JP2010500719A - ナノワイヤーの整列を用いた電界放出エミッタ電極の製造方法 - Google Patents
ナノワイヤーの整列を用いた電界放出エミッタ電極の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010500719A JP2010500719A JP2009523707A JP2009523707A JP2010500719A JP 2010500719 A JP2010500719 A JP 2010500719A JP 2009523707 A JP2009523707 A JP 2009523707A JP 2009523707 A JP2009523707 A JP 2009523707A JP 2010500719 A JP2010500719 A JP 2010500719A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nanowires
- substrate
- electric field
- aligned
- nanowire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30403—Field emission cathodes characterised by the emitter shape
- H01J2201/3043—Fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30403—Field emission cathodes characterised by the emitter shape
- H01J2201/30434—Nanotubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
本発明は、ナノワイヤーが、電磁気場の発生方向に沿って、水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列された電界放出エミッタ電極の製造方法に係り、さらに詳しくは、ナノワイヤーを溶媒に希釈させた後、電磁気場発生装置の上に固定された基板の上に分散させて電磁気場の発生方向に整列されたナノワイヤーを固定するステップを含む、ナノワイヤーが、電磁気場の発生方向に沿って、垂直、水平、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列された電界放出エミッタ電極の製造方法に関する。本発明によれば、簡単な工程により、大面積に亘って高密度に電磁気場の発生方向に沿って整列されたナノワイヤーが得られ、電界放出ディスプレイ(FED)、センサー、電極、バックライトなどの陽極素子として応用することができる。
Description
本発明は、ナノワイヤーが、電磁気場の発生方向に沿って、水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列された電界放出エミッタ電極の製造方法に係り、さらに詳しくは、ナノワイヤーを溶媒に希釈させた後、電磁気場発生装置の上に固定された基板の上に分散させて電磁気場の発生方向に整列されたナノワイヤーを固定するステップを含む、ナノワイヤーが、電磁気場の発生方向に沿って、垂直、水平、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列された電界放出エミッタ電極の製造方法に関する。
電界放出装置とは、真空中における電子の放出に基づく光源であって、強い電場により微細粒子から放出された電子を加速化させて蛍光物質と衝突する原理により発光するような素子のことを言う。前記電界放出装置は、白熱電球などの一般の照明光源に比べて発光効率に優れており、小型軽量化が可能であるだけではなく、蛍光灯などのように重金属を使用しないことから環境に優しいというメリットがあって、各種の照明分野及びディスプレイ装置の次世代光源として脚光を浴びている。
かような電界放出装置の性能は、電界を放出可能なエミッタ電極により大きく左右される。近年、優れた電子放出特性を有するエミッタ電極のための電子放出材料として、数千以上のアスペクト比(縦横比)を有するという特性から、ナノワイヤーが用いられている。
前記ナノワイヤーを電界放出エミッタ電極に適用する方法は、大きく、2種類、すなわち、化学気相蒸着法を用いる薄膜工程と、スクリーン印刷を用いる厚膜工程と、に大別できる。これらの工程はそれぞれ問題点を有している。すなわち、薄膜工程の場合には、基板の上部に直接的に成長することにより工程が単純化するというメリットはあるが、これを応用したディスプレイが大型化すれば問題点が発生する。特に、成長時におけるガラス基板温度のバラツキと変形の問題、長さ制御の問題及び金属電極成長時における温度による剥離現象などが主な問題点として掲げられている。一方、数μmから数十μmの伝導性金属(Ag、Mo、W、Mo/Mn)をペースト化またはスラリー化して使用する厚膜工程は、大面積の電界放出アレイへの応用が容易であるのに対し、工程が複雑であり、しかも、真空状態におけるペーストに含まれている有機物からのガスの放出により、ディスプレイ工程時に重要視される真空の確保が困難になるという問題点がある。
上記の理由から、当業界においては、製造工程が簡単であり、且つ、ナノワイヤーが大面積に亘って高密度をもって特定の方向に整列された電界放出エミッタ電極の製造方法の開発が切望されているのが現状である。
