JP5226879B2 - 液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents

液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法に関する。より詳しくは、MVAモードの表示方式に好適に用いられる液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法に関する。
液晶表示(LCD:Liquid Crystal Display)パネルは、一対の基板間に液晶層を挟持した構成を有し、基板に形成した電極により液晶層に電圧を印加して液晶分子の配向状態を変化させ、液晶層を透過する光の偏光状態を変化させて表示を行う。
具体的にLCDパネルの表示方式としては、上下基板に電極を形成し、誘電率異方性が正の液晶を2枚の基板間で90°捩れた状態で基板間に狭持し、基板に垂直な縦方向の電界により液晶をスイッチングさせるTN(Twisted Nematic)モードや、上下基板間に誘電率異方性が負の液晶を狭持し、垂直配向膜等により電界を印加しない状態では液晶分子を縦方向に整列させておき、電界を印加することで液晶分子を横に向かせるVA(Vertical Alignment)モード等が挙げられる(例えば、特許文献1参照。)。
また、VAモードの応用技術として、配向制御突起により1画素を複数の領域に分割してマルチドメイン化するMVA(Multi-domain Vertical Alignment)モードが開発されている。MVAモードによれば、1画素内で液晶分子の傾斜方向が複数になるように制御され、全方位で均一な中間調表示が可能となるので、優れたコントラスト、視野角特性及び応答速度を得ることができる。
配向制御突起の形成方法としては、例えば、カラーフィルタ上に感光波長領域の光を吸収する感光性樹脂組成物を塗布し、フォトマスクを介して感光性樹脂組成物に光を露光後、露光後の感光性樹脂組成物を現像することでパターニングを行う方法が挙げられる(例えば、特許文献2及び3参照。)。
特開2002−148624号公報 特開2004−61539号公報 特開2006−201234号公報
本発明者らは、MVAモードの液晶表示パネルにつき、1つの画素内において、開口領域となる部分に、より高い液晶配向制御突起物を複数配置するとともに、開口領域とならない部分(例えば、遮光領域)に、より低い液晶配向制御突起物を補助的に設ける形態について研究を行っていた。単に液晶配向制御突起物を画素を分割するように設けるのみでなく、副次的に低い液晶配向制御突起物を設けることで、より精密に液晶分子を画素内の各領域に区分することができるので、液晶分子の向きの制御性を高めることができ、表示品位が大幅に向上する。
しかしながら、本発明者らが詳細な検討を行ったところ、より高い液晶配向制御突起物は、より低い液晶配向制御突起物よりも液晶分子に対する配向規制力が強いため、より低い液晶配向制御突起物の配向規制力に影響を及ぼすことが明らかとなった。この影響により、より高い液晶配向制御突起物と、より低い液晶配向制御突起物との境界地点付近の領域に、液晶分子の配向に乱れが生じることがある。
また、本発明者らは、液晶配向制御突起物が形成される領域に段差が生じていると、液晶分子の乱れは更に助長され、表示品位の劣化を起こす可能性があることを見いだした。例えば、液晶配向制御突起物が画素の開口領域内と開口領域外とのいずれにも形成される場合に、開口領域内と開口領域外との間に段差が形成されると、液晶分子の配向乱れが特に生じやすいことが明らかとなった。
図15は、本発明者らが検討を行っているMVAモードの液晶表示パネルを構成する基板表面を写した消光位状態での光学顕微鏡写真である。図15の各○部分を比較してわかるように、液晶配向制御突起物が形成されていない部分では輝線が発生していないのに対し、液晶配向制御突起物が形成された部分では輝線が生じている。これは、液晶配向制御突起物と隣接する一部の領域に、液晶分子の配向の乱れが生じていることを意味している。図15で示された写真は、消光位状態での写真であるため、通常表示状態ではこの輝線部分は暗線として表れることになる。
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、液晶配向制御突起物の形成によって生じる液晶分子の配向の乱れを抑制し、高品位な表示を行うことができる液晶表示パネルを提供することを目的とするものである。
本発明者らは、液晶配向制御突起物を、より高い部分と、より低い部分とに分けることによる利益を得つつ、液晶分子の乱れを抑制する手段について種々検討を行っていたところ、液晶配向制御突起物のより低い部分の形状に着目した。そして、より低い部分の高さが、より高い部分から遠ざかるにつれ徐々に低くなることにより、その高さの変化が液晶分子の配向をアシストし、液晶分子の傾斜角度もまた、横並びに隣り合うもの同士で連続的、かつ、なだらかに変化するものとなるため、液晶分子の配向性を大きく乱すことなく整列させることができることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。
