JP5179814B2 - 先硬化型半導体組立用接着フィルム組成物 - Google Patents
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Description
使用されてきた。しかし、最近の半導体素子の小型化、大容量化の傾向につれて、これに用いられる支持部材もまた、小型化と精密化が要求されている。従来よく使用されてきた銀ペーストには、突出または半導体素子の傾斜に起因するワイヤーボンディング(wire bonding)時の異常発生、気泡発生及び厚さの制御の困難さなどの短所があった。したがって、最近は、銀ペーストの代わりに接着フィルムが主に使用される傾向にある。
バーフィルムを接着した構成を有する。一方、一般的な半導体組立用接着フィルムは、半導体ウエハー(wafer) に該接着フィルムを付着し、これを、前記のような構成を持つダイシングフィルムからカバーフィルムを除去したダイシングフィルムに重ねて貼り付けた後、ダイシング工程によって該半導体ウエハーを小片化する態様により使用される。
ーフィルムを除去した前記ダイシングフィルムと接着フィルムとを貼り合わせて一枚のフィルムを作った後、その上に半導体ウエハーを付着し、ダイシング工程によって該半導体ウエハーを小片化する傾向にある。
ダイ接着フィルム(die adhesive film) とを同時に離していかなければならないという問題を抱えており、半導体ウエハーの後面にダイ接着フィルムを接着させる過程で気泡が発生する場合がある。
率が減少する短所がある。
本発明の半導体組立用接着フィルム組成物は、接着フィルム製造の際、先硬化が可能な先硬化型添加剤を含むことを特徴とする。
本発明で用いられるエラストマー樹脂(Elastomer)は、フィルム形成に必要なゴム成分
であって、水酸基もしくはカルボキシル基を含有するか、または、エポキシ基を含有するゴム成分、より好ましくは、水酸基及びカルボキシル基、または、エポキシ基を含有するゴム成分である。また、前記エラストマー樹脂は、重量平均分子量が500乃至5,000,000の範囲内であることが好ましい。このようなエラストマー樹脂として、例えば、アクリロニトリル(Acrylonitrile)系、 ブタジエン(Butadiene)系、スチレン(Styrene)系、 アクリ
ル(Acryl)系、イソプレン(Isoprene)系、エチレン(Ethylene)系、 プロピレン(Propylene)系、ポリウレタン系及びシリコン(silicone)系 エラストマーから構成された群から選ばれる1種以上を用いることができるが、これに限定されることはない。なお、本発明で用いられるエラストマー樹脂は、次に述べるフィルム形成樹脂としての機能を有するフィルム形成ゴムであってもよい。
<フィルム形成樹脂>
本発明で用いられる前記フィルム形成樹脂は、接着フィルム形成に役立つ樹脂として、-10℃乃至200℃の範囲の高いガラス転移温度(Tg)を持ち、水酸基、エポキシ基、フェノール基またはアルキル基を含有するフェノール系及びフェノキシ系樹脂であり、重量平均分子量200乃至300,000の範囲内にあることが好ましい。
対して、10乃至60重量部が好ましい。
<エポキシ樹脂>
本発明で用いられるエポキシ樹脂は、硬化及び接着作用を現す限り特に制限されないが、フィルムの形状を考慮すると、固形もしくは固形に近い形態を有するエポキシであって、一つ以上の官能基を有しているエポキシ樹脂が好ましい。
シ樹脂、多官能エポキシ樹脂、アミン系エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、置換型エポキシ樹脂、ナフトル系エポキシ樹脂が挙げられる。現在市販されている製品におけるビスフェノール系エポキシ樹脂の例として、大日本インキ化学のエピクロン830-S、エピ
クロンEXA-830CRP、 エピクロンEXA 850-S、エピクロン EXA-850CRP、エピクロン EXA-835LV、ユカシェルエポキシ株式会社の エピコート 807、エピコート 815、エピコート 825、エピコート827、エピコート828、エピコート 834、エピコート1001、エピコート 1004、エピコート1007、エピコート1009、DOWケミカル社のDER-330、DER-301、DER-361、国都化学のYD-128、YDF-170などが挙げられる。フェノールノボラック(Phenol novolac)系エポキシ樹脂として、ユカシェルエポキシ株式会社のエピコート152、エピコート154、日本化薬株式会社のEPPN-201、DOWケミカルのDN-483などがあり、o−クレゾールノボラック(Phenol novolac)系エポキシ樹脂として、国都化学の YDCN-500-1P、YDCN-500-2P、YDCN-500-4P、YDCN-500-5P、YDCN-500-7P、YDCN-500-8P、YDCN-500-10P、YDCN-500-80P、YDCN-500-90P、日本化薬株式会社のEOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1025、EOCN-1027、国都化学株式会社のYDCN-701、YDCN-702、YDCN-703、YDCN-704、大日本インキ化学のエピクロンN-665-EXP などがあり、多官能エポキシ樹脂では、ユカシェル(Yukashell)エポキシ株式会社Epon1031S、シバスフェシャリティケミカル(Shiba Speciality Chemical)株式会社のアラルダイト 0163、NAGA摂氏温度株式会社のデタコールEX-611、デタコールEX-614、デタコールEX-614B、デタコールEX-622、デタコールEX-512、デタコールEX-521、デタコールEX-421、デタコールEX-411、デタコールEX-321などがあり、アミン系エポキシ樹脂では、ユカシェルエポキシ株式会社エピコート604、独島化学株式会社のYH-434、三菱ガス化学株式会社の TETRAD-X, TETRAD-C、住友化学株式会社のELM-120などがある。さらに、複素環含有エポキシ樹脂では、 シバスフェシャリティケミカル株式会社のPT-810、置換型エポキシ樹脂では、UCC社のERL-4234、 ERL-4299、ERL-4221、ERL-4206、ナフトル系エポキシ樹脂では、大日本インキ化学の エピクロンHP-4032、エピクロンHP-4032D、エピクロンHP-4700、エピクロン4701などがそれぞれ挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、1種単独または2種以上を混合して用いることができる。
て、10乃至60重量部が好ましい。
<フェノール系硬化剤>
本発明で用いられるフェノール系硬化剤としては、通常、エポキシ樹脂硬化剤として使われているものを特に制限なく用いることができるが、1分子中にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物であって、吸湿時の耐電解腐食性に優れたビスフェノールA、ビスフ
