が印加され、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａがオンの状態となる。すると、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのコレクタとエミッタとの間の導通が可能となり、ＬＥＤ２に電流が供給される。そのとき、＋入力端子７から−入力端子８へと電流が流れることとなる。その際に、第１の抵抗素子３Ａにも電流が流れる。他方、第２の伝送路９Ｂのダイオード１１にも電流が流れる。このダイオード１１に順方向に電流を流すと、ダイオード１１自身の抵抗によって電圧降下する。すると、ダイオード１１自身の抵抗値が急激に小さくなるため、余剰分の電流は第２の伝送路９Ｂを通る。ダイオード１１の電圧降下は、ほぼ０．５Ｖ〜１Ｖと一定しており、２つのダイオード１１Ａ，１１Ｂによってほぼ１Ｖ〜２Ｖの電圧降下が生じる。この電圧降下は、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベース−エミッタ間の電圧降下と第１の抵抗素子３Ａによる電圧降下とを加えたものと等しくなる。この結果、第１の抵抗素子３Ａの抵抗値をＲ_１とし、第１の接点１０Ａの電圧をＶ_２としたとき、第１の抵抗素子３Ａを流れる電流Ｉ_２は、Ｖ_２／Ｒ_１となり、一定となる。このように、ＬＥＤ２へと流れる電流を一定にして、ＬＥＤ２の光度のばらつきを低減する。ここで、ダイオード１１Ａ，１１Ｂを直列に接続している理由は、ダイオード１１の電圧降下する電圧を調整するためである。ダイオード１１の直列接続数は、その電圧降下する電圧をどの程度にするかによって適宜変更できる。

次に、定電流回路６Ｂの具体的動作を説明する。

＋入力端子７から電源を供給すると同一特性の２つのダイオード１１Ａ，１１Ｂの順方向電圧（この実施の形態ではＶｆ＝０．５４Ｖ）によって、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベース電圧（ＶＢ）が、（Ｖｆ×２＝１．０８Ｖ）となって、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａがオンとなる。そしてＮＰＮ型トランジスタ５Ａのエミッタ電圧（ＶＥ）は、（Ｖｆ×２−Ｖｂｅ）となる。ここでＶｂｅは、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベース・エミッタ間電圧であり、０．６５Ｖである。そのとき、第１の抵抗素子３Ａの抵抗値Ｒ_１を２１．５Ωとする第１の抵抗素子３Ａを有する第１の伝送路９Ａに流れる電流（Ｉ_２）は、（ＶＥ／Ｒ_１＝（０．５４×２−０．６５）／２１．５）で制限され、定電流（２０ｍＡ）となる。

ここで、図３（Ｂ）に示される定電流回路６Ｂと、この定電流回路が実現されている発光部品１Ｂの構造を示す図４、図５の対応関係について説明する。図５（Ａ）に示す＋入力端子７、−入力端子８および第１の接点１０Ａの位置は、図５（Ｆ）に示す発光部品１Ｂの底面図における外部端子電極１５Ｆｅ〜１５Ｆｇの位置と対応する。＋入力端子７に相当するのは、外部端子電極１５Ｆｆである。−入力端子８に相当するのは、外部端子電極１５Ｆｇである。第１の接点１０Ａに相当するのは、外部端子電極１５Ｆｅである。第１の伝送路９Ａに相当するのは、外部端子電極１５Ｆｆ（＋入力端子７に相当）からパッド１５Ｃｇまでの導体１５、パッド１５Ｃｇ、パッド１５ＣｇとＬＥＤ２のアノード端子を接続する金線１６、ＬＥＤ２、ＬＥＤ２のカソード端子とパッド１５Ｃｈを接続する金線１６、パッド１５Ｃｈ、パッド１５Ｃｈに接続する浮島状の導体１５、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａ、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａのエミッタ端子とパッド１５Ｃｉを接続する金線１６、パッド１５Ｃｉ、パッド１５Ｃｉから外部端子電極１５Ｆｈまでの導体１５、外部端子電極１５Ｆｈおよび第１の抵抗素子３Ａの一方の抵抗用電極１５Ｂ、抵抗体膜１８、他方の抵抗用電極１５Ｂから外部端子電極１５Ｆｇまでの導体１５および外部端子電極１５Ｆｇ（−入力端子８に相当）である。

第２の伝送路９Ｂに相当するのは、第２の抵抗素子３Ｂの一方の抵抗用電極１５Ｂ、抵抗体膜１８、他方の抵抗用電極１５Ｂ、他方の抵抗用電極１５Ｂから外部端子電極１５Ｆｅまでの導体１５、外部端子電極１５Ｆｅ、外部端子電極１５Ｆｅからパッド１５Ｃｊまでの導体１５、パッド１５Ｃｊ、パッド１５Ｃｊと第１のダイオード１１Ａのアノード端子までの金線１６、第１のダイオード１１Ａ、第１のダイオード１１Ａのカソード端子と接続する浮島状の導体１５、その浮島状の導体１５に接続するパッド１５Ｃｋ、パッド１５Ｃｋ、パッド１５Ｃｋと第２のダイオード１１Ｂのアノード端子を接続する金線１６、第２のダイオード１１Ｂ、第２のダイオード１１Ｂのカソード端子と接続する浮島状の導体１５、その浮島状の導体１５から外部端子電極１５Ｆｇまでの導体１５および外部端子電極１５Ｆｇ（−入力端子８に相当）である。第１の接点１０Ａに相当するのは、外部端子電極１５Ｆｅであり、またパッド１５Ｃｊである。第３の伝送路９Ｃに相当するのは、パッド１５Ｃｊと第１のトランジスタ５Ｂのベース端子に接続する浮島状の導体１５を接続する金線１６およびその浮島状の導体１５である。

次に、図３（Ｃ）に示す定電流回路６Ｃの回路構成について説明する。なお、定電流回路６Ａの構成部品と同一の部材、同一の機能を有する部材には、定電流回路６Ａ中の符号と同一の符号を付して説明する。

定電流回路６Ｃは、＋入力端子７と−入力端子８を有している。そして、＋入力端子７と−入力端子８との間には、分岐する第１の伝送路９Ａと第２の伝送路９Ｂとを有している。そして、第１の伝送路９Ａには、＋入力端子７側から順に、ＬＥＤ２、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａ、第１の抵抗素子３Ａが接続されている。そして、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａは、そのコレクタよりもエミッタを−入力端子８側に位置させるように配置されている。そして、第２の伝送路９Ｂには、＋入力端子７側から順に、第２の抵抗素子３Ｂ、ダイオードであるツェナーダイオード１１Ｃが、そのアノードからカソードへの方向と−入力端子８から＋入力端子７への方向とが一致するように接続されている。そして、第２の伝送路９Ｂの第２の抵抗素子３Ｂとツェナーダイオード１１Ｃの間の第１の接点１０Ａと、ＮＰＮ型トランジスタ５のベースとが第３の伝送路９Ｃによって接続されている。

次に、定電流回路６Ｃの動作を説明する。

＋入力端子７と−入力端子８の間に電圧が印加されると、第２の抵抗素子３Ｂによるバイアス抵抗によってＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベースに電圧が印加され、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａがオンの状態となる。すると、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのコレクタ−エミッタ間の導通が可能となり、ＬＥＤ２に電流が供給される。そのとき、＋入力端子７から−入力端子８へと電流が流れることとなる。その際に、第１の抵抗素子３Ａにも電流が流れる。他方、第２の伝送路９Ｂのツェナーダイオード１１Ｃにも電流が流れる。このツェナーダイオード１１Ｃに逆方向に電流を流すと、ツェナーダイオード１１Ｃの抵抗値が急激に小さくなるため、余剰分の電流は第２の伝送路９Ｂを通る。ツェナーダイオード１１Ｃのツェナー電圧によって異なる電圧降下は、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベース−エミッタ間の電圧降下と第１の抵抗素子３Ａによる電圧降下とを加えたものと等しくなる。この結果、第１の抵抗素子３Ａの抵抗値をＲ_１とし、第１の接点１０Ａの電圧をＶ_３としたとき、第１の抵抗素子３Ａを流れる電流Ｉ_３は、Ｖ_３／Ｒ_１となり、一定となる。このように、ＬＥＤ２へと流れる電流を一定にして、ＬＥＤ２の光度のばらつきを低減する。

