JP5140936B2 - 不揮発性メモリ及びその製造方法 - Google Patents
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K.Y.YUNet.al.,Jpn.J.Appl.Phys.,Vol.43,No.5A(2004) Y.Uratani,et.al.,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.44,No.9B,2005,pp.7130−7133
本発明の第1の実施の形態による不揮発性メモリ及びその製造方法について図1乃至図6を用いて説明する。まず、磁性元素を含む強誘電体材料について図1を用いて説明する。図1は、磁性元素を含む強誘電体材料としてのBiFeO3の結晶構造を示している。図1に示すように、BiFeO3はABO3で表される単純ペロブスカイト構造を有している。BiがAサイト、FeがBサイトに該当する。Bi3+及びFe3+の組み合わせが標準である。Bi3+及びFe3+の少なくとも一方がプラス三価以外の価数を取ると、結晶中に格子欠陥が増え、リーク電流が増加し易い。特にBサイトの価数は変動し易い。さらに酸化ビスマスは融点が817℃と低く、加熱により蒸発し易い。このため、Biは結晶化プロセス中にペロブスカイト構造のサイトから欠損しやすい。Biの欠損量が多くなると強誘電性を有しない異相が生成されてリーク電流が増大する。上記BiFeO3の形成方法は特に制限はないが、MOCVD法、パルスレーザ蒸着法(PLD法)又は化学溶液堆積法(CSD法)等が好ましい。
本発明の第2の実施の形態による不揮発性メモリ及びその製造方法について図7乃至図10を用いて説明する。まず、本実施の形態の不揮発性メモリにおける強誘電体膜のリーク電流の抑制原理について図7を用いて説明する。図7は、温度及び磁場に対するBiFeO3エピタキシャル膜のリーク電流を示す図である。図中の上段、中段及び下段のそれぞれ横軸は、時間Time(sec)を表し、上段の縦軸は、温度Temp(℃)を表し、中段の縦軸は、磁場H(kOe)を表し、下段の縦軸は、リーク電流I(A)を表している。
本実施の形態の実施例2−1による不揮発性メモリ1について図8を用いて説明する。図8(a)は、本実施例による不揮発性メモリ1の1個のメモリセルの基板面に垂直な断面構造を示している。図8(b)は、本実施例の変形例による不揮発性メモリ1の1個のメモリセルの基板面に垂直な断面構造を示している。図8(a)に示すように、不揮発性メモリ1は、上部電極19上に形成された磁場印加部としての強磁性層25を有している。強磁性層25はCoCrPt系合金で形成されている。強磁性層25はCoCrPt系合金に限られず、他のCo系合金、例えばCoCr系合金、CoPt系合金又はCoCrTa系合金のいずれで形成されていてもよい。さらに、強磁性層25はCo系合金の他、Ni系合金又はFe系合金で形成されていてももちろんよい。さらに、強磁性層25は、La1−xSrxMnO3(x=0.0〜1.0)酸化物で形成されていてもよい。
本実施の形態の実施例2−2による不揮発性メモリ1について図9を用いて説明する。図9は、本実施例による不揮発性メモリ1の1個のメモリセルの基板面に垂直な断面構造を示している。図9に示すように、本実施例による不揮発性メモリ1は上記実施例2−1の強磁性層25に代えて、磁場印加部としての一対の永久磁石27a、27bを備えた点に特徴を有している。一対の永久磁石27a、27bは強誘電体膜17の膜厚方向に磁場を印加できるようにメモリセルを挟んで対向配置されている。本実施例による不揮発性メモリ1は第1の実施の形態の不揮発性メモリ1と同じメモリセルの構成を有している。
本実施の形態の実施例2−3による不揮発性メモリ1について図10を用いて説明する。図10は、本実施例による不揮発性メモリ1のメモリセルアレイの基板面に垂直な断面構造を示している。図10に示すように、本実施例による不揮発性メモリ1は上記実施例2−2と同様に磁場印加部としての一対の永久磁石27a、27bを備えた点に特徴を有している。一対の永久磁石27a、27bは強誘電体膜17の膜面方向に磁場を印加できるようにメモリセルアレイを挟んで対向配置されている。本実施例による不揮発性メモリ1は第1の実施の形態の不揮発性メモリ1と同じメモリセルの構成を有している。
本発明の第3の実施の形態による不揮発性メモリ及びその製造方法について図11乃至図13を用いて説明する。まず、本実施の形態による不揮発性メモリ10の概略の構成について図11を用いて説明する。図11は、本実施の形態の不揮発性メモリ10のアレイ状に形成されたメモリセルアレイのうちの1個のメモリセルの基板面に垂直な断面構造を模式的に示している。図11に示すように、不揮発性メモリ10のメモリセルは、例えばn型シリコン半導体基板3に形成された素子分離絶縁膜(不図示)で画定された素子領域内に形成されている。不揮発性メモリ10のゲート部39は、半導体基板3上に形成された例えば膜厚5nmのYSZ(Yttrium Stabilzed Zirconia)膜31及び膜厚10nmのチタン酸ストロンチウム膜(STO膜)33で構成されるゲート絶縁膜30と、ゲート絶縁膜30上に形成されて例えば膜厚200nmのBiFeO3の強誘電体膜35と、強誘電体膜35上に形成された例えば膜厚200nmのPtのゲート電極Gとを有している。