ェノールF、ビスフェノールS系硬化剤樹脂及びフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールA系ノボラック樹脂またはクレゾールノボラック、ザイロリック系などのフェノール系
樹脂が好ましい。このようなフェノール系硬化剤として現在に市販されている製品の例としては、Kolonケミカル株式会社のKPH-F3065、KPH-F3065が、単純フェノール系の硬化剤
としては、 明和プラスチック産業株式会社のH-1、H-4、HF-1M、HF-3M、HF-4M、HF-45な
どが挙げられる。また、パラキシレン系列の硬化剤としては、明和プラスチック産業株式会社のMEH-78004S、 MEH-7800SS、MEH-7800S、MEH-7800M、MEH-7800H、MEH-7800HH、MEH-78003Hが、 ビフェニル系列の硬化剤としては、明和プラスチック産業株式会社のMEH-7851SS、MEH-7851S、 MEH7851M、MEH-7851H、MEH-78513H、MEH-78514Hが、トリフェニルメチル系の硬化剤としては、明和プラスチック産業株式会社のMEH-7500、MEH-75003S、MEH-7500SS、MEH-7500S、MEH-7500Hなどが、それぞれ挙げられる。これらの硬化剤は、1種単独または2種類以上を混合して用いることができる。
に対して、5乃至30重量部が好ましい。
<硬化触媒>
本発明における硬化触媒は、半導体チップを基板に取り付けた後の半導体工程の間に、エポキシ樹脂が完全に硬化できるように、硬化時間を短縮させる触媒であり、特に制限はないが、メラミン系やイミダゾール系またはフェノール硬化剤樹脂の反応に用いられる触媒などが用いられる。現在に市販されている製品としては、イミダゾール系として味の素精密技術株式会社のPN-23、PN−40、四国化学株式会社の2P4MZ、2MA-OK、2MAOK-PW、 2P4MHZなどが挙げられる。これらの硬化触媒は、1種単独または2種類以上を混合して用いることができる。
<先硬化型添加剤>
本発明の組成物の特徴は、先硬化型添加剤を添加することにある。本発明の組成物に添加する先硬化型添加剤としては、特に限定されないが、接着フィルムの硬度及び伸び率を高める先硬化を可能とする1官能以上のイソシアネート系樹脂、または、エポキシ樹脂及
びフェノール樹脂の硬化と比べて相対的に硬化の速いアミン系樹脂が好ましい。
シクロヘキシルメタンジイソシアネート(Cyclohexylmethane diisocyanate)、1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート(1,6-Hexamethylene diisocyanate)などが挙げられる。
上記ポリオールにジイソシアネートもしくはトリイソシアネートを化学的に反応させて得られる変性イソシアネート系硬化剤として現在に市販されている製品の例としては、日本ポリウレタン産業株式会社のCoronate-HX、 Coronate-HK、Coronate-HX-TPX、Coronate-HXR、Coronate-HX-LV、Coronate LVA-325、Coronate LVA-410、トルエンジイソシアネートをトリメチレンプロピオネートと化学的に変性させたCoronate-L、トルエンジイソシアネート系であるCoronate-L/55E、 Coronate AP stable、トルエンジイソシアネートの三官能性変性体であるCoronate-2030、4,4−ジフェニルメタンイソシアネート変性体であるCoronate 2503、1,6−ヘキサメチレンジアミンジイソシアネート形態であるCoronate 2515、Coronate 2507、Coronate 2513、Coronate 2517、Coronate 2527、Coronate 2529、メチルエチルケトンオキシムでブロッキングされているCoronate BI-301、カプロラクタム系でブロッキングされているCoronate BI-311などが挙げられる。これらのイソシアネート系先硬化型添加剤は、1種単独または2種類以上を混合して用いることができる。
エチレンテトラアミン(Triethylene Tetramine)、ジエチレンアミノプロピルアミン(Diethylamino propyl amine)、メンタンジアミン(Menthane diamine)、N-アミノエチルピペラジン(N-aminoethyl piperazine)、m-キシレンジアミン(m-xylene diamine)、イソホロンジアミン (Isophorone diamine)などを例示することができる。これらは、1種単独または2種類以上を混合して用いることができる。
官能以上のイソシアネート系樹脂、またはエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の硬化より相対的に硬化の速いアミン系樹脂と反応するので、優れた物性を持つ接着フィルムを製造できる。
<シランカップリング剤>
本発明でシランカップリング剤は、組成物を配合するときに、シリカのような無機物質の表面と異方性導電フィルムの樹脂との間の接着力を増進させるための接着増進剤として用いられる。本発明で用いられるシランカップリング剤としては、特に制限はないものの、通常的に使用されるシランカップリング剤を用いることができる。例えば、エポキシ基を含む2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)−エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、アミン基を含むN−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−トリエトキシ−N−(1,3−ジメチルブチリデン)プロピルアミン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、メルカプト基を含む3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、イソシアネート基を含む3−イソシアネートプロピルトリエトキシシランを例示できる。これらのシランカップリング剤は、1種単独または2種以上を混合して用いることができる。
部に対して、0.01乃至10重量部が好ましい。
<充填剤>
本発明で用いられる充填剤は、必要によって無機または有機充填剤を使用できる。無機充填剤としては、金属成分である金粉、銀粉、銅粉、ニッケルを用いても良く、非金属成分であるアルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、シリカ、窒化硼素、二酸化チタニウム、ガラス、酸化鉄、セラミックなどを用いても良く、有機充填剤としては、カーボン、ゴム系充填剤、ポリマー系などを用いても良い。前記充填剤の形状及び大きさは特別に制限されないが、通常的に無機充填剤中では、球形シリカと無定形シリカが主に用いられ、その大きさは5nm乃至10μmの範囲が好ましい。