次に、定電流回路６Ｃの具体的動作を説明する。

＋入力端子７と−入力端子８の間に電圧が印加されるとツェナーダイオード１１Ｃのツェナー電圧（Ｖｚ＝２．０Ｖ）によって、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベース電圧（ＶＢ）がＶｚとなり、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａがオンとなる。そしてＮＰＮ型トランジスタ５Ａのエミッタ電圧（ＶＥ）は、（Ｖｚ−Ｖｂｅ）となる。ここでＶｂｅは、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベース・エミッタ間電圧であり、０．６５Ｖである。そのとき、第１の抵抗素子３Ａ抵抗値Ｒ_１を６７．５Ωとする第１の抵抗素子３Ａを有する第１の伝送路９Ａに流れる電流（ＩＥ）は、（ＶＥ／Ｒ１＝（２．０−０．６５）／６７．５）で制限され、定電流（２０ｍＡ）となる。

図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示した定電流回路６Ａ，６Ｂ，６Ｃは、抵抗素子３を２個有し、２個の抵抗素子３の双方に対し、トリミングが施されている。こうすることで、複数の抵抗素子３を有する安定的な定電流回路６Ａ，６Ｂ，６Ｃを構成できる。

ここで、図３（Ｃ）に示しされる定電流回路６Ｃと、この定電流回路６Ｃが実現されている発光部品１Ｃの構造を示す図６、図７の対応関係について説明する。図７（Ａ）に示す＋入力端子７、−入力端子８および第１の接点１０Ａの位置は、図７（Ｆ）に示す発光部品１Ｂの底面図における外部端子電極１５Ｆｉ〜１５Ｆｋの位置と対応する。図７（Ａ）に示す外部端子電極１５Ｆｉ，１５Ｆｊ，１５Ｆｋ，１５Ｆｌの位置は、図７（Ｆ）に示す発光部品１Ｃの底面図における外部端子電極の位置と対応する。＋入力端子７に相当するのは、外部端子電極１５Ｆｊである。−入力端子８に相当するのは、外部端子電極１５Ｆｋである。第１の接点１０Ａに相当するのは、外部端子電極１５Ｆｉである。第１の伝送路９Ａに相当するのは、外部端子電極１５Ｆｊ（＋入力端子７に相当）からパッド１５Ｃｌまでの導体１５、パッド１５Ｃｌ、パッド１５ＣｌとＬＥＤ２のアノード端子を接続する金線１６、ＬＥＤ２、ＬＥＤ２のカソード端子とパッド１５Ｃｍを接続する金線１６、パッド１５Ｃｍ、パッド１５Ｃｍに接続する浮島状の導体１５、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのエミッタ端子とパッド１５Ｃｎを接続する金線１６、パッド１５Ｃｎ、パッド１５Ｃｎから外部端子電極１５Ｆｌまでの導体１５、外部端子電極１５Ｆｌおよび第１の抵抗素子３Ａの一方の抵抗用電極１５Ｂ、抵抗体膜１８、他方の抵抗用電極１５Ｂから外部端子電極１５Ｆｋまでの導体１５および外部端子電極１５Ｆｇ（−入力端子８に相当）である。

第２の伝送路９Ｂに相当するのは、第２の抵抗素子３Ｂの一方の抵抗用電極１５Ｂ、抵抗体膜１８、他方の抵抗用電極１５Ｂ、他方の抵抗用電極１５Ｂから外部端子電極１５Ｆｉまでの導体１５、外部端子電極１５Ｆｉ、外部端子電極１５Ｆｉからパッド１５Ｃｏまでの導体１５、パッド１５Ｃｏ、パッド１５Ｃｏとツェナーダイオード１１Ｃのカソード端子を接続する金線１６、ツェナーダイオード１１Ｃのアノード端子と接続する浮島状の導体１５、その浮島状の導体１５から外部端子電極１５Ｆｋまでの導体１５および外部端子電極１５Ｆｇ（−入力端子８に相当）である。第１の接点１０Ａに相当するのは、パッド１５Ｃｏである。第３の伝送路９Ｃに相当するのは、パッド１５Ｃｏと第１のトランジスタ５Ｂのベース端子に接続する浮島状の導体１５を接続する金線１６およびその浮島状の導体１５である。

今まで、抵抗素子３が２個配置される例を示したが、定電流回路の種類によっては、抵抗素子３が２個でなくても良い場合がある。たとえば、図３（Ｄ）に示す定電流回路６Dである。定電流回路６Dの回路構成について説明する。定電流回路６Dは、＋入力端子７と−入力端子８を有している。そして、＋入力端子７と−入力端子８との間には、＋入力端子７側から順に、ＬＥＤ２、トランジスタの一種であるｎチャネルの電界効果型トランジスタ５Ｃが配置されている。そして、一つの第３の抵抗素子３Ｃを介して、電界効果型トランジスタ５Ｃのゲートとドレインが短絡されている。

定電流回路６Ｄの詳細を説明する。

定電流回路６Ｄでは、ｎチャネルの接合型電界効果型トランジスタ（ＪＦＥＴ：Junction Field-Effect Transistor）５Ｃを用いている。ＪＦＥＴ５Ｃは、ゲートとソースとの間の電圧（ＶＧＳ）によってドレインとソースの間に流れる電流を制御することができる素子である。ＶＧＳが零Ｖの時にドレイン電流は最大の電流（ＩＤＳＳ）になる。ＶＧＳが零、すなわち、ゲートとソースを短絡した状態ではＩＤＳＳ以上の電流は流せない。また、電源の電圧が十分であればＩＤＳＳ以下の電流にもならない。この特性を利用して定電流回路６Ｄが構成され、ＬＥＤ２の光度のばらつきを低減する。ここで、ゲートとソースとの間に接続される一つの第３の抵抗素子３Ｃには、ＩＤＳＳの調整、すなわちＬＥＤ２の光度を調整するためのトリミング溝２３が形成されている。

定電流回路６Ｄでは、第３の抵抗素子３Ｃにトリミングを施すことによって、その抵抗値Ｒ３を調整する。そして、式「ＩＤＳＳ＝ＶＧＳ／Ｒ３」に基づいて、抵抗値Ｒ３の調整に伴ってＩＤＳＳを調整することができる。

ここで、図３（Ｄ）に示される定電流回路６Ｄと、この定電流回路が実現されている発光部品１Ｄの構造を示す図８、図９の対応関係について説明する。図９（Ａ）に示す＋入力端子７、−入力端子８の位置は、図５（Ｆ）に示す発光部品１Ｂの底面図における外部端子電極１５Ｆｎ〜１５Ｆｏの位置と対応する。

＋入力端子７に相当するのは、外部端子電極１５Ｆｎである。−入力端子８に相当するのは、外部端子電極１５Ｆｏまたは外部端子電極１５Ｆｍである。外部端子電極１５Ｆｏと外部端子電極１５Ｆｍは、基板４の表面において導体１５によって導通している（図９（Ａ）を参照）。＋入力端子７からＬＥＤ２のアノード端子までの伝送路は、外部端子電極１５Ｆｎ（＋入力端子７に相当）からパッド１５Ｃｐまでの導体１５、パッド１５Ｃｐ、パッド１５ＣｐとＬＥＤ２のアノード端子を接続する金線１６である。

ＬＥＤ２のカソード端子から電解効果型トランジスタ５Ｃのドレイン端子までの伝送路は、ＬＥＤ２のカソード端子とパッド１５Ｃｑを接続する金線１６、パッド１５Ｃｑ、パッド１５Ｃｑから電解効果型トランジスタ５Ｃのドレイン端子までの浮島状の導体１５である。電解効果型トランジスタ５Ｃのソース端子から第３の抵抗素子３Ｃまでの伝送路は、電解効果型トランジスタ５Ｃのソース端子とパッド１５Ｃｓを接続する金線１６、パッド１５Ｃｓ、パッド１５Ｃｓから外部端子電極１５Ｆｐまでの導体１５、外部端子電極１５Ｆｐ、外部端子電極１５Ｆｐから抵抗用電極１５Ｂまでの導体１５およびその抵抗用電極１５Ｂである。第３の抵抗素子３Ｃから電解効果型トランジスタ５Ｃのゲート端子までの伝送路は、外部端子電極１５Ｆｏ（−入力端子８に相当）から抵抗用電極１５Ｂまでの導体１５およびその抵抗用電極１５Ｂ、外部端子電極１５Ｆｏからパッド１５Ｃｒまでの導体１５、パッド１５Ｃｒ、パッド１５Ｃｒと電解効果型トランジスタ５Ｃのゲート端子とを接続する金線１６である。

