JP5149186B2 - プログラマブルロジックアレイ用不揮発性プログラマブルメモリセル - Google Patents
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Description
12 不揮発性プルダウンデバイス
14 揮発性プルアップデバイス
16,56 スイッチ
22 N型フローティングゲートMOSトランジスタ
24,34,44 P型MOSプルアップトランジスタ
26,36,46,66,76,86 N型MOSスイッチトランジスタ
32 N型フローティング電荷トラップMOSトランジスタ
42 N型ナノ結晶MOSトランジスタ
52 不揮発性プルアップデバイス
54 揮発性プルダウンデバイス
62 P型フローティングゲートMOSトランジスタ
64,74,84 N型MOSプルダウントランジスタ
72 P型フローティング電荷トラップMOSトランジスタ
82 P型ナノ結晶MOSトランジスタ
90 拡散領域
92,94 コンタクト
96 チャネル領域
98 ゲート
100 ナノ結晶N型MOSメモリセルトランジスタ
102 P型MOSプルアップトランジスタ
110 放射耐性メモリセル
112 不揮発性メモリトランジスタ
114 揮発性プルアップトランジスタ
116 コモンドレインノード
118,120,122 N型MOSスイッチングトランジスタ
124 抵抗器
Claims (37)
- 不揮発性プログラマブルメモリセルであって、
第1電源電位と出力ノードとの間に接続された第1導電型の不揮発性MOSトランジスタと、
前記出力ノードと第2電源電位との間に接続された第2導電型の揮発性MOSトランジスタと、
前記出力ノードに接続された揮発性スイッチと、を具備し、
前記揮発性スイッチは、抵抗器を介して前記出力ノードに接続され、
前記メモリセルのRC回路時定数は、前記メモリセルのリカバリ時間より長いことを特徴とする不揮発性プログラマブルメモリセル。 - 前記揮発性スイッチが、前記出力ノードに接続されたゲートを具備する揮発性MOSトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記揮発性スイッチが、前記出力ノードに接続されたゲートをそれぞれ具備する複数の揮発性MOSトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記揮発性スイッチが、前記出力ノードに接続された入力を具備するインバータであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記揮発性スイッチが、前記出力ノードに接続された入力を具備するバッファであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性MOSトランジスタが、フローティングゲートトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性MOSトランジスタが、フラッシュトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性MOSトランジスタが、電荷トラッピングトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性MOSトランジスタが、ナノ結晶トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記第1導電型がN型であり、かつ前記第2導電型がP型であることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記第1導電型がP型であり、かつ前記第2導電型がN型であることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記第1導電型がN型であり、前記第2導電型がP型であり、かつ前記揮発性MOSトランジスタがN型であることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記第1導電型がP型であり、前記第2導電型がN型であり、かつ前記揮発性MOSトランジスタがN型であることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性MOSトランジスタが、そのコンタクトでの幅より狭い幅を有するアクティブチャネル領域を具備することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記アクティブチャネル領域の前記狭い幅が約0.2ミクロンであり、かつ前記コンタクトでの前記幅が約0.2ミクロンであることを特徴とする請求項14に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 不揮発性プログラマブルメモリセルであって、
第1電源電位と出力ノードとの間に接続された不揮発性N型MOSトランジスタと、
前記出力ノードと第2電源電位との間に接続された揮発性P型MOSプルアップトランジスタと、
前記出力ノードに接続された揮発性スイッチと、を具備し、
前記揮発性スイッチは、抵抗器を介して前記出力ノードに接続され、
前記メモリセルのRC回路時定数は、前記メモリセルのリカバリ時間より長いことを特徴とする不揮発性プログラマブルメモリセル。 - 前記揮発性スイッチが、前記出力ノードに接続されたゲートを具備する揮発性N型MOSトランジスタであることを特徴とする請求項16に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記揮発性スイッチが、前記出力ノードに接続されたゲートをそれぞれ具備する複数の揮発性MOSトランジスタであることを特徴とする請求項16に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記揮発性スイッチが、前記出力ノードに接続された入力を具備するインバータであることを特徴とする請求項16に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記揮発性スイッチが、前記出力ノードに接続された入力を具備するバッファであることを特徴とする請求項16に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性N型MOSトランジスタが、フローティングゲートトランジスタであることを特徴とする請求項16に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性N型MOSトランジスタが、フラッシュトランジスタであることを特徴とする請求項16に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性N型MOSトランジスタが、フローティング電荷トラッピングトランジスタであることを特徴とする請求項16に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性N型MOSトランジスタが、ナノ結晶トランジスタであることを特徴とする請求項16に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性MOSトランジスタが、そのコンタクトでの幅より狭い幅を有するアクティブチャネル領域を具備することを特徴とする請求項16に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記アクティブチャネル領域の前記狭い幅が約0.2ミクロンであり、かつ前記コンタクトでの前記幅が約0.2ミクロンであることを特徴とする請求項25に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 不揮発性プログラマブルメモリセルであって、
第1電源電位と出力ノードとの間に接続された不揮発性P型MOSトランジスタと、
前記出力ノードと第2電源電位との間に接続された揮発性N型MOSプルダウントランジスタと、
前記出力ノードに接続された揮発性スイッチと、を具備し、
前記揮発性スイッチは、抵抗器を介して前記出力ノードに接続され、
前記メモリセルのRC回路時定数は、前記メモリセルのリカバリ時間より長いことを特徴とする不揮発性プログラマブルメモリセル。 - 前記揮発性スイッチが、前記出力ノードに接続されたゲートを具備する揮発性N型MOSトランジスタであることを特徴とする請求項27に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記揮発性スイッチが、前記出力ノードに接続されたゲートをそれぞれ具備する複数の揮発性MOSトランジスタであることを特徴とする請求項27に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記揮発性スイッチが、前記出力ノードに接続された入力を具備するインバータであることを特徴とする請求項27に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記揮発性スイッチが、前記出力ノードに接続された入力を具備するバッファであることを特徴とする請求項27に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性N型MOSトランジスタが、フローティングゲートトランジスタであることを特徴とする請求項27に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性N型MOSトランジスタが、フラッシュトランジスタであることを特徴とする請求項27に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性N型MOSトランジスタが、フローティング電荷トラッピングトランジスタであることを特徴とする請求項27に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性N型MOSトランジスタが、ナノ結晶トランジスタであることを特徴とする請求項27に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記不揮発性MOSトランジスタが、そのコンタクトでの幅より狭い幅を有するアクティブチャネル領域を具備することを特徴とする請求項27に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
- 前記アクティブチャネル領域の前記狭い幅が約0.2ミクロンであり、かつ前記コンタクトでの前記幅が約0.2ミクロンであることを特徴とする請求項36に記載の不揮発性プログラマブルメモリセル。
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