<有機溶媒>
本発明において、有機溶媒は、半導体組立用接着フィルム組成物の粘度を低くし、フィルム製造を容易にするものである。本発明で用いられる有機溶媒としては、特に制限されないが、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル酢酸、ベンゼン、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアマイド、シクロヘキサノンなどが用いられる。
<イオン捕捉剤>
本発明の半導体組立用接着フィルム組成物は、イオン性不純物を吸着し、吸湿時の絶縁信頼性を具現化するためにイオン捕捉剤をさらに含んでも良い。このようなイオン捕捉剤としては、特別な制限はなく、例えばトリアジンチオール(Triazin thiol)化合物、ジル
コニウム系(Zirconium)、アンチモンビスムス系(Antimon bismuth)、マグネシウムアルミニウム系(magnesium aluminium)化合物などの 無機イオン吸着剤が用いられる。
以下、本発明を実施例に基づいて一層詳細に説明するが、これら実施例は、説明の目的のためのものに過ぎなく、本発明の保護範囲を制限するものと解してはならない。
[実施例]
高速攪拌棒を含む1L円筒型フラスコに下記の成分を加え、20分間4000rpmで高速分散し
、組成物を製造した。その後、3本ロールミルを用いて完璧に前記組成物を粉砕した。粉砕作業は、2回以上とし、50μmカプセルフィルタを利用して濾過した後、アプリケータ
ーを用いて20μm厚さでコーティングして接着フィルムを製造し、90℃で20分間乾燥してから40℃で三日間保管した。
実施例1 (半導体組立用接着フィルムの調製(1))
(a) 固形分20重量%であるトルエン溶液に溶解したカルボキシル基及び水酸基含有エ
ラストマー樹脂(KLS−1038、製造元:藤倉商社)400g、
(b) 固形分35重量%であるシクロヘキサノン溶液に溶解したビスフェノールAとビスフェノールFからなるフィルム形成樹脂(E4275、製造元:JER、分子量60,000)60g、
(c) 固形分70重量%であるトルエン溶液に溶解されたクレゾールノボラック系からな
るエポキシ樹脂(YDCN−500−90P、製造元:国都化学、分子量10,000以下) 60g、
(d) 固形分60重量%であるシクロヘキサノンに溶解されたクレゾールノボラック系硬
化剤(HF-1M、製造元:明和プラスチック産業)33g、
(e) イミダゾール系硬化触媒(2P4MZ、製造元:四国化学) 0.6g、
(f) トルエンジイソシアネート変形形態の先硬化反応添加剤(Coronate LS、製造元:
日本ポリウレタン産業株式会社)7g、
(g) メルカプトシランカップリング剤(KBM−803、製造元:信越株式会社)0.5g、
エポキシシランカップリング剤(KBM−303、製造元:信越株式会社)0.5g、
(h) 無定形シリカ充填剤(OX-50、製造元:代口社)20g、
から調製される上記組成物を用いて接着フィルムを調製した。
実施例2 (半導体組立用接着フィルムの調製(2))
(a) 固形分20重量%であるトルエン溶液に溶解されたカルボキシル基及び水酸基含有エラストマー樹脂(KLS-1046DR、Tg 38℃、平均分子量690,000、製造元:藤倉商社) 400g、
(b) 固形分20重量%であるトルエンと酢酸エチルとの混合溶液に溶解されたカルボキシル基及び水酸基含有フィルム形成樹脂(WS-023、Tg -5℃、平均分子量500,000、製造元:
ナガセケムテックス)60g、
(c) 固形分70重量%であるトルエン溶液に溶解されたクレゾールノボラック系からなるエポキシ樹脂(YDCN-500-4P、製造元: 国都化学、分子量10,000以下) 60g、
(d) 固形分50重量%であるシクロヘキサノンに溶解されたクレゾールノボラック系硬化剤(MEH-7800SS、製造元:明和プラスチック産業) 40g、
(e) イミダゾール系硬化触媒(2P4MZ、製造元:四国化学) 0.1g、
(f) アルキルイソシアネート系であるトリメチロールプロパン系変性型の先硬化反応
添加剤(L-45、製造元: 日本ポリウレタン産業株式会社) 3g、
(g) エラストマーのカルボキシル基と先硬化反応が可能なエピクロロヒドリンとメチ
ルオキシルエンジアミンの反応生成物であるエポキシ添加剤(E-5XM、製造元: 綜研) 1g、
(h) メルカプトシランカップリング剤(KBM−803、製造元:信越株式会社)0.5g、
エポキシシランカップリング剤(KBM−303、製造元:信越株式会社)0.5g、
(i) 無定形シリカ充填剤(OX-50、製造元:代口社)20g、
から調製される上記組成物を用いて接着フィルムを調製した。
実施例3 (半導体組立用接着フィルムの調製(3))
(a) 固形分20重量%であるメチルエチルケトン溶液に溶解されたカルボキシル基及び
水酸基含有エラストマー樹脂(SG-708-6、Tg 6.1℃、平均分子量700,000、製造元:ナガセ
ケムテックス)400g、
(b) 固形分20重量%であるシクロヘキサノン溶液に溶解されたカルボキシル基及び水
酸基含有エラストマー樹脂(KLS−1036DR、Tg 15℃, 平均分子量600,000, 製造元:藤倉商
社) 60g、
(c) 固形分70重量%であるトルエン溶液に溶解されたクレゾールノボラック系からなるエポキシ樹脂(YDCN-500-1P, 製造元: 国都化学、分子量10,000以下) 60g、
(d) 固形分50重量%であるシクロヘキサノンに溶解されたクレゾールノボラック系硬化剤(MEH-75004S、製造元:明和プラスチック産業) 40g、
(e) イミダゾール系硬化触媒(2MAOK、製造元:四国化学) 0.1g、
(f) 芳香族と非芳香族シクログループ形態のイソシアネート系先硬化反応添加剤であ
るジシクロペンタジエニル ビスフェノール シアネート エスター(XU−717187 製造元:DOW)3g、
(g) エラストマーのカルボキシル基と先硬化反応が可能なエピクロロヒドリンとメチ
ルオキシルエンジアミンの反応生成物であるエポキシ添加剤(E-5XM、製造元: 綜研) 1g、
(h) メルカプトシランカップリング剤(KBM−803、製造元:信越株式会社)0.5g、
エポキシシランカップリング剤(KBM−303、製造元:信越株式会社)0.5g、
(i) 無定形シリカ充填剤(OX-50、製造元:代口社)20g、
から調製される上記組成物を用いて接着フィルムを調製した。
実施例4 (半導体組立用接着フィルムの調製(4))
(a) 固形分20重量%であるトルエンと酢酸エチル溶液に溶解されたエポキシ基含有エラストマー樹脂(SG-80H、製造元: ナガセケムテックス、Tg -30.9℃、分子量900,000) 300g、
