JP6479301B2 - 導波路層を備えるマイクロ音響デバイス - Google Patents
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Description
(付記)
(付記1)
導波路(WG)を備えるマイクロ音響デバイスにおいて、
第1の音響波速度VLをもつ導波路層(WL)と、該導波路層に直接隣接し、第2の音響波速度VM1を有する第1の外套層(M1)とを有しており、
前記導波路で音響波を励起するために電極(E1)を備えており、
波速度について式VL<VM1が成り立っており、
前記導波路層は異常熱機械挙動をもつ成分を含むガラスであり、
前記導波路層(WL)は二酸化ゲルマニウム、カルコゲナイドガラス、またはメタリン酸亜鉛を成分として有しているマイクロ音響デバイス。
(付記2)
前記第1の外套層(M1)は圧電層(PL)または圧電基板である、付記1に記載のデバイス。
(付記3)
前記導波路層(WL)は二酸化ゲルマニウムを主成分として有するガラスである、付記1または2に記載のデバイス。
(付記4)
前記導波路層(WL)は二酸化ゲルマニウムを55から100重量%の割合で有している、付記3に記載のデバイス。
(付記5)
前記導波路層(WL)の別の成分としてガラス形成剤、ガラス改質剤、および/またはガラス安定剤が含まれている、付記3または4に記載のデバイス。
(付記6)
ガラス形成剤、ガラス改質剤、および/またはガラス安定剤はB 2 O 3 ,SiO 2 ,P 2 O 5 ,As 2 O 3 ,Sb 2 O 3 ,In 2 O 3 ,Sn 2 O 3 ,PbO 2 、Li 2 O,CaO,Na 2 O,K 2 O,MgO,Rb 2 O,Cs 2 O,SrO,TeO 2 ,SeO 2 ,MoO 2 ,WO 3 ,BiO 3 ,Al 2 O 3 ,BaO,V 2 OおよびSO 3 から選択されている、付記5に記載のデバイス。
(付記7)
前記導波路層(WL)はカルコゲナイドガラスまたはメタリン酸亜鉛を主成分として含んでいる、付記1または2に記載のデバイス。
(付記8)
前記導波路層は前記第1の外套層と第2の外套層の間に埋設されており、前記第2の外套層は第3の音響波速度VM2を有しており、該音響波速度については式VM2>VLが成り立つ、付記1から7のいずれか1つに記載のデバイス。
(付記9)
前記第2の外套層はDLC,SiO x N y ,BN,a−CH,Ge,Si,TiO 2 ,WC,AlN,ZnO,SiN,Al 2 O 3 、およびSiO 2 から選択された材料を主成分として含んでいる、付記1から8のいずれか1つに記載のデバイス。
(付記10)
前記第1の外套層はLiNbO 3 ,KNbO 3 ,NaNbO 3 ,LiTaO 3 ,石英、ZnO,AlN,ScAlN,LiB 4 O 7 ,GaPO 4 ,ランガサイト、ランガナイト、ランガテイトPZT、およびRECOBから選択された圧電材料であり、このときREは希土類の1つの元素または複数の元素からなる混合物であり、COBはオキソホウ酸カルシウムである、付記2から9のいずれか1つに記載のデバイス。
(付記11)
前記第1の外套層はSAWデバイスのための圧電層または圧電基板であり、該デバイスでは電極が前記圧電層または前記圧電基板の上に配置されてインターディジタル電極として構成されるとともに、前記導波路層が前記基板の上で前記電極の電極フィンガの間に配置されており、または前記基板の上で前記電極を覆うように配置されている、付記1から10のいずれか1つに記載のデバイス。
(付記12)
前記デバイスは基板の上に配置されたBAW共振器であり、該共振器では前記導波路層が前記基板と前記共振器の底面電極との間に配置されている、付記1から10のいずれか1つに記載のデバイス。
(付記13)
前記第1の外套層、前記導波路層、および前記第2の外套層からなる組み合わせがサンドイッチを形成しており、該サンドイッチは音響ミラーの一部を形成するとともに、前記基板と前記BAW共振器の底面電極との間に配置されている、付記12に記載のデバイス。
(付記14)
前記導波路層はGBAWデバイスの一部であり、前記電極を備える基板が上に配置されている、付記1から13のいずれか1つに記載のデバイス。
(付記15)
前記第2の外套層は前記導波路層の上に配置された第2の基板によって形成されている、付記14に記載のデバイス。