すなわち、本発明は、一対の基板と、上記一対の基板に挟持された液晶層とを有する液晶表示パネルであって、上記一対の基板の一方は、他方の基板に向かって突出した壁状の液晶配向制御突起物を備え、上記液晶配向制御突起物は、主突起物と、上記主突起物よりも低い副突起物とを含み、上記副突起物の高さは、上記主突起物から遠ざかるにつれ徐々に低くなる液晶表示パネルである。以下、本発明の液晶表示パネルについて詳述する。
本発明の液晶表示パネルは、一対の基板と、上記一対の基板に挟持された液晶層とを有する。上記一対の基板は、例えば、一方をアレイ基板、他方をカラーフィルタ基板として用いることができる。アレイ基板に対して複数の画素電極を設けることで、画素電極(サブ画素)単位で液晶の配向が制御される。カラーフィルタ基板に対しては、例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)等で構成されるカラーフィルタをアレイ基板の画素電極とそれぞれ重畳する位置に配置することで、画素単位で表示色を制御することができる。
上記一対の基板の一方は、他方の基板に向かって突出した壁状の液晶配向制御突起物を備える。上記液晶配向制御突起物は、壁状の仕切り部材であり、基板表面近くの液晶分子をそれぞれ仕切られた複数の領域に区分することができる。上記液晶配向制御突起物は、例えば、誘電体(絶縁体)材料で構成されており、液晶層内が電圧無印加状態であっても、液晶分子を液晶配向制御突起物に向かって傾かせることができる。
上記液晶配向制御突起物は、主突起物と、上記主突起物よりも低い副突起物とを含む。上記液晶配向制御突起物として、主に液晶の配向制御に寄与する主突起物に加え、副突起物を補助的に設けることで、液晶分子をより精密に各領域に区分することができるので、液晶分子の配向の制御性が高まり、表示品位を向上させることができる。
上記副突起物の高さは、上記主突起物から遠ざかるにつれ徐々に低くなる。液晶配向制御突起物の配向規制力は、その高さに依存するため、このように高さが徐々に変化する副突起物を設けることで、副突起物と隣接する液晶分子の配向性もまた、隣接する副突起物の高さに合わせて連続的に変化することになるので、液晶分子に配向の乱れが起こりにくくなり、表示品位の劣化を抑制することができる。なお、本明細書において「徐々に低くなる」とは、(1)平坦な傾斜を有するもの、(2)複数の段を有し、高さが段階的に変化するもの、(3)曲線を描きながらなだらかに変化するもののいずれも含む。
本発明の液晶表示パネルの構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素により特に限定されるものではない。本発明の液晶表示パネルにおける好ましい形態について以下に詳しく説明する。
上記副突起物は、上記主突起物よりも狭い幅をもつことが好ましい。副突起物の幅を主突起物の幅よりも狭くすることで、開口率を向上させることができる。副突起物の幅を狭くすることで配向規制力はやや落ちるが、あくまで補助的な突起物であるため、表示品位への悪影響はほとんどない。
上記液晶配向制御突起物を備える基板は、着色層、及び、着色層よりも高い遮光層を有し、上記副突起物は、着色層上に配置された第一の副突起物と、遮光層上に配置された第二の副突起物とを含むことが好ましい。カラー表示を行うための着色層の間隙に遮光層を形成することで、着色層の間隙に光漏れが生じることを防止することができる。遮光層で区切られた区画に着色層を形成しようとする際、遮光層と着色層との間に段差を設けて遮光層の高さを着色層よりも高く形成することを許容すれば、着色層の的確なパターニングが可能となる。本発明によれば、着色層上に形成される第一の副突起物と、遮光層上に形成される第二の副突起物との間に段差が生じる場合であっても、液晶分子の配向の乱れが起こりにくいので、このような形態に特に好適に用いることができる。
上記第二の副突起物は、上記第一の副突起物よりも低いことが好ましい。第二の副突起物下に形成される遮光層は、第一の副突起物下に形成される着色層よりも厚みが大きくなる場合、遮光層と着色層との間に段差が生じてしまう。そのため、このように着色層上に形成される副突起物と、遮光層上に形成される副突起物の高さを変えて、これらの基板面からの高さを揃えるように調節することで、着色層と遮光層との間の段差の違いによる影響を低減することができ、より液晶分子の配向の乱れを抑制することができる。