(b) 固形分35重量%であるシクロヘキサノン溶液に溶解されたビスフェノールAとビスフェノールFからなるフィルム形成樹脂(E4275、製造元:JER、分子量60,000)100g、
(c) 固形分70重量%であるトルエン溶液に溶解されたクレゾールノボラック系からなるエポキシ樹脂(YDCN-500-4P, 製造元: 国都化学、分子量10,000以下) 80g、
(d) 固形分70重量%であるシクロヘキサノンに溶解されたザイロリック系硬化剤(MEH-7500−3S、製造元:明和プラスチック産業) 36g、
(e) イミダゾール系硬化触媒(2MAOK、製造元:四国化学) 0.6g、
(f) アミン系先硬化反応添加剤(D−230、製造元:Huntsman株式会社)2g、
(g) メルカプトシランカップリング剤(KBM−803、製造元:信越株式会社)0.5g、
エポキシシランカップリング剤(KBM−303、製造元:信越株式会社)0.5g、
(h) 無定形シリカ充填剤(R-972、製造元:代口社)20g、
から調製される上記組成物を用いて接着フィルムを調製した。
実施例5 (半導体組立用接着フィルムの調製(5))
(a) 固形分20重量%であるトルエン溶液に溶解された水酸基及びカルボキシル基含有アクリル系エラストマー樹脂(SG-708-6、Tg 6.1℃、分子量700,000、 製造元: ナガセケム
テックス)100g、
エポキシ含有アクリル系エラストマー(SG-P3TEA、製造元:ナガセケムテックス、Tg 15℃、分子量850,000)300g、
(b) 固形分35重量%であるシクロヘキサノン溶液に溶解されたビスフェノールAとビスフェノールFからなるフィルム形成樹脂(E4275、製造元:JER、分子量60,000)60g、
(c) 固形分70重量%であるトルエン溶液に溶解されたクレゾールノボラック系エポキシ樹脂(YDCN-500-1P, 製造元: 国都化学、分子量10,000以下) 80g、
ナフトル系エポキシ樹脂HP-4032D(製造元:大日本インキ化学株式会社)10g、
(d) 固形分70重量%であるシクロヘキサノンに溶解されたザイロリック系硬化剤(MEH-78004S、製造元:明和プラスチック産業) 65g、
(e) イミダゾール系硬化触媒(2P4MHZ、製造元:四国化学) 0.6g、
(f) アルキルアミン系先硬化反応添加剤(TETA、製造元:国都化学)3g、
(g) メルカプトシランカップリング剤(KBM−803、製造元:信越株式会社)0.5g、
エポキシシランカップリング剤(KBM−303、製造元:信越株式会社)0.5g、
(h) 無定形シリカ充填剤(R-972、製造元:代口社)20g、
から調製される上記組成物を用いて接着フィルムを調製した。
実施例6 (半導体組立用接着フィルムの調製(6))
(a) 固形分20重量%であるトルエン溶液に溶解されたエポキシ基含有アクリル系エラストマー樹脂(KLS-1045DR、Tg 30℃、エポキシ当量値2,840g/mol、分子量700,000、製造
元:藤倉商社) 100g、
エポキシ基含有アクリル系エラストマー(SG-P3TEA、製造元:ナガセケムテックス、Tg 15℃、エポキシ当量値4700g/mol、分子量850,000)300g、
(b) 固形分35重量%であるシクロヘキサノン溶液に溶解されたビスフェノールAとビスフェノールFからなるフィルム形成樹脂(E4275、製造元:JER、分子量60,000)60g、
(c) 固形分70重量%であるトルエン溶液に溶解されたクレゾールノボラック系エポキシ
樹脂(YDCN-500-1P, 製造元: 国都化学、分子量10,000以下) 80g、
ナフトル系エポキシ樹脂HP-4032D(製造元:大日本インキ化学株式会社)10g、
(d) 固形分70重量%であるシクロヘキサノンに溶解されたザイロリック系硬化剤(MEH-78004S、製造元:明和プラスチック産業) 65g、
(e) イミダゾール系硬化触媒(2P4MHZ、製造元:四国化学) 0.6g、
(f) アルキルアミン型先硬化反応添加剤(TETA、製造元:国都化学)3g、
(g) メルカプトシランカップリング剤(KBM−803、製造元:信越株式会社)0.5g、
エポキシシランカップリング剤(KBM−303、製造元:信越株式会社)0.5g、
(h) 無定形シリカ充填剤(R-972、製造元:代口社)20g、
から調製される上記組成物を用いて接着フィルムを調製した。
[比較例]
前記実施例1乃至6の構成成分中、先硬化添加剤を添加しないことを除いては、実施例1
乃至6と同一に構成成分を添加して接着フィルムを製造した。
比較例1 (接着フィルムの調製(1))
(a) 固形分20重量%であるトルエン溶液に溶解されたカルボキシル基及び水酸基含有エラストマー樹脂(KLS-1038、製造元:藤倉商社) 400g、
(b) 固形分35重量%であるシクロヘキサノン溶液に溶解されたビスフェノールAとビスフェノールFからなるフィルム形成樹脂(E4275、製造元:JER、分子量60,000)60g、
(c) 固形分70重量%であるトルエン溶液に溶解されたクレゾールノボラック系からなるエポキシ樹脂(YDCN-500-90P、製造元: 国都化学、分子量10,000以下) 60g、
(d) 固形分60重量%であるシクロヘキサノンに溶解されたクレゾールノボラック系硬化剤(HF-1M、製造元:明和プラスチック産業) 33g、
(e) イミダゾール系硬化触媒(2P4MHZ、製造元:四国化学) 0.6g、
(f) メルカプトシランカップリング剤(KBM−803、製造元:信越株式会社)0.5g、
エポキシシランカップリング剤(KBM−303、製造元:信越株式会社)0.5g、
(g) 無定形シリカ充填剤(OX-50、製造元:代口社)20g、
から調製される上記組成物を用いて接着フィルムを調製した。
比較例2 (接着フィルムの調製(2))
(a) 固形分20重量%であるトルエン溶液に溶解されたカルボキシル基及び水酸基含有エラストマー樹脂(KLS-1046DR、Tg 38℃、平均分子量690,000、製造元:藤倉商社) 400g、
(b) 固形分20重量%であるトルエンと酢酸エチル溶液に溶解されたカルボキシル基及び水酸基含有フィルム形成樹脂(WS-023、Tg -5℃、平均分子量500,000、製造元: ナガセケ
ムテックス)60g、
(c) 固形分70重量%であるトルエン溶液に溶解されたクレゾールノボラック系からなるエポキシ樹脂(YDCN-500-4P, 製造元: 国都化学、分子量10,000以下) 60g、
(d) 固形分50重量%であるシクロヘキサノンに溶解されたクレゾールノボラック系硬化剤(MEH-7800SS、製造元:明和プラスチック産業) 40g、
(e) イミダゾール系硬化触媒(2P4MZ、製造元:四国化学) 0.1g、
(f) エラストマーのカルボキシル基と先硬化反応が可能なエピクロロヒドリンとメチ
ルオキシルエンジアミンの反応生成物であるエポキシ添加剤(E-5XM、製造元: 綜研) 1g、
(g) メルカプトシランカップリング剤(KBM−803、製造元:信越株式会社)0.5g、
エポキシシランカップリング剤(KBM−303、製造元:信越株式会社)0.5g、
