JP5171339B2 - ホットプレート、そのホットプレートを用いた処理装置 - Google Patents
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Description
図8(a)、(b)は、従来技術のホットプレート113の内部を説明するための断面図であり、同図(a)は、同図(b)のB−B線切断断面図に相当する。
ホットプレート113は、金属製のプレート本体121の内部に配線通路128が形成されている。
抵抗発熱体123は放射部118には配置されていないが、その理由は、放射部118内にも抵抗発熱体123を配置すると、放射部118が位置するプレート本体121の中央付近がその周辺より高温になり、プレート本体121の温度分布が不均一になってしまうからである。
また、本発明は、前記ホットプレートと、前記ホットプレートが配置された処理槽とを有する処理装置である。
周回部に位置する抵抗発熱体がプレート本体の熱膨張によって放射方向外側に移動する際に、緩和部が伸び、応力が緩和される。
この処理装置11は、処理槽12を有しており、その内部に、ホットプレート13が配置されている。この処理装置11は、CVD装置であり、処理槽12内に薄膜の原料ガスを導入するシャワーヘッド19と、シャワーヘッド19に接続されたガス導入系42を有している。処理槽12には、真空排気系43が接続されており、処理槽12の内部を真空排気系43によって真空排気し、ホットプレート13上に基板を乗せ、基板を所定温度まで昇温させた後、シャワーヘッド19から原料ガスを導入すると、基板表面に薄膜が形成されるようになっている。
ホットプレート13の内部には細長の空洞から成る配線通路28が、プレート本体21の表面に沿って形成されている。
配線通路28の断面形状は円形であり、断面の中心位置には、配線通路28に沿って、螺旋状に成形された抵抗発熱体23が配置されている。配線通路28の内部には、MgO等から成る絶縁材料22が充填されており、抵抗発熱体23とプレート本体21との間にはMgOが位置し、抵抗発熱体23とプレート本体21とは接触せず、電気的に絶縁されるように構成されている。
配線通路28は、配線孔26a,26bから一定距離以上離間し、配線孔26a,26bを取り囲む周回部17と、周回部17と配線孔26a,26bとを接続し、配線孔26a,26bからプレート本体21の外周に向けて伸ばされた放射部18とで構成されている。
各接続体251〜253とプレート本体21との間には絶縁材料22がそれぞれ充填されており、接続体251〜253とプレート本体21とは非接触になっている。
緩和部52、62、72は、放射部18内に配置されており、配線孔26a,26bから外部に向かって伸ばされている。
また、固定部53、63は、抵抗発熱体23よりも低抵抗な、ステンレス、モリブデン、タングステン、チタン等で構成することができる。
外部導出部51、61、71や固定部53、63の長さは、緩和部52、62、72よりも短い。
先ず、第一例の接続体251では、緩和部52の熱膨張率はステンレスの熱膨張率よりも高く、緩和部52は、プレート本体21と同程度の熱膨張率を有する材料で構成されており、プレート本体21が熱膨張して放射方向外側に向けて膨張するときに、緩和部52もプレート本体21と一緒に放射方向外側に向けて熱膨張し、熱膨張による移動差を緩和する機能を有している。
17……周回部
18……放射部
21……プレート本体
23……抵抗発熱体
251〜253……接続体
26a,26b……配線孔
28……配線通路
52、62、72……緩和部
Claims (2)
- プレート本体と、
前記プレート本体に形成された配線孔と、
前記プレート本体内部に形成され、両端が前記配線孔に接続された配線通路と、
抵抗発熱体と、
を有し、
前記配線通路は、前記配線孔から前記プレート本体の外周方向に伸びる放射部と、前記放射部に接続され、前記配線孔を取り囲んで配置された周回部とを有し、
前記周回部には、前記抵抗発熱体の第一の部分が配置され、前記第一の部分の両端は、前記放射部に配置された接続体によって前記プレート本体の外部に電気的に導出されたホットプレートであって、
前記接続体は、前記抵抗発熱体よりも単位長さ当たりの電気抵抗値が小さい線材がバネ状に成形され、前記放射部に沿って伸縮可能に配置された第二の緩和部を有し、
前記第二の緩和部の前記線材は、前記周回部に位置する前記抵抗発熱体の端部が延在された部分である第二の部分と、前記第二の部分の外周に形成された、前記抵抗発熱体よりも低抵抗の低抵抗金属薄膜とで構成されたホットプレート。 - 請求項1記載のホットプレートと、前記ホットプレートが配置された処理槽とを有する処理装置。
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