なお、定電流回路６Ｄの一つの第３の抵抗素子３Ｃに代えて、複数の抵抗素子を直列に接続させたものを用いることができる。そして、その複数の抵抗素子のうち、１つ以上に対してトリミングを施すことができる。また、２つ以上の抵抗素子にトリミングを施すことによって、トリミングによって抵抗素子が損傷する場合であっても、その損傷を１つの第３の抵抗素子３Ｃに集中させることなく、２つ以上の抵抗素子に分散させることができる。

定電流回路６Ａは、部品コストを低く抑えることができる点等で有利である。定電流回路６Ｂは、通電前後に渡る温度変化が小さい点等で有利である。定電流回路６Ｃは、通電前後に渡る温度変化が、さらに小さい点等で有利である。定電流回路６Ｄは、抵抗素子が一つで足り、部品コストが低いことに加え、第３の抵抗素子３Ｃを製造するコスト、後述するワイヤボンディングに係るコスト等の製造コストを低く抑えることができる点等で有利である。

なお、図４には、定電流回路６Ｂを用いた場合の発光部品１Ｂの斜視図を、図５には、発光部品１Ｂの六面図を示している。図６には、定電流回路６Ｃを用いた場合の発光部品１Ｃの斜視図を、図７には発光部品１Ｃの六面図を示している。図８には、定電流回路６Ｄを用いた場合の発光部品１Ｄの斜視図を、図９には、発光部品１Ｄの六面図を示している。これらそれぞれの六面図は、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は右側面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は背面図、（Ｆ）は底面図をそれぞれ示している。

次に、本発明の実施の形態に係る発光部品１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄの製造法について、図面を参照しながら、以下に説明する。なお、代表例として発光部品１Ａについて詳細を説明し、発光部品１Ｂ，１Ｃ，１Ｄについては、相違点等を述べるにとどめる。

（発光部品１Ａの製造法）
本発明の実施の形態に係る発光部品１Ａの製造に当っては、表面に縦横に交差する線状分割部４Ｂを有し、線状分割部４Ｂで囲われる単位絶縁基板４Ａの各々の、縦横の一方の辺の長さをｘ、他方の辺の長さをｙとした場合、ｘ／ｙの比の値が１以上１．５以下とした単位絶縁基板４Ａを複数有する分割部付き大型絶縁基板４Ｃを用いる。そして、発光部品１Ａの製造法は、この大型絶縁基板４Ｃの裏面であって、単位絶縁基板４Ａ各々の裏面に抵抗値調整されていない抵抗素子仕掛品３’を配置する抵抗形成工程と、単位絶縁基板４Ａ各々に、ＬＥＤ２と、トランジスタ５が分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面に配置されるように形成する配置工程と、単位絶縁基板４Ａ毎に、定電流回路６Ａを構成するように、抵抗素子仕掛品３’、ＬＥＤ２、トランジスタ５の相互間を接続する導体を配置する導体形成工程と、配置工程および導体形成工程の終了後に、単位絶縁基板４Ａに配置される各ＬＥＤ２の光度が所定範囲となるよう各抵抗素子仕掛品３’の抵抗値を調整するトリミング工程と、トリミング工程の終了後に、線状分割部４Ｂに沿って分割部付き大型絶縁基板４Ｃを個々の単位絶縁基板４Ａへと分割する分割工程と、を有する

さらに、本発明の実施の形態に係る発光部品１Ａの製造法は、配置工程以前に、多数の貫通孔１２Ｃを有する大型貫通部材１２Ｄを、単位絶縁基板４Ａ各々の表面に、貫通孔１２Ｃの開口部が対向するように分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面に固着する固着工程を設け、分割工程の際に、分割部付き大型絶縁基板４Ｃと共に大型貫通部材１２Ｄを個々の貫通部材１２へと分割する。

発光部品１Ａの製造法を各工程に分けて説明する。

図１０および図１１は、発光部品１Ａを製造する過程を表した図である。各工程の説明に当たって、図１０（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）（Ｈ）、図１１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）（Ｆ）の図では、本来、分割部付き大型絶縁基板４Ｃ全体について示すべきだが、説明の便宜上、単位絶縁基板４Ａ（先に示した基板４に相当）の大きさで示している。図１０は、大型絶縁基板４Ｃ（基板４）の裏面側、図１１は、大型絶縁基板４Ｃ（基板４）の表面側を示している。

（抵抗形成工程）
まず、アルミナセラミックからなる分割部付き大型絶縁基板４Ｃを用意する（図１０（Ａ））。この分割部付き大型絶縁基板４Ｃは、表面に縦横に交差する縦横に線状分割部４Ｂ（分割用溝）およびスルーホール２２を有している。抵抗形成工程は、この分割部付き大型絶縁基板４Ｃに対して行う。

次に、導体１５を分割部付き大型絶縁基板４Ｃへ形成する。図１０（Ｃ）および図１１（Ｂ）では、基板４の表裏面（図１０（Ｂ）、図１１（Ａ））に対して、導体１５を形成した状態を示している。導体１５の一部は、配置の対象となる抵抗素子３の抵抗用電極１５Ｂとなる。また導体１５の一部は、図３に示す各種伝送路９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄの一部、バンプ２１の配置面、抵抗用電極１５Ｂ、側面電極１５Ｄおよび裏面電極１５Ｅとなる。なお、基板４の表面側に形成する、浮島状の導体１５は、ＬＥＤ２等を配置する際の配置位置の目印としての役割をも担っている。

導体１５の形成方法について述べる。

最初に分割部付き大型絶縁基板４Ｃの裏面に、銀−パラジウム合金粉末のメタルグレーズペースト（インク）を、スルーホール印刷法によって配置し、それを焼成して導体１５を形成する（図１０（Ｃ））。そして、分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面にも同様のスルーホール印刷を行い、焼成する（図１１（Ｂ））。ここで、スルーホール印刷法とは、印刷面とは反対側の基板４面側からスルーホール２２を介して吸気しながらスクリーン印刷を行うことである。このスルーホール印刷法によって、インクが分割部付き大型絶縁基板４Ｃのスルーホール２２の内壁面の一部または全部を覆う。よって、分割部付き大型絶縁基板４Ｃの両面に対してスルーホール印刷を行うことで、スルーホール２２の内壁面（＝貫通孔の外周面）において、分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表裏両面に形成した導体１５が接続する。

ここで、分割部付き大型絶縁基板４Ｃの裏面では、この後、図１０（Ｄ）に示されるようにバンプ２１の形成を行う。そうすることによって、後に抵抗素子３の抵抗体膜１８がこの裏面に形成された後でもその抵抗体膜１８よりも背丈が高い外部端子電極１５Ｆａ〜１５Ｆｄを形成することができる。このバンプ２１の形成の際には、スルーホール印刷を行わず、先に形成した導体１５のうち、後に外部端子電極１５Ｆａ〜１５Ｆｄ（表面実装する際の実装面と対向する電極部分）となる基板４の端部に点在するように形成する。このバンプ２１の形成時期は、現段階の導体１５の形成時期とするのではなく、その後の抵抗体膜１８の形成後、ガラス膜１９の形成後、オーバーコート膜２０の形成後、トリミング工程の後等とすることができる。

なお、基板４の裏面に形成する２つの抵抗素子３Ａ，３Ｂの２対の抵抗用電極１５Ｂ間の距離は、異ならせている。この理由は、その２つの抵抗素子３Ａ，３Ｂの抵抗値が大きく異なるのが求められ、後述する抵抗体ペーストの種類を異ならせるのみでは、各々の適正な抵抗値とすることが困難な場合があるためである。この２対の抵抗用電極１５Ｂ間の距離は、等しくしても良いことは言うまでもない。

