JP5193051B2 - 電気音響素子 - Google Patents
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Description
Claims (37)
- 伝導する音響バルク波によって動作する電気音響素子において、
単結晶の第1の基板(1)および単結晶の第2の基板(2)が設けられており、
前記第1の基板の厚さは前記第2の基板の厚さの多くとも50%であり、
金属層(31)と誘電層(32)とを含む層列(3)が前記第1の基板(1)と前記第2の基板(2)との間に配置され、
前記金属層(31)は第1の音響インピーダンスZa,1を有する層(312)を含み、前記誘電層(32)は、二酸化ケイ素から成り、かつ、第2の音響インピーダンスZa,2を有し、前記第1の音響インピーダンスは前記第2の音響インピーダンスよりも高く、ここでZa,1/Za,2≧4.5が成り立ち、
前記第1の音響インピーダンスを有する層(312)の厚さは前記金属層(31)の全厚さの30%から50%であり、
前記第1の基板(1)と前記第1の音響インピーダンスZa,1を有する層(312)とのあいだに10nmよりも小さい厚さの接着媒介層として用いられる中間層(313)が配置されている
ことを特徴とする電気音響素子。 - 前記第1の基板(1)は圧電特性を有する、請求項1記載の電気音響素子。
- 前記層列(3)のうち前記第1の音響インピーダンスを有する層(312)は前記第1の基板(1)に面している、請求項1または2記載の電気音響素子。
- 前記金属層(31)は少なくとも9×104[Ωcm]−1の高い導電率を有する部分層(311)を有する、請求項1から3までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記高い導電率を有する部分層(311)はAlを含む、請求項4記載の電気音響素子。
- 前記第1の音響インピーダンスを有する層(312)はタングステンから成る、請求項1から5までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記第1の音響インピーダンスを有する層(312)は白金から成る、請求項1から5までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記金属層(31)内に所定の中心周波数で動作する変換器が構成されており、前記第1の音響インピーダンスを有する層(312)の厚さは前記変換器の音響反射係数の前記中心周波数に対する阻止帯域幅が少なくとも7.6%となるように選定されている、請求項1から7までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記第1の音響インピーダンスを有する層(312)の厚さは0.02λから0.03λである、請求項8項記載の電気音響素子。
- 前記第1の基板(1)はLiTaO3から成る、請求項1から9までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記第1の基板(1)は回転YXカット角φを有しており、7°<φ<24°が成り立つ、請求項10記載の電気音響素子。
- 前記第1の基板(1)は回転YXカット角φを有しており、12°<φ<21°が成り立つ、請求項11記載の電気音響素子。
- 前記第1の基板(1)および前記第2の基板(2)は外部に面している、請求項1から12までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記第1の基板の厚さは前記第2の基板の厚さの多くとも1/3である、請求項1から13までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記金属層(31)には変換器およびコンタクト面が構成されている、請求項1から14までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記金属層(31)は直接に前記第1の基板(1)上に配置されている、請求項1から15までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記誘電層(32)は前記第1の基板(1)に対して前記変換器の電極構造体を封止している、請求項1から16までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記第2の基板(2)は高オーム性のケイ素を含む、請求項1から17までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記コンタクト面は前記第2の基板(2)内に構成されたスルーコンタクトを介してコンタクトしている、請求項15から18までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記第1の基板(1)の突き合わせ縁部および前記層列(3)の突き合わせ縁部は斜めに切られている、請求項1から19までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記第2の基板(2)の突き合わせ縁部の一部が斜めに切られている、請求項20記載の電気音響素子。
- 前記第1の基板(1)の露出表面上および前記斜めに切られた突き合わせ縁部上に第2の金属層(4)が配置されている、請求項21記載の電気音響素子。
- 前記第2の金属層(4)は前記第1の基板(1)の突き合わせ縁部および前記層列(3)の突き合わせ縁部を覆い、前記第2の基板(2)に対して閉鎖されている、請求項22記載の電気音響素子。
- 前記第1の基板(1)の厚さは3λから50λである、請求項1から23までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記第2の基板(2)および前記層列(3)の全厚さは100λを超えない、請求項1から24までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記誘電層(32)の厚さは0.1λから1λである、請求項1から25までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記誘電層(32)は前記第1の基板および/または前記第2の基板に対して反対の温度特性を有する、請求項1から26までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- バルク波が前記層列(3)内を伝搬する際の伝搬速度は2つの基板(1,2)内を伝搬する際の伝搬速度の90%以下である、請求項1から27までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- バルク波が前記第1の基板(1)内を伝搬する際の伝搬速度は前記第2の基板(2)内を伝搬する際の伝搬速度よりも小さい、請求項1から28までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 請求項1から29までのいずれか1項記載の、伝導するバルク波によって動作する電気音響素子の製造方法において、
A)複数の素子領域を備えた第1のウェハ(1,3)を準備し、ここで、素子構造体およびコンタクト面を備えた金属層(31)を形成し、該金属層上に誘電層(32)を被着して層列(3)とし、該層列を第1の基板(1)上に設け、
B)各素子領域の電気的特性を測定するために前記コンタクト面を露出させ、
C)前記層列(3)が2つのウェハ(1,2)間に位置するように前記第1のウェハと第2のウェハとを接合して全ウェハを形成し、
D)前記第1のウェハを薄膜化し、
E)前記第2のウェハにコンタクト孔を形成し、前記コンタクト面とのコンタクトのために前記コンタクト孔を金属化し、
F)各素子領域を個別化して個々の素子を形成する
ことを特徴とする電気音響素子の製造方法。 - 前記ステップB)において、トリミング構造体として設けられた素子構造体の変更などにより、層列の電気的なトリミングを行う、請求項30記載の方法。
- 前記ステップB)において、誘電層の厚さの変更により、層列の機械的なトリミングを行う、請求項30または31記載の方法。
- 前記ステップB)の前に誘電層を平坦化する、請求項30から32までのいずれか1項記載の方法。
- 前記ステップD)の後に、全ウェハを第1のウェハ側で設定された線に沿って第2のウェハの設定された深さまでV字状に切削し、第1のウェハの後面およびV字状の切欠部を金属化する、請求項30から33までのいずれか1項記載の電気音響素子。
- 前記第1のウェハの後面を金属化する際に導体路および/または端子面を形成する、請求項34記載の方法。
- 前記ステップE)において、第2の基板の露出表面に外部端子を形成する、請求項30から35までのいずれか1項記載の方法。
- 前記ステップD)の後に、複数の素子領域を有する支持体の上で全ウェハを位置決めし、各素子領域を支持体から取り外さずに個別化して個々の素子を形成し、ここで各素子の品質コントロールのための測定を支持体上で直接に行う、請求項30から36までのいずれか1項記載の方法。