(付記16)
中心周波数の温度応答性が相応に調整された導波路層によって正である、すなわち過剰補償される第1のフィルタと、
前記第1のフィルタと電気的に配線された第2のフィルタとを含んでおり、
前記第2のフィルタは中心周波数の負の温度応答性を有しており、
前記第1のフィルタと前記第2のフィルタの配線は、前記デバイスが全体として中心周波数の温度応答性の完全な補償を示すように行われている、付記1から15のいずれか1つに記載のデバイス。
VL 導波路層における波速度
M1 第1の外套層
VM1 第1の外套層における波速度
PS 圧電層または圧電基板
M2 第2の外套層
VM2 波速度
AS 音響ミラー
PL 圧電層
WG1,WG2 導波路
ML3 第3の外套層
SU 基板
Claims (9)
- 導波路(WG)を備えるマイクロ音響デバイスにおいて、
第1の音響波速度VLをもつ導波路層(WL)と、該導波路層に直接隣接し、第2の音響波速度VM1を有する第1の外套層(M1)とを有しており、
前記導波路で音響波を励起するために電極(E1)を備えており、
音響波速度について式VL<VM1が成り立っており、
前記導波路層(WL)は二酸化ゲルマニウムを主成分として有するガラスを成分として有し、
前記第1の外套層(M1)は圧電層(PL)または圧電基板であり、
前記導波路層(WL)の別の成分としてガラス形成剤、ガラス改質剤、および/またはガラス安定剤が含まれている、
マイクロ音響デバイス。 - ガラス形成剤、ガラス改質剤、および/またはガラス安定剤はB2O3,SiO2,P2O5,As2O3,Sb2O3,In2O3,Sn2O3,PbO2,Li2O,CaO,Na2O,K2O,MgO,Rb2O,Cs2O,SrO,TeO2,SeO2,MoO2,WO3,BiO3,Al2O3,BaO,V2OおよびSO3から選択されている、請求項1に記載のデバイス。
- 前記導波路層は前記第1の外套層と第2の外套層の間に埋設されており、前記第2の外套層は第3の音響波速度VM2を有しており、該音響波速度については式VM2>VLが成り立つ、請求項1から2のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第2の外套層はDLC,SiOxNy,BN,a−CH,Ge,Si,TiO2,WC,AlN,ZnO,SiN,Al2O3、およびSiO2から選択された材料を主成分として含んでいる、請求項3に記載のデバイス。
- 前記第1の外套層はLiNbO3,KNbO3,NaNbO3,LiTaO3,石英、ZnO,AlN,ScAlN,LiB4O7,GaPO4,ランガサイト、ランガナイト、ランガテイトPZT、およびRECOBから選択された圧電材料であり、このときREは希土類の1つの元素または複数の元素からなる混合物であり、COBはオキソホウ酸カルシウムである、請求項1から4のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第1の外套層はSAWデバイスのための圧電層または圧電基板であり、該デバイスでは電極が前記圧電層または前記圧電基板の上に配置されてインターディジタル電極として構成されるとともに、前記導波路層が前記基板の上で前記電極の電極フィンガの間に配置されており、または前記基板の上で前記電極を覆うように配置されている、請求項1から5のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第2の外套層は前記導波路層の上に配置された第2の基板によって形成されている、請求項3に記載のデバイス。
- 前記導波路層はGBAWデバイスの一部であり、前記電極を備える基板の上に配置されている、請求項1から5、および7のいずれか1項に記載のデバイス。
- 中心周波数の温度応答性が相応に調整された導波路層によって正である、すなわち過剰補償される第1のフィルタと、
前記第1のフィルタと電気的に配線された第2のフィルタとを含んでおり、
前記第2のフィルタは中心周波数の負の温度応答性を有しており、
前記第1のフィルタと前記第2のフィルタの配線は、前記デバイスが全体として中心周波数の温度応答性の完全な補償を示すように行われている、請求項1から8のいずれか1項に記載のデバイス。
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