本発明の第4の実施の形態による不揮発性メモリ及びその製造方法について図14乃至図16を用いて説明する。本実施の形態の不揮発性メモリはMFIS型FET構造のメモリセルを有し、上記第2の実施の形態と同様の原理に基づいて強誘電体膜のリーク電流を抑制する点に特徴を有している。以下、本実施の形態による不揮発性メモリ及びその製造方法を実施例を用いてより具体的に説明する。本実施の形態の不揮発性メモリ10の構成要素のうち第3の実施の形態の不揮発性メモリ10と同様の機能/作用を有する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。また、以下の実施例による不揮発性メモリ10のデータ書込み/読出し方法は、第3の実施の形態の不揮発性メモリ10と同様であるため、説明は省略する。
本実施の形態の実施例4−1による不揮発性メモリ10について図14を用いて説明する。図14は、本実施例による不揮発性メモリ10の1個のメモリセルの基板面に垂直な断面構造を模式的に示している。図14に示すように、不揮発性メモリ10は、ゲート電極G上に形成された磁場印加部としての強磁性層47を有している。強磁性層47はCoCrPt系合金で形成されている。強磁性層47はCoCrPt系合金に限られず、実施例2−1において示した強磁性層25と同様の形成材料を用いることができる。
本実施の形態の実施例4−2による不揮発性メモリ10について図15を用いて説明する。図15は、本実施例による不揮発性メモリ10の1個のメモリセルの基板面に垂直な断面構造を模式的に示している。図15に示すように、本実施例による不揮発性メモリ10は上記実施例4−1の強磁性層47に代えて、磁場印加部としての一対の永久磁石49a、49bを備えた点に特徴を有している。一対の永久磁石49a、49bは強誘電体膜35の膜厚方向に磁場を印加できるようにメモリセルを挟んで対向配置されている。本実施例による不揮発性メモリ10は第3の実施の形態の不揮発性メモリ10と同じメモリセルの構成を有している。
本実施の形態の実施例4−3による不揮発性メモリ10について図16を用いて説明する。図16は、本実施例による不揮発性メモリ10のメモリセルアレイの基板面に垂直な断面構造を模式的に示している。図16に示すように、本実施例による不揮発性メモリ10は上記実施例4−2と同様に磁場印加部としての一対の永久磁石49a、49bを備えた点に特徴を有している。一対の永久磁石49a、49bは強誘電体膜35の膜面方向に磁場を印加できるようにメモリセルアレイを挟んで対向配置されている。本実施例による不揮発性メモリ10は第3の実施の形態の不揮発性メモリ10と同じメモリセルの構成を有している。
上記第1乃至第4の実施の形態では、製造工程において強誘電体膜17、35には磁場のみが印加されているが、本発明はこれに限られない。例えば、強誘電体膜17、35に磁場及び電場を印加すると共に所定の温度に加熱しても、上記実施の形態と同様の効果が得られる。
(付記1)
半導体基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成されて磁性元素を含む強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された第2の電極とを備えた強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体膜に磁場を印加する磁場印加部と
を有することを特徴とする不揮発性メモリ。
(付記2)
付記1記載の不揮発性メモリにおいて、
前記磁場印加部は、前記第1の電極の前記強誘電体膜との対向面の裏面側及び前記第2の電極の前記強誘電体膜との対向面の裏面側の少なくとも一方に形成された強磁性層であること
を特徴とする不揮発性メモリ。
(付記3)
付記1記載の不揮発性メモリにおいて、
前記磁場印加部は、前記第1の電極の前記強誘電体膜との対向面の裏面側及び前記第2の電極の前記強誘電体膜との対向面の裏面側の少なくとも一方に配置された永久磁石であること
を特徴とする不揮発性メモリ。
(付記4)
付記1記載の不揮発性メモリにおいて、
前記磁場印加部は、前記強誘電体膜の膜面にほぼ直交させて配置された永久磁石であること
を特徴とする不揮発性メモリ。
(付記5)
半導体基板上に形成され、磁性元素を含む強誘電体膜と、
前記強誘電体膜上に形成されたゲート電極と、
前記強誘電体膜下方の前記半導体基板界面のチャネル領域を挟んだ両側に形成されたソース/ドレイン領域と、
前記強誘電体膜に磁場を印加する磁場印加部と
を有することを特徴とする不揮発性メモリ。
(付記6)
付記5記載の不揮発性メモリにおいて、
前記チャネル領域と前記強誘電体膜との間にゲート絶縁膜が形成されていること
を特徴とする不揮発性メモリ。
(付記7)