次に、表面にパッド１５Ｃａ，１５Ｃｂ，１５Ｃｃ，１５Ｃｄ，１５Ｃｅ，１５Ｃｆを形成する。ここでは、分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面に対して、金ペーストを用いたスクリーン印刷を行う。この金ペーストは、導体１５と接触する位置に印刷配置する。パッド１５Ｃａ，１５Ｃｃ，１５Ｃｅ，１５Ｃｆは、基板４の裏面から表面へと電気接続されている表面側の導体１５の先端部分と接触するよう印刷配置される。パッド１５Ｃｂは、後に第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａが配置される浮島状の導体１５と接触するように、パッド１５Ｃｄは、基板４の裏面から表面へと電気接続されている導体１５の先端部分および後に第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂが配置される浮島状の導体１５と接触するように印刷配置する。その後、分割部付き大型絶縁基板４Ｃを焼成してパッド１５Ｃａ〜１５Ｃｆを固定する（図１１（Ｃ）参照）。このパッド１５Ｃａ〜１５Ｃｆは、導体１５とボンディングワイヤとなる金線１６との接続を確実ならしめる役割を担う。

次に抵抗体膜１８を裏面に形成する。そこで、酸化ルテニウムと金属との混合粉末のメタルグレーズペースト（インク）を用い、分割部付き大型絶縁基板４Ｃの裏面の、対となる抵抗用電極１５Ｂの双方に接触するように、スクリーン印刷によって配置し、それを焼成して形成する（図１０（Ｅ）参照）。この結果、一対の抵抗用電極１５Ｂの双方に抵抗体膜１８が接触するように形成した抵抗素子仕掛品３’が形成される。この抵抗体膜１８の形成は、もう一度インクの種類を変えて行う。そうすることで、２つの抵抗素子仕掛品３’の抵抗値を異ならせる。

次にガラス膜１９を形成する。ここでは、ガラスペースト（インク）を用い、先に形成した抵抗体膜１８のみならず、基板４（分割部付き大型絶縁基板４Ｃ）の裏面を、裏面電極１５Ｅ，側面電極１５Ｄおよびバンプ２１の部分を除いて覆うようにスクリーン印刷によって配置し、それを焼成して形成する（図１０（Ｆ）参照）。ここで、ガラス膜１９は、抵抗用電極１５Ｂと抵抗体膜１８が重なり合う部分にも形成している。よって、この部分は、抵抗素子仕掛品３’の構成部分の中で最も厚みの大きい部分となる。ただし、ガラス膜１９は、トリミング溝２３の形成の際にトリミングされない部分の抵抗体膜１８を保護するのが主たる役割である。よって、トリミング溝２３の形成がされると想定できる領域のみにガラス膜１９を形成することとしても良い。

（配置工程）
次にＬＥＤ２およびＬＥＤ２と同等以上の背丈の２つのトランジスタ５を分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面に配置する。その際には図１１（Ｄ）に示すように、基板４（単位絶縁基板４Ａ）の中央の浮島状の導体１５の上にＬＥＤ２を配置する。そしてＬＥＤ２の周囲の浮島状の導体１５の上にトランジスタ５（具体的には第１、第２のトランジスタ５Ａ，５Ｂ）を配置する。これらの配置作業の際には、チップマウンターを用いる。ＬＥＤ２およびトランジスタ５と、分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面との固着には熱硬化性の導電性樹脂接着剤（ダイボンディングペースト）を用いる。この接着剤は針先に付着させて、その針先を分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面の中心位置に配置されている浮島状の導体１５に接触させることで供給する。また、注射器のようなシリンジを用いてその導電性樹脂接着剤を供給しても良い。なお、この工程によって、トタンジスタ５の底面にあるコレクタ端子と、浮島状の導体１５とが電気接続する。

以上の抵抗形成工程および配置工程は、図４および図５に示す発光部品１Ｂ、図６および図７に示す発光部品１Ｃ、図８および図９に示す発光部品１Ｄについても同様に行うことができる。導体１５、パッド１５Ｃｇ，１５Ｃｈ，１５Ｃｉ，１５Ｃｊ，１５Ｃｋ，１５Ｃｌ，１５Ｃｍ，１５Ｃｎ，１５Ｃｏ，１５Ｃｐ，１５Ｃｑ，１５Ｃｒ，１５Ｃｓおよび抵抗体膜１８の形成パターンは、各々図５、図７、図９に示すようにする。また、発光部品１Ｂの場合は、ＬＥＤ２、２つのダイオード１１およびトランジスタ５Ａを基板４の表面に配置する。発光部品１Ｃの場合は、ＬＥＤ２、ツェナーダイオード１１Ｃおよびトランジスタ５Ａを基板４の表面に配置する。発光部品１Ｄの場合は、ＬＥＤ２および電解効果型トランジスタ５Ｃを基板４の表面に配置する。

（導体形成工程）
この導体形成工程では、抵抗形成工程および配置工程で形成された導体１５、パッド１５Ｃ、抵抗素子仕掛品３’、ＬＥＤ２およびトランジスタ５が、図３（Ａ）に示す定電流回路６Ａを構成するように、６本の金線１６を用いたワイヤボンディングを行う（図１１（Ｅ）参照）。

以上の導体形成工程は、図４および図５に示す発光部品１Ｂ、図６および図７に示す発光部品１Ｃ、図８および図９に示す発光部品１Ｄについても同様に行うことができる。定電流回路６Ｂを形成するには、配置工程において凹部１３の底面にＬＥＤ２および２つのダイオード（１１Ａ，１１Ｂ）を配置し、導体形成工程では図３（Ｂ）の回路構成となるよう、金線１６を用いてワイヤボンディングを行う。定電流回路６Ｃを形成するには、配置工程において凹部１３の底面にＬＥＤ２およびツェナーダイオード１１Ｃを配置し、導体形成工程では図３（Ｃ）の回路構成となるよう、金線１６を用いてワイヤボンディングを行う。定電流回路６Ｄを形成するには、抵抗形成工程において抵抗素子仕掛品３’を１つ形成し、かつ配置工程において、凹部１３の底面にＬＥＤ２および電解効果型トランジスタ５Ｃを配置し、導体形成工程では図３（Ｄ）の回路構成となるよう、金線１６を用いてワイヤボンディングを行う。

具体的な発光部品１Ａの定電流回路６Ａを形成するための、金線１６を用いた導体形成工程を、図２（Ａ）を参照しながら説明する。ＬＥＤ２のアノード端子とパッド１５Ｃａを接続する。この接続で、ＬＥＤ２のアノード端子と＋入力端子７に相当する外部端子電極１５Ｆｂが接続される。そしてＬＥＤ２のカソード端子とパッド１５Ｃｂを接続する。この接続で、ＬＥＤ２のカソード端子と第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａのコレクタが接続される。そして、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａのエミッタ端子とパッド１５Ｃｃを接続する。この接続で、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａのエミッタ端子と第１の抵抗素子３Ａに係る抵抗素子仕掛品３’（トリミングが施される前の第１の抵抗素子３Ａ）が接続される。そして、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベース端子とパッド１５Ｃｄを接続する。この接続で、第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベース端子と第２の抵抗素子３Ｂに係る抵抗素子仕掛品３’（トリミングが施される前の第２の抵抗素子３Ｂ）が接続される。そして、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂのエミッタ端子とパッド１５Ｃｅを接続する。この接続で、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂのエミッタ端子と−入力端子８に相当する外部端子電極１５Ｆｃが接続される。そして、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂのベース端子とパッド１５Ｃｆを接続する。この接続で、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ｂのベース端子と第１の抵抗素子３Ａが接続される。