本発明はまた、主突起物と、上記主突起物よりも低い副突起物とを含む液晶配向制御突起物を備える液晶表示パネルの製造方法であって、上記製造方法は、遮光部、透光量調整部、及び、透光部を有するマスクを通して露光することにより液晶配向制御突起物をパターニングする工程を含み、上記露光は、透光量調整部を、副突起物を形成する領域上に配置した後に行われ、上記透光量調整部には、上記マスクを貫通するV字状の複数のスリットが横並びに形成されており、上記複数のスリットの単位スリットあたりの対称軸の長さは、主突起物を形成する領域から遠ざかるにつれ短くなる液晶表示パネルの製造方法でもある。
本発明の液晶表示パネルの製造方法は、上述した本発明の液晶表示パネルの作製に好適な製造方法である。以下、本発明の液晶表示パネルの製造方法について詳述する。
本発明の製造方法によって作製される液晶表示パネルは、主突起物と、上記主突起物よりも低い副突起物とを含む液晶配向制御突起物を備える。上述したように、液晶配向制御突起物を主突起物と副突起物とに分けて形成することで、液晶分子の配向の制御性に優れたMVAモードの液晶表示パネルが得られる。
上記製造方法は、遮光部、透光量調整部、及び、透光部を有するマスクを通して露光することにより液晶配向制御突起物をパターニングする工程を含む。このような三種類の光透過制御領域を設けることで、一度の露光工程で複数の領域において異なる形状を有する液晶配向制御突起物を作製することが可能となる。
上記露光は、透光量調整部を、副突起物が形成される領域上に配置した後に行われ、上記透光量調整部には、上記マスクを貫通するV字状の複数のスリットが横並びに形成されている。このような透光量調整部を設けることで、副突起物を形成する領域に対する光の照射量を制御することができ、主突起物よりも高さの低い副突起物を、主突起物と同時に形成することができる。また、各スリットの形状をV字とすることで、V字の対称線に沿って先端が形成される壁状の突起物を形成することができ、上記対称線を境に対称性をもつ液晶分子の配向制御を行う突起物を得ることができる。
上記複数のスリットの単位スリットあたりの対称軸の長さは、主突起物を形成する領域から遠ざかるにつれ短くなる。「単位スリットあたりの対称軸の長さ」とは、上記V字のスリットを対称的に二等分する線分の、V字一つ分にあたる長さをいう。各スリットに対応する対称線の長さを順に異ならせることで、高さが徐々に変化する副突起物を容易に形成することができる。そして、このようにして形成される副突起物は、隣接する液晶分子の配向の乱れを生じにくくさせる。なお、本発明の製造方法によって形成される副突起物の表面には、V字状の痕跡が形成されることになるが、配向規制力には大きく影響しない。
本発明の液晶表示パネルの製造方法の構成としては、このような製造工程を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素により特に限定されるものではない。本発明の液晶表示パネルの製造方法における好ましい形態について以下に詳しく説明する。
上記露光は、遮光部を着色層上に配置し、透光量調整部を着色層上及び遮光層上に配置した後に行われることが好ましい。遮光層で区切られた区画に着色層をパターニングしようとする際、遮光層と着色層との間に段差を設けて遮光層の高さを着色層よりも高く形成することを許容すれば、着色層を遮光層で囲まれた領域に的確にパターニングすることが可能となる。本発明の製造方法によって作製される副突起物によれば、着色層上に形成される主突起物と、遮光層上に形成される副突起物との間に段差が生じる場合であっても、液晶分子の配向の乱れが起こりにくいので、このような方法に特に好適に用いることができる。
上記透光量調整部は、スリットの合計の面積がより小さい第一の透光量調整部と、スリットの合計の面積がより大きい第二の透光量調整部とを有し、上記露光は、第一の透光量調整部を着色層上に配置し、第二の透光量調整部を遮光層上に配置した後に行われることが好ましい。遮光層と着色層との間に段差を形成する場合、これらの上に形成される副突起物の間にも高さの違いが生じることになる。第一の透光量調整部を通して形成される副突起物の高さは、第二の透光量調整部を通して形成される副突起物の高さよりも低くなるので、本発明の製造方法によれば、着色層上に形成される副突起物と、遮光層上に形成される副突起物との間の基板面からの高さが揃うように調節することができるので、液晶分子の配向の乱れが起こりにくい副突起物の組み合わせを得ることができる。
本発明の液晶表示パネルによれば、液晶配向制御突起物の形成によって生じる液晶分子の配向の乱れを抑制し、高品位な表示を行うことができる。また、本発明の液晶表示パネルの製造方法によれば、液晶配向制御突起物の形成によって生じる液晶分子の配向の乱れを抑制し、高品位な表示を行うことができることが可能な液晶表示パネルを作製することができる。