付記5又は6に記載の不揮発性メモリにおいて、
前記磁場印加部は、前記ゲート電極の前記強誘電体膜との対向面側及び前記ゲート電極の前記強誘電体膜との対向面の裏面側の少なくとも一方に形成された強磁性層であること
を特徴とする不揮発性メモリ。
(付記8)
付記5又は6に記載の不揮発性メモリにおいて、
前記磁場印加部は、前記ゲート電極の前記強誘電体膜との対向面側及び前記ゲート電極の前記強誘電体膜との対向面の裏面側の少なくとも一方に配置された永久磁石であること
を特徴とする不揮発性メモリ。
(付記9)
付記5又は6に記載の不揮発性メモリにおいて、
前記磁場印加部は、前記強誘電体膜の膜面にほぼ直交させて配置された永久磁石であること
を特徴とする不揮発性メモリ。
(付記10)
付記1乃至9のいずれか1項に記載の不揮発性メモリにおいて、
前記磁場印加部は、前記強誘電体膜の膜厚方向又は膜面方向に磁場を印加できるように配置されていること
を特徴とする不揮発性メモリ。
(付記11)
付記1乃至10のいずれか1項に記載の不揮発性メモリにおいて、
前記強誘電体膜は、磁場又は磁場及び電場を印加すると共に加熱して形成されていること
を特徴とする不揮発性メモリ。
(付記12)
付記1乃至11のいずれか1項に記載の不揮発性メモリにおいて、
前記強誘電体材料は、組成式がABO3の結晶格子を有するペロブスカイト材料であり、
前記結晶格子のAサイトは、Pbイオン又はBiイオン及び少なくとも1種の希土類陽イオンを含み、前記結晶格子のBサイトは、陽イオンであって磁性イオンを含み、
前記磁性イオンは、Vイオン、Crイオン、Mnイオン、Feイオン、Coイオン、Niイオン又はCuイオンであること
を特徴とする不揮発性メモリ。
(付記13)
付記2又は7に記載の不揮発性メモリにおいて、
前記強磁性層は、Ni系合金、Fe系合金又はCo系合金のいずれか1種類の材料で形成されており、
前記Co系合金は、CoCr系合金、CoPt系合金、CoCrTa系合金又はCoCrPt系合金であること
を特徴とする不揮発性メモリ。
(付記14)
付記2又は7に記載の不揮発性メモリにおいて、
前記強磁性層は、La1−xSrxMnO3(x=0.0〜1.0)酸化物で形成されていること
を特徴とする不揮発性メモリ。
(付記15)
基板上に第1の電極を形成し、前記第1の電極上に磁性元素を含む強誘電体膜を形成し、前記強誘電体膜上に第2の電極を形成して強誘電体キャパシタを形成し、
前記強誘電体膜に磁場又は磁場及び電場を印加すると共に加熱し、
前記強誘電体膜を冷却すること
を特徴とする不揮発性メモリの製造方法。
(付記16)
付記15記載の不揮発性メモリの製造法において、
前記第1の電極の前記強誘電体膜との対向面の裏面側及び前記第2の電極の前記強誘電体膜との対向面の裏面側の少なくとも一方に強磁性層を形成し、
前記強磁性層を用いて前記磁場を前記強誘電体膜に印加すること
を特徴とする不揮発性メモリの製造方法。
(付記17)
付記15記載の不揮発性メモリの製造法において、
前記第1の電極の前記強誘電体膜との対向面の裏面側及び前記第2の電極の前記強誘電体膜との対向面の裏面側の少なくとも一方又は前記強誘電体膜の膜面にほぼ直交させて永久磁石を配置し、
前記永久磁石を用いて前記磁場を前記強誘電体膜に印加すること
を特徴とする不揮発性メモリの製造方法。
(付記18)
磁性元素を含む強誘電体膜を半導体基板上に形成し、
前記強誘電体膜上にゲート電極を形成し、
前記強誘電体膜下方の前記半導体基板界面のチャネル領域を挟んだ両側にソース/ドレイン領域を形成し、
前記強誘電体膜に磁場又は磁場及び電場を印加すると共に加熱し、
前記強誘電体膜を冷却すること
を特徴とする不揮発性メモリの製造方法。
(付記19)
付記18記載の不揮発性メモリの製造法において、
前記ゲート電極の前記強誘電体膜との対向面側及び前記ゲート電極の前記強誘電体膜との対向面の裏面側の少なくとも一方に強磁性層を形成し、
前記強磁性層を用いて前記磁場を前記強誘電体膜に印加すること
を特徴とする不揮発性メモリの製造方法。
(付記20)
付記18記載の不揮発性メモリの製造法において、
前記ゲート電極の前記強誘電体膜との対向面側及び前記ゲート電極の前記強誘電体膜との対向面の裏面側の少なくとも一方又は前記強誘電体膜の膜面にほぼ直交させて永久磁石を配置し、
前記永久磁石を用いて前記磁場を前記強誘電体膜に印加すること
を特徴とする不揮発性メモリの製造方法。
2 強誘電体キャパシタ
3 n型シリコン半導体基板
4、30 ゲート絶縁膜
5 セル選択トラジスタ
7 素子分離絶縁膜
9 層間絶縁膜
11、41、43、45 タングステン・プラグ
13、71、63 シリコン酸化膜
15 下部電極
17、35 強誘電体膜
19 上部電極
21 絶縁膜
23 配線
25、47 強磁性層
27a、27b、49a、49b 永久磁石
31 YSZ膜
33 STO膜
37 チャネル領域
39 ゲート部
60、62、64、80 レジスト層
65、69、87 白金層
67 BiFeO3層
81 YSZ層
83 STO層
85 強誘電体層
91、93 p型不純物領域
CH コンタクトホール
