JP5219623B2 - Laser processing control device and laser processing device - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 126
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 21
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 164
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
- B23K26/0876—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Description
本発明は、レーザ加工に用いるレーザパルス光の出射を制御するレーザ加工制御装置およびレーザ加工装置に関するものである。 The present invention relates to a laser processing control device and a laser processing device that control emission of laser pulse light used for laser processing.
短パルスレーザ加工装置は、例えば1〜100マイクロ秒幅のレーザパルス光をプリント基板などの被加工物にパルス照射することによって、直径が数十μm〜数百μm程度のスルーホール(穴)をプリント基板上に形成することのできる工作機械である。 A short pulse laser processing apparatus, for example, irradiates a workpiece such as a printed circuit board with a laser pulse light having a width of 1 to 100 microseconds, thereby forming a through hole (hole) having a diameter of several tens to several hundreds of μm. A machine tool that can be formed on a printed circuit board.
このようなレーザ加工装置では、1つの加工穴に照射するレーザ光のエネルギー量(強さ)の合計値が規定値からずれると、プリント基板上に形成する穴の品質を悪化させてしまう。例えば、レーザ光のエネルギー量の合計値が規定値からずれた場合、形成する穴径に異常が生じる、穴が開かない、レーザ光が穴を突き抜ける、加工屑が残ってしまうといった問題が発生する。このため、従来のレーザ加工装置は、レーザ発振器から発射されたレーザ光の一部を取り出すとともに、取り出したレーザ光を電気量に変換して積分回路で積分し、この積分値に基づいて1つの加工穴に照射されたレーザ光のエネルギー量を算出していた。そして、算出したエネルギー量の合計値が、予め設定した規定値と異なる場合には、レーザ加工を停止したり、発射するパルス数を追加したりしていた。 In such a laser processing apparatus, if the total value of the energy amount (strength) of the laser light irradiated to one processing hole deviates from a specified value, the quality of the hole formed on the printed circuit board is deteriorated. For example, when the total value of the energy amount of laser light deviates from a specified value, problems occur such as an abnormality in the diameter of the hole to be formed, the hole not being opened, the laser light penetrating through the hole, or machining waste remaining. . For this reason, the conventional laser processing apparatus extracts a part of the laser light emitted from the laser oscillator, converts the extracted laser light into an electric quantity, integrates it with an integration circuit, and based on this integration value, The amount of energy of the laser beam irradiated to the processing hole was calculated. When the calculated total amount of energy is different from a preset specified value, laser processing is stopped or the number of pulses to be emitted is added.
また、特許文献1に記載のレーザ加工装置は、プリント基板に照射されたレーザ光のエネルギー量を正確に算出するために、プリント基板に照射されたレーザ光のエネルギー量をレーザパルス光の1発毎に算出している。そして、レーザパルス光の発振周波数に同期したタイミングで積分回路をリセットして、各レーザパルス光のパルスエネルギーを測定している。
In addition, the laser processing apparatus described in
しかしながら、上記従来の技術では、積分回路をリセットしてもレーザパワー測定用センサを校正することはできなかった。このため、レーザ光の出射に伴ってレーザパワー測定用センサに温度ドリフトが発生した場合、レーザパワー測定用センサは正確なレーザパワーを測定することができないという問題があった。 However, in the above conventional technique, the laser power measurement sensor cannot be calibrated even if the integration circuit is reset. For this reason, when a temperature drift occurs in the laser power measurement sensor as the laser beam is emitted, there is a problem that the laser power measurement sensor cannot measure the accurate laser power.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、レーザ光のレーザパワーを正確に測定して正確なエネルギー量のレーザ光を出射させることができるレーザ加工制御装置およびレーザ加工装置を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and provides a laser processing control device and a laser processing device capable of accurately measuring the laser power of a laser beam and emitting a laser beam having an accurate energy amount. With the goal.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、レーザ発振器からレーザ加工対象の被加工物に照射されるレーザパルス光を出射制御するレーザ加工制御装置において、前記レーザ発振器からパルス出射されたレーザパルス光の光強度をパルス毎に積分することによって、前記レーザパルス光のレーザパワーを測定するレーザパワー測定部と、前記レーザパルス光が出射されていないタイミングで前記レーザパワー測定部が出力する出力値に基づいて、前記レーザパワー測定部が測定するレーザパワーのオフセット量を算出するオフセット量算出部と、前記オフセット量算出部が算出したオフセット量を前記レーザパワー測定部に出力するオフセット量出力部と、前記レーザパワー測定部が前記オフセット量を用いて測定したレーザパワーに基づいて、前記被加工物に照射されたレーザパルス光のエネルギー量の合計値をレーザ照射位置毎に算出するエネルギー量算出部と、前記エネルギー量算出部が算出した合計値に基づいて、前記レーザ発振器が出射するレーザパルス光の出射制御を行なう制御部と、を備えることを特徴とする。
In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention provides a laser processing control apparatus that controls the emission of laser pulse light emitted from a laser oscillator to a workpiece to be laser processed. A laser power measurement unit that measures the laser power of the laser pulse light by integrating the light intensity of the emitted laser pulse light for each pulse, and the laser power measurement unit at a timing when the laser pulse light is not emitted. Based on the output value output by the laser power measuring unit, the offset amount calculating unit for calculating the offset amount of the laser power measured by the laser power measuring unit, and the offset amount calculated by the offset amount calculating unit are output to the laser power measuring unit. An offset output unit and a laser power measurement unit measured using the offset amount. Based on the power, based on the total amount calculated by the energy amount calculation unit, an energy amount calculation unit that calculates a total value of the energy amount of the laser pulse light irradiated to the workpiece for each laser irradiation position, And a control unit for performing emission control of laser pulse light emitted from the laser oscillator.
この発明によれば、レーザパルス光が出射されていないタイミングのレーザパワーの出力値に基づいて、レーザパワーのオフセット量を算出するので、レーザ光のレーザパワーを正確に測定して正確なエネルギー量のレーザ光を出射させることが可能になるという効果を奏する。 According to the present invention, since the offset amount of the laser power is calculated based on the output value of the laser power at the timing when the laser pulse light is not emitted, the accurate amount of energy is obtained by accurately measuring the laser power of the laser light. It is possible to emit the laser beam.
以下に、本発明に係るレーザ加工制御装置およびレーザ加工装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of a laser processing control device and a laser processing device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments.