(h) 無定形シリカ充填剤(OX-50、製造元:代口社)20g、
から調製される上記組成物を用いて接着フィルムを調製した。
比較例3 (接着フィルムの調製(3))
(a) 固形分20重量%であるメチルエチルケトン溶液に溶解されたカルボキシル基及び
水酸基含有エラストマー樹脂(SG-708-6、Tg 6.1℃、平均分子量700,000、製造元:ナガセ
ケムテックス)400g、
(b) 固形分20重量%であるシクロヘキサノン溶液に溶解されたカルボキシル基及び水
酸基含有エラストマー樹脂(KLS−1036DR、Tg 15℃, 平均分子量600,000, 製造元:藤倉商
社) 60g、
(c) 固形分70重量%であるトルエン溶液に溶解されたクレゾールノボラック系からなるエポキシ樹脂(YDCN-500-1P, 製造元: 国都化学、分子量10,000以下) 60g、
(d) 固形分50重量%であるシクロヘキサノンに溶解されたクレゾールノボラック系硬化剤(MEH-75004S、製造元:明和プラスチック産業) 40g、
(e) イミダゾール系硬化触媒(2MAOK、製造元:四国化学) 0.1g、
(f) メルカプトシランカップリング剤(KBM−803、製造元:信越株式会社)0.5g、
エポキシシランカップリング剤(KBM−303、製造元:信越株式会社)0.5g、
(g) 無定形シリカ充填剤(OX-50、製造元:代口社)20g、
から調製される上記組成物を用いて接着フィルムを調製した。
比較例4 (接着フィルムの調製(4))
(a) 固形分20重量%であるトルエンと酢酸エチル溶液に溶解されたエポキシ基含有エラストマー樹脂(SG-80H、製造元: ナガセケムテックス、Tg -30.9℃、分子量900,000) 300g、
(b) 固形分35重量%であるシクロヘキサノン溶液に溶解されたビスフェノールAとビスフェノールFからなるフィルム形成樹脂(E4275、製造元:JER、分子量60,000)100g、
(c) 固形分70重量%であるトルエン溶液に溶解されたクレゾールノボラック系エポキシ樹脂(YDCN-500-4P, 製造元: 国都化学、分子量10,000以下) 80g、
ナフトル系エポキシ樹脂(HP−4032D)、製造元:大日本インキ化学株式会社)10g、
(d) 固形分70重量%であるシクロヘキサノンに溶解されたザイロリック系硬化剤(MEH-7500−3S、製造元:明和プラスチック産業) 36g、
(e) イミダゾール系硬化触媒(2MAOK、製造元:四国化学) 0.6g、
(f) メルカプトシランカップリング剤(KBM−803、製造元:信越株式会社)0.5g、
エポキシシランカップリング剤(KBM−303、製造元:信越株式会社)0.5g、
(g) 無定形シリカ充填剤(R-972、製造元:代口社)20g、
から調製される上記組成物を用いて接着フィルムを調製した。
比較例5 (接着フィルムの調製(5))
(a) 固形分20重量%であるトルエン溶液に溶解された水酸基及びカルボキシル基含有アクリル系エラストマー樹脂(SG-708-6、Tg 6.1℃、分子量700,000、 製造元: ナガセケム
テックス)100g、
エポキシ含有アクリル系エラストマー(SG-P3TEA、製造元:ナガセケムテックス、Tg 15
℃、分子量850,000)300g、
(b) 固形分35重量%であるシクロヘキサノン溶液に溶解されたビスフェノールAとビスフェノールFからなるフィルム形成樹脂(E4275、製造元:JER、分子量60,000)60g、
(c) 固形分70重量%であるトルエン溶液に溶解されたクレゾールノボラック系エポキシ樹脂(YDCN-500-1P, 製造元: 国都化学、分子量10,000以下) 80g、
ナフトル系エポキシ樹脂HP-4032D(製造元:大日本インキ化学株式会社)10g、
(d) 固形分70重量%であるシクロヘキサノンに溶解されたザイロリック系硬化剤(MEH-78004S、製造元:明和プラスチック産業) 65g、
(e) イミダゾール系硬化触媒(2P4MHZ、製造元:四国化学) 0.6g、
(f) メルカプトシランカップリング剤(KBM−803、製造元:信越株式会社)0.5g、
エポキシシランカップリング剤(KBM−303、製造元:信越株式会社)0.5g、
(g) 無定形シリカ充填剤(R-972、製造元:代口社)20g、
から調製される上記組成物を用いて接着フィルムを調製した。
比較例6 (接着フィルムの調製(6))
(a) 固形分20重量%であるトルエン溶液に溶解されたエポキシ基含有アクリル系エラストマー樹脂(KLS-1045DR、Tg 30℃、Mw 700,000、製造元:藤倉商社) 100g、
エポキシ基含有アクリル系エラストマー(SG-P3TEA、製造元:ナガセケムテックス、Tg 15℃、分子量850,000)300g、
(b) 固形分35重量%であるシクロヘキサノン溶液に溶解されたビスフェノールAとビス
フェノールFからなるフィルム形成樹脂(E4275、製造元:JER、分子量60,000)60g、
(c) 固形分70重量%であるトルエン溶液に溶解されたクレゾールノボラック系エポキシ樹脂(YDCN-500-1P, 製造元: 国都化学、分子量10,000以下) 80g、
ナフトル系エポキシ樹脂HP-4032D(製造元:大日本インキ化学株式会社)10g、
(d) 固形分70重量%であるシクロヘキサノンに溶解されたザイロリック系硬化剤(MEH-78004S、製造元:明和プラスチック産業) 65g、
(e) イミダゾール系硬化触媒(2P4MHZ、製造元:四国化学) 0.6g、
(f) メルカプトシランカップリング剤(KBM−803、製造元:信越株式会社)0.5g、
エポキシシランカップリング剤(KBM−303、製造元:信越株式会社)0.5g、
(g) 無定形シリカ充填剤(R-972、製造元:代口社)20g、
から調製される上記組成物を用いて接着フィルムを調製した。
実施例及び比較例で製造された接着フィルムの物性評価
前記実施例1乃至6及び比較例1乃至6で得られた半導体組立用接着フィルムの物性に関して次の評価を行った。評価項目を内容と共に示し、得られた結果を表1に示す。また、ピ
ックアップ成功率を定めるため、表1の結果でUV照射の前・後の接着層と感圧性粘着層(PSA層)との間の180度ピール強度の値と、接着層とウエハーとの間の180度ピール強度の値との差を計算し、下記表2に示した。
(1) 引張強度:それぞれのフィルムは、常温(25℃)で1時間放置した後、大きさが20mm×50mmであり、厚さが20μmであるドッグボーンズを用いて引張強度(Tensile Strength)を測定した。
