JP5207559B2 - 光情報記録再生装置 - Google Patents

Description

本発明は、光ビームを用いて記録媒体に対して情報の記録再生を行う光情報記録再生装置に関する。

近年、光ビームを用いて映像や画像、音声などの情報の記録再生を行う光情報記録再生装置が広く普及している。記録媒体の規格としては、例えば、コンパクトディスク（以下、「ＣＤ」と略称する）、Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（以下、「ＤＶＤ」と略称する）、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ（登録商標。以下、「ＢＤ」と略称する）がある。光情報記録再生装置では、光源である半導体レーザからの光を光学系により集光した状態で記録媒体上へと照射し、記録媒体からの反射光を光検出器で受光して情報を再生する。そして記録時には、再生時よりも高いパワーを有する光ビームを記録媒体上へと照射し、光が照射された部分の記録媒体の構造や形状、反射率などを変化させることにより情報の記録を行う。この際、記録媒体に照射するレーザのパワーは、一般にデジタル演算処理により制御される。

以下、光情報記録再生装置のレーザパワー制御について図７を用いて説明する。

図７は、デジタル演算処理によりレーザパワーを制御する従来のレーザパワー制御装置を示すブロック図である。

図７に示すように、レーザパワー制御装置は、演算・制御回路２２と、Ｄ／Ａ（デジタル−アナログ）変換回路２３と、抵抗Ｒ１およびＲ２と、レーザ駆動電流源２４と、スイッチ３２と、半導体レーザ１とを含む。

Ｄ／Ａ変換回路２３は、半導体レーザ１のしきい値パワーまでの電流を決めるＤＡＴＨ回路２５と、再生電流を決めるＤＡＲＤ回路２６と、バイアス電流を決めるＤＡＢＳ回路２７と、ピーク電流を決めるＤＡＰＫ回路２８とから構成されている。

レーザ駆動電流源２４は、再生電流を流す再生電流源２９と、バイアス電流を流すバイアス電流源３０と、ピーク電流を流すピーク電流源３１とから構成されている。

抵抗Ｒ１およびＲ２は、Ｄ／Ａ変換回路２３のＤＡＴＨ回路２５の出力とＤＡＲＤ回路２６の出力とを加算するための抵抗である。

スイッチ３２は、入力されるデータに応じて、ピーク電流源３１から半導体レーザ１に流れ込むピーク電流をオン、オフする。

さらに、レーザパワー制御装置は、半導体レーザ１から出力されたレーザ光のパワーをモニタするフォトダイオード２と、フォトダイオード２からのモニタ電流を電圧に変換する電流電圧変換回路３３と、スイッチ３５と、Ａ／Ｄ（アナログ−デジタル）変換回路３６とを含む。

フォトダイオード２から出力されるモニタ電流は、電流電圧変換回路３３で電圧に変換され、モニタ効率のバラツキを吸収する可変抵抗を介して、例えば１０倍の増幅回路３４に加えられる。

スイッチ３５は、再生時にはＬｏレベルのＷＴＧＴ信号が与えられて、端子ａとｂを導通させ、記録時にはＨｉレベルのＷＴＧＴ信号が与えられて、端子ａとｃを導通させる。

Ａ／Ｄ変換回路３６は、スイッチ３５の端子ａからの出力信号をＡ／Ｄ変換して、マイクロプロセッサー（ＣＰＵ）もしくはデジタルシグナルプロセッサー（ＤＳＰ）からなる演算・制御回路２２に出力する。

演算・制御回路２２は、Ａ／Ｄ変換回路３６からの出力に基づき、半導体レーザ１のパワーをモニタすることができる。

ここで、図７に示すレーザパワー制御装置の動作は、再生パワー制御モード、パワー学習モード、記録パワー制御モードの３つに分けられる。

まず、再生パワー制御モードでは、演算・制御回路２２は、Ａ／Ｄ変換回路３６の出力（半導体レーザ１の発光パワーに対応）をモニタし、半導体レーザ１の再生パワーＰ０が維持されるようにＤＡＴＨ回路２６とＤＡＲＤ回路２７の出力を制御する。ここで、半導体レーザ１の出力を再生パワーＰ０で発光させるＤＡＴＨ回路２５とＤＡＲＤ回路２６の出力値は、装置の組立調整時に求められ、演算・制御回路２２の内部のメモリに予め格納されている。

次に、パワー学習モードでは、再生パワー制御モードは解除され、再生パワー制御モード時のＤＡＴＨ回路２５の出力とＤＡＲＤ回路２６の出力とが維持される。そして、演算・制御回路２２は、再生パワーＰ０近傍の駆動電流の傾きＫｒ（傾き＝駆動電流／パワー）と、バイアスパワーＰｂ近傍の駆動電流の傾きＫｂと、ピークパワーＰｐ近傍の駆動電流の傾きＫｐを求める。求められたＫｒ、Ｋｂ、Ｋｐの値は演算・制御回路２２の内部のメモリに格納される。

そして、記録パワー制御モードでは、パワー学習モードと同様に、再生パワー制御モードが解除され、再生パワー制御モード時のＤＡＴＨ回路２５の出力とＤＡＲＤ回路２６の出力とが維持される。演算・制御回路２２は、先のパワー学習モードで求めたＫｂおよびＫｐを用いて、所望のバイアスパワー及びピークパワーに相当する駆動電流を求め、ＤＡＢＳ回路２７の出力とＤＡＰＫ回路２８の出力とを設定する。

上述した従来のレーザパワー制御装置の構成や動作は、例えば、特開平６−３３８０７３号公報に開示されている。

図８は、一般的な再生専用装置に用いられるレーザパワー制御回路を示すブロック図である。

図８に示すレーザパワー制御回路において、半導体レーザ１は、電流ドライバ１０から電流の供給を受けて発光する。電流ドライバ１０は、トランジスタ８と抵抗９によって決まる電圧に応じた電流を出力する。半導体レーザ１から出射された光はフォトダイオード２によって受光される。フォトダイオード２で発生した光電流は、可変抵抗３で電圧に変換されてオペアンプ６の反転入力へと導かれる。オペアンプ６のもう一つの非反転入力には電流源４と可変抵抗５とで設定される電圧が与えられている。これらの電圧値が一致するように電流ドライバの出力はフィードバック制御される。この結果、半導体レーザ１の出力は電流源４の出力、可変抵抗３および５の値によって所望の値となるように制御される。

