JP5230197B2 - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5230197B2 JP5230197B2 JP2007524240A JP2007524240A JP5230197B2 JP 5230197 B2 JP5230197 B2 JP 5230197B2 JP 2007524240 A JP2007524240 A JP 2007524240A JP 2007524240 A JP2007524240 A JP 2007524240A JP 5230197 B2 JP5230197 B2 JP 5230197B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- quadrupole
- detector
- electrode
- electrons
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 167
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 2
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2449—Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
2 二次ビーム
3 検出器の開口部
4 対物レンズ
5 サンプル上の焦点
6 光軸
7 四極子
8 四極子
9 サンプル
10 走査型電子顕微鏡
11 電子源
12 抽出電極
13 アノード
14 ビーム案内管
15 管形電極
16 磁気レンズのコイル
17 対物レンズとして作用する磁気レンズの磁極片
18 電極
19 検出器
20 四極子
21 偏向装置
22 開口絞り
23 磁極片
24 磁極片
25 電極
26 電極
27 電極
28 アイソレータ
29 開口部
30 開口部
Claims (28)
- 電子ビーム(1)を発生するためのビーム発生器(11)と、
前記電子ビーム(1)を物体(9)上に集束させるための対物レンズ(4,17)と、
前記物体(9)で後方散乱されまたは前記物体から放出される電子(2)を検出するための少なくとも1つの検出器(19)であって、前記電子ビーム(1)を前記物体(9)の方向に通過させるための通過開口部(3)を有する検出器(19)と、
第1および第2の四極子手段とを具備し、
前記第1の四極子手段(7)は、前記電子ビーム(1)に関して、前記検出器(19)の上流側に配置され、前記第2の四極子手段(8)は、前記電子ビームに関して、前記検出器(19)の下流側に配置され、
前記第2の四極子手段(8)は、前記物体(9)で後方散乱されまたは前記物体(9)から放出される電子(2)のビームの横断面を成形し、前記第1の四極子手段(7)は、前記第2の四極子手段(8,26,27)が前記電子ビーム(1)に与える影響を補償することを特徴とする電子ビーム装置(10)。 - 前記検出器(19)は、前記電子ビーム(1)の光軸(6)に対し対称的に、記電子ビーム装置(10)に設けられている、請求項1に記載の電子ビーム装置。
- 前記第1および第2の四極子手段(7,8)は、同一方向に励起される、請求項1または2に記載の電子ビーム装置。
- 前記四極子手段のうちの一方(8)の前方に、開口絞り(22)が設けられている、請求項1から3のいずれか1項に記載の電子ビーム装置。
- 前記開口絞り(22)は、前記第1の四極子手段(7)と前記検出器(19)との間に設けられている、請求項4に記載の電子ビーム装置。
- 前記第2の四極子(8)を通過した後に前記電子ビーム(1)の横断面が円形となるように、前記第1の四極子手段(7)および前記検出器(19)の間に、第3の四極子手段(20)が設けられている、請求項1から5のいずれか1項に記載の電子ビーム装置。
- 前記第1および第2の四極子手段(7,8)は、同一方向に励起され、第3の四極子手段(20)は、この方向に対し反対方向に励起される、請求項6に記載の電子ビーム装置。
- 前記検出器(19)は、前記第1および第2の四極子手段(7,8)の間に設けられている、請求項1から7のいずれか1項に記載の電子ビーム装置。
- 前記四極子手段(7,8,20,26,27)は、磁気的なまたは静電形の四極子として形成されている、請求項1から8のいずれか1項に記載の電子ビーム装置。
- 前記第2の四極子手段(8)は、前記第1の四極子手段(7)よりも前記物体(9)により近くに設けられており、前記第2の四極子手段(8)は前記対物レンズの領域に設けられている、請求項1から9のいずれか1項に記載の電子ビーム装置。
- 前記第1の四極子手段(7)は、前記ビーム発生器(11)の領域に設けられている、請求項1から10のいずれか1項に記載の電子ビーム装置。
- 前記対物レンズ(4,17)は、前記ビーム発生器(11)に向けられた面と、前記物体(9)に向けられた面とを有し、磁気レンズ(23,24)と、第1および第2の電極(25,26)を有する静電レンズ(25,26)を具備し、前記第2の電極(26)は物体側に設けられており、前記物体(9)との、前記第1の電極(25)よりも近い距離を有し、前記複数の四極子手段(26,27)のうちの一つは物体側に設けられており、前記第2の電極(26)は、少なくとも部分的に、この四極子手段を形成する、請求項1から11のいずれか1項に記載の電子ビーム装置。
- 前記複数の四極子手段(7,8、20)のうち、前記物体側に設けられた一つの四極子手段と異なる他の四極子手段は、前記物体(9)から放出される電子のクロスオーバの上方に設けられており、このクロスオーバには、前記物体から放出される電子が結像される、請求項12に記載の電子ビーム装置。
- 前記四極子手段は、開口部(29)を有する構成部材(27)を含み、前記電子ビームは、この開口部(29)を通って前記物体(9)の方向に進む、請求項12に記載の電子ビーム装置。
- 前記構成部材(27)の前記開口部(29)は、非円形に形成されている、請求項14に記載の電子ビーム装置。
- 前記構成部材(27)は、前記第2の電極(27)に設けられている、請求項12,14または15のいずれか1に記載の電子ビーム装置。
- 前記構成部材(27)は、前記第2の電極(26)に統合されている、請求項12または14ないし16のいずれか1に記載の電子ビーム装置。
- 前記第2の電極(26)は、物体側に設けられた面を有し、この面には、前記構成部材(27)が設けられている、請求項12または14ないし17のいずれか1に記載の電子ビーム装置。
- 前記構成部材(27)は、複数のアイソレータ(28)によって、前記第2の電極(26)から分離されている、請求項18に記載の電子ビーム装置。
- 前記第2の電極(26)は、事前設定可能な電位にあり、前記第2の電極(26)の電位は可変に調整可能である、請求項18または19に記載の電子ビーム装置。
- 前記構成部材(27)は、アースされている、請求項20に記載の電子ビーム装置。
- 前記検出器(19)は、調整可能な開口部(3)を有する、請求項1から21のいずれか1項に記載の電子ビーム装置。
- 前記検出器(19)の前記開口部(3)は、スリット形または楕円形に形成されている、請求項1に記載の電子ビーム装置。