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係るレーザ加工装置の概略構成を示す図である。レーザ加工装置101は、プリント基板等の被加工物にレーザ光をパルス照射することによって被加工物の穴あけ加工などを行なう装置であり、レーザ加工制御装置10によって制御される。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a laser processing apparatus according to
レーザ加工装置101は、レーザ発振器1、ミラー4、fθレンズ5、ガルバノスキャナ6X,6Y、ガルバノミラー61X,61Y、XYテーブル8、部分反射鏡(部分透過鏡)31、後述の積分信号算出装置20、レーザ加工制御装置10を有している。レーザ発振器1は、例えば100〜10000Hzの発振周波数で、例えば1〜100μsec幅のレーザパルス光(レーザ光2)をパルス出射し、部分反射鏡31を介してミラー4へ入射させる。レーザ発振器1から出射されたレーザ光2は、その一部が部分反射鏡31によって積分信号算出装置20に送られる。積分信号算出装置20は、レーザ加工制御装置10と接続しており、レーザ加工制御装置10はレーザ発振器1と接続している。積分信号算出装置20からレーザ加工制御装置10へは、後述の積分信号a3が送られ、レーザ加工制御装置10から積分信号算出装置20へは、後述の積分指令b3、オフセット電圧b1が送られる。また、レーザ加工制御装置10からレーザ発振器1へは、後述の発振指示b2が送られる。
The
ミラー4は、レーザ光2を反射して光路へ導く。レーザ光2は、複数のミラー4で反射されることによってガルバノミラー61X,61Yへ導かれる。ガルバノミラー61X,61Yは、レーザ光2を反射してfθレンズ5へ導く。fθレンズ5は、レーザ光2をXYテーブル8上の被加工物7上に集光させる。
The mirror 4 reflects the laser beam 2 and guides it to the optical path. The laser beam 2 is guided to the
ガルバノスキャナ6X,6Yは、レーザ光2を例えば50mm四方の範囲で走査させるサーボモータであり、レーザ光2をガルバノミラー61X,61Yで揺動することによって、レーザ光2の照射位置を被加工物7の穴位置に高速に位置決めする。
The
ガルバノスキャナ6Xは、被加工物7に対するレーザ光の照射位置をX方向に移動させ、ガルバノスキャナ6Yは被加工物7に対するレーザ光の照射位置をY方向に移動させる。XYテーブル8は、例えば300mm四方の被加工物7を載置するとともに、被加工物7をXY方向に移動させる。
The
レーザ加工装置101は、XYテーブル8の移動(加工位置へのステップ)と被加工物7へのレーザ照射を繰り返すことによって、被加工物7の複数箇所に例えば直径数十〜数百μmの穴加工を行う。レーザ加工装置101では、XYテーブル8を移動させる間、被加工物7へのレーザ照射を停止し、XYテーブル8が所望の位置に到達してXYテーブル8が停止した後、被加工物7へのレーザ照射を行なう。
The
本実施の形態では、積分信号算出装置20がレーザ発振器1から出射されるレーザ光2の一部を用いて、レーザパルス光の積分信号を測定する。そして、レーザ加工制御装置10が、被加工物7へのレーザ照射を停止している間の積分信号に基づいて、被加工物7に照射されるレーザ光2のエネルギー量(レーザパワー)を算出する。レーザ加工制御装置10は、算出したエネルギー量に基づいてレーザ発振器1を制御し、エネルギー量に応じたパルス数のレーザ光を被加工物7に照射させる。
In the present embodiment, the integral
なお、レーザ加工装置101では、レーザ発振器1、ミラー4、fθレンズ5、ガルバノスキャナ6X,6Y、ガルバノミラー61X,61Y、XYテーブル8以外の光学素子などを光路に挿入しておいてもよいし、何れかを省く構成としてもよい。
In the
ここで、積分信号算出装置(レーザパワー測定部)20の構成と動作について説明する。図2は、実施の形態1に係る積分信号算出装置の構成を示す図である。積分信号算出装置20は、赤外線センサ22、増幅回路23、積分回路24を含んで構成されており、レーザパルス光のレーザパワーに対応する積分信号a3を算出する。
Here, the configuration and operation of the integral signal calculation device (laser power measurement unit) 20 will be described. FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the integral signal calculation apparatus according to the first embodiment. The integration
赤外線センサ22は、入射されたレーザ光2の光強度を電気信号a1(電圧や抵抗値などの電気量)に変換して出力するセンサである。増幅回路23は、赤外線センサ22から送られてくる電気信号a1を増幅する回路であり、増幅した信号を積分回路24に送る。本実施の形態の増幅回路23は、レーザ加工制御装置10と接続されており、レーザ加工制御装置10からオフセット電圧b1(赤外線センサ22の温度ドリフトをキャンセルさせるための電圧値)が送られてくる。増幅回路23は、電気信号a1とオフセット電圧b1を加算し、加算後の信号を電気信号a2(補正後の電気信号)として積分回路24に送る。
The
積分回路24は、電気信号a2を所定の時間で積分して積分信号a3を算出する回路である。積分回路24へは、レーザ加工制御装置10から積分指令b3(積分時間を指定する信号)が送られる。積分回路24は、積分指令b3に対応する時間で電気信号a2を積分して積分信号a3(レーザパワーに応じた信号)を算出しレーザ加工制御装置10に送る。
The integrating
レーザ発振器1から出射されたレーザ光2は、部分反射鏡(部分透過鏡)31へ送られる。部分反射鏡31は、レーザ光2のうち透過させないレーザ光2を反射してガルバノミラー61X,61Y側へ送る。また、部分反射鏡31は、レーザ光2の一部を透過させて積分信号算出装置20(赤外線センサ22)に送る。積分信号算出装置20は、部分反射鏡31からのレーザ光を用いて積分信号a3を算出し、算出した積分信号a3をレーザ加工制御装置10に送る。レーザ加工制御装置10は、積分信号a3に基づいて、被加工物7に照射されるレーザ光2のエネルギー量を算出する。そして、レーザ加工制御装置10は、算出したエネルギー量に応じたオフセット電圧b1を増幅回路23に送る。
The laser beam 2 emitted from the
これにより、増幅回路23は、電気信号a1とオフセット電圧b1を加算し、加算後の信号を電気信号a2として積分回路24に送る。レーザ加工制御装置10は、この電気信号a2を用いて積分信号a3を算出し、算出した積分信号a3をレーザ加工制御装置10に送る。そして、レーザ加工制御装置10は、電気信号a2を用いて算出された積分信号a3に基づいて、被加工物7に照射されるレーザ光2のエネルギー量を算出する。レーザ加工制御装置10は、算出したエネルギー量に応じたオフセット電圧b1を増幅回路23に送るとともに、算出したエネルギー量に応じたレーザ光を出射させる指示(発振指示b2)をレーザ発振器1に送る。
