JP5201117B2 - ナノファイバ膜製造装置およびナノファイバ膜製造方法 - Google Patents
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Description
バ膜製造装置1の構成を説明する。図1において、高分子物質から成るナノファイバの堆積膜を製造する機能を有するナノファイバ膜製造装置1は、ナノファイバ生成部2a、捕集部2bより成る機構部2を備えている。ナノファイバ生成部2aは、金属板など導電性を有する平板状の移動プレート3に、複数(ここでは5本)の溶液供給容器5を、X方向に列状に配置した構成となっている。
きる。具体的に例示すると、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、ヘキサフルオロイソプロパノール、テトラエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジベンジルアルコール、1,3−ジオキソラン、1,4−ジオキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、メチル−n−プロピルケトン、ジイソプロピルケトン、ジイソブチルケトン、アセトン、ヘキサフルオロアセトン、フェノール、ギ酸、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジプロピル、塩化メチル、塩化エチル、塩化メチレン、クロロホルム、o−クロロトルエン、p−クロロトルエン、クロロホルム、四塩化炭素、1,1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエタン、トリクロロエタン、ジクロロプロパン、ジブロモエタン、ジブロモプロパン、臭化メチル、臭化エチル、臭化プロピル、酢酸、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロペンタン、o−キシレン、p−キシレン、m−キシレン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキシド、ピリジン、水等を挙示することができる。また、上記より選ばれる一種でもよく、また、複数種類が混在しても差し支えない。なお、上記は例示であり、本願発明に用いられる原料液10は上記溶媒を採用することに限定されるものではない。
生じていたような、単位堆積層30cによって単位堆積層30bからの溶媒31、電荷32の放出が阻害されることに起因する品質不良が生じない。また第2堆積領域A2においては、ナノファイバ10aの散布が中断された状態となっているため、上述と同様に、単位堆積層30bに蓄積された溶媒31、電荷32が放出され、良好な品質特性を備えた単位堆積層30bが形成される。
する替わりに、捕集シート11に原料液10を帯電させた電荷と反対の極の電圧を印加する電圧印加部(図示省略)を設けるようにしてもよい。
媒に溶解させた原料液10を吐出手段の吐出ノズル5aによって吐出させるとともに、高電圧印加装置9によって移動プレート3、吐出ノズル5aを介して原料液10を帯電させる(吐出・帯電工程)。次いで吐出され帯電した原料液10が電気的に延伸して生成されたナノファイバ10aをシート状の捕集面である捕集シート11の表面11aによって捕集する(捕集工程)。
の電圧を電圧印加部35によって印加する。このとき、捕集シート11は接地もしくは負の電圧が印加されている。
同極の電圧を印加するようにしている。これにより、エレクトロスピニングによってナノファイバ10aの堆積膜を導電膜に形成するナノファイバ膜形成において、簡便な方法でナノファイバの堆積の有無の切り替えを行うことができる。
2 機構部
2a ナノファイバ生成部
2b 捕集部
5 溶液供給容器
5a 吐出ノズル
9 高電圧印加装置
10 原料液
10a ナノファイバ
11 捕集シート
11a 表面
11b 裏面
12 支持部材
16 接地部
30 堆積膜
30a、30b、30c 単位堆積層
31 溶媒
32 電荷
C 表堆積領域
D 裏堆積領域
F 非堆積領域
Claims (3)
- 高分子物質から成るナノファイバの堆積膜を製造するナノファイバ膜製造装置であって、
前記高分子物質を溶媒に溶解させた原料液を吐出させる吐出手段と、前記原料液を前記吐出手段を介して帯電させる帯電手段と、前記吐出手段に対向して配置され吐出された前記原料液が電気的に延伸して生成されたナノファイバをシート状の捕集面によって捕集する捕集部と、前記吐出手段を前記捕集面に対して平行な平面内で往復動させる移動機構と、前記吐出手段、帯電手段および移動機構を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記堆積膜を適正な品質で形成するために予め設定される所定のインターバル時間に基づいた往復動周期で、前記移動機構によって前記吐出手段を移動させるものであり、
前記所定のインターバル時間は、前記堆積膜を構成し前記往復動周期毎に形成されるナノファイバの単位堆積層から電荷を除去するのに必要な除電時間および前記堆積膜を構成し前記往復動周期毎に形成されるナノファイバの単位堆積層から前記溶媒を蒸散させるのに必要な溶媒蒸散時間に基づいて設定され、
かつ前記除電時間、溶媒蒸散時間のうち、いずれか長い方の時間よりも、往復動周期の半周期が長くなるように設定されることを特徴とするナノファイバ膜製造装置。 - 前記吐出手段は、前記原料液を吐出する複数の吐出ノズルを列状に配置したノズル列を備え、前記移動機構は前記吐出手段を前記ノズル列と直交する方向に往復動させることを特徴とする請求項1に記載のナノファイバ膜製造装置。
- 高分子物質から成るナノファイバの堆積膜を製造するナノファイバ膜製造方法であって、
前記高分子物質を溶媒に溶解させた原料液を吐出手段によって吐出させるとともに、帯電手段によって前記原料液を帯電させる吐出・帯電工程と、前記吐出され帯電した前記原料液が電気的に延伸して生成されたナノファイバをシート状の捕集面によって捕集する捕集工程とを含み、
前記捕集工程において、前記吐出手段を前記捕集面に対して平行な平面内で前記堆積膜を適正な品質で形成するために予め設定される所定のインターバル時間に基づいた往復動周期で移動させるものであり、
前記所定のインターバル時間は、前記堆積膜を構成し前記往復動周期毎に形成されるナノファイバの単位堆積層から電荷を除去するのに必要な除電時間および前記堆積膜を構成し前記往復動周期毎に形成されるナノファイバの単位堆積層から前記溶媒を蒸散させるのに必要な溶媒蒸散時間に基づいて設定され、
かつ前記除電時間、溶媒蒸散時間のうち、いずれか長い方の時間よりも、往復動周期の半周期が長くなるように設定されることを特徴とするナノファイバ膜製造方法。
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