JP5120367B2 - アンテナ装置 - Google Patents

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Description

本発明は、アンテナ装置に関し、特に、アンテナ特性を調整するための技術に関する。
携帯電話などの小型無線端末に内蔵されるチップ型のアンテナ素子は、ブロック型の誘電体の表面に放射電極と給電電極をプリントすることにより形成される。放射電極と給電電極は、ギャップ(以下、「給電ギャップ」とよぶ)を介して容量結合する。給電電極に交流電流を供給して電界を発生させると、放射電極にも交流電流が流れ、放射電極から電波が発生する。
特開平10−13138号公報
給電ギャップのキャパシタンス(以下、「給電結合容量」とよぶ)により、共振周波数やインピーダンスなどのアンテナ特性が変化する。通常、給電ギャップは、誘電体の上面や側面などの面に形成されることが多い(たとえば、特許文献1参照)。この場合、給電結合容量を大きくするためには、給電ギャップの幅を狭くする必要がある。しかし、現在の製造技術(厚膜電極印刷)では0.3mm以下の幅を作るのは困難である。
本発明は、上記課題に鑑みて完成された発明であり、その主たる目的は、アンテナ特性を調整しやすく、かつ、製造容易なアンテナ装置を実現することにある。
本発明に係るアンテナ装置は、アンテナ素子とプリント基板を備える。アンテナ素子は、略直方体状の誘電体の表面に、放射電極、給電電極およびグランド電極が形成される素子である。プリント基板は、アンテナ素子が取り付けられる実装領域および実装領域の周縁に設けられるグランドパターン領域を含む。給電電極およびグランド電極は、いずれも誘電体の底面のみに形成される。放射電極は、誘電体の上面から第1の側面を介して底面に折り返す構造にて形成される。第1の側面と対向する第2の側面は、電極の非形成領域とする。
給電電極面は、誘電体を挟んで、上面の放射電極面と対向する。誘電体本体を介してキャパシタが形成されるため、給電電極と放射電極の間に形成される給電結合容量を大容量化しやすくなる。グランド電極と放射電極の間に形成されるキャパシタンス(以下、「グランド結合容量」とよぶ)についても同様である。また、給電電極やグランド電極、放射電極の面積を変更することにより、グランド結合容量や給電結合容量が変化し、共振周波数やインピーダンス等のアンテナ特性が変化するので、アンテナ特性を調整しやすくなる。
第1および第2の側面と隣接する第3および第4の側面の双方または一方を、電極の非形成領域としてもよい。あるいは、第3および第4の側面の双方または一方の上面側に、放射電極の一部を形成してもよい。
上面の全面に放射電極を形成してもよい。また、第1の側面の全面に放射電極を形成してもよい。このような態様によれば、アンテナ素子の電極パターンがシンプルになるため製造がいっそう容易となる。
グランド電極は、底面において放射電極と所定幅のギャップを介して対向するように形成されてもよい。
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせ、本発明の表現を装置、システムなどの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
本発明によれば、製造しやすく、アンテナ特性を調整しやすいアンテナ装置を実現する上で効果がある。
第1実施形態におけるアンテナ装置の外観図である。 第1実施形態におけるアンテナ素子の展開図である。 アンテナ装置の等価回路図である。 比較例におけるアンテナ装置の外観図である。 第1型と側面ギャップ型のリターンロスと周波数の関係を示すグラフである。 第1型と側面ギャップ型の放射効率と周波数の関係を示すグラフである。 第2実施形態におけるアンテナ装置の外観図である。 第3実施形態におけるアンテナ装置の外観図である。 第1、第2、第3型のリターンロスと周波数の関係を示すグラフである。 第1、第2、第3型の放射効率と周波数の関係を示すグラフである。 実装領域の近辺を金属物体で覆ったときのアンテナ装置の外観図である。 実装領域の近辺を金属物体で覆ったときのアンテナ装置の上面図である。 金属物体の設置時における第1型と第2型の放射効率と周波数の関係を示すグラフである。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態を説明する。本実施形態においては、携帯電話に内蔵されるアンテナ素子を題材として説明する。アンテナ素子を内蔵する携帯電話としてアンテナ装置が形成される。
図1は、第1実施形態におけるアンテナ装置100の外観図である。アンテナ装置100は、携帯電話のプリント基板122にアンテナ素子124を設置することにより形成される。図1に示すように、アンテナ素子124の短手方向にx軸、長手方向にy軸、厚み方向にz軸を設定して説明する。