Thereby, the
つぎに、実施の形態1のレーザ加工制御装置10の構成について説明する。レーザ加工制御装置10は、例えばCPU、ROM、RAM、ゲートアレイなどによって構成されている。図3は、実施の形態1に係るレーザ加工制御装置の構成を示す機能ブロック図である。レーザ加工制御装置10は、積分信号入力部11、オフセット電圧算出部(オフセット量算出部)12、オフセット電圧出力部(オフセット量出力部)13、積分指令出力部14、レーザパルス出力指示部(制御部)15、エネルギー量算出部16を有している。
Next, the configuration of the laser
積分信号入力部11は、積分回路24から送られてくる積分信号a3を入力し、オフセット電圧算出部12とエネルギー量算出部16に送る。オフセット電圧算出部12は、積分信号a3に後述のオフセット係数kをかけることによって、増幅回路23に送るオフセット電圧b1を算出する。
The integration
オフセット電圧出力部13は、オフセット電圧算出部12が算出したオフセット電圧b1を増幅回路23へ出力する。積分指令出力部14は、積分時間を指定するための積分指令b3を積分回路24へ出力する。積分指令出力部14は、XYテーブル8が所望の位置に到達してXYテーブル8が停止した後に、オフセット値を測定するための積分指令b3を積分回路24へ出力する。
The offset
エネルギー量算出部16は、積分信号a3に基づいて、レーザ光2のエネルギー量をパルス毎に算出する。エネルギー量算出部16は、予め加工穴毎に設定されるエネルギー量の合計値(各加工穴に設定されるパルス毎のエネルギー量を合計した値)(以下、エネルギー量基準値という)と、算出した実際のエネルギー量(以下、実エネルギー量という)と、を比較し、比較結果(エネルギー量の差分)をレーザパルス出力指示部15に送る。
The energy
レーザパルス出力指示部15は、エネルギー量の比較結果に基づいて、レーザ光の出射停止または追加出射を指示する発振指示b2をレーザ発振器1に送る。レーザパルス出力指示部15は、実エネルギー量がエネルギー量基準値よりも小さかった場合、エネルギー量の差分に応じたパルス数だけレーザ光を追加出射させる発振指示b2をレーザ発振器1に送る。レーザパルス出力指示部15は、実エネルギー量がエネルギー量基準値よりも大きくなると判明した時点で、レーザ光を出射停止させる発振指示b2をレーザ発振器1に送る。
The laser pulse
つぎに、赤外線センサ22から出力されて増幅回路23で増幅されたレーザパルス(電気信号a2)と、積分信号a3について説明する。図4は、赤外線センサに温度ドリフトが発生していない場合の積分信号を説明するための図であり、図5は、赤外線センサに温度ドリフトが発生した場合の積分信号を説明するための図である。
Next, the laser pulse (electric signal a2) output from the
赤外線センサ22に温度ドリフトが発生していない場合、赤外線センサ22からはオフセットの無いレーザパルス(電気信号a1)が出力される。この場合、レーザ光が出射されていないタイミングでは、基準値である「0」のレーザパルスa1が赤外線センサ22から出力される。そして、レーザ加工制御装置10から増幅回路23へのオフセット電圧b1の入力がなければ、図4に示すように、増幅回路23からはオフセットの無いレーザパルス(電気信号a2)が出力される。
When the temperature drift does not occur in the
レーザ加工制御装置10の積分指令出力部14は、パルスの立ち上がりよりも前に積分指令(レーザ光のエネルギー量を測定するための積分指令)(以下、積分指令bxという)の信号を立ち上げる。ここでの積分指令bxは、積分指令b3と同様の積分指令であり、積分指令b3がオフセット値を測定するための積分指令であるのに対して、積分指令bxは、エネルギー量を測定するための積分指令である。積分指令出力部14は、パルスが立ち下がった後に積分指令bxの信号を立ち下げる。これらの積分指令bxは、積分指令出力部14から積分回路24に送られる。積分回路24は、積分指令bxが立ち上がっている時間だけ、レーザパルス光を積分(電気信号a2の面積を算出)する。これにより、積分回路24は、積分結果として正常な積分信号a3(エネルギー量)を得る。
The integration
一方、赤外線センサ22に温度ドリフトが発生している場合、赤外線センサ22からはオフセットを有したレーザパルスa1が出力される。この場合、レーザ光が出射されていないタイミングであっても、基準値である「0」よりも小さなレーザパルスa1または「0」よりも大きなレーザパルスa1が赤外線センサ22から出力される。そして、レーザ加工制御装置10から増幅回路23へのオフセット電圧b1の入力がなければ、図5に示すように、増幅回路23からは、「+」のオフセットを有したレーザパルスや、「−」のオフセットを有したレーザパルスが出力される。このため、積分回路24は、積分結果としてプラス側にシフトした積分信号a3やマイナス側にシフトした積分信号a3を得る。
On the other hand, when a temperature drift occurs in the
正常な値からプラス側またはマイナス側にシフトした積分信号a3を用いて、被加工物7へ照射されたレーザ光のエネルギー量を算出すると、実際のエネルギー量を正しく算出することができない。そこで、本実施の形態では、レーザ加工制御装置10が、積分信号a3に応じたオフセット電圧b1を増幅回路23に入力する。これにより、オフセット電圧b1が増幅回路23に入力されなければ「+」や「−」のオフセットを有したレーザパルスが増幅回路23から出力される場合に、オフセットの無いレーザパルスを増幅回路23から出力させることが可能となる。
If the energy amount of the laser beam irradiated to the workpiece 7 is calculated using the integration signal a3 shifted from the normal value to the plus side or the minus side, the actual energy amount cannot be calculated correctly. Therefore, in the present embodiment, the laser
つぎに、オフセット電圧b1の算出処理手順について説明する。図6は、オフセット電圧の算出処理手順を示すフローチャートであり、図7は、オフセット電圧の算出処理手順を説明するための図である。 Next, the procedure for calculating the offset voltage b1 will be described. FIG. 6 is a flowchart showing an offset voltage calculation processing procedure, and FIG. 7 is a diagram for explaining an offset voltage calculation processing procedure.