そこで、本発明者らは、従来の方法によりナノワイヤーを整列させる場合に発生する問題点を解消するために鋭意努力した結果、ナノワイヤーを電磁気場発生装置の上に固定された基板の上に整列した後、金属を用いてナノワイヤーを固定したところ、広い面積の高密度の電界放出エミッタ電極が製造可能になるということを見出し、本発明を完成するに至った。
《技術的課題》
要するに、本発明の目的は、大面積に亘って高密度に整列されたナノワイヤーを基板の上に金属を用いて固定してなる、電界放出特性が高い電界放出エミッタ電極及びその製造方法を提供するところにある。
要するに、本発明の目的は、大面積に亘って高密度に整列されたナノワイヤーを基板の上に金属を用いて固定してなる、電界放出特性が高い電界放出エミッタ電極及びその製造方法を提供するところにある。
前記目的を達成するために、本発明は、(a)ナノワイヤーまたは磁性粒子が結合されたナノワイヤーを有機溶媒に希釈させた分散液を、磁場発生装置の上に固定された基板の上に分散させるステップと、(b)前記基板の上に分散された溶液から有機溶媒を蒸発させて、ナノワイヤーを、磁場中において、磁場の方向に沿って水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列するステップと、(c)磁場の方向に沿って、水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列されたナノワイヤーが磁場のない状態においても整列された方向に固定されるようにするために、前記基板の上に金属を蒸着するステップと、を含む、ナノワイヤーが磁場の方向に沿って水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列された電界放出エミッタ電極の製造方法を提供する。
また、本発明は、(a)ナノワイヤーを有機溶媒に希釈させた分散液を、電場発生装置の上に固定された基板の上に分散させるステップと、(b)前記基板の上に分散された溶液から有機溶媒を蒸発させて、ナノワイヤーを、電場中において、基板の上に、電場発生方向に沿って水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列するステップと、(c)前記電場発生方向に沿って水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列されたナノワイヤーが電場のない状態においても整列された方向に固定されるようにするために、前記基板の上に金属を蒸着するステップと、を含む、ナノワイヤーが電場の発生方向に水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列された電界放出エミッタ電極の製造方法を提供する。
さらに、本発明は、上記の方法により製造され、金属が蒸着された基板の上に磁性粒子が結合されたナノワイヤーが、磁場方向に沿って、水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列された電界放出エミッタ電極を提供する。
本発明の他の特徴及び具現例は、下記の詳細な説明及び特許請求の範囲からなお一層明らかになる。
ナノワイヤーとは、一般に、ナノ(10−9m)寸法の物質をいい、表面と質量との比が大きなため、ナノ寸法の物質は、表面における化学反応や表面における欠陥に起因する光学的な性質と電気及び熱伝導度に優れており、その結果、アレイを構成するそれぞれの金属ナノワイヤーを用いることにより、優れた電界放出エミッタ電極を製造することが可能になる。
本発明は、一つの観点において、(a)ナノワイヤーまたは磁性粒子が結合されたナノワイヤーを有機溶媒に希釈させた分散液を、磁場発生装置の上に固定された基板の上に分散させるステップと、(b)前記基板の上に分散された溶液から有機溶媒を蒸発させて、ナノワイヤーを、磁場中において、磁場の方向に沿って水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列するステップと、(c)磁場の方向に沿って、水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列されたナノワイヤーが磁場のない状態においても整列された方向に固定されるようにするために、前記基板の上に金属を蒸着するステップと、を含む、ナノワイヤーが磁場の方向に沿って水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列された電界放出エミッタ電極の製造方法に関する。
ナノワイヤーは、自己集合超分子体(self assembled supermolecules)の六角立方ナノ構造を用いたナノワイヤーの製造により、作用基を有し、且つ、自己集合可能な超分子体に金属イオンを結合して超分子体‐金属イオン複合体を製造した後、基板の上に超分子体-金属イオン複合体よりなる薄膜を形成し、前記有機分子が自己集合により円柱状構造を有しうることが好ましい。
本発明において、前記磁性粒子が結合されたナノワイヤーは、磁性粒子とナノワイヤーが物理化学的な方法により結合されていることを特徴とし、前記物理化学的な方法は、ナノワイヤーを酸処理する方法と、磁性粒子を還元させる方法及び磁性粒子をめっきする方法よりなる群から選ばれることを特徴とする。
本発明において、前記磁性粒子は、鉄(Fe)含有粒子であることを特徴とする。