特開平６−３３８０７３号公報

光情報記録再生装置は、パーソナルコンピュータ、ＡＶプレーヤ、ＡＶレコーダーなど様々な製品に組み込まれて普及しているが、現在世界的に最も広く普及しているのは、ＡＶプレーヤや家庭用ゲーム機に搭載されている再生専用装置である。再生専用装置のように普及期を迎えた商品においては、低価格化に対する要求が非常に高いことから、情報の記録・再生機能の両方を有する光情報記録再生装置に対しても、普及が進むにつれて低価格化が求められると考えられる。

しかし、図７で説明したような、記録再生用の従来のレーザパワー制御装置は、一般的な再生専用のレーザパワー制御装置（図８）とは大きく構成が異なっており、記録パワーでの発光制御を行うために多くの専用回路や複雑な演算処理システムを必要とする。したがって、従来のレーザパワー制御装置を用いた場合、最終製品である光情報記録再生装置の高価格化につながり、安価な光情報記録再生装置を実現することが困難である。

本発明は、記録再生の両方に対応可能で、かつ、安価な光情報記録再生装置を提供することを目的とする。

本発明は、記録媒体に光を照射し、情報の記録および再生を行う光情報記録再生装置に関する。光情報記録再生装置は、光源と、光源に電流を供給する電流ドライバと、光源からの光を記録媒体に集光する光学系と、光源の発光パワーをモニタするモニタ部と、電流ドライバの出力電流を制御する電流ドライバ制御部と、電流ドライバ制御部の動作を制御する演算制御部とを備える。光源と、電流ドライバと、モニタ部と、電流ドライバ制御部内の回路の一部とで、モニタ部の出力に基づいて光源の発光パワーを目標値に近づける閉ループ回路が構成される。更に、光源と、電流ドライバと、電流ドライバ制御部内の回路の他の一部とで、光源に定電流を供給する開ループ回路が構成される。情報の記録を実施する前に、演算制御部は、閉ループ回路を用いて光源を発光させる第１のテスト発光と、開ループ回路を用いて光源を発光させる第２のテスト発光とを順に行い、第１のテスト発光期間にモニタ部の出力からサンプリングした第１のサンプリング値と、第２のテスト発光期間にモニタ部の出力からサンプリングした第２のサンプリング値とを比較する。

本発明の光情報記録再生装置は、閉ループ回路を用いて測定した第１のサンプリング値と、開ループ回路を用いて測定した第２のサンプリング値とを比較して、情報記録時の発光強度を決定する。この構成によれば、再生専用装置に用いられる回路に開ループ回路を付加するというわずかな変更を施すことによって、記録・再生の両方が可能な光情報記録再生装置を安価に実現することができる。

実施の形態１に係る光情報記録再生装置の構成図 図１に示したレーザ制御回路のブロック図 実施の形態１に係る記録パワー設定方法の説明図 実施の形態２に係るレーザ制御回路のブロック図 実施の形態２に係る記録パワー設定方法の説明図 実施の形態３に係るレーザ制御回路のブロック図 従来のレーザパワー制御装置を示すブロック図 一般的な再生専用装置に用いられるレーザパワー制御回路を示すブロック図

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図面において同じ参照記号は同一または同等のものを示す。尚、以下の実施の形態は、本発明を具現化した一例であって本発明の技術的範囲を限定する性格のものではない。

（実施の形態１）
図１は、実施の形態１に係る光情報記録再生装置の構成図である。

図１に示す光情報記録再生装置は、半導体レーザ１と、フォトダイオード２と、レーザ制御回路１１ａと、演算・制御回路１２と、光学系３６と、光検出器４４を備える。光学系３６は、偏光ビームスプリッタ３７と、コリメータレンズ３８と、波長板３９と、ミラー４０と、対物レンズ４１と、シリンドリカルレンズ４３とを含む。

光源である半導体レーザ１から出射された光は、偏光ビームスプリッタ３７によって反射され、反射された光がコリメータレンズ３８により略平行光束に変換される。コリメータレンズ３８から出射された光は、波長板３９を透過し、ミラー４０によって反射された後、対物レンズ４１により記録媒体４２の情報記録面に集光される。記録媒体４２によって反射された光は、逆の経路を辿って偏光ビームスプリッタ３７に入射するが、波長板３９の作用により戻り光の偏光状態が変わっているため、偏光ビームスプリッタ３７へ到達した戻り光の多くはこれを透過し、シリンドリカルレンズ４３を経て光検出器４４へと入射する。光検出器４４の構成や、ＲＦ信号、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号の検出原理は既に公知であり、また、これらの検出原理自体は本発明の本質ではないため詳細な説明は省略する。

半導体レーザ１の駆動電流はレーザ制御回路１１ａから供給される。半導体レーザ１から出射された光の一部はフォトダイオード２によって受光され、レーザ制御回路１１ａへとフィードバックされる。また、演算・制御回路１２はレーザ制御回路１１ａに対する制御や、光検出器４４からの信号の演算、フォーカス制御、トラッキング制御などのシステム全体に対する制御を司る。

図２は、図１に示したレーザ制御回路１１ａの構成図である。

レーザ制御回路１１ａは、半導体レーザ１に電流を供給する電流ドライバ１０と、電流ドライバ１０の出力電流を制御するための電流ドライバ制御回路４５ａと、ＷＴＧＴ入力端子１４と、アンプ１９と、モニタ出力端子２０とを含む。図２に示す回路において、半導体レーザ１と、電流ドライバ１０と、電流ドライバ制御回路４５ａに含まれる回路の一部と、フォトダイオード２とが閉ループ回路を構成している。また、半導体レーザ１と、電流ドライバ１０と、電流ドライバ制御回路４５ａに含まれる回路の他の一部とが開ループ回路を構成している。

電流ドライバ制御回路４５ａは、閉ループ回路の一部を構成する回路素子として、オペアンプ６と、オペアンプ６の反転入力に接続される可変抵抗３と、オペアンプ６の非反転入力に接続される電流源４および可変抵抗５と、オペアンプ６の出力とトランジスタ８のゲートとの間に直列に接続されるスイッチ１５および１６と、コンデンサ７と、トランジスタ８と、抵抗９とを含む。オペアンプ６の反転入力は、フォトダイオード２に接続されている。また、電流ドライバ制御回路４５は、開ループ回路の一部を構成する回路素子として、電流源１８およびスイッチ１７を含む。電流源４および１８には演算・制御回路１２からの信号が入力され、入力信号に基づいて、電流ドライバ１０の出力を制御する。電流源４及び１８としては、例えば、設定ステップ数ｎのＤ／Ａコンバータを使用することができる。この場合、演算・制御回路１２から入力されるステップ数に対応して、電流ドライバ１０の出力をｎ段階で調整することができる。