レーザ加工が開始されると、レーザ加工装置101は、XYテーブル8を移動させることによって、被加工物7の加工位置(レーザ照射位置)に被加工物7を移動させる。この後、ガルバノスキャナ6X,6Yやガルバノミラー61X,61Yを動作させることによって被加工物7の加工位置が調整される。そして、レーザ発振器1からレーザ光2が出射される。レーザ発振器1から出射されたレーザ光2は、部分反射鏡31で一部だけ透過させられて赤外線センサ22に送られる。
When laser processing is started, the
赤外線センサ22は、レーザ光2の光強度を電気信号a1に変換して増幅回路23に送る。増幅回路23は、電気信号a1を増幅した電気信号a2(レーザパルス)を積分回路24に送る。
The
また、レーザ加工が開始すると、積分指令出力部14は、被加工物7にレーザ光が出射されているか否か(加工中であるか否か)を確認する(ステップS110)。具体的には、ガルバノスキャナ6X,6Yの動作が停止して被加工物7にレーザ光が出射されている状態(タイミング)であるか否かを判断する。
When laser processing starts, the integration
被加工物7にレーザ光が出射されていれば(ステップS110、Yes)、積分指令出力部14は、積分指令b3を出力することなく処理を終了する。被加工物7にレーザ光が出射されていなければ(ステップS110、No)、積分指令出力部14は、例えば100μsec間の積分指令b3を積分回路24へ出力する。積分回路24は、積分指令b3が立ち上がっている時間だけ各レーザパルス(電気信号a2)を積分して積分信号a3を算出する(ステップS120)。そして、積分回路24は、積分信号a3をレーザ加工制御装置10に送る。この積分信号a3は、積分信号入力部11を介してオフセット電圧算出部12とエネルギー量算出部16に送られる。
If the laser beam is emitted to the workpiece 7 (step S110, Yes), the integration
オフセット電圧算出部12は、積分信号a3を積分電圧dに変換する。ここでの積分電圧dは、積分信号a3に対応する電圧であり、積分信号a3の各ピーク値である。そして、オフセット電圧算出部12は、積分電圧dが設定範囲内であるか否かを判断する、具体的には、オフセット電圧算出部12は、|積分電圧d|≦合格閾値であるか否かを判断する(ステップS130)。ここでの合格閾値は、レーザ加工の加工品質に基づいて予め設定される値であり、|積分電圧d|≦合格閾値の時に合格品質のレーザ加工を行なえるものである。合格閾値は、例えばレーザ発振器1からレーザ光が出射された際に算出される積分電圧の±10%の範囲である。
The offset
|積分電圧d|≦合格閾値である場合(ステップS130、Yes)、オフセット電圧算出部12は、オフセット電圧b1を算出することなく、処理を終了する。|積分電圧d|≦合格閾値でない場合(ステップS130、No)、オフセット電圧算出部12は、積分電圧dにオフセット係数kをかけることによってオフセット電圧b1を算出する(ステップS140)。オフセット電圧出力部13は、オフセット電圧算出部12が算出したオフセット電圧b1を増幅回路23へ出力する(ステップS150)。この後、増幅回路23は、電気信号a1にオフセット電圧b1を加算した電気信号a2を積分回路24に送る。
If | integral voltage d | ≦ pass threshold value (step S130, Yes), the offset
エネルギー量算出部16は、積分信号a3に基づいて、レーザ光2のエネルギー量をパルス毎に算出する。そして、エネルギー量算出部16は、パルス毎のエネルギー量を合計することによって実エネルギー量を算出する。エネルギー量算出部16は、各加工穴に予め設定されるエネルギー量基準値と実エネルギー量とを比較して、エネルギー量の差分をレーザパルス出力指示部15に送る。
The energy
レーザパルス出力指示部15は、エネルギー量の差分に基づいて、レーザ光の出射停止または追加出射を指示する発振指示b2をレーザ発振器1に送る。レーザパルス出力指示部15は、実エネルギー量がエネルギー量基準値よりも小さかった場合、エネルギー量の差分に応じたパルス数だけレーザ光を追加出射させる発振指示b2をレーザ発振器1に送る。レーザパルス出力指示部15は、実エネルギー量がエネルギー量基準値よりも大きい場合または次に算出する実エネルギー量がエネルギー量基準値よりも大きくなると判断した場合、レーザ光を出射停止させる発振指示b2をレーザ発振器1に送る。
The laser pulse
レーザ加工装置101は、被加工物7にレーザ光が出射されていなければ(ステップS110、No)、ステップS120〜S150の処理(電気信号a2の校正動作)を繰り返す。
If the laser beam is not emitted to the workpiece 7 (step S110, No), the
ここで、電気信号a2の校正動作を行なうタイミングについて説明する。図8は、パルス出射数の校正動作を行なうタイミングを説明するための図である。前述したように、レーザ加工装置101は、XYテーブル8の移動と被加工物7へのレーザ照射を繰り返すことによって、被加工物7の複数箇所に穴加工を行う。レーザ加工装置101は、XYテーブル8を移動させる間、被加工物7へのレーザ照射を停止する。XYテーブル8の移動時間には例えば300msecが設定される。また、被加工物7へのレーザ照射には1箇所当たり例えば1〜10secが設定され、この1〜10secの間に複数のパルス光がレーザ照射される。
Here, the timing at which the electric signal a2 is calibrated will be described. FIG. 8 is a diagram for explaining the timing for performing the calibration operation of the pulse emission number. As described above, the
本実施の形態のレーザ加工装置101は、レーザ光を照射していない時(XYテーブル8が移動している間)に、校正動作を行なう。具体的には、XYテーブル8が移動を開始した後、所定時間(例えばガルバノスキャナ6X,6Yの動作に要する時間よりも長い例えば60msec)の経過後に校正動作を開始する。
The
レーザ加工装置101は、図7で説明した校正動作を例えば50回行なうことによって、電気信号a2を校正する。1回の校正動作(1つのオフセット電圧b1の算出)に要する時間が例えば100μsecである場合、この校正動作を例えば50回行なうことによって、合計5msecの時間で校正動作が完了する。
The
このように、XYテーブル8が移動している間に校正動作を行なうので、レーザ加工処理にロス時間が発生することはない。また、XYテーブル8が移動する度に、校正動作を行なうので、高頻度で校正を行なうことが可能となる。 Thus, since the calibration operation is performed while the XY table 8 is moving, no loss time occurs in the laser processing. Further, since the calibration operation is performed every time the XY table 8 moves, calibration can be performed with high frequency.
なお、ここでは校正動作を50回行なう場合について説明したが、校正動作を所定回数行なった後に、|積分電圧d|≦合格閾値となれば、校正動作を終了してもよい。この場合、次にレーザ照射が行なわれるまで、校正動作を停止する。また、|積分電圧d|≦合格閾値とならなければ、校正動作を50回以上行ってもよい。この場合、|積分電圧d|≦合格閾値となるまで校正動作を続けてもよいし、XYテーブル8が移動している間のみ校正動作を続けてもよい。|積分電圧d|≦合格閾値となるまで校正動作を続ける場合、|積分電圧d|≦合格閾値となるまで次のレーザ照射を待機させる。そして、|積分電圧d|≦合格閾値となった後、次のレーザ照射を開始する。 Although the case where the calibration operation is performed 50 times has been described here, the calibration operation may be terminated if | integration voltage d | ≦ pass threshold after performing the calibration operation a predetermined number of times. In this case, the calibration operation is stopped until the next laser irradiation. If | integration voltage d | ≦ pass threshold is not satisfied, the calibration operation may be performed 50 times or more. In this case, the calibration operation may be continued until | integration voltage d | ≦ pass threshold, or the calibration operation may be continued only while the XY table 8 is moving. When the calibration operation is continued until | integration voltage d | ≦ pass threshold, the next laser irradiation is waited until | integration voltage d | ≦ pass threshold. Then, after | integration voltage d | ≦ pass threshold, the next laser irradiation is started.
