JP5178420B2 - 開環型光重合性組成物を用いた構造体、および接合方法 - Google Patents
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Description
特に、これらのデバイスの作製工程において、2つ以上のシリコン基板に加工を施した後、それらの基板を張り合わせることによって複雑な構造を有するデバイスを作製したり、デバイスを保護したり、また、湿度にさらさないために別基板をカバーとしてもう一つの基板に貼りつけ、密封空間を作製したりするといった工程が近年盛んに研究開発されている。
拡散接合や、陽極接合は、シリコン基板を高温にさらす必要があり、プロセスを安定化させることが難しい。また、さらに、接合前の基板の洗浄に要求されるレベルが厳しいという現状がある。
また、金属同士を接合する接合は、金属膜成膜とパターン化の工程が必要となることから、シリコン基板同士の接合時には、高い圧力を基板にかける必要がある。
上記感光性エポキシ樹脂を用いた接合方法の具体例としては、シリコン基板に感光性エポキシ樹脂を塗布後、紫外線を照射せずにもう一つのシリコン基板を接合する場合があげられ、この方法によれば、接着不良率がかなり低くなる効果が得られる。
また、特許文献1に記載のシリコン基板に感光性エポキシ樹脂を塗布後、紫外線を照射してから、もう一つのシリコン基板を接合する方法の場合も挙げられ、その方法によれば、もう一つのシリコン基板を接合する時、すでに紫外線により重合が開始されているため、接合強度は高くなることから、エポキシ樹脂の変形が抑制できる。
また、特許文献1に記載の接合方法は、第2部材を接合する前に、エポキシ樹脂の接合面が硬化をはじめるため、硬化された部分と柔軟性がある部分による凹凸が接着面表面にできてしまうことから、密着性が悪く、接着不良率が高くなる。
従って、感光性エポキシ樹脂を使用したとしても、接合強度、接合時の変形、接着不良などの課題を抱えている現状がある。
また、特に、接着するシリコン基板の面積に対して、小さな面積の基板を接着させたりするような場合、接着不良が発生する割合が高くなる。
そこで、本発明は、感光性エポキシ樹脂等の開環型光重合性組成物を使った基板接合において、接合強度が高く、接合不良率が低く、開環型光重合性組成物の変形が抑制される構造体、接合方法、およびデバイスを提供することを目的とする。
ここで、前記第1部材の接合面および前記第2部材の接合面にそれぞれ前記開環型光重合性組成物を塗布、プリベークし、前記第1部材の接合面に塗布された前記開環型光重合性組成物に前記紫外線を露光した後、前記第1部材の接合面の前記紫外線が露光された前記開環型光重合性組成物と、前記第2部材の接合面の前記紫外線を露光されていない前記開環型光重合性組成物とを接合することが好ましい。
また、互いに接合された前記第1部材の接合面および前記第2部材の接合面の間に存在する、前記紫外線が露光された前記開環型光重合性組成物の全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比と前記紫外線が露光されていない前記開環型光重合性組成物の全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比との差が0.04以上あることが好ましい。
また、前記第1部材及び前記第2部材は、シリコン、ガラス、ステンレス、イットリウム安定化ジルコニウム、アルミナ、サファイア、SiC、SrTiO 3 及びSOIのいずれかからなることが好ましく、その中でも、シリコンまたはSOIからなることが特に好ましい。
また、上記課題を解決するために、前記接合方法を用いて作製されたマイクロポンプを搭載するマイクロ流路デバイスを提供する。
また、上記課題を解決するために、前記接合方法を用いて作製されたマイクロポンプを搭載する液滴吐出デバイスを提供する。
ここで、前記第1部材の接合面に前記開環型光重合性組成物を1回塗布、プリベークし、前記紫外線を露光した後、前記紫外線が露光された前記開環型光重合性組成物上に前記開環型光重合性組成物をさらに1回塗布、プリベークし、前記第2部材の接合面を接合することが好ましい。
また、互いに接合された前記第1部材の接合面および前記第2部材の接合面の間に存在する、前記紫外線が露光された前記開環型光重合性組成物の全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比と前記紫外線が露光されていない前記開環型光重合性組成物の全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比との差が0.04以上あることが好ましい。
また、前記第1部材及び前記第2部材は、シリコン、ガラス、ステンレス、イットリウム安定化ジルコニウム、アルミナ、サファイア、SiC、SrTiO 3 及びSOIのいずれかからなることが好ましく、その中でも、シリコンまたはSOIからなることが特に好ましい。
また、上記課題を解決するために、前記接合方法を用いて作製されたマイクロポンプを搭載するマイクロ流路デバイスを提供する。
また、上記課題を解決するために、前記接合方法を用いて作製されたマイクロポンプを搭載する液滴吐出デバイスを提供する。
なお、上記開環型光重合性組成物とは、少なくとも主剤である、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基等を含有する開環型光重合性樹脂と、硬化剤から構成される組成物を指す。
