JP5169658B2 - レジスト現像液 - Google Patents
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[(R1)3N−R2]+・A− (1)
[上記式(1)中、R1は炭素数1以上3以下のアルキル基を表し、R2は炭素数1以上3以下のアルキル基又は炭素数1以上3以下のヒドロキシ置換アルキル基を表し、A−はOH−又はNO3 −を表す。]
で示される第四級アンモニウム塩と、下記式(2)
R−NH2 (2)
[上記式(2)中、Rは炭素数8以上18以下のアルキル基を表す。]
で示されるアルキルアミンとを含むフォトレジスト用現像液。
TMHEAH:水酸化トリメチル(2−ヒドロキシエチル)アンモニウム
IPA:2−プロパノール
MO:モリブデン酸化物
実施例1〜実施例9、比較例1〜比較例2:
(洗浄評価)
ノボラック系フォトレジスト層を有する基板を表1に記載の現像液に、室温で5分浸漬した。これを水洗乾燥し、現像性能を確認した。現像できたものは「○」、現像できなかったものは「×」と評価した。それらの結果を表1にあわせて示す。なお、現像液のpHを変化させるためにTMAHやTMHEAHに硝酸を添加し、硝酸テトラメチルアンモニウム塩等とした。
ガラス基板上に0.1μmの厚さでMOを成膜した。この基板を表1に記載の現像液に、室温で5分浸漬した。これを水洗乾燥し、断面をSEMで観察した。処理前後のMO膜厚の変化から、MOのダメージ速度(エッチング速度)を算出した。その結果を表1にあわせて示す。
Claims (7)
- 下記式(1)
[(R1)3N−R2]+・A− (1)
[上記式(1)中、R1は炭素数1以上3以下のアルキル基を表し、R2は炭素数1以上3以下のアルキル基又は炭素数1以上3以下のヒドロキシ置換アルキル基を表し、A−はOH−又はNO3 −を表す。]
で示される第四級アンモニウム塩と、下記式(2)
R−NH2 (2)
[上記式(2)中、Rは炭素数8以上18以下のアルキル基を表す。]
で示されるアルキルアミンとを含むフォトレジスト用現像液。 - 上記式(1)で示される第四級アンモニウム塩が、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化トリメチル(2−ヒドロキシエチル)アンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硝酸トリメチル(2−ヒドロキシエチル)アンモニウムからなる群より選ばれる一種又は二種以上であることを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト用現像液。
- 上記式(2)で示されるアルキルアミンが、オクチルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、及びステアリルアミンからなる群より選ばれる一種又は二種以上であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のフォトレジスト用現像液。
- さらに水を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のフォトレジスト用現像液。
- フォトレジスト用現像液全体に対し、第四級アンモニウム塩が0.1〜5重量%の範囲、アルキルアミンが10〜1000重量ppmの範囲で含まれることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のフォトレジスト用現像液。
- フォトレジスト用現像液のpHが9以上13以下の範囲であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のフォトレジスト用現像液。
- 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のフォトレジスト用現像液を用いて、モリブデン酸化物層上のフォトレジストを現像するフォトレジスト現像方法。
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