発光部品１Ｂの定電流回路６Ｂ形成のための、金線１６を用いた具体的な導体形成工程を、図５（Ａ）を参照しながら説明する。ＬＥＤ２のアノード端子とパッド１５Ｃｇを接続する。この接続で、ＬＥＤ２のアノード端子と＋入力端子７に相当する外部端子電極１５Ｆｆが接続される。そしてＬＥＤ２のカソード端子とパッド１５Ｃｈを接続する。この接続で、ＬＥＤ２のカソード端子とＮＰＮ型トランジスタ５Ａのコレクタ端子が接続される。そして、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのエミッタ端子とパッド１５Ｃｉを接続する。この接続で、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのエミッタ端子と第１の抵抗素子３Ａに係る抵抗素子仕掛品３’（トリミングが施される前の第１の抵抗素子３Ａ）が接続される。そして、ダイオード１１Ａのアノード端子とパッド１５Ｃｊを接続する。この接続で、ダイオード１１Ａのアノード端子と第２の抵抗素子３Ｂに係る抵抗素子仕掛品３’が接続される。そして、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベース端子とパッド１５Ｃｊを接続する。この接続で、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベース端子と第２の抵抗素子３Ｂに係る抵抗素子仕掛品３’が接続される。そして、ダイオード１１Ｂのアノード端子とパッド１５Ｃｋを接続する。この接続で、ダイオード１１Ａのカソード端子とダイオード１１Ｂのアノード端子が接続される。

次に、発光部品１Ｃの定電流回路６Ｃ形成のための、金線１６を用いた具体的な導体形成工程を、図７（Ａ）を参照しながら説明する。ＬＥＤ２のアノード端子とパッド１５Ｃｌを接続する。この接続で、ＬＥＤ２のアノード端子と＋入力端子７に相当する外部端子電極１５Ｆｊが接続される。そしてＬＥＤ２のカソード端子とパッド１５Ｃｍを接続する。この接続で、ＬＥＤ２のカソード端子とＮＰＮ型トランジスタ５Ａのコレクタ端子が接続される。そして、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのエミッタ端子とパッド１５Ｃｎを接続する。この接続で、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのエミッタ端子と第１の抵抗素子３Ａに係る抵抗素子仕掛品３’が接続される。そして、ツェナーダイオード１１Ｃのカソード端子とパッド１５Ｃｏを接続する。この接続で、ツェナーダイオード１１Ｃのカソード端子と第２の抵抗素子３Ｂに係る抵抗素子仕掛品３’が接続される。そして、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａのベース端子とパッド１５Ｃｏを接続する。この接続で、トランジスタ５Ａのベース端子と第２の抵抗素子３Ｂに係る抵抗素子仕掛品３’が接続される。

発光部品１Ｄの定電流回路６Ｄ形成のための、金線１６を用いた具体的な導体形成工程を、図９（Ａ）を参照しながら説明する。ＬＥＤ２のアノード端子とパッド１５Ｃｐを接続する。この接続で、ＬＥＤ２のアノード端子と＋入力端子７に相当する外部端子電極１５Ｆｎが接続される。そして、ＬＥＤ２のカソード端子とパッド１５Ｃｑを接続する。この接続で、ＬＥＤ２のカソード端子と電解効果型トランジスタ５Ｃのドレイン端子を接続する。そして、電解効果型トランジスタ５Ｃのゲート端子とソース端子をパッド１５Ｃｒおよびパッド１５Ｃｓに各々接続する。この接続で、電解効果型トランジスタ５Ｃのゲート端子とソース端子の間が第３の抵抗素子３Ｃに係る抵抗素子仕掛品３’を介して短絡される。

（固着工程）
次に行う固着工程について説明する。まず固着工程後の基板４の平面図を図１１（Ｆ）に示す。そして、この固着工程の際に用いる大型貫通部材１２Ｄの平面図を図１１（Ｇ）に示す。大型貫通部材１２Ｄは、多数に分割されることで、複数の貫通部材１２を形成するものである。この大型貫通部材１２Ｄは、液晶ポリマー成形体である。大型貫通部材１２Ｄの裏面には、貫通部材用分割線１２Ｅが、線状分割部４Ｂと同一の間隔で縦横に形成されている。また大型貫通部材１２Ｄには、横方向の貫通部材用分割線１２Ｅが形成されている部分の裏側、すなわち、表面に薄肉部１２Ｂ（貫通部材１２の薄肉部１２に対応）が形成されている。さらに大型貫通部材１２Ｄには、図１および図２に示すカソードマーク１２Ａに相当する部分を有している。

固着工程では、配置工程が終了した分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面（ＬＥＤ２が配置されている側の面）と、大型貫通部材１２Ｄの裏面（貫通部材用分割線１２Ｅが形成されている側の面）とを熱硬化性接着剤（エポキシ系）を用いて固着する。この固着に際しては、大型貫通部材１２Ｄの複数の貫通孔１２Ｃの一つが１つのＬＥＤ２および２つのトランジスタ５を囲うように、かつ、両者が有する縦横に形成された線状分割部４Ｂと貫通部材用分割線１２Ｅとが重なり合うように固着する。この結果、貫通孔１２Ｃと分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面とで多数の凹部１３が形成される。

なお、この固着工程の実施時期は、抵抗素子仕掛品３’を形成した直後や、トリミングを施した後であっても良い。ただし、配置工程および接続工程を終了させた後に固着工程を行うことで、貫通孔１２Ｃが形成された状態で、ＬＥＤ２およびトランジスタ５の載置およびワイヤボンディングを行うことを避けることができ、作業性が良好となる。なお、後述するトリミングを施した後であると、光度のばらつきの低減化の面で若干劣ることとなる。

（樹脂封止工程）
次に行う樹脂封止工程について説明する。凹部１３の中のみに透光性樹脂（図示省略）を供給して、金線１６、ＬＥＤ２およびトランジスタ５Ａ，５Ｂを封止する。透光性樹脂にはシリコーン系接着剤を用いている。そして透光性樹脂の供給には、スクリーン印刷法を用いる。その供給後、分割部付き大型絶縁基板４Ｃを加熱して、透光性樹脂を硬化させる。このように、凹部１３の中のみに透光性樹脂を配置することによって、線状分割部４Ｂに沿った基板領域に透光性樹脂が存在しないこととなる。よって、後述する分割工程において、分割部付き大型絶縁基板４Ｃの分割を阻害しない。なお、透光性樹脂を凹部１３の外に溢れるように形成したり、表面側を凸形状としたり、凹形状としたりしても良いことは前述のとおりである。

（トリミング工程）
次に行うトリミング工程について説明する。トリミング工程では、２つの抵抗素子仕掛品３’の各々に対して、異なる指標（目標値）で抵抗値調整を行う。すなわち、以下のようにトリミング工程を進める。まず図３（Ａ）に示す第２の抵抗素子３Ｂに係る一方の抵抗素子仕掛品３’（後に図３（Ａ）に示す第２の抵抗素子３Ｂとなる）について、その両端の電極（図２（Ａ）における外部端子電極１５Ｆａと外部端子電極１５Ｆｂ）にトリミングプローブを接触させ、抵抗素子仕掛品３’の抵抗値を測定しながら、抵抗体膜１８をガラス膜１９と共にレーザー照射によって局部的に蒸発させて、トリミング溝２３を形成する（図１０（Ｇ）参照）。それによって目的とする抵抗値となるまで抵抗素子仕掛品３’の電流流路を狭める。

このトリミングをすることで、図３（Ａ）に示す第１のＮＰＮ型トランジスタ５Ａのバイアス電流を調整する。その結果、第１の伝送路９Ａに電流を流して、発光部品１Ａを発光させることができる。またこの結果、第２の抵抗素子３Ｂに係る抵抗素子仕掛品３’が完成した第２の抵抗素子３Ｂとなる。ここでガラス膜１９は、トリミング溝２３形成の際の抵抗体膜１８の過剰な破壊を抑制するように作用する。なお、発光部品１Ｂ，１Ｃの場合にも同様に、第２の抵抗素子３Ｂに係る抵抗素子仕掛品３’に対してトリミングを行う。その際の、トリミングプローブを接触させる外部端子電極は、それぞれ図５（Ａ）における、外部端子電極１５Ｆｅと外部端子電極１５Ｆｆ、図７（Ａ）における、外部端子電極１５Ｆｉと外部端子電極１５Ｆｊである。