- 前記検出器(19)は、前記複数の四極子手段のうちの1の四極子手段の焦点に設けられている、請求項23に記載の電子ビーム装置。
- 前記検出器(19)は、前記開口部(3)を形成するために、2つの検出器要素を有する、請求項1から24のいずれか1項に記載の電子ビーム装置。
- 前記検出器(19)は、検出されるべき2次電子を生成する変換電極を備える請求項1から25のいずれか1項に記載の電子ビーム装置。
- 電子を電子ビーム装置(10)中で検出する方法であって、一次電子ビーム(1)を発生させ、前記電子ビーム装置の中を導き、前記一次電子ビーム(1)が、検査される物体(9)に当たる際に、二次ビーム(2)を形成する電子を発生させる方法であり、
前記一次電子ビーム(1)は、第1の四極子(7)を通過し、この四極子は、前記一次電子ビーム(1)のビーム横断面を形成し、前記一次電子ビーム(1)は、続いて、検出器(19)の開口部(3)を通って、前記検査される物体(9)の方向に進み、
前記一次電子ビーム(1)は、続いて、第2の四極子(8)を通過し、この四極子は、前記一次電子ビーム(1)のビーム横断面を形成し、前記一次電子ビームは、実質的に回転対称であり、
前記二次ビーム(2)は、前記第2の四極子(8)を通過し、この第2の四極子(8)によって形成され、前記二次ビーム(2)の電子の僅かな部分のみが、前記検出器(19)の前記開口部を通って進み、はるかに大きな部分が前記検出器(19)によって検出される。 - 前記第2の四極子(8)を通過した後に前記一次電子ビームの横断面が円形となるように、前記一次電子ビーム(1)は、前記第1の四極子(7)と前記検出器(19)との間に配置された第3の四極子(20)を通過する、請求項27に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004037781A DE102004037781A1 (de) | 2004-08-03 | 2004-08-03 | Elektronenstrahlgerät |
DE102004037781.2 | 2004-08-03 | ||
PCT/EP2005/008216 WO2006015732A1 (de) | 2004-08-03 | 2005-07-28 | Elektronenstrahlgerät |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008508690A JP2008508690A (ja) | 2008-03-21 |
JP5230197B2 true JP5230197B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=35262177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007524240A Active JP5230197B2 (ja) | 2004-08-03 | 2005-07-28 | 電子ビーム装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8431894B2 (ja) |
EP (1) | EP1774560B9 (ja) |
JP (1) | JP5230197B2 (ja) |
DE (1) | DE102004037781A1 (ja) |
WO (1) | WO2006015732A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010078478A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
JP5378185B2 (ja) * | 2009-12-08 | 2013-12-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 集束イオンビーム装置、及び集束イオンビーム加工方法 |
US20130015340A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Bruker Daltonics, Inc. | Multipole assembly having a main mass filter and an auxiliary mass filter |
GB2497761A (en) * | 2011-12-20 | 2013-06-26 | Univ Antwerpen | Generation of charged particle vortex waves |
KR101787379B1 (ko) | 2016-05-25 | 2017-10-18 | 한국표준과학연구원 | 모노크로미터의 제조방법 |
WO2018217646A1 (en) | 2017-05-22 | 2018-11-29 | Howmedica Osteonics Corp. | Device for in-situ fabrication process monitoring and feedback control of an electron beam additive manufacturing process |
AU2019206103A1 (en) | 2018-07-19 | 2020-02-06 | Howmedica Osteonics Corp. | System and process for in-process electron beam profile and location analyses |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD134582A1 (de) * | 1978-01-19 | 1979-03-07 | Eberhard Hahn | Verfahren und einrichtung zur justierung einer elektronenstrahlbearbeitungsanlage |
DE3532781A1 (de) | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Siemens Ag | Anordnung zur detektion von sekundaer- und/oder rueckstreuelektronen in einem elektronenstrahlgeraet |
GB2201288B (en) * | 1986-12-12 | 1990-08-22 | Texas Instruments Ltd | Electron beam apparatus |
DE3703028A1 (de) | 1987-02-02 | 1988-09-01 | Siemens Ag | Rastermikroskop |
JP3046452B2 (ja) | 1992-05-18 | 2000-05-29 | 株式会社東芝 | パルスビーム発生方法および発生装置 |
JP3291880B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2002-06-17 | 株式会社日立製作所 | 走査形電子顕微鏡 |
