JP5164873B2 - 移相器 - Google Patents
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Description
図1はこの発明の実施の形態1による移相器の構成を示す回路図である。図1において、1対の第1および第2の高周波信号入出力端子1a,1bとグランド間には並列に少なくとも1つの移相ユニット7a,7b(図9参照)が接続される。図1は1つの移相ユニットを示し(図1〜8まで同様)、移相ユニットは、第1および第2の高周波信号入出力端子1a,1bの間に接続された第1のインダクタ3a、第1のインダクタ3aに並列接続された第1のスイッチング素子2aと第2のスイッチング素子2bの直列回路、第1のスイッチング素子2aと第2のスイッチング素子2bとの接続点とグランドとの間に接続された第2のインダクタ3bと第3のインダクタ3cの直列回路、そして第3のインダクタ3cに並列接続された第3のスイッチング素子2cを備える。なお、第1〜3のスイッチング素子2a〜2cは例えば電界効果トランジスタ(FET)からなる(以下同様)。
なお、従来の並列接続されたインダクタ3d,3eについては、インダクタの構成位置にレイアウトの自由度がなく、小型に構成するためには隣接して配置する必要があり、上記問題が生じていたが、図1等の直列接続されたインダクタ3b,3cについては、インダクタの構成位置にレイアウトの自由度があるため、離して配置することで特性の劣化を防ぐことができる。
図4はこの発明の実施の形態2による移相器の構成を示す回路図である。図4において上記実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し説明は省略する。図4に示す移相器(移相ユニット)は、図1の移相器において、第1の高周波信号入出力端子1a側と、第1のインダクタ3aと第1のスイッチング素子2aとの接続点との間に接続された第4のスイッチング素子2dと、第2の高周波信号入出力端子1d側と、第1のインダクタ3aと第2のスイッチング素子2bとの接続点との間に接続された第5のスイッチング素子2eとをさらに備える。
図7はこの発明の実施の形態3による移相器の構成を示す回路図である。図7において上記実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し説明は省略する。図7に示す移相器(移相ユニット)は、図4の実施の形態2の移相器において第4,第5のスイッチング素子2d,2eに抵抗5aおよび5bをそれぞれ並列に接続した構成である。
図8はこの発明の実施の形態4による移相器の構成を示す回路図である。図8において上記実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し説明は省略する。図8に示す移相器(移相ユニット)は、図4の実施の形態2の移相器において第4,第5のスイッチング素子2d,2eにキャパシタ4aおよび4bをそれぞれ並列に接続した構成である。
図9はこの発明の実施の形態5による移相器の構成を示す回路図である。図9において上記実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し説明は省略する。図9において7aおよび7bは図1〜8に示した移相ユニットに当たる単ビット移相器である。ここでは図1に示したこの発明の実施の形態1による移相器を単ビット移相器7a,7bとして用いた例を示している。
Claims (5)
- 第1および第2の高周波信号入出力端子と、
前記第1および第2の高周波信号入出力端子とグランド間に並列に接続された少なくとも1つの移相ユニットと、
を備え、前記各移相ユニットが、
前記第1および第2の高周波信号入出力端子の間に接続された第1のインダクタ、
前記第1のインダクタに並列接続された第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子の直列回路、
前記第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との接続点とグランドとの間に接続された第2のインダクタと第3のインダクタの直列回路、
前記第3のインダクタに並列接続された第3のスイッチング素子、
を含み、
前記第1,第2,第3のスイッチング素子がスイッチを開いた状態のときに等価的にキャパシタを持つ、
ことを特徴とする移相器。 - 前記各移相器ユニットが、
前記第1の高周波信号入出力端子側と、前記第1のインダクタと第1のスイッチング素子との接続点との間に接続された第4のスイッチング素子と、
前記第2の高周波信号入出力端子側と、前記第1のインダクタと第2のスイッチング素子との接続点との間に接続された第5のスイッチング素子と、
をさらに含み、
前記第4,第5のスイッチング素子がスイッチを開いた状態のときに等価的にキャパシタを持つ、
ことを特徴とする請求項1に記載の移相器。 - 前記第1から第5のスイッチング素子のうち少なくとも1つに並列に抵抗が接続されたことを特徴とする請求項1または2に記載の移相器。
- 前記第1から第5のスイッチング素子のうち少なくとも1つに並列にキャパシタが接続されたことを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の移相器。
- 前記第1および第2の高周波信号入出力端子の間に複数の移相ユニットを接続し多ビット移相器を構成したことを特徴とする請求項1から4までのいずれか1項に記載の移相器。
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