実施形態1の液晶表示パネルの一方の基板の基板面を拡大した平面模式図である。 実施形態1の液晶表示パネルが有する液晶配向制御突起物を斜視的に表した模式図である。 実施形態1の液晶表示パネルが有する液晶配向制御突起物を斜視的に表した原子間力顕微鏡(AFM)写真である。 実施形態1の液晶表示パネルの製造工程において、リブのパターニングに用いるマスクの平面模式図である。 マスクの透過量調整部の拡大模式図である。 マスクの透過量調整部の拡大模式図である。 マスクの透過量調整部の各領域に対応する透過率の大きさを示すグラフである。 マスクの透過量調整部の各領域に対応するサブリブの高さを示すグラフである。 実施形態1におけるリブの一部を抜き出して表した平面模式図である。 実施形態1におけるメインリブ及びサブリブの断面模式図である。 実施形態1におけるメインリブ及びサブリブをより実際の形状に近づけた断面模式図である。 実施形態1におけるサブリブの平面模式図であり、あわせて液晶分子の傾斜の向きを示している。 サブリブの高さに変化を設けていない場合(比較形態1)の、液晶表示パネルを構成する基板表面の消光位状態での光学顕微鏡写真である。 サブリブの高さに変化を設けた場合(実施形態1)の、液晶表示パネルを構成する基板表面の消光位状態での光学顕微鏡写真である。 本発明者らが検討を行っているMVAモードの液晶表示パネルを構成する基板表面を平面的に表した消光位状態での光学顕微鏡写真である。
以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
実施形態1
実施形態1の液晶表示パネルは、一対の基板と、上記一対の基板に挟持された液晶層とを有する。図1は、実施形態1の液晶表示パネルの一方の基板の基板面を拡大した平面模式図である。図1に示すように、実施形態1の液晶表示パネルは、一方の基板(以下、アレイ基板ともいう。)に、行方向に延伸された走査配線11、及び、列方向に延伸された信号配線12を有し、これらに囲まれた領域が一つのサブ画素を構成する。
アレイ基板は、複数の画素電極13を有し、一つのサブ画素に対して一つの画素電極13が配置される。すなわち、上記複数の画素電極13は行方向及び列方向に並べられてマトリクス形状を構成する。各画素電極13は、画素電極13同士の間隙に配置された走査配線11、信号配線12等の各種配線、及び、これらの配線の交点に隣接して設けられた薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)等のスイッチング素子により、個別に駆動制御される。なお、画素電極13一つあたりの形状としては、矩形、矩形に対し一部に平面的な切り欠き又は突出が設けられた形状等が挙げられ、後述するブラックマトリクスの開口の形状とあわせる必要はない。
また、一つのサブ画素に対応する領域に一つのカラーフィルタが、他方の基板(以下、対向基板ともいう。)に設けられる。なお、上記カラーフィルタは、対向基板ではなくアレイ基板に設けられてもよい。
複数色のカラーフィルタによって1つの画素に対応する特定の色が表現されるため、カラーフィルタに対応した複数個のサブ画素によって1つの画素は構成される。1つの画素を構成するカラーフィルタの色の組み合わせとしては、例えば、赤(R)、緑(G)及び青(B)の3原色の組み合わせが挙げられ、他の色(例えば、黄(Y)、白(W))を更に有していてもよい。
対向基板において、各カラーフィルタ同士の間隙には遮光部材(以下、ブラックマトリクス(BM)ともいう。)が設けられており、カラーフィルタ同士の間隙からの光漏れ及び混色を防ぐことができる。なお、実施形態1においては、BMの形成されていない領域が開口領域となる。
BMが形成されている領域の任意の場所には、液晶表示パネルを構成する一対の基板を一定間隔で保つ柱状スペーサ14が設けられる。
カラーフィルタ上及びBM上の全体には共通電極が設けられており、共通電極と、アレイ基板が有する画素電極13とによって液晶層内に電界を形成することができる。
そして、MVAモードである実施形態1の液晶表示パネルにおいては、パネル面(基板面)を平面視したときに線状である液晶配向制御突起物(以下、リブともいう。)21が、対向基板の共通電極上に設けられる。リブ21は、一部で折れ曲がった形状を有しており、画素の区分に関わらず、表示画面を大きく見たときに全体としてジグザグ形状を有している。また、リブ21の延伸方位は、画素電極13の短辺及び長辺に対して角度をもつ(例えば、30〜60°)ように形成されているので、1つのリブ21であっても、1つのサブ画素を複数の領域に区分することができる。
リブ21の材料は、ノボラック樹脂等の誘電体(絶縁体)であり、電圧を印加しない状態においても、隣接する液晶分子をリブ21に向かって配向させることができる。したがって、リブ21で区分された領域ごとに各液晶分子は異なる方向に配向することになるので、広視野角を得ることができる。