なお、本実施の形態では、XYテーブル8が移動している間に校正動作を行なう場合について説明したが、パルス出射とパルス出射の間(図8に示した1〜10secの間など)に、校正動作を行なってもよい。この場合、1つのパルス出射を行った後、次のパルス出射を行うまでの間(パルス出射間毎)に、ステップS120〜S150の処理(校正動作)を少なくとも1回行なう。そして、校正動作を行なった後、次のパルス出射を行い、さらに次のパルス出射を行うまでの間に、ステップS120〜S150の処理を少なくとも1回行なう。換言すると、レーザ加工装置101は、1発のパルス出射と校正動作とを順番に繰り返して行なう。なお、レーザ加工装置101は、複数発のパルス出射に1回の割合で校正動作を行なってもよい。
In the present embodiment, the case where the calibration operation is performed while the XY table 8 is moving has been described. However, between the pulse emission and the pulse emission (for example, between 1 to 10 sec shown in FIG. 8), A calibration operation may be performed. In this case, the process (calibration operation) of steps S120 to S150 is performed at least once after one pulse is emitted and before the next pulse is emitted (every pulse emission). Then, after performing the calibration operation, the next pulse emission is performed, and the process of steps S120 to S150 is performed at least once before the next pulse emission. In other words, the
レーザ加工装置101が被加工物7をレーザ加工する際には、複数のパルス光が出射される。そして、このパルス光は連続して赤外線センサ22に入力されることとなる。このため、パルス出射とパルス出射の間に校正動作を行なわない場合、増幅回路23からは図9の2点鎖線で示すような特性のレーザパルス(電気信号a2)が出力される場合がある。一方、パルス出射とパルス出射の間に校正動作を行なえば、増幅回路23からは図9の実線で示すような特性のレーザパルス(電気信号a2)が出力されることとなる。
When the
また、本実施の形態では、積分信号算出装置20とレーザ加工制御装置10を別々の校正としたが、レーザ加工制御装置10が積分信号算出装置20を有する構成としてもよい。
In the present embodiment, the integrated
また、本実施の形態では、電気信号a2を積分した積分信号a3(積分電圧d)を用いてオフセット電圧b1を算出する場合について説明したが、電気信号a2を用いてオフセット電圧b1を算出してもよい。また、電気信号a2を用いて実エネルギー量を算出してもよい。 In the present embodiment, the case where the offset voltage b1 is calculated using the integrated signal a3 (integrated voltage d) obtained by integrating the electric signal a2 has been described. However, the offset voltage b1 is calculated using the electric signal a2. Also good. Further, the actual energy amount may be calculated using the electrical signal a2.
なお、本実施の形態では、レーザ加工制御装置10がレーザ発振器1が出射するレーザ光のパルス数を制御する場合について説明したが、レーザ加工制御装置10はレーザ発振器1が出射するレーザ光のエネルギーパワーを制御してもよい。
In this embodiment, the case where the laser
このように実施の形態1によれば、増幅回路23からはオフセット電圧b1に応じた正確な電気信号a2が出力されるので、被加工物7に照射されるレーザ光のレーザパワーを正確に測定することが可能となる。
As described above, according to the first embodiment, the accurate electric signal a2 corresponding to the offset voltage b1 is output from the
また、XYテーブル8が移動している間に電気信号a2の校正動作を行なうので、電気信号a2の校正動作がレーザ加工処理を遅延させることはない。また、XYテーブル8が移動する度に電気信号a2の校正動作を行なうので、高頻度に電気信号a2の校正を行なうことが可能となる。また、レーザ光2のパルス出射間毎に電気信号a2の校正動作を行なうので、正確な電気信号a2の校正を行なうことが可能となる。 Further, since the calibration operation of the electrical signal a2 is performed while the XY table 8 is moving, the calibration operation of the electrical signal a2 does not delay the laser processing. Further, since the electric signal a2 is calibrated every time the XY table 8 moves, the electric signal a2 can be calibrated frequently. In addition, since the electric signal a2 is calibrated every time the pulse of the laser beam 2 is emitted, the electric signal a2 can be accurately calibrated.
実施の形態2.
つぎに、図10〜図12を参照してこの発明の実施の形態2について説明する。実施の形態2では、レーザ加工制御装置10がソフトウェア上の演算によって、積分信号a3を正しい積分信号(温度ドリフトを考慮した積分信号)に補正し、補正した積分信号(後述の積分信号a4)を用いてレーザパルス光の実エネルギー量を算出する。
Embodiment 2. FIG.
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the second embodiment, the laser
図10は、実施の形態2に係る積分信号測定装置の構成を示す図である。図10の各構成要素のうち図2に示す実施の形態1の積分信号算出装置20と同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。
FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration of the integral signal measurement device according to the second embodiment. Of the constituent elements in FIG. 10, constituent elements that achieve the same functions as those of the integrated
積分信号算出装置20は、赤外線センサ22、積分回路24を含んで構成されている。本実施の形態の積分回路24は、赤外線センサ22に接続されており、赤外線センサ22から出力される電気信号a1を所定の時間(積分指令b3)で積分して積分信号a3を算出する。積分回路24は、積分指令b3に対応する時間で積分した電気信号a1を積分信号a3としてレーザ加工制御装置10に送る。
The integration
つぎに、実施の形態2のレーザ加工制御装置10の構成について説明する。図11は、実施の形態2に係るレーザ加工制御装置の構成を示す機能ブロック図である。図11の各構成要素のうち図3に示す実施の形態1のレーザ加工制御装置10と同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。
Next, the configuration of the laser
レーザ加工制御装置10は、積分信号入力部11、積分指令出力部14、レーザパルス出力指示部15、エネルギー量算出部16、オフセット量記憶部17、積分電圧算出部18、オフセット量算出部19を有している。
The laser
本実施の形態のオフセット量算出部19は、積分信号a3を積分電圧dに変換するとともに、積分電圧dに基づいてオフセット量cを算出する。ここでのオフセット量cは、赤外線センサ22の温度ドリフトに起因する積分信号a3のずれ量(オフセット)を補正するための補正値である。オフセット量cは、積分回路24から次に入力されてくる積分信号a3の補正に用いられる。
The offset amount calculation unit 19 according to the present embodiment converts the integration signal a3 into the integration voltage d and calculates the offset amount c based on the integration voltage d. The offset amount c here is a correction value for correcting the shift amount (offset) of the integrated signal a3 caused by the temperature drift of the
オフセット量記憶部17は、オフセット量算出部19が算出した最新のオフセット量cを記憶する。積分電圧算出部18は、積分回路24から次に入力されてくる積分信号a3を、オフセット量記憶部17が記憶している最新のオフセット量cを用いて補正する。積分電圧算出部18は、オフセット量cを用いて補正した積分信号を積分信号a4(図示せず)としてエネルギー量算出部16に送る。エネルギー量算出部16は、積分信号a4に基づいてレーザ光2のエネルギー量をパルス毎に算出する。
The offset
つぎに、積分信号a4の算出処理手順について説明する。図12は、積分信号の算出処理手順を示すフローチャートである。図12に示す処理手順のうち、図6で説明した実施の形態1のレーザ加工装置101が行なう処理手順と同様の処理手順については、その説明を省略する。
Next, a procedure for calculating the integration signal a4 will be described. FIG. 12 is a flowchart showing the calculation process procedure of the integral signal. In the processing procedure shown in FIG. 12, the description of the processing procedure similar to the processing procedure performed by the
レーザ加工装置101は、レーザ加工を開始すると、レーザ発振器1からレーザ光2を出射する。レーザ発振器1から出射されたレーザ光2は、部分反射鏡31で一部だけ透過させられて赤外線センサ22に送られる。赤外線センサ22は、レーザ光2の光強度を電気信号a1(レーザパルス)に変換して積分回路24に送る。
When laser processing starts, the
また、レーザ加工を開始すると、積分指令出力部14は、被加工物7にレーザ光が出射されているか否かを確認する(ステップS210)。被加工物7にレーザ光が出射されていれば(ステップS210、Yes)、積分指令出力部14は、積分指令b3を出力することなく処理を終了する。被加工物7にレーザ光が出射されていなければ(ステップS210、No)、積分指令出力部14は、例えば100μsec間の積分指令b3を積分回路24へ出力する。積分回路24は、積分指令b3が立ち上がっている時間だけ各レーザパルス(電気信号a1)を積分して積分信号a3を算出する(ステップS220)。そして、積分回路24は、積分信号a3をレーザ加工制御装置10に送る。この積分信号a3は、積分信号入力部11を介してオフセット量算出部19と積分電圧算出部18に送られる。
When laser processing is started, the integration
オフセット量算出部19は、積分信号a3を積分電圧dに変換する。オフセット量算出部19は、積分電圧dが設定範囲内であるか否かを判断する、具体的には、オフセット量算出部19は、|積分電圧d|≦合格閾値であるか否かを判断する(ステップS230)。 The offset amount calculation unit 19 converts the integration signal a3 into an integration voltage d. The offset amount calculation unit 19 determines whether or not the integrated voltage d is within the set range. Specifically, the offset amount calculation unit 19 determines whether or not | integration voltage d | ≦ pass threshold. (Step S230).