プリント基板122のサイズはx×y=40mm×100mmの長方形板状である。プリント基板122は、ほぼ全面に形成されるグランドパターン領域103と一部に形成される実装領域104を含む。実装領域104は、プリント基板122の辺やコーナー等の外周部に設けられる。本実施形態において、実装領域104はプリント基板122の長辺中央部に形成される(図12も参照)。実装領域104のサイズは、x×y=5.0mm×3.0mmである。実装領域104のx方向の長さは、y方向の長さの1.5倍以上であることが望ましい。
アンテナ装置100の共振周波数は、ブルートゥース(登録商標)の周波数帯である2.45GHz近辺に設定される。アンテナ素子124のサイズは、x×y×z=1.25mm×2.0mm×0.8mmである。
実装領域104には、給電パターン106、第1グランド電極接続パターン108および第2グランド電極接続パターン110という3つの電極パターンが形成される。給電パターン106は、特性インピーダンス50Ωの伝送線路である給電ライン112を介して交流電力を供給される。これらのパターン上にアンテナ素子124が接着される。すなわち、これらのパターンの全部または一部は、アンテナ素子124のランドとして機能する。
図2は、第1実施形態におけるアンテナ素子124の展開図である。図1および図2を参照しつつ、アンテナ素子124の構造を説明する。アンテナ素子124は、略直方体の誘電体を基体とし、給電電極130と、放射電極132、グランド電極134がその表面にプリントされる素子である。長方形状の底面138(1.25mm×2.0mm)を実装領域104に接着することにより、アンテナ素子124はプリント基板122に固定される。アンテナ素子124の4つの側面をそれぞれ第1側面140(1.25mm×0.8mm)、第2側面142(1.25mm×0.8mm)、第3側面144(2.0mm×0.8mm)、第4側面146(2.0mm×0.8mm)とする。第4側面146はプリント基板122の外周側の面であり、第3側面144は内部側の面である。
放射電極132は、上面136、第1側面140および底面138に折り返し構造にてプリントされる。以下、放射電極132のうち、上面136、第1側面140、底面138にプリントされる部分をそれぞれ放射電極132a、132b、132cと表記する。放射電極132aは上面136全体にプリントされる。同様に、放射電極132bは第1側面140全面にプリントされる。放射電極132cは底面138の一部のみにプリントされる。
底面138には、給電電極130とグランド電極134もプリントされる。給電電極130とグランド電極134は一部において平行する。また、グランド電極134は、給電電極130を囲むL字型形状であり、その一部において放射電極132cと平行する。第2側面142、第3側面144および第4側面146は、いずれも電極非形成領域である。グランド電極134の開放端(電圧点)、すなわち、L字型形状の先端は、プリント基板122の外周側に向いている(図1参照)。これは、開放端をグランドパターン領域102から遠ざけて、放射抵抗を少しでも大きくするための工夫である。
給電電極130は、給電パターン106と接続され、給電ライン112から交流電力を供給される。グランド電極134は第2グランド電極接続パターン110を介して、接地電位のグランドパターン領域103と接続される。また、放射電極132cは第1グランド電極接続パターン108を介してグランドパターン領域103と接続される。
グランド電極134と放射電極132aは、面として対向するため、グランド電極134と放射電極132aの間にはグランド結合容量C1が発生する。同様に、給電電極130と放射電極132aの間にも、給電結合容量C2が発生する。すなわち、誘電体自体が給電ギャップを形成することになる。アンテナ装置100の共振周波数は、グランド結合容量C1により変化する。また、アンテナ装置100のインピーダンス整合は、主として給電結合容量C2により調整できる。
給電電極130が給電されると、給電電極130は電界を発生させ、給電結合容量C2を介して放射電極132aに交流電流が発生する。これにより、放射電極132は電波を発生させる。
グランド電極134と放射電極132aは、面として対向しているため、誘電体の上面や側面にギャップを形成する場合に比べれば大きなグランド結合容量C1を確保しやすくなる。同様に、給電電極130と放射電極132aも面として対向しているため、給電結合容量C2を大きく設定しやすい。なお、給電電極130とグランド電極134、グランド電極134と放射電極132cは、面として対向していないため、これらの電極間に発生するキャパシタンスの影響は、グランド結合容量C1、給電結合容量C2に比べて無視できるほど小さい。