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WO2008035546A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic boundary wave device |
DE102006048879B4 (de) * | 2006-10-16 | 2018-02-01 | Snaptrack, Inc. | Elektroakustisches Bauelement |
WO2008108215A1 (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
DE102007012383B4 (de) * | 2007-03-14 | 2011-12-29 | Epcos Ag | Mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement |
DE102008016613B4 (de) * | 2008-04-01 | 2010-04-15 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit mindestens einer dielektrischen Schicht und ein elektrisches Bauelement mit mindestens einer dielektrischen Schicht |
DE102008034372B4 (de) | 2008-07-23 | 2013-04-18 | Msg Lithoglas Ag | Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Schicht in einem elektroakustischen Bauelement sowie elektroakustisches Bauelement |
JP5455538B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
DE112010000861B4 (de) | 2009-01-15 | 2016-12-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischenBauelements |
JP2010187373A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-08-26 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス |
US20100217525A1 (en) * | 2009-02-25 | 2010-08-26 | King Simon P | System and Method for Delivering Sponsored Landmark and Location Labels |
US8280080B2 (en) * | 2009-04-28 | 2012-10-02 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Microcap acoustic transducer device |
WO2012090873A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置 |
US20130335170A1 (en) * | 2011-01-27 | 2013-12-19 | Kyocera Corporation | Acoustic wave element and acoustic wave device using same |
JP5751887B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-07-22 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置 |
US8939556B2 (en) * | 2011-06-09 | 2015-01-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device |
CN104917487B (zh) * | 2014-03-10 | 2019-04-23 | 联华电子股份有限公司 | 共振滤波器 |
US9571061B2 (en) * | 2014-06-06 | 2017-02-14 | Akoustis, Inc. | Integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices |
US10348269B2 (en) * | 2014-12-17 | 2019-07-09 | Qorvo Us, Inc. | Multi-frequency guided wave devices and fabrication methods |
FR3042648B1 (fr) * | 2015-10-20 | 2018-09-07 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif a ondes acoustiques de surface et procede de fabrication associe |
JP2017098781A (ja) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、超音波プローブ、超音波測定装置及び圧電素子の製造方法 |
CN111108689B (zh) * | 2017-09-29 | 2023-09-26 | 株式会社村田制作所 | 多工器、高频前端电路以及通信装置 |
CN115336173A (zh) * | 2019-11-27 | 2022-11-11 | 国立大学法人东北大学 | 声波器件中的能量约束 |
CN114744976B (zh) * | 2022-04-19 | 2023-06-23 | 四川大学 | 一种有效提高叉指换能器激发效率的方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4328472A (en) * | 1980-11-03 | 1982-05-04 | United Technologies Corporation | Acoustic guided wave devices |
WO1997033368A1 (fr) | 1996-03-08 | 1997-09-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Element pour ondes acoustiques de surface et telephone portatif l'utilisant |
KR100301322B1 (ko) * | 1997-05-08 | 2001-09-22 | 니시무로 타이죠 | 탄성경계파디바이스및그제조방법 |
FR2799906B1 (fr) | 1999-10-15 | 2002-01-25 | Pierre Tournois | Filtre a ondes acoustiques d'interface notamment pour les liaisons sans fil |
JP3402311B2 (ja) * | 2000-05-19 | 2003-05-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JP3780947B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2006-05-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
FR2837636B1 (fr) * | 2002-03-19 | 2004-09-24 | Thales Sa | Dispositif a ondes acoustiques d'interface en tantalate de lithium |
FR2838578B1 (fr) | 2002-04-12 | 2005-04-08 | Thales Sa | Dispositif d'interconnexion pour composants a ondes acoustiques d'interface |
FR2838577B1 (fr) | 2002-04-12 | 2005-11-25 | Thales Sa | Module comprenant des composants a ondes acoustiques d'interface |
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