その後、他方の第１の抵抗素子３Ａに係る抵抗素子仕掛品３’（後に図３（Ａ）に示す第１の抵抗素子３Ａとなる）に対してトリミングを行う。このトリミングの際には、第１の抵抗素子３Ａに係る抵抗素子仕掛品３’の両端（図２（Ａ）における外部端子電極１５Ｆｃと外部端子電極１５Ｆｃ）にトリミングプローブを接触させ、＋入力端子７と−入力端子８の間に電流を流して、抵抗素子仕掛品３’に流れる電圧値を測定し、抵抗素子仕掛品３’の抵抗体膜１８をガラス膜１９と共にレーザー照射によって局部的に蒸発させて、トリミング溝２３を形成する（図１０（Ｇ）参照）。そして目的とする電圧値となるまで抵抗素子仕掛品３’の電流流路を狭める。

この第１の抵抗素子３Ａに係る抵抗素子仕掛品３’のトリミングをすることで、主として定電流回路６ＡがＬＥＤ２へ供給する電流値を所定範囲（たとえば２０ｍＡ）となるよう調整する。この結果、第１の抵抗素子３Ａに係る第１の抵抗素子３Ａに係る抵抗素子仕掛品３’が完成した第１の抵抗素子３Ａとなる。また、第１の抵抗素子３Ａのトリミングの際には、第１の抵抗素子３Ａに定電圧を印加したときの特定の電流値を目標値として抵抗値の調整をするようにしても良い。

なお、発光部品１Ｂ，１Ｃ，１Ｄの場合も同様のトリミングを行う。その際、発光部品１Ｂ，１Ｃの第２の抵抗素子３Ｂに係る抵抗素子仕掛品３’、に対し、トリミングプローブを接触させる外部端子電極は、それぞれ図５（Ａ）における、外部端子電極１５Ｆｆと外部端子電極１５Ｆｅ、図７（Ａ）における、外部端子電極１５Ｆｊと外部端子電極１５Ｆｉである。また、第１の抵抗素子３Ａに係る抵抗素子仕掛品３’に対し、トリミングプローブを接触させる外部端子電極は、それぞれ図５（Ａ）における、外部端子電極１５Ｆｈと外部端子電極１５Ｆｇ、図７（Ａ）における、外部端子電極１５Ｆｌと外部端子電極１５Ｆｋである。また、発光部品１Ｄの第３の抵抗素子３Ｃに係る抵抗素子仕掛品３’に対し、トリミングプローブを接触させる外部端子電極は、外部端子電極１５Ｆｐと外部端子電極１５Ｆｏである。

定電流回路６Ａは、通電によって、または光が照射されることによって第１、第２のＮＰＮ型トランジスタ５Ａ，５ＢおよびＬＥＤ２の発熱等による特性変化が起こる。しかし、本発明の実施の形態に係るトリミング工程では、図３（Ａ）に示す＋入力端子７と−入力端子８の間に電流を流しながらトリミングを行い、所定の定電流となるようにする。よって、その特性変化を踏まえた上で、第１の抵抗素子３Ａのトリミングをすることとなるため、現実に使用する際の状態を考慮した、精度の高いトリミングを行うことができる。

このトリミング工程を行うに当たっては、第１の抵抗素子３Ａに流れる電流値を測定しながら行っている。この電流値に代えて、ＬＥＤ２の光度を測定しながらトリミング工程を行うことができる。すなわち、トリミング工程終了の指標を、ＬＥＤ２の光度とするのである。ＬＥＤ２の光度を測定しながらのトリミング工程の一例の様子を示す簡略図を図１２に示す。図１２では、トリミング工程を経ていない１個の発光部品１Ａについて示しているが、実際は、後述する分割工程前の状態でこのトリミング工程が行われる。

図１２では、トリミング工程を経ていない発光部品１Ａ（仕掛品、以下図１２の説明について同じ。）を動作させながら、トリミング装置２４から発せられたレーザ光２５を抵抗素子仕掛品３’の抵抗体膜１８部分にガラス膜１９を破り照射して、ガラス膜１９と抵抗体膜１８にトリミング溝２３を形成している。そして、トリミング溝２３の形成に伴うＬＥＤ２の発光（符号２７で示す）の光度の変化を光度計２６にて測定している。目的となる光度を得ることができたなら、レーザー光（符合２５で示す）の照射を止める。

ＬＥＤ２の光度を測定しながらのトリミング工程および前述の本発明の実施の形態に係るトリミング工程において、ＬＥＤ２が配置される側の分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面側へは、反対側の基板面側からの光が入ってこないような遮蔽手段（たとえば図１２に示す遮蔽板２８）を設けておくことが好ましい。その理由は、レーザー光２５等の光がＬＥＤ２の発する光に混入すると、精度の高いＬＥＤ２の光度の測定が困難となるためである。また、蒸発した抵抗体膜１８およびガラス膜１９が、冷却して粉末状となり、ＬＥＤ２の発光面に付着して発光部材１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄの光度に影響する等の不都合を、その遮蔽手段によって抑制できるためである。この、粉末がＬＥＤ２の発光面に付着するのを防止する効果は、第２の抵抗素子３Ｂの抵抗値を測定しながら行うトリミング工程でも得ることができる。なお、この付着防止効果は、図１２に示すように、基板４におけるＬＥＤ２の配置面と抵抗素子仕掛品３’の配置面を異ならせていること、すなわち互いに反対となる面としていることで、ＬＥＤ２と抵抗素子仕掛品３’の距離を大きく取っているため、少なからず得られている。この遮蔽手段としては、遮蔽版２８を設けずに、または遮蔽版２８を設けることに加えて、粉末を吸引する、または粉末をＬＥＤ２とは反対側へと吹き飛ばす手段等とすることができる。また遮蔽手段は、図に示すような平面角型の箱形状ではなく、円筒形状としたり、遮蔽板の側面２８ｂを設けず、底部２８ａのみとしたりしても良い。

また、ＬＥＤ２の光度を測定しながらトリミング工程を行うことは、ＬＥＤ２の輝度を測定しながらトリミング工程を行うこと（特許文献１参照）に比べ、好ましい。光度とは、発光体の放つ光の強さであり、光源からある方向に向かう単位立体角に含まれる光束の大きさである。輝度とは、発光体の単位面積当たりの明るさである。よって輝度は光源からの距離によって値が異なることとなるが、光度は光源からの距離によって値が異なることはない。トリミング工程では光源から光度計までの距離が変わってくることが想定できる。よって、ＬＥＤ２の光度を測定しながらトリミング工程を行うことが好ましい。

（オーバーコート形成工程）
この工程では、トリミング工程で形成したトリミング溝２３を被覆するように、エポキシ系樹脂ペーストを用いた樹脂膜を形成し、オーバーコート２０を配置する。そのためには、先に形成した２つの抵抗素子３のトリミング溝２３を両方とも覆うようにスクリーン印刷によって帯状にエポキシ樹脂を配置し、それを熱硬化する（図１０（Ｈ）参照）。ここで、オーバーコート２０は、抵抗体膜１８と抵抗用電極１５Ｂの重なり部分にまで及ばないようにしている。その理由は、抵抗体幕１８と抵抗用電極１５Ｂの重なり部分まで覆うと、その部分の皮膜がバンプ２１の形成部分よりも背丈が高くなってしまい、実装性が良好でなくなることがあるためである。

（分割工程）
次に行う分割工程について説明する。まず分割部付き大型絶縁基板４Ｃの、縦横に交差する線状分割部４Ｂ（分割用溝）の縦または横の一方の分割用の溝を開く方向に応力を付与する。この実施の形態では、薄肉部１２Ｂに沿った分割用の溝に沿って応力を与える。すると、アルミナセラミックが線状分割部４Ｂの線に沿って破壊する。それに伴って、破壊した線状分割部４Ｂと重なり合う位置にある大型貫通部材１２Ｄの貫通部材用分割線１２Ｅ（分割用溝）も破壊される。その結果、多数の短冊状の基板４Ｅを得ることができる（図１１（Ｈ）参照）。以下、この工程を一次分割工程と記す。図１１（Ｈ）では、作図の便宜上短冊状の基板４Ｅを、貫通部材１２側についてのみ描き、かつ貫通孔１２Ｃ内の部品は省略している。

