JP5187657B2 - 蛍光体、及びその製造方法 - Google Patents

蛍光体、及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5187657B2
JP5187657B2 JP2007225273A JP2007225273A JP5187657B2 JP 5187657 B2 JP5187657 B2 JP 5187657B2 JP 2007225273 A JP2007225273 A JP 2007225273A JP 2007225273 A JP2007225273 A JP 2007225273A JP 5187657 B2 JP5187657 B2 JP 5187657B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
particles
fluorescent
fluorescence
fluorescent particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007225273A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009057446A (ja
Inventor
雅人 上原
浩之 中村
英明 前田
真佐也 宮崎
佳子 山口
健一 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority to JP2007225273A priority Critical patent/JP5187657B2/ja
Priority to PCT/JP2008/065374 priority patent/WO2009028592A1/ja
Publication of JP2009057446A publication Critical patent/JP2009057446A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5187657B2 publication Critical patent/JP5187657B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/62Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
    • C09K11/621Chalcogenides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

本発明は、蛍光体、及びその製造方法に関する。詳しくは、生体関連物質の修飾・染色、照明、ディスプレイ等に用いる半導体ナノ粒子からなる蛍光体、及びその製造方法に関する。
半導体をナノメートルオーダーまで微細化すると量子サイズ効果が発現し、原子数の減少に伴いエネルギーバンドギャップが増大する。ナノメーターオーダーの半導体からなる半導体蛍光ナノ粒子は、半導体のバンドギャップエネルギーに相当する蛍光を発する。
II-VI族半導体のCdSeナノ粒子は、その粒径を調節することで蛍光色を約500〜700nmの範囲で自由に調節でき、高い蛍光特性を有する(例えば、特許文献1)。CdSeナノ粒子に代表されるII-VI族半導体は、無機半導体であり、有機色素に比べて安定していること等から生化学分析用の蛍光タグ、照明やディスプレイ用等の蛍光材料としての応用の可能性が示唆されている。
本発明の発明者等は、CdSeに物性の類似したカルコパイライト構造を有する化合物、特にCuInS2を、対象材料として着目し、ZnS等のII-VI族系化合物との複合化を図り、蛍光特性の評価を行い、蛍光量子収率10%以下の蛍光量子収率を持つ蛍光体に関する発明を行い、提案した(特許文献2)。I-III-VI系の化合物であるカルコパイライト型半導体は3元素系化合物であり、IV族、II-VI族およびIII-V族の半導体に比べて、元素選択の自由度が広く、利用環境や目的による制約を受けた場合の材料設計を行う点で利点がある。
しかしながら、ZnS等のII-VI族半導体と複合を行っていないカルコパイライト系ナノ粒子自体に関しては、合成法の煩雑な単分子原料材料による合成例があるのみである(非特許文献1)。単分子原料を利用すれば、約4%の蛍光量子収率を持ち、粒子の外径2〜5nm程度のCuInS2のカルコパイライト型ナノ粒子が合成可能である。しかしながら、単分子原料の合成自体が複雑であり、工業的には、よりシンプルな合成法が望まれる。
本発明の発明者等は、原料となる金属錯体溶液を加熱して合成する方法において、加熱方法を工夫することで、蛍光量子収率が6%以上のカルコパイライト系ナノ粒子を開発した。更に、このカルコパイライト系ナノ粒子、例えばCuInS2ナノ粒子をZnS等のバンドギャップの大きい材料で被覆することで、30%程度の高い蛍光量子収率をもつナノ粒子を開発した。(特許文献3)
特表2003−524147号 PCT/JP2005/013185 国際公開WO2007/060889号 S.L.Castro, S.G.Bailey, R.P.Raffaelle, K.K.Banger, and A.F.Hepp, J.Phys.Chem.B 2004, Vol.108, p12429-12435.
上述の特許文献3は、本願発明者の精力的な研究活動の成果である。本願発明の発明者等は、更に試行錯誤の末、カルコパイライト構造を有するI-III-VI族の化合物からなるナノ粒子の金属元素を別の金属元素で置換してナノ粒子が製造できる方法を発明した。固体材料は異種物質の固溶によって特性が変化することがある。特に半導体材料のバンドギャップなどの特性は著しく変化するため、積極的に異種物質を固溶させて特性を制御している。CuInS2ナノ粒子も、CuGaS2やAgInS2、ZnSなどを固溶させるとバンドギャップや蛍光波長等の特性が変化する(特許文献3を参照。)。