本発明は、他の観点において、(a)ナノワイヤーを有機溶媒に希釈させた分散液を、電場発生装置の上に固定された基板の上に分散させるステップと、(b)前記基板の上に分散された溶液から有機溶媒を蒸発させて、ナノワイヤーを、電場中において、基板の上に、電場発生方向に沿って水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列するステップと、(c)前記電場発生方向に沿って水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列されたナノワイヤーが電場のない状態においても整列された方向に固定されるようにするために、前記基板の上に金属を蒸着するステップと、を含む、ナノワイヤーが電場の発生方向に水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列された電界放出エミッタ電極の製造方法に関する。
本発明において、前記(a)ステップにおける電場発生装置は電界であることを特徴とし、前記電界の電場は1〜50V/mmであることを特徴とする。
本発明において、前記(a)ステップにおいては、溶媒分散補助剤をさらに添加することを特徴とし、前記溶媒分散補助剤は、有機溶媒であるTOAB(tetra otylammonium bromide)と、界面活性剤であるTriton X−100及びSDS(sodium dodecylsurfate)よりなる群から選ばれることを特徴とする。
本発明において、前記(a)ステップにおける、ナノワイヤーを有機溶媒に希釈させた分散液を基板の上に分散させる方法は、スピンコート方法、スプレイ方法、ディップコート方法及びインクジェット方法よりなる群から選ばれることを特徴とし、前記(a)ステップ及び(b)ステップを5〜1000回繰り返し行うことにより、ナノワイヤーの密度を高めることを特徴とする。
本発明において、前記(a)ステップにおける溶媒は、水(H2O)、ジメチルホルムアミド(DMF)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、シクロヘキサノン、エチルアルコール、クロロホルム、ジクロロメタン及びエチルエーテルよりなる群から選ばれることを特徴とし、前記(a)ステップにおける基板は、インジウムスズ酸化物ガラス(ITOガラス)、ガラス、水晶、ガラスウェーハ、シリコンウェーハ、溶融シリカ、プラスチック及び透明高分子よりなる群から選ばれることを特徴とする。
本発明において、前記(a)ステップにおけるナノワイヤーの分散液の濃度は0.01〜1.0重量%であることを特徴とし、前記(b)ステップにおいて、溶媒を50〜150℃に昇温した上で除去することを特徴とする。
本発明において、前記(a)ステップにおける基板上への分散ナノワイヤーの量は1pg/cm2〜1g/cm2であることを特徴とし、前記(c)ステップにおける金属は1〜5000nmに蒸着することを特徴とする。
本発明において、前記(c)ステップにおける金属は、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、金(Au)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)、カドミウム(Cd)、鉄(fe)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、亜鉛(Zn)及び銅(Cu)よりなる群から選ばれることを特徴とする。
本発明は、さらに他の観点において、前記方法により製造され、金属が蒸着された基板の上に磁性粒子が結合されたナノワイヤーが磁場方向に沿って水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列された電界放出エミッタ電極に関する。
以下、前記電界放出エミッタ電極の製造方法を5ステップに分けて詳述する。
第1ステップ:ナノワイヤーの製造
本発明において用いられるナノワイヤーは、自己集合超分子体の六角立方ナノ構造を用いたナノワイヤー製造により、作用基を有し、且つ、自己集合可能な超分子体に金属イオンを結合して超分子体-金属イオン複合体を製造した後、基板の上に超分子体-金属イオン複合体よりなる薄膜を形成し、前記有機分子が自己集合により円柱状構造を有するように熱処理及び還元するステップを経て製造される。
本発明において用いられるナノワイヤーは、自己集合超分子体の六角立方ナノ構造を用いたナノワイヤー製造により、作用基を有し、且つ、自己集合可能な超分子体に金属イオンを結合して超分子体-金属イオン複合体を製造した後、基板の上に超分子体-金属イオン複合体よりなる薄膜を形成し、前記有機分子が自己集合により円柱状構造を有するように熱処理及び還元するステップを経て製造される。
第2ステップ:ナノワイヤーと磁性粒子との結合
前記第1ステップにおいて製造されたナノワイヤーと磁性粒子を結合するために、塩化鉄(FeCl3)、酸化第一鉄(FeO)、酸化第二鉄(Fe2O3)及び四酸化三鉄(Fe3O4)をエタノール、蒸留水及びヘキサンの混合液に入れ、加熱して鉄-オレイン酸複合体を製造する。前記方法により製造された鉄-オレイン酸複合体をオレイン酸とジメチルホルムアミド(DMF)に混合した後、前記混合液に第1ステップにおいて製造されたナノワイヤーを添加する。ナノワイヤーが添加された混合溶液を1−オクタデセンに完全に溶かした後、加熱して前記混合物の溶媒を蒸発させ、蒸発されずに残留する混合物をエタノールにより3〜4回に亘って洗浄して磁性粒子が結合されたナノワイヤーを製造する。
前記第1ステップにおいて製造されたナノワイヤーと磁性粒子を結合するために、塩化鉄(FeCl3)、酸化第一鉄(FeO)、酸化第二鉄(Fe2O3)及び四酸化三鉄(Fe3O4)をエタノール、蒸留水及びヘキサンの混合液に入れ、加熱して鉄-オレイン酸複合体を製造する。前記方法により製造された鉄-オレイン酸複合体をオレイン酸とジメチルホルムアミド(DMF)に混合した後、前記混合液に第1ステップにおいて製造されたナノワイヤーを添加する。ナノワイヤーが添加された混合溶液を1−オクタデセンに完全に溶かした後、加熱して前記混合物の溶媒を蒸発させ、蒸発されずに残留する混合物をエタノールにより3〜4回に亘って洗浄して磁性粒子が結合されたナノワイヤーを製造する。