ＷＴＧＴ入力端子１４は、演算・制御回路１２のＷＴＧＴ出力端子１３に接続されている。レーザ制御回路１１ａ内では、ＷＴＧＴ入力端子１４は、スイッチ１７に接続されると共に、インバータを介してスイッチ１５および１６に接続されている。ＷＴＧＴ出力端子１３から出力されるＷＴＧＴ信号は、閉ループ回路を動作させるか、開ループ回路を動作させるかを選択するための信号である。記録媒体の再生時には、ＷＴＧＴ信号をＬｏレベルにすることにより閉ループ回路が選択的に使用され、記録媒体への記録時にはＷＴＧＴ信号をＨｉレベルにすることにより開ループ回路が選択的に使用される。また、記録媒体への記録を開始する前に設けられるテスト発光期間には、閉ループ回路と開ループ回路が順に使用される。この詳細は後述する。

アンプ１９には、フォトダイオード２の出力が入力される。アンプ１９は、フォトダイオード２から光電流から変換された電圧を所定のゲインで増幅し、増幅した信号をモニタ出力端子２０に出力する。モニタ出力端子２０は、演算・制御回路１２のＡ／Ｄ入力端子２１に接続されている。アンプ１９と、モニタ出力端子２０と、フォトダイオード２とは、半導体レーザ１の発光強度をモニタするためのモニタ部を構成する。

ＷＴＧＴ出力端子１３から出力されたＷＴＧＴ信号がＬｏレベルの場合、スイッチ１５および１６が閉じ、スイッチ１７が開くことによって、閉ループ回路が実現される。このとき、図８で示した一般的な再生専用パワー制御回路と同様に半導体レーザ１の出力は、電流源４の出力と、可変抵抗３および５の抵抗値に応じて一定に制御される。ここで、電流源４の出力、可変抵抗３および５の抵抗値は、制御インターフェースを介して演算・制御回路１２によって設定される。

一方、ＷＴＧＴ出力端子１３から出力されたＷＴＧＴ信号がＨｉレベルの場合、スイッチ１５および１６が開き、スイッチ１７が閉じることによって、開ループ回路が実現される。このとき、トランジスタ８のゲート電圧は電流源１８の出力によって決まるため、電流ドライバ１０の出力、即ち、半導体レーザ１の出力は電流源１８の出力によって制御される。電流源１８の出力は、制御インターフェースを介して演算・制御回路１２によって設定される。フォトダイオード２からの光電流は、抵抗３によって電圧に変換され、変換された電圧はアンプ１９を介してモニタ出力端子２０から出力され、演算・制御回路１２のＡ／Ｄ入力端子２１へと入力される。

ここで、記録媒体に情報を記録する際の半導体レーザ１の出力パワー（以下、「記録パワー」という）の設定方法を説明する。

図３は、実施の形態１に係る記録パワー設定方法の説明図であり、縦軸は、上から順に、ＷＴＧＴ信号、記録媒体への照射パワー、モニタ出力、Ａ／Ｄ入力、電流ドライバ出力を示している。横軸は時間を表す。図３では、時刻ｔ１以前には記録媒体から情報の再生が行われ、時刻ｔ３以降には記録媒体に情報の記録が行われる場合を想定する。時刻ｔ１〜ｔ３の期間は、記録媒体に情報を記録する際の記録パワーを決定するためのテスト発光期間である。

記録媒体の情報の再生を行うための電流源４の出力電流値をＩａ１とし、記録媒体への照射パワーをＰ１とする。半導体レーザ１の発光パワーは製品毎に個体差があるため、電流源４の出力電流値Ｉａ１と照射パワーＰ１との関係は、装置の組み立て調整時に求められ、演算・制御回路１２内部のメモリに格納される。

テスト発光期間は、時刻ｔ１〜ｔ２の第１のテスト発光期間と、時刻ｔ２〜ｔ３の第２のテスト発光期間とからなる。

第１のテスト発光期間には、演算・制御回路１２は、ＷＴＧＴ信号をＬｏレベルとし、閉ループ回路を用いて半導体レーザ１を目標とする照射パワーＰｔで発光させる（以下、「第１のテスト発光」という）。具体的には、演算・制御回路１２が電流源４の出力電流値を（Ｐｔ／Ｐ１×Ｉａ１）に設定することにより、第１のテスト発光を行うことが可能である。そして、第１のテスト発光中のモニタ出力端子２０の出力値を演算・制御回路１２のＡ／Ｄ入力端子２１からサンプリングし、第１のサンプリング値を得る。第１のサンプリング値は演算・制御回路１２内部のメモリに格納される。この第１のサンプリング値は、開ループ回路を用いて発光させた半導体レーザ１の発光パワーを調整するための目標値として使用する。演算・制御回路１２は、サンプリングが終了すると、再び電流源４の出力電流値をＩａ１へと戻す。

第１のテスト発光期間に続く第２のテスト発光期間では、演算・制御回路１２は、ＷＴＧＴ信号をＨｉレベルにし、開ループ回路のみを用いて半導体レーザ１を発光させ、半導体レーザ１の発光パワーを調整する。上述したように、電流源１８としては、例えば、設定ステップ数ｎのＤ／Ａコンバータを使用することができる。この場合、演算・制御回路１２は、電流源１８にステップ数を与えることによって、電流源１８の出力電流値を制御することができる。電流源１８に与えるステップ数の初期値Ｓｉｎｉｔは、以下の数式（１）によって与えられる。
Ｓｉｎｉｔ＝（Ｐｔ／（ηＬＤ×ηＯＰＴ）＋Ｉｔｈ）／Ｉｍａｘ×ｎ ・・・（１）
ここで、
Ｐｔ：情報記録時に記録媒体に照射する光ビームのパワー（ｍＷ）、
ηＬＤ：光源の発光効率（ｍＷ／ｍＡ）、
ηＯＰＴ：光学系の光利用効率（記録媒体への照射パワー／光源の発光パワー）、
Ｉｍａｘ：電流源１８の最大電流値（ｍＡ）、
Ｉｔｈ：半導体レーザ１の閾値電流（ｍＡ）、
ｎ：電流源１８の設定ステップ数
である。