JP3409909B2 (ja) * | 1994-03-11 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | ウェーハパターンの欠陥検出方法及び同装置 |
US5894124A (en) | 1995-03-17 | 1999-04-13 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope and its analogous device |
EP0821393B1 (en) * | 1996-07-25 | 1999-06-16 | ACT Advanced Circuit Testing Gesellschaft für Testsystementwicklung mbH | Detector objective lens |
DE19732093B4 (de) | 1997-07-25 | 2008-09-25 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Korpuskularstrahlgerät |
EP0910109B1 (de) * | 1997-09-29 | 2004-09-15 | Advantest Corporation | Objektivlinse |
EP0917177A1 (de) | 1997-11-17 | 1999-05-19 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Korpuskularstrahlgerät |
EP0917178A1 (de) | 1997-11-17 | 1999-05-19 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Detektor für Sekundärkorpuskeln und dessen Anordnung in einem Korpuskularstrahlgerät |
JP4084427B2 (ja) | 1997-12-08 | 2008-04-30 | エフ イー アイ カンパニ | 改善された2次電子検出のための多極界を用いた環境制御型sem |
EP0968517B1 (en) * | 1997-12-23 | 2003-09-03 | Fei Company | Sem provided with an electrostatic objective and an electrical scanning device |
DE19855629A1 (de) | 1998-12-02 | 2000-06-08 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenoptische Anordnung und Verfahren zur teilchenoptischen Erzeugung von Mikrostrukturen |
DE19845329C2 (de) | 1998-03-10 | 2001-09-27 | Erik Essers | Rasterelektronenmikroskop |
WO1999046797A1 (de) | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Erik Essers | Rasterelektronenmikroskop |
CN100578876C (zh) * | 1998-03-11 | 2010-01-06 | 株式会社尼康 | 紫外激光装置以及使用该紫外激光装置的曝光装置和曝光方法 |
US6426501B1 (en) * | 1998-05-27 | 2002-07-30 | Jeol Ltd. | Defect-review SEM, reference sample for adjustment thereof, method for adjustment thereof, and method of inspecting contact holes |
JP2000048752A (ja) * | 1998-05-27 | 2000-02-18 | Jeol Ltd | 電子ビ―ム検査装置とその調整用試料と調整方法およびコンタクトホ―ルの検査方法 |
DE19828476A1 (de) | 1998-06-26 | 1999-12-30 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenstrahlgerät |
DE69827791T2 (de) * | 1998-09-23 | 2005-04-21 | Advantest Corp | Vorrichtung zur Reduzierung der Energieverteilung eines Teilchenstrahls und Teilchenstrahlgerät mit einer solchen Anordnung |
DE69920182T2 (de) * | 1998-12-17 | 2005-02-17 | Fei Co., Hillsboro | Korpuskularstrahloptisches gerät mit auger-elektronendetektion |
US6614026B1 (en) | 1999-04-15 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | Charged particle beam column |
DE19945344A1 (de) | 1999-09-22 | 2001-03-29 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenoptisches Beleuchtungs- und Abbildungssystem mit einer Kondensor-Objektiv-Einfeldlinse |
EP1158563A1 (en) | 2000-05-22 | 2001-11-28 | Advantest Corporation | Particle beam system |
JP3859437B2 (ja) * | 2000-08-04 | 2006-12-20 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム露光装置 |
JP2003068241A (ja) * | 2000-11-08 | 2003-03-07 | Seiko Instruments Inc | 走査型電子線装置 |
US7022987B2 (en) | 2001-02-20 | 2006-04-04 | Carl Zeiss Nis Gmbh | Particle-optical arrangements and particle-optical systems |
US6723997B2 (en) * | 2001-10-26 | 2004-04-20 | Jeol Ltd. | Aberration corrector for instrument utilizing charged-particle beam |