(2) 180度ピール強度の測定(接着層とPSA層との間):接着層とPSA層との間の付着力を測定するため、それぞれのフィルムを常温(25℃)でダイシングフィルムと貼り合わせた後、1時間放置した。その後、この貼り合せたフィルムについての試験片として、大きさが15mm×70mmである長方形のフィルムを用い、180度ピール強度(180°peel strength)を測定した。ダイシングフィルムは、当社で製造したもので、100μmのポリオレフィンフィルムに10μmの紫外線硬化型粘着剤をコーティングした。ダイシングフィルムの粘着性(Tack value)は、それぞれ紫外線硬化前には130gfであり、紫外線硬化後には60gfである。また、試験片として、各実施例・比較例で得られたフィルムに代えて材質がステンレス(SUS 304)である試験片を用いた場合では、180度ピール強度の値が紫外線硬化前には0.0055N/mmであり、紫外線硬化後には0.0010N/mmである。なお、前記ダイシングフィルムは、実施例及び比較例において調製されたフィルムと貼り合せて得られる試験片としてのフィルムにおいて、PSA層として機能する。
(3) 180度ピール強度の測定(接着層とウエハーとの間):ウエハーと接着層間の付着力を測定するために、それぞれのフィルムを常温(25℃)でダイシングフィルムと貼り合わせた後、1時間放置し、その後、大きさが25mm×70mmであり、厚さが720μmであるウエハーを
用いて60℃、ロール圧力0.2MPa、速度20m/s2でウエハーラミネイションした後、180度ピ
ール強度(180°peel strength)を測定した。ダイシングフィルムは、当社で製造したもので、100μmのポリオレフィンフィルムに10μmの紫外線硬化型粘着剤をコーティングし
た。ダイシングフィルムの粘着性(Tack value)は、それぞれ紫外線硬化前には130gfであ
り、紫外線硬化後には60gfである。また、試験片として各実施例・比較例で得られたフィルムに代えて、材質がステンレス(SUS 304)である試験片を用いた場合では、180度ピール強度の値が紫外線硬化前には0.0055N/mmであり、紫外線硬化後には0.0010N/mmである。
(4) ダイシアー測定(Die Shear Strength): 二酸化膜にコーティングされている厚さ720μm のSiウエハーを図1(a)のように3mm×3mm の大きさに切った後、接着フィルムに60度の条件でラミネーション(Lamination)を行い、接着部分だけを残して切断した。温度が120度である熱板上に厚さが720μmであり、大きさが10mm×10mm であるウエハーをおいて、その上に前記の接着フィルムがラミネーションされたウエハー片を付けた後、20秒の間1kgfの力で圧着した後、175度で4時間の間完全硬化した。ダイシアーの測定は、図1(b)のように250度で100μm/secの速度にて行った。
向上し、180度ピール値が30%程度減少したことが分かる。これは、前記接着フィルムの
先硬化による引張強度の増加により、積層工程時に気泡発生を抑制できることを意味し、先硬化型添加剤を添加したとしても、ダイシアー値は変わらないので、工程性を向上させることができる。
の間の180度ピール強度の値と、紫外線照射後の接着層とPSA層との間の180度ピール強度
の値との差が大きくなればピックアップ成功率は高い。
エハーと接着層との間のピール値と紫外線照射後の接着層とPSA層との間のピール値の差(c-b)は、実施例1-6における差(平均0.00238)が比較例1-6における差(平均0.00162)と比較して70%近く大きいことが分かる。このことは、半導体工程中でピックアップ成功率が増加することを意味する。
12: 粘着フィルム
13: 10mm×10mm(厚さ720μm)のウエハー
14: 圧子
Claims (12)
- 水酸基もしくはカルボキシル基、または、エポキシ基を含有するものであり、アクリロニトリル系、ブタジエン系、スチレン系、アクリル系、イソプレン系、エチレン系、プロピレン系、ポリウレタン系及びシリコン系エラストマーから構成された群から選ばれる1種以上であるエラストマー樹脂100重量部;−10〜200℃の範囲のガラス転移温度(Tg)を有する水酸基、エポキシ基、フェノール基またはアルキル基を含有するフィルム形成樹脂10乃至60重量部;エポキシ系樹脂10乃至60重量部;フェノール系硬化剤5乃至30重量部;メラミン系、イミダゾール系及びフェノール系硬化触媒からなる群から選ばれる1種以上である硬化触媒0.01乃至5重量部;イソシアネート系硬化剤である先硬化型添加剤0.01乃至30重量部;シランカップリング剤0.01乃至10重量部;及び充填剤0.1乃至60重量部を含むことを特徴とするダイシング・ダイボンディング用接着フィルム用組成物。
- 前記エラストマー樹脂は、重量平均分子量が500乃至5,000,000の範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の接着フィルム用組成物。
- 前記フィルム形成樹脂は、ヒドロキノン、2−ブロモヒドロキノン、レゾルシノール、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールAD、ビスフェノールS、4,4’−ジヒドロキシビフェニル、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、フェノール基、クレゾール基、クレゾールノボラック基及びプロピレン基からなる群から選ばれる1種以上の骨格を含むものであって、重量平均分子量が200乃至300,000の範囲内であることを特徴とする請求項1または2に記載の接着フィルム用組成物。
- 前記エポキシ系樹脂は、ビスフェノール系エポキシ、フェノールノボラック系エポキシ、o−クレゾールノボラック系エポキシ、多官能エポキシ樹脂、アミン系エポキシ、複素環含有エポキシ、置換型エポキシ及びナフトル系エポキシからなる群から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の接着フィルム用組成物。
- 前記フェノール系硬化剤は、フェノールノボラック系樹脂、ザイロック系樹脂、ビスフェノールA系ノボラック樹脂及びクレゾール系ノボラック樹脂からなる群から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の接着フィルム用組成物。
- 前記先硬化型添加剤は、4,4’−ジフェニルメタンジイソイアネート、トリレンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、4,4’−ジフェニルエーテルジイソシアネート及び4,4’−[2,2−ビス(4−フェノキシフェニルプロファン)]ジイソイアネートからなる群から選ばれる1種以上である芳香族イソシアネート系硬化剤、ヘキサメチレンジイソシアネート、4,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、2,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、2,2,4−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、リシンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、シクロヘキシルメタンジイソシアネート及び1,6−ヘキサメチレンジイソシアネートからなる群から選ばれる1種以上である非芳香族イソシアネート系硬化剤並びにポリオールにジイソシアネートもしくはトリイソシアネートを化学的に反応させて得られる変性イソシアネート系硬化剤、トルエンジイソシアネートをトリメチレンプロピオネートと化学的に変性させた変性イソシアネート系硬化剤、トルエンジイソシアネートの三官能性変性体である変性イソシアネート系硬化剤、4,4−ジフェニルメタンイソシアネート変性体である変性イソシアネート系硬化剤、1,6−ヘキサメチレンジアミンジイソシアネート形態である変性イソシアネート系硬化剤、メチルエチルケトンオキシムでブロッキングされている変性イソシアネート硬化剤及びカプロラクタム系でブロッキングされている変性イソシアネート系硬化剤からなる群から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の接着フィルム用組成物。