例えば、Ｐｔ＝５ｍＷ、ηＬＤ＝１．４（ｍＷ／ｍＡ）、ηＯＰＴ＝０．１、Ｉｍａｘ＝１００ｍＡ、Ｉｔｈ＝２０ｍＡ、ｎ＝１２７（電流源１８として７ｂｉｔのＤ／Ａコンバータを使用）の場合、Ｓｉｎｉｔは７１と計算される。

ただし、上記のパラメータのうち、ηＬＤ、ηＯＰＴ、Ｉｍａｘは個体ごとにばらつきがあるため、上記の数式（１）に基づいて電流源１８の出力電流値を設定したとしても、目標のＰｔの照射パワーが得られるとは限らない。そこで、演算・制御回路１２は、ＷＴＧＴ信号をＨｉレベルにし、電流源１８に初期ステップ数Ｓｉｎｉｔを与えて第２のテスト発光を行い、そのときのＡ／Ｄ入力端子２１の出力値をサンプリングし、第２のサンプリング値を得る。演算・制御回路１２は、第１のテスト発行時に取得した第１のサンプリング値と第２のサンプリング値とを比較し、第１のサンプリング値と第２のサンプリング値との差が所定値以下となるまで、電流源１８の出力電流値を所定量ずつ増減させる。

図３の例では、第２のテスト発光を３回繰り返している。まず、演算・制御回路１２は、電流源１８にステップ数として７１（初期値Ｓｉｎｉｔ）を与えて第２のテスト発光を行う。この場合、得られた第２のサンプリング値は、目標となる第１のサンプリング値より小さく、第１のサンプリング値と第２のサンプリング値との差は、所定の許容値より大きい。そこで、演算・制御回路１２は、電流源１８に与えるステップ数を７２に増やして再度第２のテスト発光を行う。この際に得られた第２のサンプリング値は、依然として第１のサンプリング値より小さく、第１のサンプリング値と第２のサンプリング値との差は、所定の許容値より大きい。したがって、電流源１８に与えるステップ数を７３に増やして、更に第２のテスト発光を行う。この際に得られた第２のサンプリング値と第１のサンプリング値との差は、所定の許容値より小さいので、情報記録時に電流源１８に与えるステップ数を７３に決定して、第２のテスト発光を終了する。

以上のように、演算・制御回路１２は、開ループ回路を用いて複数回の第２のテスト発光を行い、第１のサンプリング値と第２のサンプリング値との比較と、比較結果に基づく電流源１８の出力電流値の調整を繰り返し行う。この第２のテスト発光期間の制御を行うことによって、目標の照射パワーＰｔが得られる。

第１のサンプリング値と第２のサンプリング値との比較に基づいて、目標照射パワーＰｔに対応する電流源１８の出力設定を探索するアルゴリズムとしては上記の例以外にも様々な手法が適用できる。図３の例では、電流源１８に与えるステップ数を１ステップずつ変化させることで、第２のサンプリング値を第１のサンプリング値に近づけていく手法であるが、例えば、第１のサンプリング値と第２のサンプリング値との差が所定値以上の場合には、電流源１８に与えるステップ数を一度に２以上変化させることで探索時間の短縮が期待できる。あるいは、第１のサンプリング値と第２のサンプリング値との差分に対応する電流源１８の出力電流値の変化量（または、これに対応するステップ数）を演算により求め、求めた演算結果に基づいて電流源１８を制御する手法も同様に有効である。探索のアルゴリズムに関してはこのような公知の手法が各種あり、また、これらの探索アルゴリズム自体は本発明の本質ではないため詳細な説明は省略する。

第２のテスト発光期間終了後の時刻ｔ３以降には、第２のテスト発光期間で求めたステップ数を用いて、記録媒体に対する情報の記録が行われる。

以下、テスト発光期間中の発光時間および情報記録時の発光時間について説明する。

第１のテスト発光期間中のテスト発光期間Ｐｗ１、第２のテスト発光期間中のテスト発光期間Ｐｗ２は、以下の条件を満足する。
Ｐｗ１≧Ｐｗ２ ・・・（３）

更に、記録媒体への情報記録時における記録パワー発光時間Ｐｗ３を加味すると、以下の条件が成り立つ。
Ｐｗ１≧Ｐｗ２＞Ｐｗ３ ・・・（４）

第１のテスト発光期間におけるテスト発光時間Ｐｗ１は、概ね１０〜３０ｍｓ程度が適当である。この区間は閉ループ制御によりＰ１、Ｐｔの２点間のパワー制御を行うため、パワーの整定には数ｍｓの時間が必要となる。この整定時間は制御の帯域に依存するが、一般にレーザパワー制御では数ＫＨｚ〜十数ＫＨｚのゲイン交点で閉ループを構成することに起因する。よって、Ｐ１→Ｐｔ、またＰｔ→Ｐ１の整定に４〜５ｍｓ程度の時間がかかる場合をここでは考える。Ａ／Ｄ目標値のサンプリングは、テスト発光時間Ｐｗ１内のピークパワー部分に対して行う。サンプリング時間はＡ／Ｄコンバータによって異なるが、１回の測定時間としては数μｓ〜数十μｓというのが一般的である。このとき、サンプリング測定を複数回実施することにより、サンプリング結果の信頼性や精度の確保を図ることができる。また、Ｐ１→Ｐｔのパワー整定時間のばらつきを考慮して、サンプリング開始までに待ち時間を設けることにより、更にサンプリング結果の信頼性を高めることができる。サンプリングのためのピークパワー発光時間を仮に１ｍｓ確保する場合、一例として、Ｐｗ１の値は次の通りに設定することができる。

Ｐｗ１＝４．５ｍｓ（Ｐ１→Ｐｔ遷移時間）＋１ｍｓ（ピークパワー発光時間）＋４．５ｍｓ（Ｐｔ→Ｐ１遷移時間）＝１０ｍｓ

Ａ／Ｄコンバータの１回のサンプリング時間を５０μｓ、サンプリング回数を５回、サンプリング開始までの待ち時間を５０μｓとするシステムでは、サンプリングにはトータルで３００μｓの時間が必要となる。ピークパワー発光時間が１ｍｓ確保されていれば、ピークパワー発光期間で十分安定なサンプリングを行うことができる。また、テスト発光に割り当て可能な時間に余裕のある場合や、より低速で安価なＡ／Ｄコンバータを使用する場合などは、それぞれに更に余裕をもたせて、Ｐｗ１を３０ｍｓ程度としてもよい。

