JP5165024B2 - 石英ガラスルツボ - Google Patents
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Description
(1)シリコン単結晶引上げに用いる石英ガラスルツボであって、基準加熱条件下でのルツボ各部位の膨張率が何れも8%以下であり、ルツボ各部位相互の膨張率差が5.5%以下であることを特徴とする石英ガラスルツボ。
(2)石英粉を加熱溶融してガラス化した石英ガラスルツボであって、1800℃以上で5分以上加熱してガラス化し、かつルツボ内表面から外表面までの全壁厚方向の気泡含有率を0.05%以上〜0.4%以下に調整することによって、ルツボ各部位の熱膨張を抑制したことを特徴とする石英ガラスルツボ。
(3)石英粉を加熱溶融してガラス化した石英ガラスルツボであって、1800℃以上で5分以上加熱し、かつ溶融中の少なくとも一部の時間にヘリウムガス、水素ガス、または水蒸気を導入して石英粉をガラス化し、さらにルツボ内表面から外表面までの全壁厚方向の気泡含有率を0.05%以上〜0.8%以下に調整することによって、ルツボ各部位の熱膨張を抑制したことを特徴とする石英ガラスルツボ。
(4)ルツボ表面に結晶化促進成分が塗布されている上記(1)〜(4)の何れかに記載する石英ガラスルツボ。
(5)上記(1)〜(4)の何れかに記載する石英ガラスルツボであって、引き上げ雰囲気圧を調整したシリコン単結晶引上げ後において、シリコン融液に接触したルツボ各部位の膨張率が10%以下であり、またはルツボ各部位相互の膨張率差が20%以下である石英ガラスルツボ。
(6)上記(1)〜(4)の何れかに記載する石英ガラスルツボを用い、引き上げ温度に対応して引き上げ雰囲気の不活性ガス圧を大気圧以上に調整して引き上げを行うシリコン単結晶引上げ方法。
本発明の石英ガラスルツボは、シリコン単結晶引上げに用いる石英ガラスルツボであって、基準加熱条件下でのルツボ各部位の膨張率が何れも8%以下であり、かつ各部位相互の膨張率差が5.5%以下であることを特徴とする石英ガラスルツボである。なお、ここで基準加熱条件とは、1500℃で、アルゴン雰囲気20torr下、10時間加熱することを云う。
Claims (4)
- シリコン単結晶引上げに用いる石英ガラスルツボであって、アルゴン雰囲気20torr下において温度1500℃で10時間加熱する基準加熱条件下でのルツボの壁部、コーナ部及びボトム部の各部位の膨張率が何れも8%以下であり、ルツボ各部位相互の膨張率差が5.5%以下であり、ルツボ内表面から外表面までの全壁厚方向の気泡含有率が0.05%以上〜0.4%以下であることを特徴とする石英ガラスルツボ。
- シリコン単結晶引上げに用いる石英ガラスルツボであって、アルゴン雰囲気20torr下において温度1500℃で10時間加熱する基準加熱条件下でのルツボの壁部、コーナ部及びボトム部の各部位の膨張率が何れも8%以下であり、ルツボ各部位相互の膨張率差が5.5%以下であり、ルツボ内表面から外表面までの全壁厚方向の気泡含有率が0.05%以上〜0.8%以下であり、前記気泡の成分がヘリウムガス、水素ガス、または水蒸気を含むことを特徴とすることを特徴とする石英ガラスルツボ。
- ルツボ表面に結晶化促進成分が塗布されている請求項1または2に記載する石英ガラスルツボ。
- 引き上げ雰囲気圧を調整したシリコン単結晶引上げ後において、シリコン融液に接触したルツボ各部位の膨張率が10%以下であり、ルツボ各部位相互の膨張率差が20%以下である請求項1〜3の何れかに記載する石英ガラスルツボ。
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