第3ステップ:基板の上への磁性粒子との結合ナノワイヤーの分散
前記第2ステップにおいて製造された磁性粒子が結合されたナノワイヤーを、ジメチルホルムアミド(DMF)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、シクロヘキサノン、エチルアルコール、クロロベンゼン及びクロロホルムなどの溶媒に希釈させた後、磁場をかけた磁石の上に固定されたインジウムスズ酸化物ガラス(ITOガラス)基板に0.01〜0.5重量%滴下して溶媒を蒸発させる。
前記第2ステップにおいて製造された磁性粒子が結合されたナノワイヤーを、ジメチルホルムアミド(DMF)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、シクロヘキサノン、エチルアルコール、クロロベンゼン及びクロロホルムなどの溶媒に希釈させた後、磁場をかけた磁石の上に固定されたインジウムスズ酸化物ガラス(ITOガラス)基板に0.01〜0.5重量%滴下して溶媒を蒸発させる。
第4ステップ:基板の上への磁性粒子との結合ナノワイヤーの密度増加
前記第3ステップにおいて製造された溶媒が完全に蒸発されたインジウムスズ酸化物ガラス(ITOガラス)基板の上に、さらに磁性粒子と結合されたナノワイヤーを溶媒に希釈させた溶液を1〜2滴滴下した後、高温状態において溶媒を蒸発させる。磁性粒子と結合されたナノワイヤーの密度を高めるために、上記の過程を5〜20回繰り返し行ってもよい。前記方法により製造された磁性粒子と結合されたナノワイヤーは、磁場の発生方向に整列される。
前記第3ステップにおいて製造された溶媒が完全に蒸発されたインジウムスズ酸化物ガラス(ITOガラス)基板の上に、さらに磁性粒子と結合されたナノワイヤーを溶媒に希釈させた溶液を1〜2滴滴下した後、高温状態において溶媒を蒸発させる。磁性粒子と結合されたナノワイヤーの密度を高めるために、上記の過程を5〜20回繰り返し行ってもよい。前記方法により製造された磁性粒子と結合されたナノワイヤーは、磁場の発生方向に整列される。
第5ステップ:基板の上への磁性粒子との結合ナノワイヤーの固定
前記第4ステップにおいて製造された磁場により、水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列されているナノワイヤーが磁場のない状況においても磁場の発生方向に整列されるようにするために、前記基板の上にチタン(Ti)、モリブデン(Mo)、金(Au)、アルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)、カドミウム(Cd)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、亜鉛(Zn)、銅(Cu)よりなる群から選ばれる金属を蒸着させて純粋な電界放出エミッタ電極を製造する。
前記第4ステップにおいて製造された磁場により、水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列されているナノワイヤーが磁場のない状況においても磁場の発生方向に整列されるようにするために、前記基板の上にチタン(Ti)、モリブデン(Mo)、金(Au)、アルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)、カドミウム(Cd)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、亜鉛(Zn)、銅(Cu)よりなる群から選ばれる金属を蒸着させて純粋な電界放出エミッタ電極を製造する。
以上、電磁気場発生装置が磁石であり、ナノワイヤーに磁性粒子を結合して整列する方法についてのみ詳述したが、上記の方法により、電場発生装置が電界であり、ナノワイヤー溶液に界面活性剤を添加して基板の上にナノワイヤーを整列したり、純粋なナノワイヤーを電磁気場発生装置上の基板に整列したりして電界放出エミッタ電極を製造することもできる。
以上、詳述したように、本発明によれば、大面積に亘って高密度に、水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列されたナノワイヤーの固有性質である高い電界放出効果を用いて、電界放出効果を大幅に高めることができ、本発明の方法により製造された電界放出エミッタ電極はディスプレイ用の電界放出エミッタ電極として用いることが可能であるだけではなく、電界放出現象を用いる走査電子顕微鏡(Scanning electron microscope;SEM)及び透過電子顕微鏡(Transmission electron microscope;TEM)に応用することができる。
以上、本発明の内容の特定の部分を詳述したが、当業界における通常の知識を有する者にとって、このような具体的な記述は単なる好適な実施様態に過ぎず、これにより本発明の範囲が制限されることはないという点は明らかであろう。よって、本発明の実質的な範囲は特許請求の範囲とこれらの等価物により定まると言えるであろう。
Claims (19)
- 以下のステップを含む、ナノワイヤーが磁場の方向に沿って水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列された電界放出エミッタ電極の製造方法:
(a)ナノワイヤーまたは磁性粒子が結合されたナノワイヤーを有機溶媒に希釈させた分散液を、磁場発生装置の上に固定された基板の上に分散させるステップと、
