JP5234778B2 - 弾性波デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 92
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 33
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 31
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 8
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/162—Disposition
- H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
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Description
11 櫛型電極
12 弾性表面波素子
13 反射器
14 空洞部
16 金属キャップ
17 側面部
18 樹脂封止部
20 電極
22 信号配線パターン
23 グランド配線パターン
24 絶縁体
26 接続部分
28 金属シート
100 弾性波デバイス
Claims (7)
- 基板に設けられた弾性波素子と、
前記弾性波素子上に空洞部を有し、前記空洞部の側面及び上面を覆うように前記基板上に設けられた金属キャップと、
前記金属キャップを覆うように前記基板上に設けられた樹脂封止部と、
前記金属キャップの外側において前記樹脂封止部を貫通し、前記弾性波素子に電気的に接続する電極と、を具備し、
前記金属キャップは、前記弾性波素子に接続し且つ前記基板上に設けられたグランド配線パターンに接触することで接地されていることを特徴とする弾性波デバイス。 - 前記金属キャップと前記弾性波素子の機能部分とは、電気的に分離していることを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。
- 前記弾性波素子と前記電極とは、前記基板に設けられた信号配線パターンにより電気的に接続しており、
前記金属キャップと前記信号配線パターンとは、前記金属キャップと前記信号配線パターンとの間に設けられた絶縁体により電気的に分離していることを特徴とする請求項1または2記載の弾性波デバイス。 - 前記金属キャップは、前記樹脂封止部により前記基板上に固定されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記樹脂封止部はエポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記金属キャップはニッケル、ステンレス、及びコバールの中のいずれか1つからなることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 基板に、複数の弾性波素子と前記複数の弾性波素子夫々に夫々電気的に接続する複数の電極とを形成する工程と、
前記複数の弾性波素子夫々の上方に金属キャップにより空洞部が形成されるよう、前記金属キャップが複数接続された金属シートを前記基板上に搭載する工程と、
前記金属シートを覆い且つ前記複数の電極夫々の上面が露出するよう、前記基板上に樹脂封止部を形成する工程と、
前記複数の弾性波素子を個片化するよう、前記基板を分離する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008320012A JP5234778B2 (ja) | 2008-12-16 | 2008-12-16 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008320012A JP5234778B2 (ja) | 2008-12-16 | 2008-12-16 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010147591A JP2010147591A (ja) | 2010-07-01 |
JP5234778B2 true JP5234778B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=42567593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008320012A Expired - Fee Related JP5234778B2 (ja) | 2008-12-16 | 2008-12-16 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5234778B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021097313A (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 弾性波デバイスパッケージ |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3677409B2 (ja) * | 1999-03-05 | 2005-08-03 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP4377500B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2009-12-02 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 |
JP2002208830A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
JP4691787B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2011-06-01 | パナソニック株式会社 | Sawデバイス |
JP2002343827A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
JP2007325013A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Alps Electric Co Ltd | 表面弾性波装置の製造方法及び表面弾性波装置 |
JP2008135684A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-06-12 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
JP4858985B2 (ja) * | 2007-06-07 | 2012-01-18 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 弾性表面波フィルタパッケージ |
-
2008
- 2008-12-16 JP JP2008320012A patent/JP5234778B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010147591A (ja) | 2010-07-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100929 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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