この現象を利用することで蛍光波長を制御できるが、所望の蛍光波長をもつ固溶体粒子を製造するには、原料調製の段階で、固溶させる化合物の原料を混合して処理を行わなければならならず、製品の余剰生産を避けられない。
本発明は上述のような技術背景のもとになされたものであり、下記の目的を達成する。
本発明の目的は、カルコパイライト型半導体ナノ粒子で、粒子外径が0.5〜20nmの蛍光体、及びその製造方法を提供する。
本発明の他の目的は、カルコパイライト構造を有する化合物からなるナノ粒子の特定の元素を他の元素で置換することで製造した蛍光体、及びその製造方法を提供する。この方法は、予め製造している基本となるナノ粒子を後処理することで、所望の特性をもつナノ粒子を製造するものであり、余剰生産を抑える手段となりうる。
本発明の更に他の目的は、高い量子収率を持つ蛍光体、及びその製造方法を提供する。
本発明は、前記目的を達成するため、次の手段を採る。
本発明は、蛍光体及びその製造方法に関する。
本発明の蛍光体は、ナノ蛍光粒子を分散させた溶液と、金属塩を溶解した溶液とを混合し、120〜240℃の温度で、1分〜60分間の加熱時間の間に加熱して、製造された固溶型複合粒子である。ここで言うナノ蛍光粒子は、外径が0.5〜20.0nmの微粒子である。生成された蛍光粒子の粒子径は、ナノ蛍光粒子の粒子径とほぼ同じである。ナノ蛍光粒子は、既存の製造方法で、予め製造される。
このナノ蛍光粒子は、カルコパイライト構造を有するI族元素、III族元素、VI族元素のそれぞれ1種からなる化合物からなることが好ましい。このナノ蛍光粒子は、CuInS2のナノ蛍光粒子であることが最も好ましい。本発明の蛍光体は、ナノ蛍光粒子を構成するI族元素及び/又はIII族元素を、金属塩の金属元素で置換する。蛍光量子収率は、励起光に対して、励起光を蛍光体に照射したときそれによって励起されて発する光波の割合を示すものである。
蛍光体の蛍光量子収率が、室温で10.0%以上40.0%以下であることが好ましい。蛍光量子収率は、加熱時間とともに増加する。また、金属塩は、ヨウ化亜鉛(ZnI2)、ヨウ化カドミウム(CdI2)、及びヨウ化マンガン(MnI2)の中から選択される1種の金属塩であることが好ましい。蛍光粒子が発する蛍光の波長が550nmから800nmであることが好ましい。蛍光波長の最大値は、620〜690nmの範囲で制御可能であり、蛍光波長は、加熱時間とともに短くなる。
本発明の蛍光体は、ナノ蛍光粒子の金属が、金属塩の金属で置換される。よって、本発明の蛍光体は、その表面又は粒子全体が、金属塩の金属を固溶した微粒子になることが好ましい。また、ナノ蛍光粒子を分散させる溶媒及び金属塩を溶解する溶媒は、配位性溶媒又はそれを含む溶液であることが望ましい。
この溶媒としては、オレイルアミンやオクチルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、トリブチルアミン、オクタデシルジメチルアミン等のアミン化合物、トリオクチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリオクチルホスフィンオキシド、トリオクチルホスファイト等のリン系化合物、オレイン酸、ラウリン酸、ステアリン酸等のカルボン酸系化合物、ドデカンチオール、オクタンチオール等のチオール系化合物が好ましい。
〔CuInS2とZnSの固溶体〕
本発明の蛍光体を製造した実施例1を示す。反応溶液の調整は、全てアルゴンガスを用いたアルゴン雰囲気下で行った。本実施例及び以下の他の実施例用にCuInS2ナノ粒子を用意した。このCuInS2ナノ粒子の基本的な特性は、下記の表1の加熱時間0分の行に示している通り、粒子径が3.5nm、蛍光ピーク波長が690nm、量子収率8.2%である。トリオクチルホスフィンにこのCuInS2ナノ粒子を分散させた溶液をA液(濃度0.02mmol/L)とし、ヨウ化亜鉛を溶解させたオレイルアミン溶液をB液(濃度:0.033 mol/L)とした。
14mLのA液と0.7 mLのB液を混合し、温度120〜240℃で1分〜60分間加熱することで、CuInS2とZnSからなる固溶型複合粒子を合成した。得られた生成物はトルエンで希釈し吸収・蛍光スペクトルを測定した。図1のグラフには、アルゴン雰囲気下、温度180℃で0〜60分間加熱処理して生成した固溶型複合粒子の蛍光スペクトルの測定結果である。
このグラフは、生成された蛍光体が発する光波の強度対スペクトルを図示している。図1のグラフの縦軸は蛍光強度を示し、横軸は波長を示している。蛍光強度は、任意相対値である(以下、同様である)。波長の単位はナノメーターである(以下、同様である)。このグラフから、加熱処理により、蛍光強度が増加するとともに、蛍光波長は短くなったことが分かる。
表1は、温度180℃で、0〜60分間加熱して生成した結果を示している。蛍光波長の最大値は、約620〜690nmの範囲で制御が可能であった。なお、生成物はCuInS2とZnSの固溶型化合物である。表1の第1欄は本実施例の加熱時間を示している。第2欄は生成され粒子の組成比である。組成分析は、粒子一つ一つについて透過電子顕微鏡を用いてエネルギー分散型 X 線分光分析により行った。