第２のテスト発光期間におけるテスト発光時間Ｐｗ２は、概ね１〜５ｍｓ程度が適当である。この期間にはＷＴＧＴ信号により、閉ループから開ループへ制御状態をスイッチングして電流ドライバ出力を切り替えるため、Ｐ１→Ｐｔ、Ｐｔ→Ｐ１のパワー遷移は数μｓ以下で遷移が可能である。よって、サンプリングを行うピークパワー時間を上記同様１ｍｓと仮定すると、Ｐ１→Ｐｔ、Ｐｔ→Ｐ１のパワー遷移時間はほとんど無視できるため、Ｐｗ２としては１ｍｓ確保すればよいことになる。ここでも余裕を見て５ｍｓ程度までＰｗ２を長くとっても構わない。

記録媒体への情報記録時における記録パワー発光時間Ｐｗ３は、数ｎｓから長くても数十μｓ程度であるため、テスト発光時間Ｐｗ１、Ｐｗ２よりは遙かに短い。最近の記録型装置は、記録パワー発光時間Ｐｗ３内の記録パルスを直接フォトダイオードやフォトＩＣで受光して、記録パワーをリアルタイム制御するという構成である。この構成を実現するには非常に高速な応答性能を持ったフォトダイオードやフォトＩＣが必要であると同時に、高速なサンプリング回路や演算回路が必要となる。

これに対して、本実施の形態で示す構成を用いれば、再生専用装置の制御回路をわずかに変更することにより記録パワー制御を行うことが可能である。例えば、図２におけるフォトダイオード２には高速応答性は必要ないため、再生専用装置で一般に用いられるような、半導体レーザパッケージ内に配置された後光モニタ用フォトダイオードを使用できる。レーザ制御回路１１ａについても、再生専用装置の回路（図８参照）に対して、電流源１８、スイッチ１５〜１７、モニタ出力用アンプ１９、ＷＴＧＴ入力端子１４、モニタ出力端子２０を追加しただけである。また、演算・制御回路１２にはＷＴＧＴ出力端子１３とＡ／Ｄ入力端子２１が必要となるが、光ディスク制御用ＬＳＩの場合、汎用のＩ／Ｏで代用することが可能である。したがって、再生専用のＬＳＩをそのまま使用し、制御用ファームウェアに上記で説明した内容を追加するだけで、記録再生の両方が可能な装置を実現できる。つまり、再生専用装置との共用性を確保したまま、わずかな回路追加を行うだけで記録装置の実現が可能である。

尚、テスト発光期間（時刻ｔ１〜ｔ３）中は、照射ビームと記録媒体との相対速度（光ディスク装置の場合はディスクの回転数）を通常時よりも高速にすることにより、テスト発光による記録媒体への記録を避けることが可能である。あるいは、テスト発光期間中は、記録媒体に集光される照射ビームのフォーカス位置制御をオフし、照射ビームの焦点位置から記録媒体の情報記録面を積極的にずらすことによってもテスト発光による記録媒体への記録を避けることが可能である。

演算・制御回路１２のＡ／Ｄ入力端子２１には、入力レンジの上下限があるが、記録パワーの範囲が広い場合には、記録パワーの上下限に対してモニタ出力の上下限が収まらない場合が想定される。そのような場合には、アンプ１９にゲイン切り替え部を付加し、所定の記録パワーを境にゲインを切替えることによりＡ／Ｄ入力端子のダイナミックレンジ内にモニタ出力を収めることが可能である。

また、上記例ではパワーに関する既知情報として、再生パワー発光時の電流源４の出力電流値Ｉａ１と照射パワーＰ１との関係が、装置の組み立て調整時に演算・制御回路１２内部のメモリに格納されている例を説明した。電流源４の出力電流値Ｉａ１と照射パワーＰ１との関係は、第１のテスト発光期間に半導体レーザ１を目標パワーＰｔで発光させる際、電流源４の出力（あるいは入力されるステップ数）を算出するために使用される。現実には、電流源４は、出力をゼロの設定にしても微小電流を出力したり（オフセットがある場合）、出力を上げてもしばらくは所望の出力が得られなかったり（不感帯がある場合）することが起こりうる。このような場合に目標パワーＰｔを得るための電流値をＰｔ／Ｐ１×Ｉａ１に設定すると誤差が生じる。この記録パワーの設定誤差を抑制するためには、記録パワー領域内にもう１点の既知情報を持つことが有効である。即ち、電流源４の出力Ｉａ２と、そのときの照射パワーＰ２（Ｐｔ近傍）の関係を加えた、（Ｉａ１、Ｐ１）、（Ｉａ２、Ｐ２）の２点の情報を装置の組み立て調整時に演算・制御回路１２内部のメモリに格納する。記録パワーＰｔの設定には、Ｐｔにより近いＰ２を基準として電流源４の出力電流を設定することにより、高精度な記録パワーの設定が可能となる。更に、電流源４の出力と照射パワーの関係を３点以上与えることができれば、より高精度な記録パワーの設定も可能である。

尚、レーザ制御回路１１ａと演算・制御回路１２は同一集積回路内に構成されても構わない。また、レーザ制御回路１１ａにおける各回路要素は、同一集積回路内に構成されてもよいし、複数の集積回路に分割して構成されてもよいし、一部をディスクリート素子で構成しても構わない。

また、図２に示したレーザ制御回路１１ａは回路の動作を示すための簡易的なブロック図であり、実際の構成においては図示しない抵抗やコンデンサ等の回路素子が用いられることはいうまでもない。

（実施の形態２）
図４は、実施の形態２に係るレーザ制御回路１１ｂの構成図である。図４に示すレーザ制御回路１１ｂは、図２に示したレーザ制御回路１１ｂからスイッチ１６を取り除いたものであり、コンデンサ７がトランジスタ８のゲート電極に常時接続されている。以下、本実施の形態と実施の形態１との相違点を中心に説明する。

まず、ＷＴＧＴ出力端子１３から出力されるＷＴＧＴ信号がＬｏレベルの場合、スイッチ１５は閉じ、スイッチ１７は開く。このとき、図８で示した従来の再生専用パワー制御回路と同様に半導体レーザ１の出力は、電流源４の出力と、可変抵抗３および５の抵抗値に応じて一定に制御される。ここで、電流源４の出力、可変抵抗３および５の抵抗値は制御インターフェースを介して演算・制御回路１２によって設定される。