従って、本実施形態においては、少なくとも開環型光重合性樹脂である光カチオン重合型エポキシ樹脂と、硬化剤から構成される開環型光重合性組成物により説明するが、本発明はこれに限定されない。
第1部材12の材料としては、シリコン基板に限定されず、ガラス、ステンレス(SUS)、イットリウム安定化ジルコニウム(YSZ)、アルミナ、サファイア、SiC、及びSrTiO3等であってもよい。なお、シリコンハンドル層とシリコン活性層から成るSOI(Silicon-on-insulator)基板でもよい。
ここで、上記光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)は、少なくとも主剤である光カチオン重合型エポキシ樹脂(開環型光重合性樹脂)と硬化剤から構成される。
シランカップリング剤としては、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
上記紫外線照射により、図1(c)に示すように、エポキシ樹脂層14aの重合がはじまり、第1部材12とエポキシ樹脂層14aとの間には、高い接着強度が得られる。
なお、上記工程において、プリベーク後、再度、エポキシ樹脂層14a上に、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を塗布し、プリベークする工程を繰り返しても良い。
また、上記実施形態では、紫外線照射は、第1部材12の接合面に塗布されたエポキシ樹脂層14aに行っているが、これに限定されず、第1部材12の接合面に塗布された光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)、または、後述する第2部材16の接合面に塗布された光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)のいずれかを露光してもよい。
なお、第1部材12または第2部材16のいずれか一方の部材の接合面に塗布されたエポキシ樹脂層14aまたは14bに紫外線を照射することが好ましい。部材とエポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)との間に高い接着強度を得ることができるからである。
なお、プリベーク後、再度、エポキシ樹脂層14b上に、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を塗布し、プリベークする工程を繰り返しても良い。
第2部材16の材料としては、シリコン基板に限定されず、ガラス、ステンレス(SUS)、イットリウム安定化ジルコニウム(YSZ)、アルミナ、サファイア、SiC、及びSrTiO3等であってもよい。なお、シリコンハンドル層とシリコン活性層から成るSOI(Silicon-on-insulator)基板でもよい。
このように、第1部材12と第2部材16の接合時、互いに接合された一方の部材の接合面と他方の接合面との間には、紫外線で露光されていない光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を含む。
その結果、片面の部材に塗布された光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)の表面は、重合による硬化がまだ始まっていないため、柔軟性が高く、その結果、第1部材と第2部材との密着性を高めることができる。
以上により、本発明の開環型光重合性組成物を用いた接合方法による構造体10aを作製することができる。
全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比は、全反射型赤外吸収法(ATR-IR)により測定し、エポキシ基赤外吸収強度I912をベンゼン環C-C赤外吸収強度I1607で規格化した(I912/I1607)。I912/I1607値が低い程、全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比が高いことを示す。
上記全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比の差が0.04以上の構造体10aであれば、接合強度が高く、接着不良率が小さく、エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)の変形が抑制される。
ここで、構造体10aにおける第1部材12および第2部材16の形状は、各部材同士の接合面が平面形状であれば、特に限定されない。
また、構造体10aは、第1部材12および第2部材16を含む2つ以上の部材を接合して作製されてもよい。具体例としては、第1部材上に、第1部材の面積に対して、小さな面積の第2部材を2つ以上接着(接合)した構造体があげられる。
なお、紫外線が露光されるエポキシ樹脂層14aは、第1部材12または第2部材16の接合面に1回目に塗布されたいずれかのエポキシ樹脂層であることが好ましい。紫外線が露光される一方のエポキシ樹脂層では、各部材を接合する前に、重合がはじまり、第1部材12または第2部材16は、エポキシ樹脂層14aまたは14bとの間に、高い接着強度が得られ、エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)の変形が抑制されるからである。
また、エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)14aおよび14bの厚さは、特に限定されないが、具体例としては、0.5μm〜2mmである構造体10aが挙げられる。