第3欄は生成された固溶型複合粒子の粒子径を示している。第4欄は生成された固溶型複合粒子の蛍光波長を、第5欄は生成された固溶型複合粒子の蛍光量子収率を示している。蛍光量子収率とは、粒子に吸収された光子の数により、蛍光中の光子の数を除したものである。この値は、量子収率が既知であるローダミンB等を標準物質として、その吸光度、及び蛍光強度の相対的な比較を元にして求めたものである。
なお、吸光度は次のように定義される物理量である。吸光度Aは、入射光の強度をI、透過光の強度をIとすると、
A=−log(I/I) ...(式1)
で定義される。
量子収率の測定に用いたローダミンBは、365nm励起の場合、73%の量子収率を有するものである。蛍光特性は、日本分光株式会社(所在地:東京都八王子市)製の分光蛍光光度計FP6600を用いて測定した(以下の他の実施例においても同様である。)。表1から、加熱により、粒子径はほとんど変わらない一方で、元素組成においてZnが増加しCuが減少していることが分かる。
Figure 0005187657
本実施例1の生成物のX線回折(XRD)測定をし、その結果を図2に示している。図2は加熱温度180℃、加熱時間0〜60分間の生成物の結果である。図2の横軸(X軸)直上の黒線は、バルクのCuInS2と、白線はZnSの回折線(JCPDSデータベースより)を示す。この図において、加熱により、回折線が高角度側へシフトしていることが分かる。これは、カルコパイライト型CuInS2にZnが固溶していることを示している。つまり、回折線がZnSの回折線に近くなることで、Znが固溶していることがわかる。
〔CuInS2とCdSの固溶体〕
反応溶液の調整は、全てアルゴンガスを用いたアルゴン雰囲気下で行った。トリオクチルホスフィンにCuInS2ナノ粒子を分散させた溶液をA液(濃度0.02mmol/L)とし、ヨウ化カドミウムを溶解させたオレイルアミン溶液をB液(濃度0.033 mol/L)とした。14mLのA液と0.7mLのB液を混合し、温度120〜240℃で1分〜60分間加熱することで、CuInS2とCdSからなる固溶型複合粒子を合成した。得られた生成物はトルエンで希釈し吸収・蛍光スペクトルを測定した。
図3のグラフには、アルゴン雰囲気下、温度180℃で0〜60分間加熱処理して生成した固溶型複合粒子の蛍光スペクトルの測定結果である。このグラフは、生成された蛍光体が発する光波の強度対スペクトルを図示している。図3のグラフの縦軸は蛍光強度を示し、横軸は波長を示している。
表2は、温度180℃で、0〜60分間加熱して生成した結果を示している。蛍光強度は加熱とともに増大し最大で36%以上に達した。なお、生成物はCuInS2とCdSの固溶型化合物である。表2の第1欄は本実施例の加熱時間を示している。第2欄は生成された固溶型複合粒子の組成比である。組成分析は、粒子ひとつひとつについて透過電子顕微鏡を用いてエネルギー分散型X線分光分析により行った。
第3欄は生成された固溶型複合粒子の粒子径を示している。第4欄は生成された固溶型複合粒子の蛍光波長を、第5欄は生成された固溶型複合粒子の蛍光量子収率を示している。表から、加熱により、粒子径はほとんど変わらない一方で、元素組成においてCdが増加しCuとInが減少していることが分かる。
Figure 0005187657
本実施例2の生成物のX線回折(XRD)測定をし、その結果を図4に示している。図4は加熱温度180℃、加熱時間0〜60分間秒の生成物の結果である。図4の横軸(X軸)直上の黒線はバルクのCuInS2の回折線(JCPDSデータベースより)と、白線はCdSの回折線(JCPDSデータベースより)を示す。この図において、加熱により、回折線が低角度側へシフトしていることが分かる。これは、カルコパイライト型CuInS2にCdが固溶していることを示している。
〔CuInS2とMnSの固溶体〕
反応溶液の調整は、全てアルゴンガスを用いたアルゴン雰囲気下で行った。トリオクチルホスフィンにCuInS2ナノ粒子を分散させた溶液をA液(濃度0.02mmol/L)とし、ヨウ化マンガンを溶解させたオレイルアミン溶液をB液(濃度0.033 mol/L)とした。14mLのA液と0.7mLのB液を混合し、温度120〜240℃で1分〜60分間加熱することで、CuInS2とMnSからなる粒子を合成した。得られた生成物はトルエンで希釈し吸収・蛍光スペクトルを測定した。
図5のグラフには、アルゴン雰囲気下、温度180℃で0〜60分間加熱処理して生成した固溶型複合粒子の蛍光スペクトルの測定結果である。このグラフは、生成された蛍光体が発する光波の強度対スペクトルを図示している。図5のグラフの縦軸は蛍光強度を示し、横軸は波長を示している。
表3は、温度180℃で、0〜60分間加熱して生成した結果を示している。このグラフから、加熱処理により、蛍光波長は短くなったことが分かる。なお、生成物はCuInS2とMnSの固溶型化合物である。表3の第1欄は本実施例の加熱時間を示している。第2欄は生成された粒子の組成比である。組成分析は、粒子一つ一つについて透過電子顕微鏡を用いてエネルギー分散型 X 線分光分析により行った。
第3欄は生成された固溶型複合粒子の粒子径を示している。第4欄は生成された固溶型複合粒子の蛍光波長を、第5欄は生成された固溶型複合粒子の蛍光量子収率を示している。表3から、加熱により、粒子径はほとんど変わらない一方で、元素組成においてMnが増加しCuが減少していることが分かる。
Figure 0005187657
図1は、実施例1の蛍光体の蛍光強度グラフを図示している。 図2は、実施例1の蛍光体のX線回折図を図示しているグラフである。 図3は、実施例2の蛍光体の蛍光強度グラフを図示している。 図4は、実施例2の蛍光体のX線回折図を図示しているグラフである。 図5は、実施例3の蛍光体の蛍光強度グラフを図示している。