一方、ＷＴＧＴ出力端子１３から出力されるＷＴＧＴ信号がＨｉレベルの場合、スイッチ１５は開き、スイッチ１７は閉じる。スイッチ１５が開くと、トランジスタ８のゲート電圧はコンデンサ７によってホールドされる。よって、ＷＴＧＴ信号がＨｉレベルになっても、ＷＴＧＴ信号がＨｉレベルになる直前の電流ドライバ１０出力、即ち半導体レーザ１の出力が保持される。

スイッチ１７が閉じると、電流源１８の出力分だけ、電流ドライバ１０の出力、即ち半導体レーザ１の出力が増加する。この電流源１８の出力も制御インターフェースを介して演算・制御回路１２によって設定される。フォトダイオード２の光電流を抵抗３で電圧変換した電圧はアンプ１９を介してモニタ出力端子２０から出力され、演算・制御回路のＡ／Ｄ入力端子１２へと入力される。

ここで、記録パワーの設定方法を説明する。

図５は、実施の形態２に係る記録パワー設定方法の説明図であり、上から順に、ＷＴＧＴ信号、記録媒体への照射パワー、モニタ出力端子、Ａ／Ｄ入力端子、電流ドライバ出力を示している。横軸は、時間を表す。

時刻ｔ１以前は再生状態である。再生時の電流源４の出力電流値がＩａ１の場合の、記録媒体への照射パワーをＰ１とする。このときの電流源４の出力Ｉａ１と照射パワーＰ１の関係は装置の組み立て調整時に求められ、演算・制御回路１２内部のメモリに格納される。

時刻ｔ１〜ｔ２の第１のテスト発光期間には、電流源４の出力電流値をＰｔ／Ｐ１×Ｉａ１に設定することにより、目標とする照射パワーＰｔで半導体レーザ１を発光させることが可能である。第１のテスト発光時のモニタ出力は演算・制御回路１２のＡ／Ｄ入力端子によってサンプリングされ、得られた値は第１のサンプリング値として演算・制御回路１２内部のメモリに格納される。この第１のサンプリング値は、開ループ回路のみを用いて半導体レーザ１を発行させる際の目標値として使用する。サンプリングが終了すると再び電流源４の出力をＩａ１へと戻す。

時刻ｔ２〜ｔ３の第２のテスト発光期間では、ＷＴＧＴ信号をＨｉレベルにして、電流ドライバ１０に電流源１８の出力を加える。電流源１８として、設定ステップ数ｎのＤ／Ａコンバータを使用することができる。この場合、演算・制御回路１２は、電流源１８にステップ数を与えることによって、電流源１８の出力電流値を制御することができる。電流源１８に与えるステップ数の初期値Ｓｉｎｉｔは、下記の数式（２）によって与えられる。
Ｓｉｎｉｔ＝（Ｐｔ―Ｐ１）／（ηＬＤ×ηＯＰＴ×Ｉｍａｘ）×ｎ ・・・（２）
ここで、
Ｐｔ：情報記録時に記録媒体に照射する光ビームのパワー（ｍＷ），
ηＬＤ：光源の発光効率（ｍＷ／ｍＡ）、
ηＯＰＴ：光学系の光利用効率（記録媒体への照射パワー／光源の発光パワー）、
Ｉｍａｘ：電流源１８が設定可能なドライバ出力の最大電流値、
ｎ：電流源１８の設定ステップ数
である。

例えば、Ｐｔ＝５ｍＷ、Ｐ１＝０．３ｍＷ、ηＬＤ＝１．４、ηＯＰＴ＝０．１、Ｉｍａｘ＝７０ｍＡ、ｎ＝１２７（電流源１８として７ｂｉｔのＤ／Ａコンバータを使用）の場合、上記数式（１）より、Ｓｉｎｉｔは６１と計算される。

ただし、上記パラメータのうち、ηＬＤ、ηＯＰＴ、Ｉｍａｘは個体ごとのばらつきがあるため、上記の数式（２）および（２）’に基づいて電流源１８の出力電流値を設定しても目標のＰｔの照射パワーが得られるとは限らない。そこで、演算制御回路１２は、実施の形態１と同様に、第２のテスト発光を何度か繰り返して、Ａ／Ｄ入力端子２１から第２のサンプリング値を取得し、第１のテスト発光時にＡ／Ｄ入力端子２１から取得した第１のサンプリング値に近づける。

図５の例では、電流源１８にステップ数として６１を与えて第２のテスト発光させた場合、第２のサンプリング値は目標となる第１のサンプリング値より小さく、第１のサンプリング値と第２サンプリング値との差は所定の許容値より大きい。そこで、演算・制御回路１２は、電流源１８に与えるステップ数を６２に増やして第２のテスト発光を行う。このときに得られた第２のサンプリング値も依然として目標値より小さく、第１のサンプリング値と第２サンプリング値との差は所定の許容値より大きいいので、演算・制御回路１２は、電流源１８に与えるステップ数を６３に増やしてテスト発光を行う。この際に得られた第２のサンプリング値と第１のサンプリング値との差は所定の許容値以下であるので、情報記録時に電流源１８に与えるステップ数を６３に決定し、第２のテスト発光を終了する。

第１のテスト発光期間におけるテスト発光時間Ｐｗ１、第２のテスト発光期間におけるテスト発光時間Ｐｗ２の好ましい値は実施の形態１で述べたものと同様である。テスト発光時間Ｐｗ１、Ｐｗ２、記録パワー発光時間Ｐｗ３は、実施の形態１と同様に、上記の条件（３）及び（４）を満足する。

本実施の形態では、再生パワーＰ１で半導体レーザを発光させるのに必要な動作電流は電流源４によって設定されるため、電流源１８による電流ドライバ出力が低く抑えられる。また、図２に示したスイッチ１６が不要である。したがって、更なる回路の簡素化、低価格化、再生専用装置からの変更点の最小化が図れる。

本実施の形態でも、テスト発光期間（時刻ｔ１〜ｔ３）中は、照射ビームと記録媒体との相対速度（光ディスク装置の場合はディスクの回転数）を通常時よりも高速にすることにより、テスト発光による記録媒体への記録を避けることが可能である。あるいは、テスト発光期間中は記録媒体に対する照射ビームのフォーカス位置制御をオフし、照射ビームの焦点位置から記録媒体の情報記録面を積極的にずらすことによってもテスト発光による記録媒体への記録を避けることが可能である。

