JP5133690B2 - ボクセルに依存する補間を用いる画像再構成 - Google Patents

ボクセルに依存する補間を用いる画像再構成 Download PDF

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    • G06T11/006Inverse problem, transformation from projection-space into object-space, e.g. transform methods, back-projection, algebraic methods

Description

本願明細書は、診断用イメージングの分野に関する。対象のコンピュータ断層撮影イメージングに特定の応用を見つけ、特にこれを参照して記載される。しかしながら、他のタイプのコンピュータ断層撮影イメージング、単光子放出コンピュータ断層撮影(SPECT)、ポジトロン放出断層撮影(PET)、及び3次元X線イメージング等にも応用を見つけることができる。
一般に、コンピュータ断層撮影システムは、典型的には、検査されるべき対象の周りで一緒に回転する、放射線の円錐又は楔形ビームを投影するX線源と2次元X線検出器とを有する。幾つかの方向から、前記対象は、前記X線源から発散するX線ビームで照射される。これらのそれぞれの方向において、前記X線検出器は、前記対象を通過したX線放射線を受け、当該方向に対する減衰プロファイルを形成する。前記減衰プロファイルは、当該方向における前記対象を通る前記X線の経路に沿ったX線の吸収による前記対象内の入射X線の減衰を表す。
典型的には、CT画像の再構成のプロセスにおいて、再構成されるべき各ボクセルに対して、前記ボクセルを通過した放射線光線に沿った放射線を受ける検出器素子がサンプリングされる。前記ボクセルを通る光線が1より多い検出器素子に受けられる場合、ボクセルに独立な補間(voxel independent interpolation)が、前記検出器素子間で行われる。しかしながら、ボクセルに独立な補間は、いくらか問題がある。例えば、共通の光線に沿って位置する2つのボクセルであって、一方が前記線源に近く、他方が前記線源から遠い(前記検出器に近い)当該2つのボクセルを考慮する。順投影(forward projection)において、測定中に、前記2つのボクセルは、これらの2つの位置における異なる光線密度により前記検出器素子における測定値に対して異なって寄与する。逆投影(back projection)において、しかしながら、逆投影値は、前記検出器に対する補間がボクセルに独立なので、前記2つのボクセルに対して同じである。特に、非平行ビーム幾何学構成の場合、サンプリングされる光線の中心及び各ボクセルの中心は一致しない。前記逆投影は、データ取得のモデルに適合しない。これは、結果として再構成画像においてアーチファクトを生じる。
本発明は、前述の制限等を克服する改良された装置及び方法を検討する。
本発明の一態様によると、投影データを再構成する放射線イメージング装置が開示される。ある手段は、前記投影データのボクセルに依存する補間(voxel dependent interpolation)を実行する。ある手段は、前記補間された投影データを3次元的に逆投影する。
本発明の他の態様によると、投影データを再構成する放射線イメージング方法が開示される。前記投影データのボクセルに依存する補間が実行される。前記補間された投影データは3次元的に逆投影される。
本発明の1つの利点は、各ボクセルに対して動的な補間カーネルを適用することにある。
他の利点は、エイリアシング(aliasing)を減少することにある。
他の利点は、実質的に同じ視野(view)から投影された複数の光線を重み付けして、ボクセル単位(voxel-by-voxel basis)でインターリーブすることにある。
他の利点は、増大された解像度にある。
更に他の利点は、減少された画像アーチファクトにある。
好適な実施例の以下の詳細な記載を読むと、多くの追加の利点及び利益が当業者に明らかになる。
本発明は、様々な構成要素及び構成要素の構成、並びに様々な処理動作及び処理動作の構成で実現することができる。図面は、好適な実施例の説明の目的のみであり、本発明を限定することを意図されない。
図1を参照すると、コンピュータ断層撮影スキャナ10は、一実施例においてはX線管である、放射線源12を収容又は支持し、放射線源12は、スキャナ10により規定される検査領域14に放射線ビームを投影する。検査領域14を通過した後に、前記放射線ビームは、放射線検出器アレイ16により検出され、放射線検出器アレイ16は、検出器素子又は画素18のアレイを含み、検査領域14を通過した後に前記放射線ビームを検出するように構成される。検出器素子18は、好ましくは、画素の長方形マトリクスに配置される。放射線源12の典型的なX線管実施例において、前記X線管は、放射線検出器アレイ16の面積を実質的に満たすように検査領域14を通過するにつれて拡大する円錐ビーム、楔形ビーム又は他のビーム幾何学構成を持つ発散するX線ビームを生成する。
イメージング対象は、前記イメージング対象を検査領域14内に移動する寝椅子20又は他の支持台上に配置される。前記寝椅子は、図1のZ方向として示される軸方向OZに沿って直線状にに移動可能である。放射線源12及び放射線検出器16は、視野の角度範囲を与えるためにガントリ22の回転が検査領域14の周りで放射線源12の回転を生じるように、回転するガントリ22において検査領域14に対してそれぞれ反対側に取り付けられる。各検出器素子は、前記線源から前記検出器素子まで延在する線、光線、狭い円錐又は他の実質的に線状の投影に沿って取られた減衰線積分に対応する信号を検出するので、取得されたデータは投影データと称される。図1において回転するガントリ22に取り付けられた放射線源16が示されているが、しかしながら、X線検出器アレイ16を、静止したガントリ24の周りに取り付けられたX線検出器素子の2次元バンドにより置き換えることも考えられる。
一実施例において、軸方向投影データセット(axial projection data set)は、寝椅子20が静止している間に回転するガントリ22を用いて取得される。前記軸方向投影データセットは、前記軸又はZ方向に垂直な検出器素子の行又は列に対応する複数の軸方向スライス(axial slices)を含む。随意に、追加の軸方向スライスは、繰り返される軸方向スキャンを実行し、各軸方向スキャンの間に寝椅子20を移動することにより取得される。
他の実施例において、螺旋投影データセットは、寝椅子20上に配置された前記イメージング対象の周りで放射線源12の螺旋軌道を生成するように寝椅子20の連続的な直線運動と同時にガントリ22を回転することにより取得される。
典型的には、スキャン中に、各投影に沿って伝わる放射線の一部は、前記イメージング対象により吸収され、前記放射線の一般的に空間的に変化する減衰を生成する。放射線検出器アレイ16の前記検出器素子は、前記放射線ビームにわたり放射線強度をサンプリングし、放射線吸収投影データを生成する。放射線源12が検査領域14の周りで回転するようにガントリ22が回転すると、投影データの複数の角度視野が取得され、集合的に、バッファメモリ26に記憶される投影データセットを規定する。
マルチスライススキャナにおける線源に焦点を合わせた取得(source-focused acquisition)の幾何学構成に対して、バッファメモリ26に記憶された投影データセットの投影又は減衰線積分の読み出し(readings)は、P(α,β,n)としてパラメータ化されることができ、ここでαは回転するガントリ22の位置により決定される放射線源12の線源角度であり、βは扇内の角度であり(β∈[−Φ/2,Φ/2]ここでΦは扇角度)、nはOZ方向における検出器行数である。
再構成プロセッサ30は、フィルタ逆投影(fileterd backprojection)、反復的再構成又は他の画像再構成手法を使用して前記投影データセットを1つ以上の再構成画像に再構成し、前記1つ以上の再構成画像は再構成画像メモリ32に記憶される。前記再構成画像は、ビデオプロセッサ34により処理され、ユーザインターフェース36に表示されるか、又は別の方法で処理され、若しくは使用される。一実施例において、ユーザインターフェース36は、放射線技師、技術者又は他のオペレータが、選択された軸方向、螺旋又は他のコンピュータ断層撮影イメージングセッションを実施するようにコンピュータ断層撮影スキャナコントローラ38と相互作用することをも可能にする。
図2及び3を参照すると、第1のボクセルv1及び第2のボクセルv2は、検出器アレイ16上の同じ位置に投影される。各投影は、結果として視野(FOV、field of view)内のボクセルv1、v2の位置に依存して異なるフットプリント(footprint)を生じる。図2において見られることができるように、第2のボクセルv2より検出器アレイ16の近くに位置する第1のボクセルv1は、検出器アレイ16上により小さなフットプリントを作成し、およそ9つの画素又は検出器素子18と交差する。図3に見られるように、第1のボクセルv1より検出器アレイ16から離れて位置する第2のボクセルv2は、およそ30画素18の検出器アレイ16上のより大きなフットプリントを作成する。例えば、前記FOVにおける光線密度の変化のため、検出器16から離れて位置するボクセルは、より大きなフットプリントを作成し、検出器16の近くに位置するボクセルは、より小さなフットプリントを作成する。前記光線密度の変化のため、ボクセルv1、v2は、図2及び3に見られるように測定に異なって寄与し、これは、下でより詳細に論じられるように、アーチファクトを減少するために前記再構成ステップにおいて考慮される。
図1ないし3の参照を続け、更に図4を参照すると、フットプリント手段48は、前記光線密度の変化を考慮するために検出器アレイ16上のボクセルvフットプリントを補正し、この結果、前記補正されたフットプリントの下に位置する画素18のみが補間される。より具体的には、基底関数(basis function)手段50は、各ボクセルvに対して検出器16上に予め指定された基底関数を投影する。一般に、スキャンされる対象の連続的なμ値分布f(x)は、グリッド点xiを持つグリッド上に配置される係数ci及び基底関数b(x)の和により近似されることができ、即ち、
f'(x)=Σiib(x−xi)
であり、ここでciは画像表現の係数のセットであり、
b(x)は単位ボクセル基底関数である。
好ましくは、前記基底関数は、ボクセルvを検出器16上の球対称ブロブ(blob)に投影する、カイザー・ベッセル関数のような、球対称な連続基底関数である。球ボクセルの回転対称性は、前記画像表現の投影の効率的な計算を可能にする。しかしながら、基底関数が、ボクセルを楕円形、立方体又は他の適切な幾何学的形状に投影する他の適切な関数であってもよいことも考えられる。
スケーリング手段52は、前記投影を光線密度の比によりスケーリングする。一般に、各ボクセルvに対して、検出器16上のブロブのフットプリントのサイズは、軸方向OZに垂直な面における第1の光線密度比係数sxyと軸方向OZに平行な面における第2の光線密度比係数szとを用いてスケーリングされ、
xy=dd,xy/dv,xy
z=dd,z/dv,z
であり、ここで、dv,xy; dv,zはボクセル位置における光線密度であり、
d,xyは軸方向OZに垂直な面における検出器16上の光線密度であり、
d,zは軸方向OZに平行な面における検出器16上の光線密度である。
円錐ビーム幾何学構成が、焦点を中心に合わせられた(focus centered)検出器とともに使用される一実施例において、光子レートの密度(density of photon rate)は、線源12からの検出器16の距離と線源12からのボクセルvの距離とに依存して変化する。スケーリング手段52は、軸方向OZに垂直な面内のブロブフットプリントに第1の比係数sxyを適用し、
xy=Rd/Rv
と計算され、
ここで、Rdは検出器16から線源12までの距離であり、
vはボクセルvから線源12までの距離である。
スケーリング手段52は、軸方向OZに平行な面内のブロブフットプリントに第2の比係数szを適用し、
z=sxy/cos(γ)
と計算され、
ここで、sxyはガントリの面において適用される前記第1の比係数であり、
γは軸方向OZに垂直な面と線源12からボクセルvを指すベクトルとの間の角度である。
ブロブ修正手段54は、前記ブロブのフットプリントF(u,w)を変更し、ここでu及びwはそれぞれ軸方向OZに垂直な面及び軸方向OZに平行な面における検出器16上の座標である。前記ブロブの修正されたフットプリントは、F(u*sxy,w*sz)により表される。前記修正されたフットプリントは、データ取得のモデルに正確に適合する検出器16上の補間カーネル56を示す。例えば、前記修正されたフットプリントの下に位置する画素18が補間される。補正された修正フットプリント又は補正された投影データは、補正投影データメモリ58に記憶される。
ブロブのボクセルに依存してスケーリングされたフットプリントを持つ再構成画像は、ボクセルに独立な再構成より少ないアーチファクトを示す。
図1及び4の参照を続け、更に図5を参照すると、インターリーブ手段又はプロセス60は、補間重み係数に基づいて実質的に平行な重複光線(redundant rays)からの寄与を結合する。好ましくは、リビニング(rebinning)プロセッサ62は、円錐から平行なビーム幾何学構成に補正された投影データを平行な視野のセットにリビニングする。各視野は、等間隔のπ線を含み、π線は、前記回転軸に垂直であり、スキャンFOVと交差する、軸平面に含まれる線積分として規定される。前記リビニングは、P(α,β,n)→P(θ,l,n)と表されることができ、ここでθは、読み出しとアイソセンタとの間の距離と指定するlによりパラメータ化された平行読み出しからなる投影数をパラメータ化し、nは検出器行数である。リビニングされた平行光線投影データセットP(θ,l,n)は、リビニングデータメモリ64に記憶される。
1より多いπパートナ(π-partners)又は重複光線又は重複πパートナ又は寄与する投影66、68が、同じ角度θ及びわずかに異なる位置70、72でボクセルvと交差する場合、重複光線66、68は、解像度を増大するためにインターリーブされることができる。重複は、所定のボクセルと交差する一般に平行な光線を意味するように使用される。前記重複光線は、反対方向から前記ボクセルを横断してもよく、又は互いからわずかにオフセットされてもよい。好ましくは、πパートナグループ化手段74は、最大インターリーブに対して前記重複πパートナを一緒にグループ化する。前記グループ化されたπパートナは、重複πパートナメモリ76に記憶される。
図4ないし5の参照を続け、更に図6を参照すると、フラクショナル距離(fractional distance)決定手段80は、ボクセルvの中心点82から重複隣接光線66、68の各々の中心までのフラクショナル距離frac d1、d2を計算する。ボクセルvが2つの投影間にある場合、例えば、投影66、68がボクセルvにわずかに触れている場合、フラクショナル距離d1、d2は、それぞれ1/2に等しい。このような位置は、最小の好ましい位置であり、最小の補間重み係数を持つ。ボクセル中心82が投影光線66、68の1つに直接的に位置する場合、フラクショナル距離d1、d2の1つは0に等しい。このような投影に対して、最大の補間重み係数が与えられる。例えば、ボクセル中心82に最も近い光線は、重く重み付けされ、ボクセルvにわずかに触れる光線は軽く重み付けされる。
インターリーブ係数決定手段84は、重複πパートナ66、68の各セットに対してインターリーブ係数Ifを決定する。インターリーブ係数Ifは、最も効率的なインターリーブを達成するために、所定のボクセルvの逆投影中に前記補間された光線の重みを修正するために予め決定される。例えば、インターリーブ係数Ifが0に等しくなるように選択される場合、インターリーブされた重みは生じず、通常の補間が使用される。インターリーブ係数Ifが1より小さくなるように選択される場合、投影出力値Poutは、重複πパートナ又はインターリーブされた光線が存在しない場合には通常の補間に戻る。Ifの値が1に近づく場合、インターリーブされた光線は、投影出力値Poutを計算するために重く使用される。一般に、補間係数If値は、前記補間された光線が中点位置に正確に配置される場合に特異点を避けるために1より小さくなるように選択される。好ましくは、補間係数If値は、正規化において特異点を避けるために[1−(最小の非ゼロWt)]より小さい。インターリーブ係数Ifは、u(Iuf)及び/又はw(Iwf)方向において定められることができる。随意に、インターリーブ係数値Ifは視野毎に変化する。
補間重み係数手段86は、各寄与する投影66、68に対して補間重み係数Wtを生成し、即ち、
t=a|.5-frac|+b
であり、ここでfracは'x'方向における補間インデックスのフラクショナル部分(fractional part)であり、
a=2・Ifであり、
b=1−Iであり、
fは前記補間係数である。
正規化手段90は、他の重みが当技術分野において周知である再構成プロセス30において正規化されるのと同じように、寄与する投影66、68からの全ての重みの和によりボクセルvに対する計算された寄与を正規化し、即ち、
out=(Wt・W0・P)/Σ(Wt・W0)
であり、ここでPoutは投影出力値であり、
tは前記補間重み係数であり、
0は他の全ての重みであり、
Pは、u次元補間が値fracを使用する場合の補間された投影値である。
バックプロジェクタ(backprojector)92は、正規化された投影出力Poutを再構成画像メモリ32に逆投影する。
図1を再び参照し、図4ないし5の参照を続けると、インターリーブプロセス60は、当技術分野において既知である二重焦点スポット変調(DFS、dual focal spot modulation)を用いるイメージングシステムにおいて重複光線66、68からの寄与を結合する。DFSは、OW方向における放射線源12の二重焦点スポット変調の使用によりOW方向(軸方向OZに垂直な方向)においてより高いサンプリングレートを達成するために使用される。焦点スポットは、放射線源12のアノード102の斜めの面100上の2つの位置FS1とFS2との間でシフトされる。子午面(meridian plane)104上の黒丸は、焦点スポットFS1を使用して取得されたサンプルを示し、子午面104上の白い正方形は、焦点スポットFS2を使用して取得されたサンプルを示す。もちろん、他の多重焦点スポット変調も考えられる。
リビニングプロセッサ62は、2つの変調された焦点スポットFS1及びFS2の投影66及び68を平行ビーム幾何学構成にリビニングする。πパートナグループ化手段74は、最大のインターリーブに対して前記重複πパートナを一緒にグループ化する。フラクショナル距離決定手段80は、ボクセルvの中心点82から重複する隣接光線66及び68の各々までのフラクショナル距離frac d1、d2を計算する。インターリーブ係数決定手段84は、重複πパートナ66及び68の各々のセットに対してインターリーブ係数Ifを決定する。
補間重み係数手段86は、各寄与する投影66、68に対して補間重み係数Wtを生成し、即ち
t=a|.5-frac|+b
であり、ここでfracは'x'方向における補間インデックスのフラクショナル部分であり、
a=2・Ifであり、
b=1−Iであり、
fは前記補間係数である。
もちろん、180°の視野からの光線が同様に結合されることができることも考えられる。例えば、4つの光線が、前記ボクセルに対するフラクショナル距離に基づいて重み付けされ、前記重みの合計が正規化される。
正規化手段90は、寄与する投影66、68からの全ての重みの和によりボクセルvに対して計算された寄与を正規化し、即ち、
out=(Wt・W0・P)/Σ(Wt・W0)
であり、ここでPoutは投影出力値であり、
tは前記補間重み係数であり、
0は他の全ての重みであり、
Pは、u次元補間が値fracを使用する場合の補間された投影値である。
バックプロジェクタ92は、正規化された投影出力Poutを再構成画像メモリ32に逆投影する。
再構成プロセス30においてインターリーブプロセス60により得をするために、投影サンプルが、元のネイティブの幾何学的サンプリング位置及び(U及びWにおける)方向に可能な限り近くに配置されるべきであると理解されるべきである。例えば、U方向におけるリビニングは、好ましくは、スキャン中心の近くの元のサンプル位置を保持し、即ち、スキャン中心の近くのマッチする光線を用いてdU=Sdαである(dαは取得された投影における前記光線の元の角度間隔である)。同様に、W方向において実行されるリビニングは、好ましくは、前記円錐の中心の近くの元のサンプル位置を保持する。
本発明は、好適な実施例を参照して記載されている。明らかに、前述の詳細な記載を読み、理解すると、修正及び変更が他に思いつく。本発明が、添付の請求項又はこれらの同等物の範囲内にある限り全てのこのような修正及び変更を含むものとして解釈されることが意図される。
コンピュータ断層撮影イメージングシステムの概略的な表現図を示す。 検出器に投影された第1のボクセルを概略的に図示する。 検出器に投影された第2のボクセルを概略的に図示する。 コンピュータ断層撮影システムの一部の概略的な表現図を示す。 U方向に垂直にかつOZ方向に沿って見られる二重焦点スポットを概略的に図示する。 2つの実質的に平行なπパートナにより交差されるボクセルを概略的に図示する。

Claims (19)

  1. 投影データを再構成する放射線イメージング装置において、
    放射線検出器と、
    放射線の非平行ビームを視野に投影する放射線源と、
    前記投影データのボクセルに依存する補間を実行する補間手段と、
    前記補間された投影データを3次元的に逆投影する手段と、
    を有し、前記補間手段が、
    前記放射線検出器及び前記放射線源に対する前記視野内の前記ボクセルの位置に基づいて前記検出器に投影された各ボクセルのフットプリントを補正する手段、
    を含み、
    前記フットプリントを補正する手段が、
    前記検出器に予め指定された基底関数を投影する基底関数手段、
    を含み、
    前記フットプリントを補正する手段が、
    第1の光線密度比係数s xy =d d,xy /d v,xy により軸方向に垂直な面に沿って前記投影されたボクセルの前記フットプリントをスケーリングし、第2の光線密度比係数s z =d d,z /d v,z により前記軸方向に平行な面に沿って前記投影されたボクセルの前記フットプリントをスケーリングする手段であって、ここでd v,xy 、d v,z は前記視野内の前記ボクセルの位置における光線密度であり、d d,xy は前記軸方向に垂直な面における前記検出器上の光線密度であり、d d,z は前記軸方向に平行な面における前記検出器上の光線密度である、当該スケーリングする手段、
    を更に含む、
    放射線イメージング装置。
  2. 前記フットプリントを補正する手段が、
    第1の光線密度比係数sxy=Rd/Rvにより軸方向に垂直な面に沿って前記投影されたボクセルの前記フットプリントをスケーリングし、第2の光線密度比係数sz=sxy/cos(γ)により前記軸方向に平行な面に沿って前記投影されたボクセルの前記フットプリントをスケーリングする手段であって、ここでRdは前記線源からの前記検出器の距離であり、Rvは前記線源からの前記ボクセルの距離であり、γは前記軸方向に垂直な面と前記線源から前記ボクセルを指すベクトルとの間の角度である、当該スケーリングする手段、
    を更に含む、請求項に記載の装置。
  3. 前記フットプリントを補正する手段が、
    前記検出器上の前記ボクセルの前記フットプリントの座標(u,w)を座標(u*sxy,w*sz)に変更するために前記投影されたボクセルの前記フットプリントを修正する手段であって、ここでu及びwは、それぞれ前記軸方向に垂直な面及び前記軸方向に平行な面における前記検出器上の前記投影されたボクセルの前記フットプリントの座標である、当該修正する手段、
    を更に含む、請求項に記載の装置。
  4. ボクセルの中心点から隣接する重複投影の各々の中心までのフラクショナル距離fracを決定する手段と、
    少なくとも前記フラクショナル距離fracに基づいてインターリーブ係数Ifを決定する手段と、
    前記重複投影の各々に対して補間重み係数を計算する手段と、
    を更に含む、請求項に記載の装置。
  5. 実質的に平行な重複投影からの寄与を結合する手段、
    を更に含む、請求項1に記載の装置。
  6. 前記結合する手段が、
    ボクセルの中心点から隣接する前記重複投影の各々の中心までのフラクショナル距離fracを決定する手段、
    を含む、請求項に記載の装置。
  7. 前記結合する手段が、
    少なくとも前記フラクショナル距離fracに基づいてインターリーブ係数Ifを決定する手段と、
    前記重複投影の各々に対して補間重み係数Wt=a|.5-frac|+bを計算する手段であって、ここでfracは軸方向に垂直な方向におけるフラクショナル距離であり、a=2・If、b=1−Ifであり、Ifが前記決定された補間係数である、当該計算する手段と、
    を更に含む、請求項に記載の装置。
  8. 前記計算された補間重み係数を、前記重複投影からの全ての重みの和により正規化する手段であって、Pout=(Wt・W0・P)/Σ(Wt・W0)であり、ここでPoutは投影出力値であり、Wtは前記補間重み係数であり、W0は他の全ての重みを表し、Pは、前記補間された投影値である、当該正規化する手段、
    を更に含む、請求項に記載の装置。
  9. 前記軸方向に垂直にサンプリングレートを増大する焦点スポット変調を提供する放射線源であって、前記焦点スポット変調が、前記軸方向に沿って解像度を増大するように効果的にインターリーブされた少なくとも2つの実質的に平行な投影を生成する、当該放射線源、
    を更に含む、請求項に記載の装置。
  10. 前記放射線源が配置されたガントリであって、前記ガントリが、前記投影データセットが180°だけ角度的に離れた対応する対向する投影を含むように前記投影データセットの取得中に関連したイメージング対象の周りで前記放射線源を回転する、当該ガントリと、
    前記投影データセットを平行投影視野にリビニングするリビニングプロセッサであって、前記結合手段が180°の重複投影からの寄与を結合する、当該リビニングプロセッサと、
    を更に含む、請求項に記載の装置。
  11. 投影データを再構成する放射線イメージング方法において、
    検出器に予め指定された基底関数を投影するステップと、
    前記投影データのボクセルに依存する補間を実行するステップと、
    前記補間された投影データを3次元的に逆投影するステップと、
    を有し、前記補間を実行するステップが、
    前記放射線検出器及び放射線源に対する視野内の前記ボクセルの位置に基づいて各投影されたボクセルのフットプリントを補正するステップ、
    を含み、
    前記フットプリントを補正するステップが、
    第1の光線密度比係数s xy =d d,xy /d v,xy により軸方向に垂直な面に沿って前記投影されたボクセルの前記フットプリントをスケーリングし、第2の光線密度比係数s z =d d,z /d v,z により前記軸方向に平行な面に沿って前記投影されたボクセルの前記フットプリントをスケーリングするステップであって、ここでd v,xy 、d v,z は前記視野内の前記ボクセルの位置における光線密度であり、d d,xy は前記軸方向に垂直な面における前記検出器上の光線密度であり、d d,z は前記軸方向に平行な面における前記検出器上の光線密度である、当該スケーリングするステップ、
    を含む、方法。
  12. 前記基底関数が、
    前記ボクセルを前記ボクセルの球対称なフットプリントに投影する球連続基底関数と、
    カイザー・ベッセル関数と、
    ガウス関数と、
    の1つである、請求項11に記載の方法。
  13. 前記フットプリントを補正するステップが、
    前記フットプリントを補正する手段が、
    第1の光線密度比係数sxy=Rd/Rvにより軸方向に垂直な面に沿って前記投影されたボクセルの前記フットプリントをスケーリングし、第2の光線密度比係数sz=sxy/cos(γ)により前記軸方向に平行な面に沿って前記投影されたボクセルの前記フットプリントをスケーリングするステップであって、ここでRdは前記線源からの前記検出器の距離であり、Rvは前記線源からの前記ボクセルの距離であり、γは前記軸方向に垂直な面と前記線源から前記ボクセルを指すベクトルとの間の角度である、当該スケーリングするステップ、
    を含む、請求項11に記載の方法。
  14. 前記検出器上の前記ボクセルフットプリントの座標(u,w)を座標(u*sxy,w*sz)に変更するために前記投影されたボクセルの前記フットプリントを修正するステップであって、ここでu及びwは、それぞれ前記軸方向に垂直な面及び前記軸方向に平行な面における前記検出器上の前記投影されたボクセルのフットプリントの座標である、当該修正するステップ、
    を更に含む、請求項13に記載の方法。
  15. ボクセルの中心点から隣接する重複投影までのフラクショナル距離fracを決定するステップと、
    前記重複投影からの寄与を結合するステップと、
    を更に含む、請求項11に記載の方法。
  16. 前記フットプリントを補正するステップが、
    第1の光線密度比係数sxy=dd,xy/dv,xyにより軸方向に垂直な面に沿って前記投影されたボクセルの前記フットプリントをスケーリングし、第2の光線密度比係数sz=dd,z/dv,zにより前記軸方向に平行な面に沿って前記投影されたボクセルの前記フットプリントをスケーリングするステップであって、ここでdv,xy、dv,zは前記視野内の前記ボクセルの位置における光線密度であり、dd,xyは前記軸方向に垂直な面における前記検出器上の光線密度であり、dd,zは前記軸方向に平行な面における前記検出器上の光線密度である、当該スケーリングするステップ、
    を含む、請求項15に記載の方法。
  17. 前記重複投影の各々に対して補間重み係数Wt=a|.5-frac|+bを計算するステップであって、ここでfracは軸方向に垂直な方向におけるフラクショナル距離であり、a=2・If、b=1−Ifであり、Ifが予め決定された補間係数である、当該計算するステップ、
    を更に含む、請求項15に記載の方法。
  18. 前記計算された補間重み係数を、前記重複投影からの全ての重みの和により正規化するステップであって、Pout=(Wt・W0・P)/Σ(Wt・W0)であり、ここでPoutは投影出力値であり、Wtは前記補間重み係数であり、W0は他の全ての重みを表し、Pは、前記補間された投影値である、当該正規化するステップ、
    を更に含む、請求項17に記載の方法。
  19. 請求項11に記載の方法を実行するコンピュータ断層撮影装置。
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