JP5257546B2

JP5257546B2 - 電子機器の製造方法

Info

Publication number: JP5257546B2
Application number: JP2012234226A
Authority: JP
Inventors: 誠樹作山; 浩基内田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2012-10-23
Filing date: 2012-10-23
Publication date: 2013-08-07
Anticipated expiration: 2016-10-18
Also published as: JP2013042168A

Description

本発明は、高密度の導体回路をプリント配線板に形成する電子機器の製造方法に関するものである。

このような導体回路を形成する導電材料としては、化学的に安定しており、電気抵抗が小さいことが要求されているが、従来から用いられている導電材料でこれらの条件を満足する材料がなかった。

このような状況から、化学的に安定しており、電気抵抗が小さい導電材料が要望されている。

電子部品を搭載するプリント配線板に形成する導体回路に対しては高密度に形成することが要求されており、近年、導電材料をスルーホール或いはビアホール内に埋め込んで上下の配線層の接続を行う、インナービアホール（ＩＶＨ）や、ブラインドビアホール等を高密度に設け、電子部品の高密度な実装が可能なプリント配線板が用いられるようになっている。

このようなプリント配線板に導体回路を形成する方法としては、プリント配線板の全面に導体回路となる金属膜が形成されている材料を、フォトリソグラフィー技術を用いて不要な金属膜をエッチングにより除去して導体回路を形成するサブトラクティブ法が用いられていたが、低コスト化を図るために、銀、銅、カーボン等の導電材料の粒子と、溶剤で溶解したバインダーとを含む導電性ペーストの被膜を、スクリーン印刷によりプリント配線板の表面に形成し、又、インナービアホール（ＩＶＨ）やブラインドビアホール内に形成し、硬化処理により導体回路を形成する方法が用いられるようになっている。

また、複数の粒子からなり、各粒子が導電性コーティングを有し、このコーティングが溶融して隣接する粒子上に導電性コーティングを形成し、溶融した粒子の網状構造を形成する、導電性材料が特開平０８−２２７６１３号公報に開示されている。
特開平０８−２２７６１３号公報段落００１７。

以上説明した従来のスクリーン印刷によって導体回路を形成する方法においては、導電性ペーストに用いている導電材料が銀の場合には、図５に示すように電気抵抗値が5.0×10^-5Ω・cmで導電性は優れているが、硫黄と反応して硫化銀になったり、マイグレーションを起こすという問題点があり、導電性ペーストに用いている導電材料が銅の場合には、図５に示すように電気抵抗値が 2.5×10^-4Ω・cmで導電性が銀よりも劣るという問題点があり、導電性ペーストに用いている導電材料がカーボンの場合には、硫黄と反応して硫化したり、マイグレーションを起こすことはないが、図５に示すように電気抵抗値が 3.0×10^-2Ω・cmで導電性が銅よりも更に劣るという問題点がある。

積層セラミック電子部品の端子電極に用いられる導電性の金属ペーストに関する発明が特開平02-46603号により公開されており、この発明においては、銅粉末の表面に亜鉛をコーティングした複合金属粉末を積層セラミック電子部品の端子電極として用いているので、 500〜600 ℃で焼結すると、亜鉛と銅の間で相互拡散が進み、亜鉛部分が黄銅となり密度の高い焼結体を得ることができ、また、銅粉末を黄銅で囲むことにより、銅端子電極表面が酸化するのを防止している。

この公知例は、二種類の金属元素の間で形成される合金の融点は各元素の融点よりも低温になることを利用した発明である。

一方、二種類の金属元素の間で形成される金属間化合物の融点は、二種類の金属元素の低い方の融点よりも高くなる。

本発明は以上のような状況から、プリント配線板の絶縁基板の耐熱温度よりも高い融点を有し、電子部品のはんだ付け温度に耐えることが可能な金属間化合物からなる導体材料を有する電子機器の製造方法の提供を目的としたものである。

本発明の一観点によれば、基板に、第１の金属からなる複数の粒子と、前記第１の金属の融点より低い融点を有する第２の金属からなる複数の粒子とを供給し、前記基板を加熱して、前記第１の金属と前記第２の金属との金属間化合物内に前記複数の粒子が分散した導体を形成し、前記基板に、電子部品をはんだ付けする電子機器の製造方法であり、前記金属間化合物の融点が、前記はんだの溶融温度よりも高いことを特徴とする電子機器の製造方法が提供される。

基板の耐熱温度よりも高い融点を有する導体回路を低温で形成することができる。

本発明の導電材料の構成を示す模式図本発明の導電材料において形成された金属間化合物の構成を示す模式図本発明の他の導電材料の構成を示す模式図本発明の実施例により形成した導体回路の電気抵抗値を示す図従来の導体回路の電気抵抗値を示す図