図1に示すように、リブ21は、V字状又は直線状であるメインリブ(主突起物)22、及び、その延伸方位がメインリブ22の延伸方位に対して角度をもつサブリブ(副突起物)23を有している。メインリブ22の形状をV字状とすることで、1つのサブ画素を均等に分割しやすくなり、広視野角が得られやすくなる。また、このようなメインリブ22の一部から延伸したサブリブ23を補助的に設けることで、より精密に液晶分子の配向性を調節することができるため、表示品位を向上させることができる。
サブリブ23としては、メインリブ22の折れ曲がっている部分(屈曲部)から延伸された第一のサブリブ(第一の副突起物)23a、及び、メインリブ22の末端から延伸された第二のサブリブ(第二の副突起物)23bが挙げられる。また、サブリブ23は、メインリブ22とは独立して設けられてもよく、例えば、サブ画素の境界線上に第三のサブリブ23cとして設けることができる。これらのサブリブ23は、メインリブ22ほどの配向規制力は必要でないため、メインリブ22よりも低く形成されており、メインリブ22よりも同等又はそれ以下の幅をもつ。メインリブ22の延伸方位は、サブ画素の外縁に対して角度をもつように形成されているが、サブリブ23の延伸方位は、行方向又は列方向となるように形成されている。
図2は、実施形態1の液晶表示パネルが有する液晶配向制御突起物を斜視的に表した模式図であり、図3は、実施形態1の液晶表示パネルが有する液晶配向制御突起物を斜視的に表した原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)写真である。図2及び図3に示すように、リブ21は、対向基板を一方の基板としたときの他方の基板、すなわち、アレイ基板側に向かって突出した壁状の仕切り部材を構成する。また、リブ21全体のうち、メインリブ22及び第一のサブリブ23aがカラーフィルタ31上(開口領域内)に設けられ、第二のサブリブ23b及び第三のサブリブ23cがBM32上(開口領域外)に設けられている。
カラーフィルタ(着色層)31とBM(遮光層)32との間には段差が設けられており、BM32がカラーフィルタ31よりも高く形成されている。そのため、同一のリブ内でもカラーフィルタ31上のもの23aとBM32上のもの23bとの間で段差が形成されることになる。これは、カラーフィルタ31とBM32の製造プロセスの中で形成されてしまう段差である。
具体的に説明すると、カラーフィルタ31は、例えば、BM32によって仕切られたスペースにインクジェット法によってカラーフィルタ材料を滴下することで、容易にかつ高精度に形成することができる。しかしながら、より的確に対象となるスペースにカラーフィルタ材料を留めるためには、カラーフィルタが形成される面に親液処理を行い、BM32の表面に撥液処理を行うことが必要であり、そうした場合、形成されるカラーフィルタ31とBM32とは、それぞれ異なる高さをもつことになる。
このようなBM32とカラーフィルタ31との間の段差は、それぞれの面上に形成されるリブ間の段差形成の原因になる。なお、カラーフィルタ31とBM32との間の高さの違いは、一般的な製造プロセスによれば、0.4〜0.6μmであり、通常のサブリブの高さ(メインリブの15%〜90%)と同程度である。
BM32上のサブリブ23の高さをより低く形成することも考えられるが、従来の方法によれば製造プロセス上、サブリブ23を更に細く形成する必要があるため、製造マージンを大幅に減らすことになり、好ましくない。そこで、実施形態1においては、サブリブ23の製造方法に関し、以下のような工夫を行っている。
実施形態1においてリブのパターニングは、以下のマスクを用いたフォトリソグラフィ法によって行う。図4は、実施形態1の液晶表示パネルの製造工程において、リブのパターニングに用いるマスクの平面模式図である。図4に示すように、実施形態1においてマスクは、遮光部61と、透過量調整部62と、透光部63とを有している。遮光部61はV字状であり、透過量調整部62は直線状である。遮光部61は、透過量調整部62と連結されており、遮光部61の延伸方位は、透過量調整部62の延伸方位に対して角度をもつ。すなわち、遮光部61と透過量調整部62とを合わせた形状は、屈曲部を有するV字状である。メインリブのパターニングを行う領域が遮光部61に対応し、サブリブのパターニングを行う領域が透過量調整部62に対応し、リブのパターニングを行わない領域が透光部63に対応するように、マスクの配置調整がなされた後、露光工程が行われる。
図5及び図6は、マスクの透過量調整部の拡大模式図である。図5及び図6に示すように、マスクの透過量調整部62には、マスクを貫通するV字状の複数のスリット71が横並びに形成されており、露光時に光がこのスリット71を通り抜けられるものとしている。このとき、スリット71の大きさによって露光量の調節を行うことができる。なお、図5及び図6において透過量調整部62の左端側が遮光部側を指し、右端側が他方の末端側を指す。