また、図2(a)〜(f)を参照して、別の実施態様における本発明の光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を用いた接合方法による構造体の作製方法を説明する。図2(a)〜(f)は、それぞれ、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を用いた接合方法による構造体の作製方法を工程順に示す図であり、それぞれ構造体の作製方法の各工程における中間体の一部を模式的に示す断面図である。
なお、図2に示される工程で作製される構造体10bと図1に示される工程で作製される10aは、同じ構造を有する。従って、図2(a)〜(f)に記載の符号は、図1(a)〜(e)に記載の符号と同一の符号を付してあるため、図2に記載の符号の説明は省略する。
次に、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を先述した同様の調製方法により作製し、図2(b)に示すように、第1部材12上にスピンコートにより塗布し、エポキシ樹脂層14aを形成する。
次いで、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)の溶媒を揮発させるために、プリベークした後、エポキシ樹脂層14aの表面に波長400nm以下の紫外線を露光する。
なお、ここで、プリベーク後、再度、エポキシ樹脂層14a上に、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を塗布し、プリベークする工程を繰り返しても良い。
また、紫外線照射は、部材とエポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)との間に高い接着強度を得ることができるように、第1部材12の接合面に塗布されたエポキシ樹脂層14aに行うことが好ましいが、これに限定されず、第2部材の接合面に接合されるエポキシ樹脂層を除く、第1部材の接合面上に塗布されたエポキシ樹脂層のいずれかに紫外線を照射してもよい。
次いで、図2(d)に示すように、重合が開始されたエポキシ樹脂層14a上に、再度スピンコートにより、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を塗布後、プリベークして、エポキシ樹脂層14bを形成する。
なお、ここで、紫外線照射量と2回目塗布後のプリベーク時間の最適化を行うことにより、接着強度のバラツキを抑制することができ、安定した接着をすることができる。
ここで、第2部材16の接合時、第1部材12上に塗布された第2部材16と接合するエポキシ樹脂層14bにおける光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)の表面は硬化が始まっていないため、柔軟性が高く、その結果、第2部材との密着性を高めることができる。
上記接合方法であれば、1つの部材にのみエポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を塗布すればよいため、図1に示す接合方法よりも、製造プロセスが容易である。
また、上記全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比の差が0.04以上の構造体10bであれば、接合強度が高く、接着不良率が小さく、エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)の変形が抑制される。
また、第1部材12および第2部材16を含む2つ以上の部材を接合して作製されてもよい。具体例としては、第1部材12上に、第1部材12の面積に対して、小さな面積の第2部材16を2つ以上接合した構造であってもよい。
ここで、紫外線を露光されるエポキシ樹脂層14aは、第1部材12または第2部材16のどちらか一方の接合面に1回目に塗布された層であることが好ましい。紫外線が露光される一方のエポキシ樹脂層14aでは、各部材を接合する前に、重合がはじまり、第1部材12または第2部材16は、エポキシ樹脂層14aまたは14bとの間に、高い接着強度が得られ、エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)の変形が抑制されるからである。
また、エポキシ樹脂層14aおよび14bの厚さは、特に限定されないが、具体例としては、0.5μm〜2mmである構造体10bが挙げられる。
図3は、本発明のマイクロポンプを側面図であり、図4は、図3のIV−IVにおける側面断面図であり、図5(A)は、図5のV−Vにおける平面断面図であり、図5(B)は、図5(A)のB−Bにおける断面図である。
まず、シリコンハンドル層22とシリコン活性層24から成るSOI(Silicon-on-insulator)基板に、下部電極26と、PZT膜28と、上部電極30とをスパッタ法により順次積層した基板36を作製する。
また、シリコン基板32に、流路34をドライエッチングして作製した基板38を作製する。
また、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)としてSU−8 3005 (化薬マイクロケム社製)を用意した。
次に、i線365nmの紫外線を150mJ/cm2照射し、再度、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)をスピンコートした後、基板38を接合し、1時間、150℃でオーブンによりベークした。
