JP5159816B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
サドルフィントランジスタは、DRAMで使用されている埋め込みゲートトランジスタのゲート電極の底部に、フィンFETを形成した構造となっている。サドルフィントランジスタのゲート電極は、従来のRCAT(Recess Channel Array Transistor)溝構造を形成した後、STI部分を掘り下げ、フィン構造を形成する。この後、ゲート酸化膜及びゲート電極としてのポリシリコン埋め込むことにより形成される。
図15は、第1の実施形態の変形例を示している。
図16乃至図18は、第2の実施形態を示している。第1の実施形態は、活性領域13の一側面及び上面の一部にシリサイド層16を形成した。これに対して、第2の実施形態は、活性領域13の両側面及び上面全部にシリサイド層16を形成する。
図19は、第2の実施形態の変形例を示している。この変形例は、活性領域13の両側面及び上面にシリサイド層を形成するものである。
図20、図21は、第3の実施形態を示している。第1、第2の実施形態は、活性領域13が島状に形成されていた。これに対して、第3の実施形態は、図20、図21に示すように、3つ以上のワード線WLに対して、活性領域13と素子分離領域12とが、ラインアンドスペース(L/S)パターンとなっている。
Claims (12)
- 半導体基板内に設けられ、第1の側面、前記第1の側面に平行する第2の側面、及び前記第1、第2の側面を繋ぐ上面を有するフィン状の活性領域と、
前記活性領域に形成された溝内及び前記溝を跨いで形成され、前記活性領域と絶縁されたワード線の一部としてのゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の前記活性領域に位置し、ソース、ドレイン領域としての前記活性領域の少なくとも前記第1の側面に形成されたシリサイド層と、
前記シリサイド層に接続され、少なくとも記憶素子を接続するためのコンタクトと
を具備し、
前記活性領域の幅が前記ゲート電極のゲート幅の2/3以下であることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記シリサイド層の深さは、前記溝の深さの1/3に設定されていることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記シリサイド層及び活性領域に接触されるコンタクトは、前記活性領域の幅を1ピッチとした場合、前記ワード線方向に半ピッチずれていることを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。
- 前記シリサイド層は、前記活性領域の第1、第2の側面及び上面に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記活性領域の第1、第2の側面及び上面に形成され前記シリサイド層に接触されるコンタクトを具備することを特徴とする請求項4記載の半導体記憶装置。
- 前記コンタクトは底面が少なくともコバルト、ニッケル、NiPtのうちの1つであることを特徴とする請求項3又は5記載の半導体記憶装置。
- 半導体基板内に、素子分離領域により分離され、第1の側面と前記第1の側面に平行する第2の側面と、前記第1、第2の側面を繋ぐ上面を有するフィン状の活性領域を形成し、
前記活性領域に第1の溝を形成し、前記活性領域に隣接する前記素子分離領域に前記第1の溝より深い第2の溝を形成し、
前記第1、第2の溝内に、前記活性領域を跨ぎ、前記活性領域から絶縁されたワード線の一部としての第1のゲート電極を形成し、
前記ゲート電極の両側の前記活性領域の少なくとも前記第1の側面にシリサイド層を形成し、
前記ゲート電極の両側の前記活性領域に形成された前記シリサイド層に少なくとも記憶素子を接続するためのコンタクトを形成する
ことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 前記活性領域の幅が前記ゲート電極のゲート幅の2/3以下であることを特徴とする請求項7記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記シリサイド層の深さは、前記第1の溝の深さの1/3に設定されていることを特徴とする請求項8記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記シリサイド層及び活性領域に接触されるコンタクトは、前記活性領域の幅を1ピッチとした場合、前記ワード線方向に半ピッチずれていることを特徴とする請求項9記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記シリサイド層は、前記活性領域の第1、第2の側面及び上面に形成されていることを特徴とする請求項7記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記コンタクトは底面がコバルトであることを特徴とする請求項7又は10記載の半導体記憶装置の製造方法。
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