|積分電圧d|≦合格閾値である場合(ステップS230、Yes)、オフセット量算出部19は、オフセット量cを算出することなく、処理を終了する。|積分電圧d|≦合格閾値でない場合(ステップS230、No)、オフセット量算出部19は、積分電圧dに基づいてオフセット量cを算出する。 When | integration voltage d | ≦ pass threshold value (step S230, Yes), the offset amount calculation unit 19 ends the process without calculating the offset amount c. If | integration voltage d | ≦ pass threshold is not satisfied (step S230, No), offset amount calculation unit 19 calculates offset amount c based on integration voltage d.
オフセット量算出部19は、例えば積分電圧dの大きさをオフセット量cの大きさとする(積分電圧d=オフセット量c)。このとき、積分電圧dの符号とオフセット量cの符号を反転させておく(積分電圧d×(−1)をオフセット量cとする)。オフセット量記憶部17は、オフセット量算出部19が算出したオフセット量cを記憶しておく(ステップS240)。
For example, the offset amount calculation unit 19 sets the magnitude of the integrated voltage d to the magnitude of the offset amount c (integrated voltage d = offset amount c). At this time, the sign of the integrated voltage d and the sign of the offset amount c are inverted (the integrated voltage d × (−1) is set as the offset amount c). The offset
この後、被加工物7にレーザ光が出射されていなければ、積分指令出力部14は積分指令b3を積分回路24へ出力し、積分回路24は積分信号a3を算出してレーザ加工制御装置10に送る。
Thereafter, if the laser beam is not emitted to the workpiece 7, the integration
この積分信号a3は、積分信号入力部11を介してオフセット量算出部19と積分電圧算出部18に送られる。積分電圧算出部18は、オフセット量記憶部17が記憶しておいた最新のオフセット量cを積分信号a3に加算して補正後の積分信号a4(赤外線センサ22の温度ドリフトに起因する積分信号a1,a3のずれ量を補正した積分信号a4)を算出する(ステップS250)。
The integration signal a3 is sent to the offset amount calculation unit 19 and the integration voltage calculation unit 18 via the integration
そして、積分電圧算出部18は、算出した積分電圧dをエネルギー量算出部16に送る。エネルギー量算出部16は、積分電圧dに基づいて、レーザ光2のエネルギー量をパルス毎に算出する。以下、レーザ加工制御装置10は、実施の形態1と同様の処理によってレーザ発振器1を制御する。
Then, the integrated voltage calculation unit 18 sends the calculated integration voltage d to the energy
また、オフセット量算出部19は、積分信号a3を積分電圧dに変換する。そして、オフセット量算出部19は、|積分電圧d|≦合格閾値でなければ、積分電圧dに基づいて新たなオフセット量cを算出する。オフセット量記憶部17は、オフセット量算出部19が算出した新たなオフセット量cを記憶しておく。
Further, the offset amount calculation unit 19 converts the integration signal a3 into an integration voltage d. The offset amount calculation unit 19 calculates a new offset amount c based on the integrated voltage d unless | integrated voltage d | ≦ pass threshold. The offset
この後、レーザ加工装置101は、ステップS210〜S250の処理を繰り返す。具体的には、被加工物7にレーザ光が出射されていなければ、積分指令出力部14はn(nは自然数)パルス目のパルス光に対応する積分指令b3を積分回路24へ出力し、積分回路24はnパルス目のパルス光の積分信号a3を算出してレーザ加工制御装置10に送る。
Thereafter, the
オフセット量算出部19は、nパルス目のパルス光の積分信号a3を積分電圧dに変換する。そして、積分電圧算出部18は、(n−1)パルス目のパルス光を照射した際に算出したオフセット量c(最新のオフセット電気信号)をオフセット量記憶部17から抽出する。積分電圧算出部18は、抽出したオフセット量cを積分信号a3に加算することによって、nパルス目のパルス光の積分信号a4を算出する。
The offset amount calculation unit 19 converts the integration signal a3 of the pulse light of the nth pulse into an integration voltage d. Then, the integrated voltage calculation unit 18 extracts the offset amount c (latest offset electrical signal) calculated when the (n−1) th pulsed light is irradiated from the offset
なお、積分信号a4を算出するタイミングは、実施の形態1で説明した電気信号a2の校正動作を行なうタイミングと同じタイミングとする。すなわち、XYテーブル8が移動している間に積分信号a4を算出してもよいし、レーザ光2のパルス出射間毎に積分信号a4を算出してもよい。 The timing for calculating the integral signal a4 is the same as the timing for performing the calibration operation of the electric signal a2 described in the first embodiment. That is, the integration signal a4 may be calculated while the XY table 8 is moving, or the integration signal a4 may be calculated every time the laser beam 2 is emitted.