実施の形態１と同様に、アンプ１９にゲイン切り替え部を付加することにより、演算・制御回路１２のＡ／Ｄ入力端子とモニタ出力のダイナミックレンジの整合を図ることが可能である。

また、実施の形態１と同様に、電流源４の出力と照射パワーの関係を２点、あるいは３点以上与えることにより、より高精度な記録パワーの設定が可能である。

尚、レーザ制御回路１１ｂと演算・制御回路１２は同一集積回路内に構成されても構わない。また、レーザ制御回路１１ｂにおける各回路要素は、同一集積回路内に構成されてもよいし、複数の集積回路に分割して構成されてもよいし、一部をディスクリート素子で構成しても構わない。

また、図４に示したレーザ制御回路１１ｃは回路の動作を示すための簡易的なブロック図であり、実際の構成においては図示しない抵抗やコンデンサ等の回路素子が用いられることはいうまでもない。

（実施の形態３）
図６は、実施の形態３に係る制御回路１１ｃの構成図である。本実施の形態に係るレーザ制御回路１１ｃでは、閉ループ回路および開ループ回路のそれぞれに、第１の電流ドライバ５１および第２の電流ドライバ５２が設けられている。以下、本実施の形態と実施の形態２との相違点を中心に説明する。

第１の電流ドライバ５１および第２の電流ドライバ５２のいずれも、実施の形態２における電流ドライバ１０と同一の機能を有する。第１の電流ドライバ５１の入力には電流源の出力が接続され、第１の電流ドライバ５１の出力は、スイッチ５３を介して半導体レーザ１に接続されている。第２の電流ドライバ５２は、第２の実施形態と同様に、トランジスタ８と半導体レーザ１とに接続されている。

ＷＴＧＴ出力端子１３から出力されるＷＴＧＴ信号がＬｏレベルの場合、スイッチ１５が閉じ、スイッチ５３が開くことによって、閉ループ回路が実現される。このとき、半導体レーザは第２の電流ドライバ５２によって駆動され、図８で示した従来の再生専用パワー制御回路と同様に半導体レーザ１の出力は、電流源４の出力と、可変抵抗３および５の抵抗値によって一定に制御される。ここで、電流源４の出力、可変抵抗３および５の抵抗値は制御インターフェースを介して演算・制御回路１２によって設定される。

一方、ＷＴＧＴ出力端子１３から出力されるＷＴＧＴ信号がＨｉレベルの場合、スイッチ１５が開き、スイッチ５３が閉じることによって、開ループ回路が実現される。スイッチ１５が開くと、トランジスタ８のゲート電圧はコンデンサ７によってホールドされる。よって、ＷＴＧＴ信号がＨｉレベルになっても、ＷＴＧＴ信号がＨｉになる直前の第２の電流ドライバ５２の出力、即ち半導体レーザ１の出力が保持される。

スイッチ５３が閉じると、電流源１８によって設定される第１の電流ドライバ５１の出力電流が、第２の電流ドライバ５２の出力電流に加算され、加算された電流が半導体レーザ１へと供給される。電流源１８の出力も制御インターフェースを介して演算・制御回路１２によって設定される。フォトダイオード２の光電流を抵抗３で電圧変換した電圧はアンプ１９を介してモニタ出力端子２０から出力され、演算・制御回路のＡ／Ｄ入力端子１２へと入力される。

本実施の形態では、情報記録時に半導体レーザ１に電流を供給する第１の電流ドライバ５１を、情報再生時に用いる第２の電流ドライバ５２とは独立に備えており、スイッチ１７のオン・オフによって供給電流を直接スイッチングできるため、より高速な記録パワーの立ち上がり、立ち下がりを実現できる。

記録パワーの設定方法は、実施の形態２の図５を用いて説明したものと同様であるので、繰り返しの説明を省略する。また、第１のテスト発光期間におけるテスト発光時間Ｐｗ１、第２のテスト発光期間におけるテスト発光時間Ｐｗ２の好ましい値は実施の形態１で述べたものと同様である。テスト発光時間Ｐｗ１、Ｐｗ２、記録パワー発光時間Ｐｗ３は、実施の形態１と同様に、上記の条件（３）及び（４）を満足する。

本実施の形態でも、テスト発光期間（図５の時刻ｔ１〜ｔ３）中は照射ビームと記録媒体との相対速度（光ディスク装置の場合はディスクの回転数）を通常時よりも高速にすることにより、テスト発光による記録媒体への記録を避けることが可能である。あるいは、テスト発光期間中は記録媒体に対する照射ビームのフォーカス位置制御をオフし、照射ビームの焦点位置から記録媒体を積極的にずらすことによってもテスト発光による記録媒体への記録を避けることが可能である。

実施の形態１と同様に、アンプ１９にゲイン切替機能を付与することにより、演算・制御回路１２のＡ／Ｄ入力端子とモニタ出力のダイナミックレンジの整合を図ることが可能である。

また、実施の形態１と同様に、電流源４の出力と照射パワーの関係を２点、あるいは３点以上与えることにより、より高精度な記録パワーの設定が可能である。

尚、レーザ制御回路１１ｃと演算・制御回路１２は同一集積回路内に構成されても構わない。また、レーザ制御回路１１ｃにおける各回路要素は、同一集積回路内に構成されてもよいし、複数の集積回路に分割してもよいし、一部をディスクリート素子で構成しても構わない。

また、図６に示したレーザ制御回路１１ｃは回路の動作を示すための簡易的なブロック図であり、実際の構成においては図示しない抵抗やコンデンサ等の回路素子が用いられることはいうまでもない。

本発明に係る光情報記録再生装置は、パーソナルコンピュータ、ＡＶプレーヤ、ＡＶレコーダー等に利用できる。

１ 半導体レーザ
２ フォトダイオード
３、５ 可変抵抗
４ 電流源
６ オペアンプ
７ コンデンサ
８ トランジスタ
９ 抵抗
１０ 電流ドライバ
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ レーザ制御回路
１２ 演算・制御回路
１３ ＷＴＧＴ出力端子
１４ ＷＴＧＴ入力端子
１５、１６、１７、５３ スイッチ
１８ 電流源
１９ アンプ
２０ モニタ出力端子
２１ Ａ／Ｄ入力端子
４５ａ、４５ｂ、４５ｃ 電流ドライバ制御部
５１ 第１の電流ドライバ
５２ 第２の電流ドライバ