上記方法により、マイクロ流路を形成する構造体に、本発明の構造体、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)による接合方法を用いたマイクロポンプ20であれば、接着信頼性の高い、すなわち、接着不良性が低く、接着強度の高いマイクロポンプ20を得ることができる。
このような本発明の構造体および接合方法を用いて作製されたマイクロポンプ20は、マイクロ流路デバイスまたは液滴吐出デバイスに搭載することができる。
シリコン基板に光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を厚さ3μmになるようにスピンコートし、溶媒を揮発させるためにプリベーク後、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を塗布した3mm角のシリコンテストチップを乗せて25gの錘をのせ、150℃、1時間オーブンでベークする。
〔比較例2〕
シリコン基板に光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を厚さ3μmになるようにスピンコートし、溶媒を揮発させるためにプリベーク後、i線365nmの紫外線を100mJ/cm2照射し、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を塗布していない3mm角のシリコンテストチップを乗せて25gの錘をのせ、150℃、1時間オーブンでベークする。
〔実施例1〕
シリコン基板に、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を厚さ3μmになるようにスピンコートし、溶媒を揮発させるためにプリベーク後、i線365nmの紫外線を100mJ/cm2照射し、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を塗布しプリベークした3mm角のシリコンテストチップを乗せて25gの錘をのせ、150℃、1時間オーブンでベークする。
上記サンプルを作製後、ダイシェア測定器(series 4000 dage社製)を用いて、シェア強度を測定した。結果を図6に示す。
紫外線を照射しなかった比較例1のサンプルは、接着不良はなかったが、全体的に強度が低かった。また、顕微ATR-IR装置(VARIAN製 FTS-7000(本体)/UMA600(顕微))を用いて、剥離した光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)のシリコン基板側とシリコンテストチップ側の全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比をATR-IR測定すると共にI912/I1607値=0.60で差は殆ど無かった。
紫外線を照射した比較例2のサンプルは、高いシェア強度を得られる箇所もあったが、全く接着がなされていない接着不良が発生した。また、剥離した光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)のシリコン基板側とシリコンテストチップ側の全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比をATR-IR測定するとテストチップ側はI912/I1607=0.22、シリコン基板側はI912/I1607=0.21でその差は0.01であった。
紫外線を照射し、かつシリコンテストチップにも光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を塗布した実施例1のサンプルは、シリコンテストチップを接合する前に、紫外線が照射され、重合が開始されているので、高い接着強度が得られている。また、剥離した光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)のシリコン基板側とシリコンテストチップ側の全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比をATR-IR測定するとテストチップ側は、I912/I1607=0.25、シリコン基板側はI912/I1607=0.21で、その差は0.04であった。
シリコンテストチップ接合時、シリコンテストチップの光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)は硬化が始まっていないため、接合面における柔軟性および密着性が高められた。
以上の結果から、実施例1のサンプルは、比較例1および2のサンプルと比較して、接着不良の発生を抑制できることが確認された。
〔実施例2〕
まず、シリコン基板上に光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を厚さ3μmになるようにスピンコートし、溶媒を揮発させるためにプリベークする。
次に、i線365nmの紫外線を100mJ/cm2照射し、プリベークされた光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)の上に再度、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を厚さ3μmになるようにスピンコートし、溶媒を揮発させるためにプリベークする。
その後、3mm角のシリコンテストチップを接合し、また、そのチップ上に、錘をのせ、150℃、1時間の条件でオーブンによりベークする。
ここで、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)は、商品名 SU−8 2002 化薬マイクロケム社製を使用した。