このように実施の形態2によれば、(n−1)パルス目のパルス光を照射した際に算出したオフセット量cをnパルス目のパルス光の積分信号a3に加算することによって、nパルス目のパルス光の積分信号a4を算出するので、被加工物7に照射されるレーザ光のレーザパワーを正確測定することが可能となる。 As described above, according to the second embodiment, by adding the offset amount c calculated when the (n-1) -th pulsed light is irradiated to the integrated signal a3 of the n-th pulsed light, n pulses Since the integral signal a4 of the pulsed light of the eyes is calculated, it is possible to accurately measure the laser power of the laser light irradiated on the workpiece 7.
以上のように、本発明に係るレーザ加工制御装置およびレーザ加工装置は、レーザ加工に用いるレーザパルス光の出射制御に適している。 As described above, the laser processing control device and the laser processing device according to the present invention are suitable for the emission control of the laser pulse light used for laser processing.
1 レーザ発振器
2 レーザ光
4 ミラー
5 fθレンズ
6X,6Y ガルバノスキャナ
7 被加工物
8 XYテーブル
10 レーザ加工制御装置
11 積分信号入力部
12 オフセット電圧算出部
13 オフセット電圧出力部
14 積分指令出力部
15 レーザパルス出力指示部
16 エネルギー量算出部
17 オフセット量記憶部
18 積分電圧算出部
19 オフセット量算出部
20 積分信号算出装置
22 赤外線センサ
23 増幅回路
24 積分回路
31 部分反射鏡
61X,61Y ガルバノミラー
101 レーザ加工装置
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記レーザ発振器からパルス出射されたレーザパルス光の光強度をパルス毎に積分することによって、前記レーザパルス光のレーザパワーを測定するレーザパワー測定部と、
前記レーザパルス光が出射されていないタイミングで前記レーザパワー測定部が出力する出力値に基づいて、前記レーザパワー測定部が測定するレーザパワーのオフセット量を算出するオフセット量算出部と、
前記オフセット量算出部が算出したオフセット量を前記レーザパワー測定部に出力するオフセット量出力部と、
前記レーザパワー測定部が前記オフセット量を用いて測定したレーザパワーに基づいて、前記被加工物に照射されたレーザパルス光のエネルギー量の合計値をレーザ照射位置毎に算出するエネルギー量算出部と、
前記エネルギー量算出部が算出した合計値に基づいて、前記レーザ発振器が出射するレーザパルス光の出射制御を行なう制御部と、
を備えることを特徴とするレーザ加工制御装置。 In a laser processing control device for controlling the emission of laser pulse light irradiated from a laser oscillator to a workpiece to be laser processed
A laser power measuring unit that measures the laser power of the laser pulsed light by integrating the light intensity of the laser pulsed light emitted from the laser oscillator for each pulse;
An offset amount calculation unit that calculates an offset amount of laser power measured by the laser power measurement unit based on an output value output by the laser power measurement unit at a timing when the laser pulse light is not emitted;
An offset amount output unit that outputs the offset amount calculated by the offset amount calculation unit to the laser power measurement unit;
An energy amount calculation unit that calculates a total value of energy amounts of laser pulse light irradiated to the workpiece for each laser irradiation position based on the laser power measured by the laser power measurement unit using the offset amount; ,
Based on the total value calculated by the energy amount calculation unit, a control unit for performing emission control of the laser pulse light emitted by the laser oscillator,
A laser processing control device comprising:
前記レーザ発振器からパルス出射されたレーザパルス光の光強度をパルス毎に積分することによって、前記レーザパルス光のレーザパワーを測定するレーザパワー測定部と、
前記レーザパルス光が出射されていないタイミングで前記レーザパワー測定部が出力する出力値に基づいて、前記レーザパワー測定部が測定するレーザパワーのオフセット量を算出するオフセット量算出部と、
前記レーザパワー測定部が測定したレーザパワーと、前記オフセット量算出部が算出したオフセット量と、に基づいて、前記被加工物に照射されたレーザパルス光のエネルギー量の合計値をレーザ照射位置毎に算出するエネルギー量算出部と、
前記エネルギー量算出部が算出した合計値に基づいて、前記レーザ発振器が出射するレーザパルス光の出射制御を行なう制御部と、
を備えることを特徴とするレーザ加工制御装置。 In a laser processing control device for controlling the emission of laser pulse light irradiated from a laser oscillator to a workpiece to be laser processed
A laser power measuring unit that measures the laser power of the laser pulsed light by integrating the light intensity of the laser pulsed light emitted from the laser oscillator for each pulse;
An offset amount calculation unit that calculates an offset amount of laser power measured by the laser power measurement unit based on an output value output by the laser power measurement unit at a timing when the laser pulse light is not emitted;
Based on the laser power measured by the laser power measuring unit and the offset amount calculated by the offset amount calculating unit, the total energy amount of the laser pulse light irradiated on the workpiece is calculated for each laser irradiation position. An energy amount calculation unit for calculating
Based on the total value calculated by the energy amount calculation unit, a control unit for performing emission control of the laser pulse light emitted by the laser oscillator,
A laser processing control device comprising:
前記レーザパルス光を出射するレーザ発振器と、
前記レーザパルス光の出射制御を行なうレーザ加工制御装置と、
を有し、
前記レーザ加工制御装置は、
前記レーザ発振器からパルス出射されたレーザパルス光の光強度をパルス毎に積分することによって、前記レーザパルス光のレーザパワーを測定するレーザパワー測定部と、
前記レーザパルス光が出射されていないタイミングで前記レーザパワー測定部が出力する出力値に基づいて、前記レーザパワー測定部が測定するレーザパワーのオフセット量を算出するオフセット量算出部と、
前記オフセット量算出部が算出したオフセット量を前記レーザパワー測定部に出力するオフセット量出力部と、
前記レーザパワー測定部が前記オフセット量を用いて測定したレーザパワーに基づいて、前記被加工物に照射されたレーザパルス光のエネルギー量の合計値をレーザ照射位置毎に算出するエネルギー量算出部と、
前記エネルギー量算出部が算出した合計値に基づいて、前記レーザ発振器が出射するレーザパルス光の出射制御を行なう制御部と、
を備えることを特徴とするレーザ加工装置。 In a laser processing apparatus for performing laser processing of the workpiece by controlling the emission of laser pulse light irradiated to the workpiece from a laser oscillator,
A laser oscillator for emitting the laser pulse light;
A laser processing control device for performing emission control of the laser pulse light;
Have
The laser processing control device
A laser power measuring unit that measures the laser power of the laser pulsed light by integrating the light intensity of the laser pulsed light emitted from the laser oscillator for each pulse;
An offset amount calculation unit that calculates an offset amount of laser power measured by the laser power measurement unit based on an output value output by the laser power measurement unit at a timing when the laser pulse light is not emitted;
An offset amount output unit that outputs the offset amount calculated by the offset amount calculation unit to the laser power measurement unit;
An energy amount calculation unit that calculates a total value of energy amounts of laser pulse light irradiated to the workpiece for each laser irradiation position based on the laser power measured by the laser power measurement unit using the offset amount; ,
Based on the total value calculated by the energy amount calculation unit, a control unit for performing emission control of the laser pulse light emitted by the laser oscillator,
A laser processing apparatus comprising:
前記レーザパルス光を出射するレーザ発振器と、
前記レーザパルス光の出射制御を行なうレーザ加工制御装置と、
を有し、
前記レーザ加工制御装置は、
前記レーザ発振器からパルス出射されたレーザパルス光の光強度をパルス毎に積分することによって、前記レーザパルス光のレーザパワーを測定するレーザパワー測定部と、