(b)前記基板の上に分散された溶液から有機溶媒を蒸発させて、ナノワイヤーを、磁場中において、磁場の方向に沿って水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列するステップと、
(c)磁場の方向に沿って、水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列されたナノワイヤーが磁場のない状態においても整列された方向に固定されるようにするために、前記基板の上に金属を蒸着するステップ。 - 前記磁性粒子が結合されたナノワイヤーは、磁性粒子とナノワイヤーが物理化学的な方法により結合されていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記物理化学的な方法は、ナノワイヤーを酸処理する方法と、磁性粒子を還元させる方法及び磁性粒子をめっきする方法よりなる群から選ばれることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記磁性粒子は、鉄(Fe)含有粒子であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 以下のステップを含む、ナノワイヤーが電場の発生方向に水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列された電界放出エミッタ電極の製造方法:
(a)ナノワイヤーを有機溶媒に希釈させた分散液を、電場発生装置の上に固定された基板の上に分散させるステップと、
(b)前記基板の上に分散された溶液から有機溶媒を蒸発させて、ナノワイヤーを、電場中において、基板の上に、電場発生方向に沿って水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列するステップと、
(c)前記電場発生方向に沿って水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列されたナノワイヤーが電場のない状態においても整列された方向に固定されるようにするために、前記基板の上に金属を蒸着するステップ。 - 前記(a)ステップにおける電場発生装置は電界(electric field)であることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記電界の電場は1〜50V/mmであることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記(a)ステップにおいて、溶媒分散補助剤をさらに添加することを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記溶媒分散補助剤は、有機溶媒であるTOAB(tetra otylammonium bromide)と、界面活性剤であるTriton X−100及びSDS(sodium dodecylsurfate)よりなる群から選ばれることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記(a)ステップにおける、ナノワイヤーを有機溶媒に希釈させた分散液を基板の上に分散させる方法は、スピンコート方法、スプレイ方法、ディップコート方法及びインクジェット方法よりなる群から選ばれることを特徴とする請求項1または請求項5に記載の方法。
- 前記(a)ステップ及び(b)ステップを5〜1000回繰り返し行うことにより、ナノワイヤーの密度を高めることを特徴とする請求項1または請求項5に記載の方法。
- 前記(a)ステップにおける溶媒は、水(H2O)、ジメチルホルムアミド(DMF)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、シクロヘキサノン、エチルアルコール、クロロホルム、ジクロロメタン及びエチルエーテルよりなる群から選ばれることを特徴とする請求項1または請求項5に記載の方法。
- 前記(a)ステップにおける基板は、インジウムスズ酸化物ガラス(ITOガラス)、ガラス、水晶、ガラスウェーハ、シリコンウェーハ、溶融シリカ、プラスチック及び透明高分子よりなる群から選ばれることを特徴とする請求項1または請求項5に記載の方法。
- 前記(a)ステップにおけるナノワイヤーの分散液の濃度は0.01〜1.0重量%であることを特徴とする請求項1または請求項5に記載の方法。
- 前記(b)ステップにおいて、溶媒を50〜150℃に昇温した上で除去することを特徴とする請求項1または請求項5に記載の方法。
- 前記(a)ステップにおける基板上への分散ナノワイヤーの量は1pg/cm2〜1g/cm2であることを特徴とする請求項1または請求項5に記載の方法。
- 前記(c)ステップにおける金属は1〜5000nmに蒸着することを特徴とする請求項1または請求項5に記載の方法。
- 前記(c)ステップにおける金属は、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、金(Au)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)、カドミウム(Cd)、鉄(fe)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、亜鉛(Zn)及び銅(Cu)よりなる群から選ばれることを特徴とする請求項1または請求項5に記載の方法。