〔実施例3〕
光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)として、商品名 SU−8 3005 化薬マイクロケム社製を使用し、実施例2と同様の方法で、シリコン基板を接合した。
〔実施例4〕
光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)として、商品名 SU−8 3010 化薬マイクロケム社製を使用し、実施例2と同様の方法で、シリコン基板を接合した。
〔比較例3〕
まず、シリコン基板上に光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)を厚さ3μmになるようにスピンコートし、溶媒を揮発させるためにプリベークする。
その後、紫外線を照射せずに、3mm角のシリコンテストチップを接合し、また、そのチップ上に、錘をのせ、150℃、1時間の条件でオーブンによりベークする。
ここで、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)は、商品名 SU−8 2002 化薬マイクロケム社製を使用した。
上記サンプルを作製後、ダイシェア測定器(series 4000 dage社製)を用いて、シェア強度を測定した。結果を図7に示す。
図7より、実施例2〜4は、比較例3と比較すると、接着不良をゼロに抑え、また飛躍的に高い接合強度を得ることができた。
実施例2〜4のサンプルは、実施例1のサンプルと同様に、シリコンテストチップを接合する前に、紫外線が照射され、重合が開始されているので、高い接着強度が得られている。
また、顕微ATR-IR装置(VARIAN製 FTS-7000(本体)/UMA600(顕微))を用いて、各サンプルの剥離した光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)のシリコン基板側とシリコンテストチップ側の全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比をATR-IR測定するとテストチップ側とシリコン基板側のI912/I1607=0.21の差は比較例3で0.03、実施例2で0.04、実施例3で0.04、実施例4で0.05であった。
また、シリコンテストチップ接合時、その接合面の光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)は硬化が始まっていないため、柔軟性および密着性が高められている。
また、光カチオン重合型エポキシ樹脂組成物(開環型光重合性組成物)内部(1回目塗布層)は、紫外線を照射し重合を開始しているので、高い接着強度が得られている。
また、紫外線照射量と2回目塗布後のプリベーク時間の最適化を行うことにより、接着強度のバラツキを抑制することができ、安定した接着をすることができる。
12 第1部材
14 エポキシ樹脂層
14a エポキシ樹脂層(紫外線照射有)
14b エポキシ樹脂層(紫外線照射無)
16 第2部材
20 液体吐出デバイス
22、シリコンハンドル層
24 シリコン活性層
26 下部電極
28 PZT膜
30 上部電極
32 シリコン基板
34 流路
36、38 基板
Claims (14)
- 開環型光重合性組成物を用いて、第1部材および第2部材を含む2以上の部材を接合するに際し、
互いに接合される前記第1部材および前記第2部材のいずれか一方の部材の接合面に前記開環型光重合性組成物を1回以上塗布、プリベークし、前記第1部材および前記第2部材の他方の部材の接合面に前記開環型光重合性組成物を1回以上塗布、プリベークする塗布工程と、
前記一方の部材の接合面に塗布された前記開環型光重合性組成物に紫外線を露光する露光工程と、
前記他方の部材の接合面を前記一方の部材の接合面に接合する接合工程と、
互いに接合された前記一方の部材および前記他方の部材を加熱する工程と、を含み、
前記接合工程は、前記一方の部材の接合面の前記紫外線が露光された前記開環型光重合性組成物と、前記他方の部材の接合面の前記紫外線が露光されていない前記開環型光重合性組成物とを接合する工程であることを特徴とする接合方法。 - 前記第1部材の接合面および前記第2部材の接合面にそれぞれ前記開環型光重合性組成物を塗布、プリベークし、前記第1部材の接合面に塗布された前記開環型光重合性組成物に前記紫外線を露光した後、前記第1部材の接合面の前記紫外線が露光された前記開環型光重合性組成物と、前記第2部材の接合面の前記紫外線を露光されていない前記開環型光重合性組成物とを接合する請求項1に記載の接合方法。
- 互いに接合された前記第1部材の接合面および前記第2部材の接合面の間に存在する、前記紫外線が露光された前記開環型光重合性組成物の全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比と前記紫外線が露光されていない前記開環型光重合性組成物の全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比との差が0.04以上ある請求項1または2に記載の接合方法。
- 前記第1部材及び前記第2部材は、シリコン、ガラス、ステンレス、イットリウム安定化ジルコニウム、アルミナ、サファイア、SiC、SrTiO 3 及びSOIのいずれかからなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の接合方法。