次いで、短冊状の基板４Ｅに残されている、分割部付き大型絶縁基板４Ｃおよび大型貫通部材１２Ｄの他方の貫通部材用分割線１２Ｅ（分割用溝）を開く方向に応力を付与する。すると、アルミナセラミックが線状分割部４Ｂの線に沿って破壊される。それと共に、破壊した線状分割部４Ｂと重なり合う位置にある大型貫通部材１２Ｄの分割用溝も破壊される。その結果、多数の貫通部材１２付き単位絶縁基板４Ａ、すなわち発光部品１Ａを得ることができる（図１１（Ｉ）参照）。以下、この工程を二次分割工程と記す。図１１（Ｉ）では、作図の便宜上、発光部品１Ａを、貫通孔１２Ｃ内の部品を描かずに貫通部材１２側についてのみ描いている。以上で分割工程が終了する。

ここで、線状分割部４Ｂを分割用溝とせず、ダイシングソーを用いて線状分割部４Ｂおよび貫通部材用分割線１２Ｅに沿って縦横に切断（分割）することもできる。このダイシングソーを用いた分割は、一次および二次分割について行うことができる。また、ダイシングソーを用いた分割は、一次分割についてのみ行い、二次分割については、分割用溝を開くように応力付与する方法を採用することもできる。この分割用溝を開くように応力付与する方法は、製造コストを低く抑えることができる利点がある。また、ダイシングソーを用いた分割は、分割位置精度が高い利点および発光部品１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄが小型化した場合でも容易に対応できる利点を有している。また、ダイシングソーを用いた分割を行う場合は、線状分割部４Ｂおよび貫通部材用分割線１２Ｅは溝でなくても良いし、線状分割部４Ｂおよび貫通部材用分割線１２Ｅは不可視のものであっても良い。

また、薄肉部１２Ｂは、縦横に形成された線状分割部４Ｂおよび貫通部材用分割線１２Ｅの横方向のみに沿って設けている。しかし、分割工程をより精度良く行うためには、その横方向ばかりでなく、縦方向に沿っても設けることが好ましい。しかし、薄肉部１２Ｂは発光部品１Ａの発光機能に寄与しないため、発光部品１Ａの小型化を図る上では極力薄肉部１２Ｂを設けないことが好ましい。

（めっき工程）
次に、得られた多数の単位絶縁基板４Ａの外部端子電極１５Ｆａ〜１５Ｆｄの表面に、ニッケルめっき、はんだめっきをこの順に行う。これら外部端子電極１５Ｆａ〜１５Ｆｄの表面に上述したバレルめっき法によってニッケルめっき層およびはんだめっき層を各々形成する。ニッケルめっき層およびはんだめっき層の厚みは、各々３μｍから１２μｍとなるようにめっき時間、めっき浴の温度等のめっき条件を調整して行う。以上でめっき工程が終了する。また、以上で発光部品１Ａの製造法が終了する。また、同様にして発光部品１Ｂ，１Ｃ，１Ｄが製造される。

以上、本発明の実施の形態に係る発光部品１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄおよびその製造法について説明したが、本発明の要旨を逸脱しない限り種々変更実施可能である。たとえば、単位絶縁基板４Ａのｘ／ｙの比の値は、１．０，１．１，１．２，１．３，１．４または１．５等とすることができる。なお、複数の発光部品１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄを密に並べ、それに伴って複数の発光素子であるＬＥＤ２を密に配置できることが好ましいことから、ｘ／ｙの値は１．０〜１．３の間が好ましい。

また、本発明の実施の形態に係る発光部品１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄは、ＬＥＤ２を１つとしている。しかし、複数のＬＥＤ２を用いて、それらを直列および／または並列に接続して、発光部品１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄを構成することができる。

本発明の実施の形態に係る発光部品１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄの、貫通部材１２、パッド１５Ｃ、透光性封止樹脂１７、オーバーコート膜２０、バンプ２１、ニッケルめっき層およびはんだめっき層は必須ではない。そのため、これらのうちの１つまたは複数を省略しても良い。また本発明の実施の形態に係る発光部品１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄの製造法では、樹脂封止工程、めっき工程は必須でなく、一方または両方を省略しても良く、基板４にＬＴＣＣを用いる場合等には固着工程は必須でないため、省略しても良い。また、導体１５は、スクリーン印刷法等によって厚膜形成した後に、その表面にニッケル−金合金等のシートめっきを施しても良い。

本発明の実施の形態に係る発光部品１Ａの製造法における、固着工程、樹脂封止工程、トリミング工程、オーバーコート形成工程、分割工程およびめっき工程は、図４および図５に示す発光部品１Ｂ、図６および図７に示す発光部品１Ｃ、図８および図９に示す発光部品１Ｄの製造法についても同様に行うことができる。また、上述のように、その一部の工程を省略しても良い。

また、上述の製造法では、導体１５を形成した後に、ＬＥＤ２等の部品を配置したが、ＬＥＤ２等の部品を配置した後に、金線１６で各部品をつなぎ、定電流回路６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄを形成しても良い。また金線１６を使用せずに、全て導体１５で各部品を接続するようにしても良い。

また、この実施の形態では、駆動用回路部材の一部または全部が、発光素子となるＬＥＤ２の周囲に配置されているが、その配置は、ＬＥＤ２の周囲１８０度以上から３６０度に渡って配置されるのが、光の分散や部品の接続の容易さ等の面で好ましい。また、ＮＰＮ型トランジスタ５Ａ，５Ｂが、ＬＥＤ２を中心として略１２０度、同方向に離れて配置されている。この配置は９０度以上１８０度以下の範囲で離して配置するのが光の分散等の上で好ましい。

さらに、背丈が高い部品をＬＥＤ２の周囲に３つ以上配置する場合は、発光部品を中心として１２０度ずつ３分割した領域を仮想したとき、その３分割した領域に各１つ以上部品を配置するのが好ましい。また、金線１６の配置も各実施の形態に見られるように、発光素子となるＬＥＤ２の周囲１８０度以上に渡って配置するのが光の分散、金線１６の接続性の面等で好ましい。この効果は、金線１６の配置が２４０度以上になるとさらに向上するので、金線１６をＬＥＤ２の周囲２４０度以上となるように配置しても良い。なお、駆動用回路部材や金線１６の配置関係は、凹部１３が存在しない発光部品について適用できる。

また、本発明の実施の形態に係る発光部品１Ａの外部端子電極１５Ｆａ〜１５Ｆｄ、発光部品１Ｂの外部端子電極１５Ｆｅ〜１５Ｆｇ、発光部品１Ｃの外部端子電極１５Ｆｉ〜１５Ｆｋ、発光部品１Ｄの外部端子電極１５Ｆｎ〜１５Ｆｏは、部品の電気接続方法によって、それら各々の機能を適宜異ならせることができる。たとえば、＋入力端子、−入力端子の位置、トリミング工程においてトリミングプローブを接触させる位置は、適宜異ならせることができる。

本発明の実施の形態に係る発光部品の斜視図である。 本発明の実施の形態に係る発光部品の六面図で、（Ａ）は発光部品の平面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は右側面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は背面図、（Ｆ）は底面図をそれぞれ示している。 本発明の実施の形態に係る発光部品に用いられる定電流回路の回路図である。 本発明の実施の形態に係る発光部品の斜視図である。 本発明の実施の形態に係る発光部品の六面図で、（Ａ）は発光部品の平面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は右側面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は背面図、（Ｆ）は底面図をそれぞれ示している。 本発明の実施の形態に係る発光部品の斜視図である。 本発明の実施の形態に係る発光部品の六面図で、（Ａ）は発光部品の平面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は右側面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は背面図、（Ｆ）は底面図をそれぞれ示している。 本発明の実施の形態に係る発光部品の斜視図である。 本発明の実施の形態に係る発光部品の六面図で、（Ａ）は発光部品の平面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は右側面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は背面図、（Ｆ）は底面図をそれぞれ示している。 本発明の実施の形態に係る発光部品の製造法の過程を示す図である。 本発明の実施の形態に係る発光部品の製造法の過程を示す図である。 本発明の実施の形態に係る発光部品の製造法におけるトリミング工程の一例の様子を示す簡略図である。