- 請求項1〜18のいずれか一項の方法により製造され、金属が蒸着された基板の上に磁性粒子が結合されたナノワイヤーが磁場方向に沿って水平、垂直、または、水平と垂直との間の任意の角度に整列された電界放出エミッタ電極。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060074800A KR20080013366A (ko) | 2006-08-08 | 2006-08-08 | 나노와이어의 정렬을 통한 전계방출 에미터 전극의제조방법 |
PCT/KR2007/003572 WO2008018701A1 (en) | 2006-08-08 | 2007-07-25 | Method for manufacturing a field emitter electrode using the array of nanowires |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010500719A true JP2010500719A (ja) | 2010-01-07 |
Family
ID=39033196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009523707A Pending JP2010500719A (ja) | 2006-08-08 | 2007-07-25 | ナノワイヤーの整列を用いた電界放出エミッタ電極の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100133983A1 (ja) |
EP (2) | EP2052398A4 (ja) |
JP (1) | JP2010500719A (ja) |
KR (1) | KR20080013366A (ja) |
CN (2) | CN101523541B (ja) |
WO (1) | WO2008018701A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101407209B1 (ko) * | 2010-10-07 | 2014-06-16 | 포항공과대학교 산학협력단 | 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 미세 채널 트랜지스터 및 미세 채널 발광트랜지스터의 형성방법 |
US20140044865A1 (en) * | 2012-01-31 | 2014-02-13 | Hossam Haick | Method for manufacturing a nano-wire array and a device that comprises a nano-wire array |
CN103112818B (zh) * | 2013-02-28 | 2015-05-20 | 北京科技大学 | 一种利用扫描电镜在单根微纳线上制作金属电极的方法 |
CN105947971B (zh) * | 2016-05-26 | 2017-11-10 | 清华大学深圳研究生院 | 一种铁磁性纳米线阵列的制备方法 |
CN109132996B (zh) * | 2018-10-12 | 2020-11-13 | 聊城大学 | 一种周期有序的磁性纳米线阵列的快速沉积方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000141056A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-05-23 | Lucent Technol Inc | 接着性カ―ボンナノチュ―ブ膜を有するデバイス |
JP2000294119A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Futaba Corp | 電子放出源の製造方法、電子放出源及び蛍光発光型表示器 |
JP2001096499A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-04-10 | Lucent Technol Inc | ナノスケール構造体アセンブリ、電界放出装置、マイクロ波真空管増幅器、ディスプレイ装置、及び電界放出構造体の製造方法 |
JP2001167692A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-06-22 | Lucent Technol Inc | 位置合せされたナノワイヤを備えた物品および物品を製作するプロセス |
JP2003007198A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Sharp Corp | 電子放出素子およびその製造方法並びに該電子放出素子を用いた画像表示装置 |
JP2005532915A (ja) * | 2002-04-12 | 2005-11-04 | ナノ−プロプライエタリー, インコーポレイテッド | 電界放出適用のためのカーボンナノチューブの金属化 |
JP2006086106A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 電界放出エミッタ電極の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6538367B1 (en) * | 1999-07-15 | 2003-03-25 | Agere Systems Inc. | Field emitting device comprising field-concentrating nanoconductor assembly and method for making the same |