V字状の複数のスリット71の単位スリットあたりの対称軸の長さは、それぞれ異なっており、メインリブを形成する領域から遠ざかるにつれ短くなっている。以下、単位スリットあたりの対称軸の長さを「パターン幅」ともいう。すなわち、実施形態1においてマスクの表面には、パターン幅がそれぞれ異なるV字状の複数のスリット71が横並びに形成されており、終端におけるパターン幅を単位区分とすると、パターン幅の長いものほどメインリブが形成される領域に近くなるように各スリット71が設けられている。
V字の開口の向きは隣り合うもの同士で<(右向き)、又は、>(左向き)で共通している。実施形態1において各スリット71の開口の向きは特に限定されず、図5に示すようにメインリブを形成する領域に向かって開口が開いている形態と、図6に示すようにメインリブを形成する領域に向かって開口が閉じている形態とのいずれであってもよい。
実施形態1において各スリット71は、V字の中心角の大きさがそれぞれ異なっているということもできる。V字状の複数のスリット71のそれぞれは、メインリブが形成される領域から遠ざかるにつれ中心角が大きなスリットが配置されている。
このようなスリット71を設けることで、透過量調整部全体として透過部よりも露光量を少なくするとともに、スリット71のパターン幅が異なる領域ごとに露光量を調節することができる。
図7は、マスクの透過量調整部の各領域に対応する透過率の大きさを示すグラフである。また、図8は、マスクの透過量調整部の各領域に対応するサブリブの高さを示すグラフである。図7に示すように、マスクを通して露光されるパターン幅一つあたりの光の透過率は、パターン幅が狭い領域ほど大きくなっている。したがって、メインリブが形成される領域から光の透過率が段階的に少なくなるように、各領域における透過率の大きさが制御されている。これにより、図8に示すように、露光後のリブの仕上がりの膜厚も段階的に異なることとなり、メインリブ側から徐々に高さが低くなるサブリブが形成される。そして、そのようなサブリブによれば、液晶分子の傾きを連続的、かつ、なだらかに変化させることができるので、メインリブの折れ曲がり部分又は末端部分付近での液晶分子の配向の乱れ、及び、メインリブとサブリブとの間、又は、サブリブ間に段差が生じたときの液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
また、このようなV字状のスリット71は、透過量調整部の中心線(図5及び図6中の一点鎖線)を境に互いに対称な形状を有している。そのため、透過量調整部の中心線に沿って突起の先端が形成されるリブを形成することができ、液晶分子をリブを境界点として対称的に配向制御することができる。
各スリットの幅は、露光装置の解像限界よりも小さく、0.1μm〜5μm、好ましくは、0.5〜2μmである。これは、結像光学系を使用した露光装置(ステッパ、ミラープロジェクション等)の場合、0.1μm〜数μmが解像限界となり、プロキシミティ露光装置の場合、数μmが解像限界、特に大型TV用の露光装置は3〜4μm程度の解像限界(メーカー仕様)となっているためである。実施形態1におけるマスクは、半導体等の形成のための一般的なグレートーンマスク(ハーフトーンマスク)とは異なり、干渉波の解消が必要でないことから、各スリットの幅が、露光する光の波長のn倍に調節される必要はない。
具体的には、以下の手順でフォトリソグラフィ法によるリブのパターニングを行うことができる。
まず、対向基板の表面にノボラック樹脂等のポジ型の感光性樹脂材料をスピンコート法等により塗布し、脱溶媒処理を行って感光性樹脂膜を形成する。次に、図5又は図6で示したマスクを所定の位置に配置し、マスクを介して対向基板の表面に露光を行う。このときの露光は、例えば、250mJ/cmの条件で行う。そして、露光後の感光性樹脂膜を水酸化カリウムを用いて1分間現像処理し、200℃で20分間の焼成工程を行うことで、露光工程時に遮光部によって光が当たっていない箇所が残存することになる。
より具体的には、上記露光は、マスクの各部位のうち、遮光部をメインリブを形成する領域上に配置し、透光量調整部をサブリブを形成する領域上に配置して行う。これにより、一度の露光工程で、メインリブが形成される領域及びサブリブが形成される領域の両方を照射することができ、メインリブ及びサブリブを含むリブ全体がパターニングされることになる。
また、このとき透光量調整部を、スリットの合計の面積がより小さい第一の透光量調整部と、スリットの合計の面積がより大きい第二の透光量調整部とで構成することで、これらの透光量調整部を通して露光された領域間で、リブの高さを異ならせることができる。すなわち、第一の透光量調整部を第一のサブリブを形成する領域上に、第二の透光量調整部を第二のサブリブ及び第三のサブリブを形成する領域上に、それぞれ配置した後、上記露光を行うことで、これら高さの異なるサブリブを一度に形成することができる。これらの面積を異ならせる手段としては、例えば、スリットの数を増やす方法、スリットの単位面積を広げる方法が挙げられる。