符号の説明

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ 発光部品
２ ＬＥＤ
３，３Ａ．３Ｂ，３Ｃ 抵抗素子
４ 基板
４Ａ 単位絶縁基板
４Ｂ 線状分割部
４Ｃ 分割部付き大型絶縁基板
５，５Ａ，５Ｂ ＮＰＮ型トランジスタ（トランジスタ）
５Ｃ 電界効果型トランジスタ（トランジスタ）
６，６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ 定電流回路
７ ＋入力端子
８ −入力端子
９Ａ 第１の伝送路
９Ｂ 第２の伝送路
９Ｃ 第３の伝送路
９Ｄ 第４の伝送路
１０Ａ 第１の接点
１０Ｂ 第２の接点
１１，１１Ａ，１１Ｂ ダイオード
１１Ｃ ツェナーダイオード
１２ 貫通部材
１２Ｃ 貫通孔
１２Ｄ 大型貫通部材
１３ 凹部
１５，１５Ａ 導体

Claims (12)

1. 光を発する発光素子に定電流を供給する定電流回路を有する発光部品であって、
   上記定電流回路は、抵抗素子とトランジスタを有し、
   上記抵抗素子は、上記トランジスタをオンの状態にするための電圧を上記トランジスタに印加するものであり、上記トランジスタが上記オンの状態になることで、上記発光素子へ電流の供給が可能となり、
   上記発光素子と上記トランジスタは、基板の表面に配置され、
   上記抵抗素子は、上記基板の表面とは反対側の上記基板の裏面に配置され、
   上記トランジスタと上記抵抗素子は、上記基板の表面と上記基板の裏面に亘って導通され、上記定電流回路が上記基板の表面と上記基板の裏面に亘って形成されることを特徴とする発光部品。
2. 前記基板の対向する辺にそれぞれ２つの外部電極端子を有し、
   前記外部電極端子は、前記発光部品の実装に用いられるとともに、前記基板の表面と裏面を導通させ、
   前記定電流回路は、＋入力端子と−入力端子を有し、前記外部端子電極のうちの２つは、それぞれ上記＋入力端子および上記−入力端子に相当し、上記２つ以外の他の外部端子電極は、前記抵抗素子と前記トランジスタとの接続に用いられることを特徴とする請求項１記載の発光部品。
3. 前記発光部品は、貫通孔を有する貫通部材の当該貫通孔の開口部が前記基板の表面に対向するように固着され、前記発光素子、前記トランジスタが上記貫通孔の中に収容されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光部品。
4. 前記抵抗素子は、対となる厚膜の抵抗用電極の双方に厚膜の抵抗体膜が接触する部分を有し、前記抵抗素子を保護する厚膜のオーバーコート膜が、上記接触する部分を避けて形成されていることを特徴とする請求項１，２または３に記載の発光部品。
5. 前記抵抗素子は、前記発光素子または前記トランジスタとの電気接続が、前記基板の端面でなされていることを特徴とする請求項１，２，３または４のいずれか１項に記載の発光部品。
6. 前記定電流回路は、＋入力端子と−入力端子を有し、
   上記＋入力端子と上記−入力端子との間には、分岐する第１の伝送路と第２の伝送路とを有し、
   上記第１の伝送路には、上記＋入力端子側から順に、上記発光素子、前記トランジスタである第１のＮＰＮ型トランジスタ、前記抵抗素子とは異なる第１の抵抗素子が接続され、
   上記第１のＮＰＮ型トランジスタは、そのコレクタよりもエミッタを上記−入力端子側に位置させるように配置され、
   上記第２の伝送路には、上記＋入力端子側から順に、前記抵抗素子である第２の抵抗素子、前記トランジスタとは異なる第２のＮＰＮ型トランジスタが接続され、
   上記第２のＮＰＮ型トランジスタは、そのエミッタがコレクタよりも上記−入力端子側に位置するように配置され、
   上記第２の伝送路の上記第２の抵抗素子と上記第２のＮＰＮ型トランジスタの間の第１の接点から第３の伝送路が、上記第１のＮＰＮ型トランジスタのベースに接続され、
   上記第１の伝送路の上記第１のＮＰＮ型トランジスタと上記第１の抵抗素子との間の第２の接点から第４の伝送路が、上記第２のＮＰＮ型トランジスタのベースに接続されていることを特徴とする請求項１，２，３，４または５のいずれか１項に記載の発光部品。
7. 前記定電流回路は、＋入力端子と−入力端子を有し、
   上記＋入力端子と上記−入力端子との間には、分岐する第１の伝送路と第２の伝送路とを有し、
   上記第１の伝送路には、上記＋入力端子側から順に、上記発光素子、前記トランジスタであるＮＰＮ型トランジスタ、前記抵抗素子とは異なる第１の抵抗素子が接続され、
   上記ＮＰＮ型トランジスタは、そのコレクタよりもエミッタを上記−入力端子側に位置させるように配置され、
   上記第２の伝送路には、上記＋入力端子側から順に、前記抵抗素子である第２の抵抗素子、ダイオードが配置され、上記ダイオードのアノードからカソードへの方向と上記＋入力端子から上記−入力端子への方向とが一致するように配置され、
   上記第２の伝送路の上記第２の抵抗素子と上記ＮＰＮ型トランジスタの間の第１の接点から第３の伝送路が、上記ＮＰＮ型トランジスタのベースに接続されていることを特徴とする請求項１，２，３，４または５のいずれか１項に記載の発光部品。
8. 前記定電流回路は、＋入力端子と−入力端子を有し、
   上記＋入力端子と上記−入力端子との間には、分岐する第１の伝送路と第２の伝送路とを有し、
   上記第１の伝送路には、上記＋入力端子側から順に、上記発光素子、前記トランジスタであるＮＰＮ型トランジスタ、前記抵抗素子とは異なる第１の抵抗素子が接続され、
   上記ＮＰＮ型トランジスタは、そのコレクタよりもエミッタを上記−入力端子側に位置させるように配置され、
   上記第２の伝送路には、上記＋入力端子側から順に、前記抵抗素子である第２の抵抗素子、ツェナーダイオードが配置され、上記ツェナーダイオードのアノードからカソードへの方向と上記−入力端子から上記＋入力端子への方向とが一致するように配置され、
   上記第２の伝送路の上記第２の抵抗素子と上記ＮＰＮ型トランジスタの間の第１の接点から第３の伝送路が、上記ＮＰＮ型トランジスタのベースに接続されていることを特徴とする請求項１，２，３，４または５のいずれか１項に記載の発光部品。
9. 前記定電流回路は、前記抵抗素子とは抵抗値が異なる別の抵抗素子を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の発光部品。
10. 前記抵抗素子と前記別の抵抗素子とは、各々の抵抗体の材質が異なることを特徴とする請求項９記載の発光部品。
11. 表面に縦横に交差する線状分割部を有し、上記線状分割部で囲われる一単位の絶縁基板（以下、単位絶縁基板という）を複数有する分割部付き大型絶縁基板の裏面であって、上記単位絶縁基板各々の裏面に抵抗値調整されていない抵抗素子仕掛品を配置する抵抗形成工程と、
    上記単位絶縁基板各々に、光を発する発光素子とトランジスタが、上記分割部付き大型絶縁基板の上記裏面とは反対側の表面に配置されるように形成する配置工程と、
    上記単位絶縁基板毎に、その表面と裏面に亘って上記定電流回路を構成するように、上記抵抗素子仕掛品、上記発光素子、上記トランジスタの相互間を接続する導体を配置する導体形成工程と、
    上記配置工程および上記導体形成工程の終了後に、上記単位絶縁基板に配置される上記抵抗素子仕掛品が上記トランジスタをオンの状態にすることで、上記発光素子へ電流の供給を可能とするよう上記抵抗素子仕掛品の抵抗値を調整するトリミング工程と、
    上記トリミング工程の終了後に、上記線状分割部に沿って上記分割部付き大型絶縁基板を個々の上記単位絶縁基板へと分割する分割工程と、
    を有することを特徴とする発光部品の製造法。
12. 前記配置工程以前に、多数の貫通孔を有する大型貫通部材を、前記単位絶縁基板各々の表面に、上記貫通孔の開口部が対向するように前記分割部付き大型絶縁基板の表面に固着する固着工程を設け、
    前記分割工程の際に、前記分割部付き大型絶縁基板と共に大型貫通部材を個々の貫通部材へと分割することを特徴とする請求項１１記載の発光部品の製造法。

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