US6965199B2 (en) * | 2001-03-27 | 2005-11-15 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Coated electrode with enhanced electron emission and ignition characteristics |
US6890230B2 (en) * | 2001-08-28 | 2005-05-10 | Motorola, Inc. | Method for activating nanotubes as field emission sources |
US7462498B2 (en) * | 2001-10-19 | 2008-12-09 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Activation of carbon nanotubes for field emission applications |
JP3912276B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2007-05-09 | Jfeエンジニアリング株式会社 | カーボンナノチューブのテープ状集合体およびこれを設置したカーボンナノチューブ設置装置 |
US7560136B2 (en) * | 2003-01-13 | 2009-07-14 | Nantero, Inc. | Methods of using thin metal layers to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles |
JP2004234865A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Sony Corp | カーボンナノチューブ配列材料とその製造方法、炭素繊維配列材料とその製造方法、及び電界放出表示素子 |
US20050136638A1 (en) * | 2003-12-18 | 2005-06-23 | 3M Innovative Properties Company | Low temperature sintering nanoparticle compositions |
US7465210B2 (en) * | 2004-02-25 | 2008-12-16 | The Regents Of The University Of California | Method of fabricating carbide and nitride nano electron emitters |
US20080020499A1 (en) * | 2004-09-10 | 2008-01-24 | Dong-Wook Kim | Nanotube assembly including protective layer and method for making the same |
-
2006
- 2006-08-08 KR KR1020060074800A patent/KR20080013366A/ko not_active Application Discontinuation
-
2007
- 2007-07-25 EP EP07793238A patent/EP2052398A4/en not_active Withdrawn
- 2007-07-25 CN CN2007800374559A patent/CN101523541B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-25 JP JP2009523707A patent/JP2010500719A/ja active Pending
- 2007-07-25 WO PCT/KR2007/003572 patent/WO2008018701A1/en active Application Filing
- 2007-07-25 CN CN2010105263310A patent/CN101986418A/zh active Pending
- 2007-07-25 EP EP10008472A patent/EP2244277A3/en not_active Withdrawn
- 2007-07-25 US US12/376,824 patent/US20100133983A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000141056A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-05-23 | Lucent Technol Inc | 接着性カ―ボンナノチュ―ブ膜を有するデバイス |
JP2000294119A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Futaba Corp | 電子放出源の製造方法、電子放出源及び蛍光発光型表示器 |
JP2001096499A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-04-10 | Lucent Technol Inc | ナノスケール構造体アセンブリ、電界放出装置、マイクロ波真空管増幅器、ディスプレイ装置、及び電界放出構造体の製造方法 |