US6822246B2 (en) | 2002-03-27 | 2004-11-23 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Ribbon electron beam for inspection system |
US7223974B2 (en) | 2002-05-22 | 2007-05-29 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Charged particle beam column and method for directing a charged particle beam |
US6924488B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-08-02 | Jeol Ltd. | Charged-particle beam apparatus equipped with aberration corrector |
DE10302794A1 (de) | 2003-01-24 | 2004-07-29 | Nawotec Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Korpuskularstrahlsystemen |
-
2004
- 2004-08-03 DE DE102004037781A patent/DE102004037781A1/de not_active Ceased
-
2005
- 2005-07-28 WO PCT/EP2005/008216 patent/WO2006015732A1/de active Application Filing
- 2005-07-28 JP JP2007524240A patent/JP5230197B2/ja active Active
- 2005-07-28 US US11/659,145 patent/US8431894B2/en active Active
- 2005-07-28 EP EP20050769748 patent/EP1774560B9/de active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008508690A (ja) | 2008-03-21 |
DE102004037781A1 (de) | 2006-02-23 |
EP1774560B1 (de) | 2012-11-14 |
EP1774560B9 (de) | 2013-08-21 |
US8431894B2 (en) | 2013-04-30 |
US20090039257A1 (en) | 2009-02-12 |
WO2006015732A1 (de) | 2006-02-16 |
EP1774560A1 (de) | 2007-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11562880B2 (en) | Particle beam system for adjusting the current of individual particle beams | |
JP5785535B2 (ja) | 電子ビーム装置 | |
JP5230197B2 (ja) | 電子ビーム装置 | |
US9093246B2 (en) | SACP method and particle optical system for performing the method | |
KR102207766B1 (ko) | 이차 전자 광학계 & 검출 디바이스 | |
US20080067376A1 (en) | Charged particle beam apparatus | |
KR20200083924A (ko) | 다수의 입자 빔을 생성하기 위한 장치, 및 다중빔 입자 빔 시스템 | |
JP2005525679A (ja) | サンプルを検査するための荷電粒子ビーム装置及び方法 | |
JP7312290B2 (ja) | 粒子ビームシステム | |
US7851755B2 (en) | Apparatus for detecting backscattered electrons in a beam apparatus | |
US20180005797A1 (en) | Scanning electron microscope | |
JP4205224B2 (ja) | エネルギーフィルタを有する粒子線装置 | |
JP6312387B2 (ja) | 粒子ビームデバイス及び粒子ビームデバイスを操作する方法 | |
JP4874780B2 (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
US10665423B2 (en) | Analyzing energy of charged particles | |
US11322332B2 (en) | Apparatus and method for measuring energy spectrum of backscattered electrons | |
JP7188910B2 (ja) | 粒子ビームを生成するための粒子源及び粒子光学装置 | |
JP2003187734A (ja) | 走査型電子顕微鏡等においてウィーンフィルタによって生成される収差の低減 | |
JPH06325719A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
TWI838443B (zh) | 用於產生多個粒子束之設備及多束式粒子束系統 | |
TWI838382B (zh) | 粒子束系統 | |
US8957372B2 (en) | Scanning electron microscope | |
JP3174307B2 (ja) | 二次荷電粒子解析装置、及びそれを用いた試料解析方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080619 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20081006 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110329 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110627 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120806 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120806 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130319 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5230197 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |