JP5132993B2 - カーボンナノチューブの整列を用いた電界放出エミッタ電極の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明で使用されるカーボンナノチューブは、特に限定されず、市販される製品を購入して使用し、或いは通常の方法によって製造して使用することができる。本発明にカーボンナノチューブを適用するためには、カーボンナノチューブの表面が綺麗でなければならず、金属触媒を含まなければならない。また、本発明のカーボンナノチューブは、単一壁、二重壁または多重壁であることを特徴とすることができ、Hipco(High Pressure CO disproportionation)工程によって製造できる。
前記第1段階で製造されたカーボンナノチューブの磁性粒子を結合させるために、塩化鉄(FeCl3)、酸化第一鉄(FeO)、酸化第二鉄(Fe2O3)及び四酸化三鉄(Fe3O4)をエタノール、蒸留水及びヘキサンの混合液に仕込み、加熱して鉄−オリエート複合体(iron-oleate complex)を製造する。前記方法によって製造された鉄−オリエート複合体をオレイン酸とジメチルホルムアミド(DMF)に混合した後、前記混合液に、第1段階から製造されたカーボンナノチューブを添加する。カーボンナノチューブが添加された混合溶液を1−オクタデセン(1-octadecene)に完全に溶かした後、加熱して前記混合物の溶媒を蒸発させ、蒸発後に残った混合物をエタノールで3〜4回洗浄し、磁性粒子が結合されたカーボンナノチューブを製造する。
前記第2段階で製造された磁性粒子が結合したカーボンナノチューブをジメチルホルムアミド(DMF)、N−メチル−ピロリドン(NMP)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、シクロヘキサノン、エチルアルコール、クロロベンゼン、クロロホルム及び1、2−ジクロロベンゼンなどの溶媒に希釈させた後、磁場をかけた磁石上に固定されたインジウムスズ酸化物ガラスの基板に対して0.001〜1.0重量%を滴下させ、溶媒を蒸発させる。
前記第3段階で製造された溶媒が全て蒸発したインジウムスズ酸化物ガラス基板上に、さらに磁性粒子と結合したカーボンナノチューブを溶媒に希釈させた分散液を1〜2滴、滴下させた後、高温状態で溶媒を蒸発させる。磁性粒子と結合したカーボンナノチューブの密度を増加させるために、前記過程を5〜20回繰り返し行うことができる。前記方法によって製造された磁性粒子と結合したカーボンナノチューブは、磁場の発生方向に整列されている。
前記第4段階で製造された磁場によって整列されているカーボンナノチューブが磁場のない状況でも磁場の発生方向に整列されているようにするために、前記基板上にチタニウム(Ti)、モリブデン(Mo)、金(Au)、アルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)、カドミウム(Cd)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、亜鉛(Zn)および銅(Cu)よりなる群から選択される金属を蒸着させ、純粋な電界放出エミッタ電極を製造する。
カーボンナノチューブ500mgを365℃の炉(furnace)に入れ、0.1SLM(Standard Liters per Minute)の空気を注入しながら90分間熱処理した。前記熱処理されたカーボンナノチューブを塩酸500mLに仕込み、1時間ソニケーションを行った後、1μmのフィルターで濾過し、再び塩酸500mLに濾過された前記のカーボンナノチューブを入れて1時間ソニケーションを行った後、1μmのフィルターで濾過した。前記塩酸処理過程を3〜5回繰り返し行ってカーボンナノチューブを綺麗に精製して透過電子顕微鏡(TEM)写真から精製の前後を観察した(図2)。その結果、図2に示すように、カーボンナノチューブが精製される前には不純物を含んでいたが(図2a)、精製後には純粋なカーボンナノチューブのみがあることが分かった(図2b)。前記綺麗に精製された、カーボンナノチューブを硫酸と過酸化水素混合溶液(体積比4:1)に浸漬して9時間常温で攪拌して切断した後、蒸留水で希釈して500nmのフィルターで濾過し、120℃のオーブンで12時間以上乾燥させた。
塩化鉄(FeCl3・6H2O)10.8gとオレイン酸ナトリウム(C18H33NaO2)36.5gをエタノール80mL、蒸留水60mL及びヘキサン140mLの混合液に仕込み、70℃で4時間加熱して鉄−オリエート複合体を製造した。前記方法によって製造された鉄−オリエート複合体12g、オレイン酸2.83g及び3mLジメチルホルムアミド(DMF)溶媒を互いに混合し、実施例1で製造されたカーボンナノチューブ150mgを前記混合物に分散させた。
実施例2で製造された磁性粒子と結合したカーボンナノチューブ5mgをジメチルホルムアミド(DMF)50mLに分散させた後、前記分散液10mLを純粋なジメチルホルムアミド(DMF)40mLに希釈させた。
実施例3で製造されたジメチルホルムアミド(DMF)がすべて蒸発したインジウムスズ酸化物ガラス基板上に、磁性粒子と結合したカーボンナノチューブをジメチルホルムアミドに希釈させた分散液を1μLずつさらに滴下させた。その後、オーブンの温度を10分間120℃に維持し、ジメチルホルムアミド(DMF)を蒸発させた。磁性粒子と結合したカーボンナノチューブの密度を増加させるために、前記過程を数十回繰り返し行った。
前記磁性粒子と結合したカーボンナノチューブが磁場のない状況でも磁場の発生方向によって整列されるようにするために、e−ビーム蒸着器(MooHan Co.Ltd.,韓国)でチタニウム(Ti)を常温で0.5nm/secの速度で総高さが30nm、70nmとなるように蒸着した。蒸着が終わった後、磁石を除去して純粋な電界放出エミッタ電極を製造した。その結果、図5に示すように、磁場によるカーボンナノチューブが磁場の発生方向によって整列されることが分かった。
Claims (12)
- 下記の段階を含むカーボンナノチューブが磁場の発生方向によって整列された電界放出エミッタ電極の製造方法:
(a)磁性粒子が化学的に結合したカーボンナノチューブを有機溶媒に希釈させた分散液を、0.005〜10テスラ(T)の磁場を印加した磁場発生装置の上端に固定された基板上に分散させる段階;
(b)前記基板上に分散した分散液の有機溶媒を蒸発させ、カーボンナノチューブを磁場内で磁場の方向によって整列させる段階;及び
(c)前記磁場の発生方向によって整列されたカーボンナノチューブが磁場のない状態でも整列方向に固定されるようにするために、0.005〜10テスラ(T)の磁場を印加した状態で、前記基板上に金属を蒸着させる段階。 - 前記磁場発生方向は基板に垂直、水平または垂直と水平の間の任意の角度であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記磁性粒子は鉄(Fe)含有粒子であることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記(a)段階でカーボンナノチューブを有機溶媒に希釈させた分散液を基板上に分散させる方法は、スピンコーティング方法、スプレー方法、ディップコーティング方法およびインクジェット方法よりなる群から選択されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記(a)段階および前記(b)段階を1〜1000回繰り返し行い、カーボンナノチューブの密度を増加させることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記(a)段階の溶媒は、水(H2O)、ジメチルホルムアミド(DMF)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、シクロヘキサノン、エチルアルコール、クロロホルム、ジクロロメタン、エチルエーテル及び1、2−ジクロロベンゼンよりなる群から選択されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記(a)段階の基板は、インジウムスズ酸化物ガラス、ガラス、水晶(quartz)、ガラス基板、シリコン基板、応用シリカ、プラスチックおよび透明高分子よりなる群から選択されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記(a)段階のカーボンナノチューブの分散液の濃度は0.001〜1.0重量%であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記(b)段階で溶媒を20〜300℃に昇温して除去することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記(a)段階で基板上に分散させるカーボンナノチューブの量は1pg/cm2〜1g/cm2であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記(c)段階の金属は1〜5000nmで蒸着することを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記(c)段階の金属はチタニウム(Ti)、モリブデン(Mo)、金(Au)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)、カドミウム(Cd)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、亜鉛(Zn)及び銅(Cu)よりなる群から選択されることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
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