このような製造方法によれば、カラーフィルタ上にパターニングされる第一のサブリブと、BM上にパターニングされる第二及び第三のサブリブとの間の、基板面からの高さの差がより縮まることとなり、より液晶配向の乱れの少ない液晶表示パネルを得ることができる。
実施形態1の製造方法によって作製される各リブの形状について、以下、詳述する。
図9は、実施形態1におけるリブの一部を抜き出して表した平面模式図である。図9に示すように、リブは、より高く、より広い幅をもつメインリブ22と、より低く、より狭い幅をもつサブリブ23a,23bとに分けられる。メインリブ22の形状はV字状であり、サブリブ23a,23bの形状は直線状である。サブリブ23a,23bは、メインリブ22の先端、又は、屈曲部から延伸されている。液晶分子はリブに一方の先端を向けて配向するため、メインリブ22の先端にサブリブ23a,23bがないと、メインリブ22の先端付近の領域に位置する液晶分子の配向に乱れが生じる。また、メインリブ22の折れ曲がり部分付近の領域においても同様に、メインリブ22の折れ曲がり部分付近の領域に位置する液晶分子の配向に乱れが生じる。
実施形態1では、メインリブ22の屈曲部から第一のサブリブ23aを、メインリブ22の両方の先端から第二のサブリブ23bをそれぞれ延伸しており、サブリブ23a、23bが液晶分子の乱れを抑制する障壁となるため、液晶分子をより確実に区分し、サブ画素上のドメインを規則的に分割することができる。
このようなサブリブ23a,23bを有する構成を設けた場合、リブ21によって配向分割される領域(ドメイン)は、図9の点線で示すように、メインリブ22によって主として配向制御される主制御領域Sと、サブリブ23a,23bによって補助的に配向制御される副制御領域Wとに分けられる。
ただし、メインリブ22とサブリブ23a,23bとでは、配向規制力はサブリブ23a,23bよりもメインリブ22の方が強いため、主制御領域S内の液晶分子は強い規制力で規則的に配向制御されるものの、副制御領域W内の液晶分子は、メインリブ22による配向規制力の影響を受け、配向に乱れが生じることがある。また、上述のように、カラーフィルタとBMとの間による段差によって、その乱れは更に助長されるおそれがある。
これに対し、実施形態1の製造方法によって形成されるリブの構造によれば、このような液晶分子の配向の乱れを解消することができる。図10は、実施形態1におけるメインリブ及びサブリブの断面模式図である。
図10に示すように、実施形態1においてリブ21は、メインリブ22と、メインリブ22の一部から延伸されたサブリブ23とで構成されており、サブリブ23は、メインリブ22から遠ざかるにつれて徐々に高さが低くなるように形成されている。このような高さの違いは、上述の製造方法における露光量の違いによるものであり、図8で示したように、単位スリットが配置される領域に対応して高さが段階的に変化している。これにより、サブリブに隣接する液晶分子の配向を連続的、かつ、なだらかに変化させることができる。
図11は、実施形態1におけるメインリブ及びサブリブをより実際の形状に近づけた断面模式図である。図11に示すように、実際には、図11の○部分で示される、メインリブ22とサブリブ23との境界、及び、サブリブ23の各単位スリットに対応する領域の境界において、焼成工程時の熱ダレによりレベリング(平坦化)が起こり、図10で示したものよりも、なめらかな傾斜面を有するリブが得られることになる。これにより、複数の段差が形成されながら膜厚が薄く変化するものに比べ、より円滑な液晶分子の配向を得ることができる。なお、図11に示す形態では、メインリブ22のサブリブ23側の端面が欠け落ちている点にも一つの特徴がある。
また、実施形態1の製造方法によって形成されるサブリブの大きな特徴として、図11のグレー部分に示すように、サブリブの表面に、マスクのスリットの形状に合わせてV字状の痕跡が残ることが挙げられる。このような痕跡は、液晶分子の配向には大きな影響を与えないため、表示品位の変動には大きく寄与しないが、実施形態1の製造方法によって作製されるサブリブの一つの特徴として挙げることができる。
なお、実施形態1においてサブリブの表面は、徐々に高さが低くなるものである限り、(1)平坦な傾斜を有するものと、(2)複数の段を有し、高さが段階的に変化するもの、(3)曲線を描きながらなだらかに変化するもののいずれであってもよい。例えば、サブリブの先端部分を任意に3点取ったときに、これら3点のうちメインリブから近いものから順に高さが低い形態が挙げられる。
図12は、実施形態1におけるサブリブの平面模式図であり、あわせて液晶分子の傾斜の向きを示している。図12において弓なりの線は、熱ダレによるレベリングが起こった領域を示し、複数の点は、マスクのスリットパターンを反映した痕跡が生じた領域を示している。また、図12に示すように、サブリブに隣接する液晶分子の傾きは、メインリブ側からサブリブの先端側に向けて、順々に倒れていくように配向しており、連続的、かつ、なめらかに変化している。したがって、液晶分子の配向に乱れが生じにくい液晶表示パネルが得られることになり、液晶分子の配向の乱れによる表示品位の劣化を抑制することができる。
このような形状のリブによれば、上述したようなカラーフィルタとBMとの間に段差が生じている場合においてもその段差に起因して生じる液晶分子の配向の乱れを抑制することができるので、カラーフィルタとBMとの間に段差が形成されうる場合に、実施形態1の構成及び製造方法は、特に好適に用いられる。
図13は、サブリブの高さに変化を設けていない場合(比較形態1)の、液晶表示パネルを構成する基板表面の消光位状態での光学顕微鏡写真であり、図14は、サブリブの高さに変化を設けた場合(実施形態1)の、液晶表示パネルを構成する基板表面の消光位状態での光学顕微鏡写真である。
図13の白丸部分と図14の白丸部分とを比較すると、図13においては白く変化しているのに対し、図14においては黒のままである。したがって、実施形態1の構成によれば比較形態1のような白ぼけ領域が形成されず、明表示状態においてこの白ぼけ領域に相当する暗い領域が発生しないことになるため、良好な表示を得ることができる。
なお、本願は、2009年12月17日に出願された日本国特許出願2009−286770号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。
11:走査配線
12:信号配線
13:画素電極
14:柱状スペーサ
21:リブ(液晶配向制御突起物)
22:メインリブ(主突起物)
23:サブリブ(副突起物)
23a:第一のサブリブ
23b:第二のサブリブ
23c:第三のサブリブ
31:カラーフィルタ
32:ブラックマトリクス(BM)
41:スリットの痕跡
51:液晶分子
61:マスクの遮光部
62:マスクの透過量調整部
63:マスクの透光部
71:スリット
S:主制御領域
W:副制御領域

Claims (7)

  1. 一対の基板と、該一対の基板に挟持された液晶層とを有するMVAモードの液晶表示パネルであって、
    該一対の基板の一方は、他方の基板に向かって突出した壁状の液晶配向制御突起物を備え、
    該液晶配向制御突起物は、V字状又は直線状の主突起物と、該主突起物の屈曲部又は末端から延伸され、延伸方向が主突起物の延伸方向に対して角度を有し、該主突起物よりも低い副突起物とを含み、
    該副突起物の高さは、該主突起物から遠ざかるにつれ徐々に低くなる
    ことを特徴とする液晶表示パネル。
  2. 前記副突起物は、前記主突起物よりも狭い幅をもつことを特徴とする請求項1記載の液晶表示パネル。
  3. 前記液晶配向制御突起物を備える基板は、着色層、及び、着色層よりも高い遮光層を有し、
    前記副突起物は、着色層上に配置された第一の副突起物と、遮光層上に配置された第二の副突起物とを含む
    ことを特徴とする請求項1又は2記載の液晶表示パネル。
  4. 前記第二の副突起物は、前記第一の副突起物よりも低いことを特徴とする請求項3記載の液晶表示パネル。
  5. V字状又は直線状の主突起物と、該主突起物の屈曲部又は末端から延伸され、延伸方向が主突起物の延伸方向に対して角度を有し、該主突起物よりも低い副突起物とを含む液晶配向制御突起物を備えるMVAモードの液晶表示パネルの製造方法であって、
    該製造方法は、遮光部、透光量調整部、及び、透光部を有するマスクを通して露光することにより液晶配向制御突起物をパターニングする工程を含み、
    該露光は、透光量調整部を、副突起物を形成する領域上に配置した後に行われ、
    該透光量調整部には、該マスクを貫通するV字状の複数のスリットが横並びに形成されており、
    該複数のスリットの単位スリットあたりの対称軸の長さは、主突起物を形成する領域から遠ざかるにつれ短くなる
    ことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
  6. 前記露光は、遮光部を着色層上に配置し、透光量調整部を着色層上及び遮光層上に配置した後に行われることを特徴とする請求項5記載の液晶表示パネルの製造方法。
  7. 前記透光量調整部は、スリットの合計の面積がより小さい第一の透光量調整部と、スリットの合計の面積がより大きい第二の透光量調整部とを有し、
    前記露光は、第一の透光量調整部を着色層上に配置し、第二の透光量調整部を遮光層上に配置した後に行われる
    ことを特徴とする請求項5又は6記載の液晶表示パネルの製造方法。
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