Claims (6)

  1. (a)カルコパイライト構造を有するCuInS2の第1化合物からなり、外径が0.5〜20.0nmのナノ蛍光粒子を分散させた溶液と、(b)ヨウ化亜鉛(ZnI2)、ヨウ化カドミウム(CdI2)、及びヨウ化マンガン(MnI2)の中から選択される1種の金属塩を溶解した溶液とを混合し、120〜240℃の温度で1分〜60分間の加熱時間の間に加熱して前記ナノ蛍光粒子を構成する前記Cu及び/又は前記Inを、前記金属塩の金属元素と反応させて置換して製造された固溶型複合粒子の蛍光粒子であ
    前記蛍光粒子の粒子径は、前記第1化合物の粒子径とほぼ同じである
    ことを特徴とする蛍光体。
  2. 請求項1に記載の蛍光体において、
    前記蛍光粒子の励起光によって励起される光波を発する蛍光量子収率が、室温で10.0%以上40.0%以下であり、
    前記蛍光量子収率は、加熱により増加する
    ことを特徴とする蛍光体。
  3. 請求項1に記載の蛍光体において、
    前記蛍光粒子が発する蛍光波長が550nmから800nmであり、
    前記蛍光波長の最大値は、620〜690nmの範囲で制御可能であり、
    前記蛍光波長は、加熱時間とともに短くなる
    ことを特徴とする蛍光体。
  4. (a)カルコパイライト構造を有するCuInS2の第1化合物からなり、外径が0.5〜20.0nmのナノ蛍光粒子を分散させた溶液と、(b)ヨウ化亜鉛(ZnI2)、ヨウ化カドミウム(CdI2)、及びヨウ化マンガン(MnI2)の中から選択される1種の金属塩を溶解した溶液とを混合し、120〜240℃の温度で1分〜60分間の加熱時間の間に加熱して前記ナノ蛍光粒子を構成する前記及び/Cu又は前記Inを、前記金属塩の金属元素と反応させて置換して、粒子径が前記第1化合物の粒子径とほぼ同じ固溶型複合粒子の蛍光粒子を製造する
    ことを特徴とする蛍光体の製造方法。
  5. 請求項4に記載の蛍光体の製造方法において、
    励起光によって励起される光波を発する前記蛍光粒子の蛍光量子収率が、前記ナノ蛍光粒子の蛍光量子収率より、前記加熱により増加し、
    前記蛍光粒子の蛍光量子収率は、室温で10.0%以上40.0%以下である
    ことを特徴とする蛍光体の製造方法。
  6. 請求項4に記載の蛍光体において、
    加熱時間とともに蛍光波長が短くなる特性を利用し、前記加熱時間を最適化することで、620nmから700nmの間の最大値の波長を持つ強度の蛍光波長を発する前記蛍光粒子を製造する
    ことを特徴とする蛍光体の製造方法。
JP2007225273A 2007-08-31 2007-08-31 蛍光体、及びその製造方法 Expired - Fee Related JP5187657B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007225273A JP5187657B2 (ja) 2007-08-31 2007-08-31 蛍光体、及びその製造方法
PCT/JP2008/065374 WO2009028592A1 (ja) 2007-08-31 2008-08-28 蛍光体、及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007225273A JP5187657B2 (ja) 2007-08-31 2007-08-31 蛍光体、及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009057446A JP2009057446A (ja) 2009-03-19
JP5187657B2 true JP5187657B2 (ja) 2013-04-24