- 前記シランカップリング剤は、エポキシ含有シラン、メルカプト含有シラン及びイソシアネート含有シランからなる群から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の接着フィルム用組成物。
- 前記シランカップリング剤は、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)−エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−トリエトキシ−N−(1,3−ジメチルブチリデン)プロピルアミン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン及び3−イソシアネートプロピルトリエトキシシランからなる群から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の接着フィルム用組成物。
- 前記充填剤は、金粉、銀粉、銅粉、ニッケル、非金属成分であるアルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、シリカ、窒化硼素、二酸化チタニウム、ガラス、酸化鉄及びセラミックからなる群から選ばれる1種以上であるである請求項1〜8のいずれか1項に記載の接着フィルム用組成物。
- 有機溶媒をさらに含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の接着フィルム用組成物。
- 前記有機溶媒は、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル酢酸、ベンゼン、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアマイド及びシクロヘキサノンからなる群から選ばれる1種以上であるである請求項10に記載の接着フィルム用組成物。
- 前記組成物は、イオン捕捉剤であって、トリアジンチオール化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系及びマグネシウムアルミニウム系化合物を含む無機イオン吸着剤を0.01乃至5重量部をさらに含むことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の接着フィルム用組成物。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2006-0087397 | 2006-09-11 | ||
KR20060087397 | 2006-09-11 | ||
KR1020070090009A KR100909169B1 (ko) | 2006-09-11 | 2007-09-05 | 선 경화형 반도체 조립용 접착 필름 조성물 |
KR10-2007-0090009 | 2007-09-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008069352A JP2008069352A (ja) | 2008-03-27 |
JP5179814B2 true JP5179814B2 (ja) | 2013-04-10 |
Family
ID=39170070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007235312A Expired - Fee Related JP5179814B2 (ja) | 2006-09-11 | 2007-09-11 | 先硬化型半導体組立用接着フィルム組成物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080063871A1 (ja) |
JP (1) | JP5179814B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100934558B1 (ko) * | 2007-10-08 | 2009-12-29 | 제일모직주식회사 | 실란커플링제와 선반응된 페놀형 경화수지를 포함하는반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이에 의한 접착 필름 |
JP4495768B2 (ja) * | 2008-08-18 | 2010-07-07 | 積水化学工業株式会社 | 絶縁シート及び積層構造体 |
WO2011046238A1 (ko) * | 2009-10-16 | 2011-04-21 | (주)Lg화학 | 다이어태치 필름 |
KR101045262B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2011-06-29 | 제일모직주식회사 | 스텔스 다이싱용 반도체용 접착 조성물 및 이를 이용한 접착 필름 |
JP5144634B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2013-02-13 | 日東電工株式会社 | 基板レス半導体パッケージ製造用耐熱性粘着シート、及びその粘着シートを用いる基板レス半導体パッケージ製造方法 |
JP6041463B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2016-12-07 | デクセリアルズ株式会社 | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた接合体の製造方法、並びに接合体 |
US8070043B1 (en) * | 2010-12-02 | 2011-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Curable flux composition and method of soldering |