以下の実施形態においては、導電性ペースト中の導電材料の核となる金属とこの核の表面に被膜として形成されている金属が、プリント配線板の絶縁基板の耐熱温度(260℃)以下の低温で溶融し、結合して金属間化合物が形成されるが、この核となる金属と被膜として形成されていた金属との金属間化合物の融点が、この金属間化合物からなる導体回路を形成したこの絶縁基板の耐熱温度よりも高く、熱的に安定しており、電子部品をプリント配線板に搭載する場合のはんだ付け温度(220℃〜 240℃) では再溶融することはない。また金属間化合物の電気抵抗値はプリント配線板の導体回路として用いることが可能な値を有しているので、以下の実施形態の導電材料及び導電性ペーストを用いて形成した導体回路を備えたプリント配線板に電子部品を搭載することが可能となる。

また、複数種の金属の粒子からなる導電材料が、プリント配線板の絶縁基板の耐熱温度(260℃) 以下の温度で溶融し、結合して金属間化合物が形成されるが、この複数種の金属のうちの少なくとも二つの金属の金属間化合物の融点が、この金属間化合物からなる導体回路を形成したこの絶縁基板の耐熱温度よりも高く、熱的に安定しており、電子部品をプリント配線板に搭載する場合のはんだ付け温度(220℃〜 240℃) では再溶融することはない。また金属間化合物の電気抵抗値はプリント配線板の導体回路として用いることが可能な値を有しているので、以下の実施形態の導電材料及び導電性ペーストを用いて形成した導体回路を備えたプリント配線板に電子部品を搭載することが可能となる。

以下図１〜図４により本発明の実施例について詳細に説明する。

図１は本発明の導電材料の構成を示す模式図、図２は本発明の導電材料において形成された金属間化合物の構成を示す模式図、図３は本発明に使用する他の導電材料の構成を示す模式図、図４は本発明の実施例により形成した導体回路の電気抵抗値を示す図である。

本発明の第１の実施例においては、径が約５μm の銅の粒子の表面に、厚さ１μm のインジウムの被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー 900ｇと、ビスフェノールＡ50ｇと、ジアミノジフェニルメタン５ｇ及びエチレングリコールジグリシジルエーテル45ｇを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法によりガラス布基材エポキシ樹脂基板（以下、ガラスエポキシ基板と略称する)(耐熱温度 260℃）の表面に印刷した後、180秒間加熱し、銅とインジウムの金属間化合物からなる線幅150μm 、厚さ10μm の導体回路を形成した。この金属間化合物の融点ははんだの溶融温度(220〜240 ℃) よりもずっと高いので、電子部品をプリント配線板に搭載する場合のはんだ付け温度(220℃〜 240℃) では再溶融することはない。

また、この導電性ペーストを 150μm 径のビアに埋め込み、210 ℃で 180秒間加熱した。

この導体回路及びビアを四端子法により測定した値は、図４に示すように5.0 ×10^-6Ω・cmであった。

本発明の第２の実施例においては、第１の実施例と同じ銅の粒子の表面に、厚さ１μmの錫の被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー 900ｇと、第１の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法により第１の実施例と同様に導体回路とビアを形成し、同様にこの導体回路及びビアを四端子法により測定した。その測定値は図４に示すように8.0 ×10^-6Ω・cmであった。

本発明の第３の実施例においては、第２の実施例とは異なる銀の粒子の表面に、厚さ１μmのインジウムの被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー 900ｇと、第１の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法により第１の実施例と同様に導体回路とビアを形成し、同様にこの導体回路及びビアを四端子法により測定した。その測定値は、図４に示すように5.0 ×10^-6Ω・cmであった。

本発明の第４の実施例においては、第３の実施例と同じ銀の粒子の表面に、厚さ１μmの錫の被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー 900ｇと、第１の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法により第１の実施例と同様に導体回路とビアを形成し、同様にこの導体回路及びビアを四端子法により測定した。その測定値は、図４に示すように8.0 ×10^-6Ω・cmであった。

本発明の第５の実施例においては、ニッケルの粒子の表面に、厚さ１μm のインジウムの被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー 900ｇと、第１の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法により第１の実施例と同様に導体回路とビアを形成し、同様にこの導体回路及びビアを四端子法により測定した。その測定値は、図４に示すように8.0 ×10^-6Ω・cmであった。