Family

ID=40387306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007225273A Expired - Fee Related JP5187657B2 (ja) 2007-08-31 2007-08-31 蛍光体、及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5187657B2 (ja)
WO (1) WO2009028592A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2937885B1 (fr) * 2008-11-04 2011-05-06 Commissariat Energie Atomique Nanoparticules fluorescentes, leur procede de preparation et leur application en marquage biologique
JP6293710B2 (ja) 2015-07-22 2018-03-14 国立大学法人名古屋大学 半導体ナノ粒子およびその製造方法
CN113702638B (zh) * 2021-08-24 2024-02-27 山东大学 一种基于CuInS2@ZnS纳米晶定量检测CEA抗原的化学发光免疫试剂盒

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007169605A (ja) * 2005-11-24 2007-07-05 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 蛍光体、及びその製造方法
JP4969088B2 (ja) * 2005-11-28 2012-07-04 京セラ株式会社 蛍光体及び波長変換器並びに発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009057446A (ja) 2009-03-19
WO2009028592A1 (ja) 2009-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5136877B2 (ja) 蛍光体、及びその製造方法
Ratnesh et al. Synthesis and optical properties of core-multi-shell CdSe/CdS/ZnS quantum dots: Surface modifications
CN108291143B (zh) 发光体、发光体的制造方法和生物体物质标记剂
JP2007169605A (ja) 蛍光体、及びその製造方法
Wang et al. A high efficient photoluminescence Zn–Cu–In–S/ZnS quantum dots with long lifetime
Singh et al. Magic-sized CdSe nanoclusters: a review on synthesis, properties and white light potential
Mrad et al. Aqueous synthesis for highly emissive 3-mercaptopropionic acid-capped AIZS quantum dots
Lee et al. Large-scale synthesis of highly emissive and photostable CuInS 2/ZnS nanocrystals through hybrid flow reactor
JP2023101543A (ja) 量子ドット、量子ドットを用いた波長変換部材、照明部材、バックライト装置、並びに、表示装置
KR20110083718A (ko) 형광성 나노입자, 그 제조방법 및 생물학 마킹에서의 이용방법
CN107987827B (zh) 一种具有聚集诱导发光而且发光可调的铜/银合金纳米簇的制备方法
JPWO2007026746A1 (ja) 半導体ナノ粒子及びその製造方法
WO2017082116A1 (ja) コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム
JP5187657B2 (ja) 蛍光体、及びその製造方法
Gugula et al. Solid solution quantum dots with tunable Dual or ultrabroadband emission for LEDs
Lu et al. Green emission and Ag+ sensing of hydroxy double salt supported gold nanoclusters
WO2021029389A1 (ja) 量子ドット、及び、その製造方法
WO2016185932A1 (ja) コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム
JP7007671B2 (ja) 半導体ナノ粒子、その製造方法及び発光デバイス
Hu et al. Bright InP Quantum Dots by Mid-Synthetic Modification with Zinc Halides
CN111662703B (zh) 一种CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS多层核壳结构绿色荧光量子点及其制备方法
KR20230125272A (ko) 양자점의 제조 방법, 및, 양자점
Khanna et al. White Emitting Magic Sized CdSe Nanoclusters Using Edible Oils: A Green Approach
JP7005470B2 (ja) 半導体ナノ粒子、その製造方法及び発光デバイス
TWI838568B (zh) 量子點及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120403

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120604

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120817

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121016

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160201

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5187657

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees