JP5143392B2 - ショットキーバリアダイオード、検波回路、及び製造方法 - Google Patents
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- 半導体材料に不純物が添加された高濃度不純物層と、
前記高濃度不純物層の上面に形成され、前記半導体材料に添加される前記不純物の濃度が前記高濃度不純物層より低く、上面の位置が前記高濃度不純物層の上面の位置より高い低濃度不純物層と、
金属材料で形成され、前記低濃度不純物層と接触して設けられたアノード端子と、
前記アノード端子と接続するアノード配線部を有するアノード電極と、
前記高濃度不純物層の前記上面において前記低濃度不純物層の周囲を囲むように設けられ、前記高濃度不純物層とオーミック接触するガードリングと、
前記ガードリングと接触するカソード電極と、
前記高濃度不純物層の周囲を囲むように設けられ、半導体で形成された第1の絶縁層とを備えるショットキーバリアダイオード。 - 前記低濃度不純物層は、前記高濃度不純物層の前記上面における略中心に形成され、
前記ガードリングは、前記高濃度不純物層の前記上面における端部に形成される
請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。 - 前記アノード端子における、前記アノード配線部との接触面の面積は、前記低濃度不純物層との接触面の面積より大きい
請求項1または2に記載のショットキーバリアダイオード。 - 前記アノード端子は、
前記アノード配線部と接続される電極側接触部と、
前記電極側接触部から前記低濃度不純物層に、前記電極側接触部より延伸して設けられ、延伸方向における断面積が前記電極側接触部より小さい不純物層側接触部と
を有し、
前記ショットキーバリアダイオードは、
前記電極側接触部と、前記低濃度不純物層との間に、絶縁材料で形成された支持部を更に備える
請求項3に記載のショットキーバリアダイオード。 - 前記高濃度不純物層は、前記アノード電極との間に、空間領域を挟んで形成される
請求項1から4のいずれか一項に記載のショットキーバリアダイオード。 - 前記ガードリングは、前記アノード電極との間に、空間領域を挟んで形成される
請求項5に記載のショットキーバリアダイオード。 - 前記高濃度不純物層と略同一の面内に設けられ、前記高濃度不純物層との間に空間領域を挟んで形成された第2の絶縁層を更に備え、
前記アノード端子は、
前記第1または第2の絶縁層の上面に形成されるアノード電極部を有し、
前記アノード配線部は前記アノード電極部から前記アノード端子に、前記アノード電極部から延伸して空中配線される請求項6に記載のショットキーバリアダイオード。 - 入力信号の振幅レベルを検波する検波回路であって、
前記入力信号を整流する請求項1から7のいずれか一項に記載のショットキーバリアダイオードと、
前記ショットキーバリアダイオードが出力する整流信号の振幅レベルを検出する振幅検出部を備える検波回路。 - 半導体材料に不純物が添加された高濃度不純物層を形成し、
前記高濃度不純物層の上面に、前記半導体材料に添加される前記不純物の濃度が前記高濃度不純物層より低く、上面の位置が前記高濃度不純物層の上面の位置より高い低濃度不純物層を形成し、
前記低濃度不純物層と接触するアノード端子を金属材料で形成し、
前記アノード端子と接続するアノード配線部を有するアノード電極を形成し、
前記高濃度不純物層の前記上面において前記低濃度不純物層の周囲を囲むように設けられ、前記高濃度不純物層とオーミック接触するガードリングを形成し、
前記ガードリングと接触するカソード電極を形成し、
前記高濃度不純物層の周囲を囲むように設けられ、半導体で形成された第1の絶縁層を形成するショットキーバリアダイオードの製造方法。
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