本発明の第６の実施例においては、第５の実施例と同じニッケルの粒子の表面に、厚さ１μm の錫の被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー 900ｇと、第１の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法により第１の実施例と同様に導体回路とビアを形成し、同様にこの導体回路及びビアを四端子法により測定した。その測定値は、図４に示すように9.0 ×10^-6Ω・cmであった。

本発明の第７の実施例においては、第１或いは第２の実施例と同じ銅の粒子の表面に、厚さ１μm のインジウムの被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー 900ｇと、第１の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストで 150μm 径のビアを形成し、同様にこのビアを四端子法により測定した。その測定値は、図４に示すように5.0 ×10^-6Ω・cmであった。

本発明の第８の実施例においては、第３或いは第４の実施例と同じ銀の粒子の表面に、厚さ１μm のインジウムの被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー 900ｇと、第１の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストで 150μm 径のビアを形成し、同様にこのビアを四端子法により測定した。その測定値は、図４に示すように5.0 ×10^-6Ω・cmであった。

本発明の第９の実施例においては、第５或いは第６の実施例と同じニッケルの粒子の表面に、厚さ１μm のインジウムの被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー 900ｇと、第１の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストでビアを形成し、同様にこのビアを四端子法により測定した。その測定値は、図４に示すように8.0 ×10^-6Ω・cmであった。

本発明の第１０の実施例においては、径が約５μm の銅の粒子の表面に、厚さ１μm の錫の被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー 450ｇと、径が約５μm の銀の粒子の表面に、厚さ１μm のインジウムの被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー 450ｇと、ビスフェノールＡ50ｇと、ジアミノジフェニルメタン５ｇ及びエチレングリコールジグリシジルエーテル45ｇを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法によりガラスエポキシ基板の表面に印刷した後、210℃で 180秒間加熱し、線幅150μm 、厚さ10μm の導体回路を形成した。

この導体回路及びビアを四端子法により測定した値は、図４に示すように8.0 ×10^-6Ω・cmであった。

本発明の第11の実施例においては、径が 0.1〜0.5 μm の銅の粒子600 ｇと、径が 0.1〜0.3 μm の錫の粒子300 ｇと、ビスフェノールＡ50ｇと、ジアミノジフェニルメタン５ｇ及びエチレングリコールジグリシジルエーテル45ｇを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法によりガラスエポキシ基板の表面に印刷した後、210℃で 180秒間加熱し、線幅 150μm 、厚さ10μm の導体回路を形成した。

また、この導電性ペーストを 150μm 径のビアに埋め込み、210 ℃で 180秒間加熱した。この導体回路及びビアを四端子法により測定した値は、図４に示すように9.0 ×10^-6Ω・cmであった。

以上の説明から明らかなように、本発明によれば極めて簡単な構成の導電材料及び導電性ペーストを用いてプリント配線板の絶縁基板上に、この絶縁基板の耐熱温度よりも高い融点を有する導体回路を低温で形成することができる。

１第１の金属の粒子
２第２の金属の被膜
３金属間化合物の被膜
４第３の金属の粒子
５第４の金属の被膜

Claims

基板に、第１の金属からなる複数の粒子と、前記第１の金属の融点より低い融点を有する第２の金属からなる複数の粒子とを供給し、
前記基板を加熱して、前記第１の金属と前記第２の金属との金属間化合物内に前記第１の金属からなる複数の粒子が分散した導体を形成し、
前記基板に、電子部品をはんだで付ける電子機器の製造方法であり、
前記金属間化合物の融点が、前記はんだの溶融温度よりも高いことを特徴とする電子機器の製造方法。
請求項１に記載の電子機器の製造方法において、
前記第１の金属は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇの少なくとも１つを含み、
前記第２の金属は、前記第１の金属と前記金属間化合物を形成する金属を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。
請求項２に記載の電子機器の製造方法において、
前記第１の金属は、Ｃｕであり、
前記第２の金属は、Ｓｎであることを特徴とする電子機器の製造方法。
請求項２に記載の電子機器の製造方法において、
前記第１の金属は、Ａｇであり、
前記第２の金属は、Ｓｎであることを特徴とする電子機器の製造方法。
請求項２に記載の電子機器の製造方法において、
前記第２の金属は、Ｉｎを含むことを特徴とする電子機器の製造方法。
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子機器の製造方法において、
前記導体はさらに樹脂を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子機器の製造方法において、
前記導体がビアであることを特徴とする電子機器の製造方法。
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子機器の製造方法において、
前記導体が配線であることを特徴とする電子機器の製造方法。
請求項１乃至８のいずれかに１項に記載の電子機器の製造方法において、
前記基板の加熱温度よりも高い温度で前記電子部品をはんだ付けすることを特徴とする電子機器の製造方法。