JP2012255925A (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント及び永久レジスト |
KR101355852B1 (ko) * | 2011-08-11 | 2014-01-27 | 제일모직주식회사 | 반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 접착 필름 |
KR101930525B1 (ko) * | 2014-10-29 | 2018-12-18 | 테사 소시에타스 유로파에아 | 실란 물 스캐빈저를 갖는 oled-양립성 접착제 덩어리 |
KR101807807B1 (ko) | 2014-11-17 | 2018-01-18 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 |
JP6490459B2 (ja) * | 2015-03-13 | 2019-03-27 | 古河電気工業株式会社 | ウェハ固定テープ、半導体ウェハの処理方法および半導体チップ |
WO2017087663A1 (en) * | 2015-11-17 | 2017-05-26 | Zephyros, Inc. | Additive manufacturing materials system |
JP6716263B2 (ja) * | 2016-01-22 | 2020-07-01 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
CN106367016A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-02-01 | 无锡万能胶粘剂有限公司 | 一种粉胶浆 |
WO2019150433A1 (ja) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、及び半導体装置の製造方法 |
CN113831872A (zh) * | 2020-06-23 | 2021-12-24 | 3M创新有限公司 | 环氧胶粘剂组合物、环氧胶粘剂、和制备环氧胶粘剂的方法 |
CN113072911B (zh) * | 2021-02-25 | 2022-11-25 | 深圳广恒威科技有限公司 | 具有免固化且高热预算性能的紫外固化粘合剂及其应用 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2025436B (en) * | 1978-07-15 | 1983-02-16 | Sony Corp | Adhesive |
US4737565A (en) * | 1987-04-09 | 1988-04-12 | Ashland Oil, Inc. | Single component, latent curing epoxy resin composition |
JPH09194803A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-07-29 | Bando Chem Ind Ltd | 半導体用接着テープ |
JPH09263683A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | 導電性エポキシ樹脂組成物 |
JP2000100872A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Sony Corp | 電子部品装置およびそのリペアー方法 |
JP3521065B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2004-04-19 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 |
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JP4752131B2 (ja) * | 2001-05-16 | 2011-08-17 | 味の素株式会社 | エポキシ樹脂用潜在性硬化剤及び硬化性エポキシ樹脂組成物 |
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US6548189B1 (en) * | 2001-10-26 | 2003-04-15 | General Electric Company | Epoxy adhesive |
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JP2004035841A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法 |
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JP4839628B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2011-12-21 | 日立化成工業株式会社 | フィルム状接着剤、接着シート及びそれを使用した半導体装置 |
US7560821B2 (en) * | 2005-03-24 | 2009-07-14 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd | Area mount type semiconductor device, and die bonding resin composition and encapsulating resin composition used for the same |
TW200911773A (en) * | 2007-06-12 | 2009-03-16 | Solvay | Epichlorohydrin, manufacturing process and use |
-
2007
- 2007-09-10 US US11/898,143 patent/US20080063871A1/en not_active Abandoned
- 2007-09-11 JP JP2007235312A patent/JP5179814B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008069352A (ja) | 2008-03-27 |
US20080063871A1 (en) | 2008-03-13 |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080327 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130110 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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