- 前記第1部材及び前記第2部材は、シリコンまたはSOIからなることを特徴とする請求項4に記載の接合方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の接合方法を用いて作製されたマイクロポンプを搭載するマイクロ流路デバイス。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の接合方法を用いて作製されたマイクロポンプを搭載する液滴吐出デバイス。
- 開環型光重合性組成物を用いて、第1部材および第2部材を含む2以上の部材を接合するに際し、
互いに接合される前記第1部材および前記第2部材のいずれか一方の部材の接合面に前記開環型光重合性組成物を1回以上塗布、プリベークする第1塗布工程と、
前記一方の部材の接合面に塗布された前記開環型光重合性組成物に紫外線を露光する露光工程と、
前記紫外線が露光された前記開環型光重合性組成物上に前記開環型光重合性組成物をさらに1回以上塗布、プリベークする第2塗布工程と、
前記第1部材および前記第2部材の他方の部材の接合面を前記一方の部材の接合面に接合する接合工程と、
互いに接合された前記一方の部材および前記他方の部材を加熱する工程と、を含み、
前記接合工程は、前記一方の部材の接合面の前記紫外線が露光された前記開環型光重合性組成物上に塗布され、プリベークされ、前記紫外線が露光されていない前記開環型光重合性組成物に、前記他方の部材の接合面を接合する工程であることを特徴とする接合方法。 - 前記第1部材の接合面に前記開環型光重合性組成物を1回塗布、プリベークし、前記紫外線を露光した後、前記紫外線が露光された前記開環型光重合性組成物上に前記開環型光重合性組成物をさらに1回塗布、プリベークし、前記第2部材の接合面を接合する請求項8に記載の接合方法。
- 互いに接合された前記第1部材の接合面および前記第2部材の接合面の間に存在する、前記紫外線が露光された前記開環型光重合性組成物の全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比と前記紫外線が露光されていない前記開環型光重合性組成物の全反射型赤外吸収法(ATR−IR)のエポキシ基赤外吸収強度比との差が0.04以上ある請求項8または9に記載の接合方法。
- 前記第1部材及び前記第2部材は、シリコン、ガラス、ステンレス、イットリウム安定化ジルコニウム、アルミナ、サファイア、SiC、SrTiO 3 及びSOIのいずれかからなることを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載の接合方法。
- 前記第1部材及び前記第2部材は、シリコンまたはSOIからなることを特徴とする請求項11に記載の接合方法。
- 請求項8〜12のいずれかに記載の接合方法を用いて作製されたマイクロポンプを搭載するマイクロ流路デバイス。
- 請求項8〜12のいずれかに記載の接合方法を用いて作製されたマイクロポンプを搭載する液滴吐出デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008235113A JP5178420B2 (ja) | 2008-09-12 | 2008-09-12 | 開環型光重合性組成物を用いた構造体、および接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2010064441A JP2010064441A (ja) | 2010-03-25 |
JP5178420B2 true JP5178420B2 (ja) | 2013-04-10 |
Family
ID=42190439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008235113A Expired - Fee Related JP5178420B2 (ja) | 2008-09-12 | 2008-09-12 | 開環型光重合性組成物を用いた構造体、および接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5178420B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59115834A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-04 | 旭硝子株式会社 | ガラス・ハニカム積層体の製造方法 |
JP2609298B2 (ja) * | 1988-08-03 | 1997-05-14 | 三井東圧化学株式会社 | 多層積層板の製造方法 |
JP2000001660A (ja) * | 1998-06-16 | 2000-01-07 | Kansai Paint Co Ltd | 電子線硬化型接着剤及びこれを用いたポリエステルフィルム貼合せ金属板 |
JP2008149521A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Canon Inc | 液体吐出ヘッド及びその製造方法 |
-
2008
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Publication number | Publication date |
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JP2010064441A (ja) | 2010-03-25 |
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