Claims (13)

1. 記録媒体に光を照射し、情報の記録および再生を行う光情報記録再生装置であって、
   光源と、
   前記光源に電流を供給する電流ドライバと、
   前記光源からの光を前記記録媒体に集光する光学系と、
   前記光源の発光パワーをモニタするモニタ部と、
   前記電流ドライバの出力電流を制御する電流ドライバ制御部と、
   前記電流ドライバ制御部の動作を制御する演算制御部とを備え、
   前記光源と、前記電流ドライバと、前記モニタ部と、前記電流ドライバ制御部内の回路の一部とで、前記モニタ部の出力に基づいて前記光源の発光パワーを目標値に近づける閉ループ回路が構成され、
   前記光源と、前記電流ドライバと、前記電流ドライバ制御部内の回路の他の一部とで、前記光源に定電流を供給する開ループ回路が構成され、
   前記電流ドライバ制御部は、第１の電流源と第２の電流源とを含み、
   前記閉ループ回路の使用時には、前記演算制御部から出力される情報に基づいて、前記第１の電流源が前記電流ドライバの出力電流値を決定し、
   前記開ループ回路の使用時には、前記演算制御部から出力される情報に基づいて、前記第２の電流源が前記電流ドライバの出力電流値を決定し、
   情報の記録を実施する前に、前記演算制御部は、前記閉ループ回路を用いて前記光源を発光させる第１のテスト発光と、前記開ループ回路を用いて前記光源を発光させる第２のテスト発光とを順に行い、前記第１のテスト発光期間に前記モニタ部の出力からサンプリングした第１のサンプリング値と、前記第２のテスト発光期間に前記モニタ部の出力からサンプリングした第２のサンプリング値とを比較し、前記第１のサンプリング値と前記第２のサンプリング値との差が所定値以下となるように前記第２の電流源の出力電流値の調整を行うことにより前記情報の記録時に用いる発光強度を決定する、光情報記録再生装置。
2. 前記開ループ回路を用いて行う前記第２のテスト発光時に、前記第２の電流源に与えるステップ数の初期値Ｓｉｎｉｔが以下の式により決定される、請求項１に記載の光情報記録再生装置。
   Ｓｉｎｉｔ＝（Ｐｔ／（ηＬＤ×ηＯＰＴ）＋Ｉｔｈ）／Ｉｍａｘ×ｎ
   ここで、
   Ｐｔ：情報の記録時に記録媒体に照射する光ビームのパワー、
   ηＬＤ：光源の発光効率、
   ηＯＰＴ：光学系の光利用効率、
   Ｉｍａｘ：第２の電流源が設定可能な最大電流値、
   Ｉｔｈ：光源の閾値電流、
   ｎ：第２の電流源の設定ステップ数
   である。
3. 前記閉ループ回路を用いた動作から前記開ループ回路を用いた動作への切り替え時に、前記第１の電流源によって設定された前記電流ドライバの出力電流が、前記開ループ回路を用いた動作時に保持される、請求項１に記載の光情報記録再生装置。
4. 前記開ループ回路を用いて行う前記第２のテスト発光時に、前記第２の電流源に与えるステップ数の初期値Ｓｉｎｉｔが以下の式により決定される、請求項３に記載の情報記録再生装置。
   Ｓｉｎｉｔ＝（Ｐｔ―Ｐ１）／（ηＬＤ×ηＯＰＴ×Ｉｍａｘ）×ｎ
   ここで、
   Ｐｔ：情報の記録時に記録媒体に照射する光ビームのパワー、
   Ｐ１：情報の再生時に記録媒体に照射する光ビームのパワー、
   ηＬＤ：光源の発光効率、
   ηＯＰＴ：光学系の光利用効率、
   Ｉｍａｘ：第２の電流源が設定可能な最大電流値、
   Ｉｔｈ：光源の閾値電流、
   ｎ：第２の電流源の設定ステップ数
   である。
5. 前記第１の電流源の出力値と、記録媒体に照射される光ビームのパワーとの関係を表す少なくとも１点の情報を予め記憶する記憶部を更に備える、請求項１に記載の光情報記録再生装置。
6. 前記第１の電流源の出力値と、記録媒体に照射される光ビームのパワーとの関係を表す２点以上の情報を予め記憶する記憶部を更に備える、請求項１に記載の光情報記録再生装置。
7. 前記第１のテスト発光時におけるテスト発光時間Ｐｗ１と、前記第２の発光時におけるテスト発光時間Ｐｗ２とは、以下の条件を満足する、請求項１に記載の光情報記録再生装置。
   Ｐｗ１≧Ｐｗ２
8. 前記テスト発光時間Ｐｗ１およびＰｗ２と、記録媒体に情報を記録する際の発光時間Ｐｗ３とは、以下の条件を満足する、請求項７に記載の光情報記録再生装置。
   Ｐｗ１≧Ｐｗ２＞Ｐｗ３
9. 前記第１および第２のテスト発光時における前記記録媒体の回転速度が、情報の記録時における前記記録媒体の回転速度よりも高速である、請求項１に記載の光情報記録再生装置。
10. 記録媒体に照射される光ビームのフォーカス制御を、前記第１および第２のテスト発光時には行わない、請求項１に記載の光情報記録再生装置。
11. 前記モニタ部は、出力ゲインを切り替えるゲイン切り替え部を含む、請求項１に記載の情報記録再生装置。
12. 前記モニタ部は、前記光源と同一筐体内に配置されるフォトダイオードを含む、請求項１に記載の光情報記録再生装置。
13. 前記電流ドライバは、前記閉ループ回路に設けられる第１の電流ドライバと、前記開ループ回路に設けられる第２の電流ドライバと、前記演算制御部からの制御に基づいて、前記第１の電流ドライバの出力と前記第２の電流ドライバの出力とを加算する加算部とを含み、
    記記録媒体からの情報の再生時および前記第１のテスト発光時には、前記演算制御部は、前記第１の電流ドライバを用いて前記光源を発光させ、
    前記記録媒体への情報の記録時および前記第２のテスト発光時には、前記演算制御部は、第１の電流ドライバと第２の電流ドライバの両方を用いて前記光源を発光させる、請求項１に記載の光情報記録再生装置。

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