D ドレイン領域
G ゲート電極
S ソース領域
H 磁場
BL ビット線
PL プレート線
WL ワード線
Claims (2)
- 半導体基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成されて磁性元素を含む強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された第2の電極とを備えた強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体膜に磁場を印加する磁場印加部と
を有する不揮発性メモリであって、
前記磁場印加部は、前記強誘電体膜の膜厚方向に所定の強さの磁場を常時印加できるように、前記不揮発性メモリセルを挟んで対向配置される一対の永久磁石からなること
を特徴とする不揮発性メモリ。 - 半導体基板上に形成され、磁性元素を含む強誘電体膜と、
前記強誘電体膜上に形成されたゲート電極と、
前記強誘電体膜下方のチャネル領域を挟んだ両側に形成されたソース/ドレイン領域と、
前記強誘電体膜に磁場を印加する磁場印加部と
を有する不揮発性メモリであって、
前記磁場印加部は、前記強誘電体膜の膜厚方向に所定の強さの磁場を常時印加できるように、前記不揮発性メモリセルを挟んで対向配置される一対の永久磁石からなること
を特徴とする不揮発性メモリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006090972A JP5140936B2 (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | 不揮発性メモリ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006090972A JP5140936B2 (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | 不揮発性メモリ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007266407A JP2007266407A (ja) | 2007-10-11 |
JP5140936B2 true JP5140936B2 (ja) | 2013-02-13 |
Family
ID=38639087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006090972A Expired - Fee Related JP5140936B2 (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | 不揮発性メモリ及びその製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5140936B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4775772B2 (ja) * | 2008-04-01 | 2011-09-21 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電材料および圧電素子 |
JP5838417B2 (ja) * | 2011-10-14 | 2016-01-06 | 株式会社ユーテック | ポーリング処理方法、磁場ポーリング装置及び圧電体膜 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02183570A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Seiko Epson Corp | 強誘電体集積回路装置とその製造方法 |
JP2000340761A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法、および強誘電体キャパシタの製造方法 |
JP2004172483A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Rikogaku Shinkokai | 不揮発性メモリ及びこれを用いた多値記憶方法 |
JP4095006B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2008-06-04 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 正方晶BiCoO3及びその製造方法 |
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---|---|
JP2007266407A (ja) | 2007-10-11 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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