前記レーザパルス光が出射されていないタイミングで前記レーザパワー測定部が出力する出力値に基づいて、前記レーザパワー測定部が測定するレーザパワーのオフセット量を算出するオフセット量算出部と、
前記レーザパワー測定部が測定したレーザパワーと、前記オフセット量算出部が算出したオフセット量と、に基づいて、前記被加工物に照射されたレーザパルス光のエネルギー量の合計値をレーザ照射位置毎に算出するエネルギー量算出部と、
前記エネルギー量算出部が算出した合計値に基づいて、前記レーザ発振器が出射するレーザパルス光の出射制御を行なう制御部と、
を備えることを特徴とするレーザ加工装置。 In a laser processing apparatus for performing laser processing of the workpiece by controlling the emission of laser pulse light irradiated to the workpiece from a laser oscillator,
A laser oscillator for emitting the laser pulse light;
A laser processing control device for performing emission control of the laser pulse light;
Have
The laser processing control device
A laser power measuring unit that measures the laser power of the laser pulsed light by integrating the light intensity of the laser pulsed light emitted from the laser oscillator for each pulse;
An offset amount calculation unit that calculates an offset amount of laser power measured by the laser power measurement unit based on an output value output by the laser power measurement unit at a timing when the laser pulse light is not emitted;
Based on the laser power measured by the laser power measuring unit and the offset amount calculated by the offset amount calculating unit, the total energy amount of the laser pulse light irradiated on the workpiece is calculated for each laser irradiation position. An energy amount calculation unit for calculating
Based on the total value calculated by the energy amount calculation unit, a control unit for performing emission control of the laser pulse light emitted by the laser oscillator,
A laser processing apparatus comprising:
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008135932A JP5219623B2 (en) | 2008-05-23 | 2008-05-23 | Laser processing control device and laser processing device |
TW098116504A TWI398060B (en) | 2008-05-23 | 2009-05-19 | Laser processing controlling device and laser processing device |
KR1020090044540A KR101035199B1 (en) | 2008-05-23 | 2009-05-21 | Laser processing controlling apparatus and laser processing apparatus |
CN200910203228XA CN101585111B (en) | 2008-05-23 | 2009-05-25 | Laser processing control device and laser processing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008135932A JP5219623B2 (en) | 2008-05-23 | 2008-05-23 | Laser processing control device and laser processing device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009279631A JP2009279631A (en) | 2009-12-03 |
JP5219623B2 true JP5219623B2 (en) | 2013-06-26 |
Family
ID=41369639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008135932A Active JP5219623B2 (en) | 2008-05-23 | 2008-05-23 | Laser processing control device and laser processing device |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5219623B2 (en) |
KR (1) | KR101035199B1 (en) |
CN (1) | CN101585111B (en) |
TW (1) | TWI398060B (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011128929A1 (en) * | 2010-04-12 | 2011-10-20 | 三菱電機株式会社 | Laser-cutting method and laser-cutting device |
CN102430855A (en) * | 2011-09-21 | 2012-05-02 | 长春理工大学 | Energy time domain accumulating method for multiple laser pulse sequences |
CN104203482B (en) * | 2013-01-04 | 2015-07-22 | 三菱电机株式会社 | Machining control device, laser machining device, and laser control method |
JP6370517B1 (en) * | 2017-09-22 | 2018-08-08 | 三菱電機株式会社 | Laser processing equipment |
DE102018201508B4 (en) | 2018-02-01 | 2021-03-18 | Robert Bosch Gmbh | Use in a LiDAR system of a method for operating a LiDAR system by emitting laser light in the form of laser pulses |
JP6975190B2 (en) | 2019-02-26 | 2021-12-01 | ファナック株式会社 | Machine learning equipment, laser processing equipment and laser processing system |
CN110202257B (en) * | 2019-07-01 | 2021-11-09 | 武汉先河激光技术有限公司 | Laser control device |
CN112630983A (en) * | 2020-12-24 | 2021-04-09 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | Laser system, laser-induced damage testing system and method |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2804027B2 (en) * | 1987-07-13 | 1998-09-24 | ファナック 株式会社 | Laser output correction method |
US5822343A (en) * | 1994-08-26 | 1998-10-13 | Psc Inc. | Operating and control system for lasers useful in bar code scanners |
JP2724993B2 (en) * | 1995-08-31 | 1998-03-09 | 株式会社小松製作所 | Laser processing device and laser device |
JPH10301052A (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-13 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Method of correcting machining position deviation of laser beam machine |
JP2001287059A (en) * | 2000-04-10 | 2001-10-16 | Amada Eng Center Co Ltd | Method and device for detecting machining defect for laser beam machining device |
EP2355270A3 (en) * | 2001-10-16 | 2012-05-09 | Kataoka Corporation | Pulse oscillating type solid laser unit and laser process unit |
JPWO2005059903A1 (en) * | 2003-12-17 | 2007-07-12 | 松下電器産業株式会社 | Recording position deviation correction apparatus, recording position deviation correction method, and recording position deviation correction program |
JP4664718B2 (en) * | 2005-03-31 | 2011-04-06 | パナソニック電工Sunx株式会社 | Laser processing apparatus and output control method thereof |
US7244906B2 (en) * | 2005-08-30 | 2007-07-17 | Electro Scientific Industries, Inc. | Energy monitoring or control of individual vias formed during laser micromachining |
JP2008108398A (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Hitachi-Lg Data Storage Inc | Optical disk device and control method therefor |
CN100476364C (en) * | 2007-11-13 | 2009-04-08 | 长春理工大学 | Complete digitisation 4 quadrant detector detecting laser beam deflection angle device and method |
-
2008
- 2008-05-23 JP JP2008135932A patent/JP5219623B2/en active Active
-
2009
- 2009-05-19 TW TW098116504A patent/TWI398060B/en not_active IP Right Cessation
- 2009-05-21 KR KR1020090044540A patent/KR101035199B1/en not_active IP Right Cessation
- 2009-05-25 CN CN200910203228XA patent/CN101585111B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101035199B1 (en) | 2011-05-17 |
JP2009279631A (en) | 2009-12-03 |
CN101585111A (en) | 2009-11-25 |
CN101585111B (en) | 2012-06-27 |
KR20090122141A (en) | 2009-11-26 |
TW201008062A (en) | 2010-02-16 |
TWI398060B (en) | 2013-06-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
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|
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