JP2001167692A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-06-22 | Lucent Technol Inc | 位置合せされたナノワイヤを備えた物品および物品を製作するプロセス |
JP2003007198A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Sharp Corp | 電子放出素子およびその製造方法並びに該電子放出素子を用いた画像表示装置 |
JP2005532915A (ja) * | 2002-04-12 | 2005-11-04 | ナノ−プロプライエタリー, インコーポレイテッド | 電界放出適用のためのカーボンナノチューブの金属化 |
JP2006086106A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 電界放出エミッタ電極の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008018701A1 (en) | 2008-02-14 |
EP2244277A3 (en) | 2011-06-15 |
KR20080013366A (ko) | 2008-02-13 |
EP2052398A4 (en) | 2009-12-09 |
US20100133983A1 (en) | 2010-06-03 |
EP2244277A2 (en) | 2010-10-27 |
CN101523541B (zh) | 2012-04-25 |
CN101523541A (zh) | 2009-09-02 |
CN101986418A (zh) | 2011-03-16 |
EP2052398A1 (en) | 2009-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5132993B2 (ja) | カーボンナノチューブの整列を用いた電界放出エミッタ電極の製造方法 | |
US7294248B2 (en) | Fabrication and activation processes for nanostructure composite field emission cathodes | |
KR100907758B1 (ko) | 전계 방출 분야용 탄소 나노튜브의 금속화 | |
CN101451262B (zh) | 电泳沉积均匀的碳纳米管复合膜的方法与设备 | |
JP2003203557A (ja) | カーボンナノチューブを含むペースト用複合物及びこれを利用した電子放出素子及びその製造方法 | |
JP2010500719A (ja) | ナノワイヤーの整列を用いた電界放出エミッタ電極の製造方法 | |
KR20040101280A (ko) | 전계 방출 분야용 탄소 나노튜브의 금속화 | |
US7371696B2 (en) | Carbon nanotube structure and method of vertically aligning carbon nanotubes | |
KR100785377B1 (ko) | 탄소나노튜브가 수직으로 정렬된 전계방출 에미터 전극의제조방법 | |
US20090314647A1 (en) | Method for the electrochemical deposition of carbon nanotubes | |
JP2002093305A (ja) | 電子放出陰極 | |
KR100801131B1 (ko) | 탄소나노튜브의 정렬을 통한 전계방출 에미터 전극의제조방법 | |
JP5069486B2 (ja) | 薄膜型電子放出材料、その製造方法、電界放出型素子及び電界放出型ディスプレイ | |
KR101151353B1 (ko) | 침상 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 침상 전계방출형 전자빔 에미터 | |
US8252165B2 (en) | Method for the electrochemical deposition of carbon nanotubes | |
KR20050044164A (ko) | 접합부가 금속-코팅된 전계방출 캐소드 및 그 제조방법 | |
JP4984130B2 (ja) | ナノカーボンエミッタとその製造方法並びに面発光素子 | |
JP2006140110A (ja) | カーボンナノチューブペースト、電子放出源およびフィールドエミッションディスプレイ、ならびにこれらの製造方法 | |
KR20100029538A (ko) | 일액형 탄소나노튜브 바인더 혼합액을 이용한 전자 방출원 제조방법 및 이에 의해 제조된 전계 방출 소자용 탄소나노튜브 전자 방출원 | |
WO2006082837A1 (ja) | 有機ケイ素化合物とカーボンナノチューブの複合材及びその製造方法 | |
WO2010021629A1 (en) | Method for the electrochemical deposition of carbon nanotubes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120228 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120528 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120604 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121106 |