グランド結合容量C1の大きさは、グランド電極134の面積、あるいは、アンテナ素子124の高さによって調整できる。たとえば、アンテナ素子124の高さでグランド結合容量C1を粗調整し、グランド電極134の面積で微調整してもよい。同様に、給電結合容量C2の大きさは、給電電極130の面積、あるいは、アンテナ素子124の高さにより調整できる。アンテナ素子124の高さで給電結合容量C2を粗調整し、給電電極130の面積で微調整してもよい。
グランド電極134や給電電極130の面積(形状)を変化させることでグランド結合容量C1、給電結合容量C2を変化させるため、給電ギャップの幅による調整よりも調整可能範囲を大きくしやすい。この結果、インピーダンスや共振周波数を調整するためのいわゆる(外部)マッチング素子に過度に依存することなく、アンテナ素子124のみでアンテナ特性を精緻に調整できる。
通常、実装領域104はプリント基板122のコーナー部に形成されることが多い。これは、プリント基板122の辺部にアンテナ素子124を設置するよりもコーナー部に設置する方がリターンロスを抑制しやすいためである。第1実施形態におけるアンテナ素子124の場合、グランド結合容量C1、給電結合容量C2を大きく調整できるため、低リターンロス、高放射効率を実現しやすい。この結果、プリント基板122の辺部、たとえば、長辺中央部に実装領域104を設けても実用的な性能を確保できる。
アンテナ素子124の場合、底面138以外の面の電極パターンはきわめてシンプルである。また、底面138においても電極パターンはそれほど複雑ではない。このため、アンテナ素子124の製造が容易となり、品質を安定させやすくなる。
図3は、アンテナ装置100の等価回路図である。交流電源150は、給電パターン106、給電電極130に交流電流を供給する給電源である。
図4は、比較例におけるアンテナ装置105の外観図である。この比較例に示すアンテナ装置105は、特許文献1の図4に示される構造のアンテナ素子を、2.45GHz帯で使用することを想定してシミュレーション設計したものである。第1実施形態におけるアンテナ装置100のアンテナ素子124(以下、「第1型」ともよぶ)と異なり、比較例1におけるアンテナ装置105のアンテナ素子125(以下、「側面ギャップ型」ともよぶ)では、第2側面142の面上にギャップG1、G2を形成している。アンテナ素子125のx方向のサイズとy方向のサイズをアンテナ素子124と同一に固定してシミュレーションした結果、アンテナ素子125のサイズは、x×y×z=1.25mm×2.0mm×2.0mmとなった。すなわち、第1型に比べて大きく高背化している。また、ギャップG1の幅は0.01mm、ギャップG2の幅は0.04mmとなり、実際の製造が難しい構造となっている。
図5は、第1型と側面ギャップ型のリターンロスと周波数の関係を示すグラフである。第1型、側面ギャップ型共に、アンテナ素子124、125の基体(誘電体)の比誘電率は37であるとする。また、給電電極130、放射電極132、グランド電極134の材質は銅(Cu)であるとする。図5に示すように、ブルートゥース(登録商標)の周波数帯においては、第1型の方が側面ギャップ型よりもリターンロスが格段に小さい。
図6は、第1型と側面ギャップ型の放射効率と周波数の関係を示すグラフである。第1型の方が側面ギャップ型よりも放射効率が格段に改善している。第1型の最大放射効率は78.6(%)、側面ギャップ型の最大放射効率は23.2(%)であった。すなわち、第1型は側面ギャップ型に比べて最大放射効率は78.6−23.2=55.4(%)向上する。
図7は、第2実施形態におけるアンテナ装置101の外観図である。第1型と異なり、第2実施形態におけるアンテナ装置101のアンテナ素子126(以下、「第2型」ともよぶ)では、第3側面144および第4側面146の上部(上面136側)にも放射電極132が形成されている。放射電極132が実効的に太くなるため、VSWR(Voltage Standing Wave Ratio)を低下させやすくなる。
図8は、第3実施形態におけるアンテナ装置102の外観図である。第3実施形態におけるアンテナ装置102のアンテナ素子127(以下、「第3型」ともよぶ)では、第4側面146の上部(上面136側)と上面136の外周側(第4側面146側)に放射電極132が形成されている。放射電極132とグランドパターン領域102の距離(以下、「グランド距離」とよぶ)が短いと、放射電極132とグランドパターン領域102との間の電磁結合(以下、「対グランド結合」とよぶ)が顕在化しやすい。対グランド結合が大きくなると、放射抵抗が小さくなるため、放射効率が悪化しやすい。第3型では、放射電極132の主要部を上面136の外周側と第4側面146の上部に形成しているため、グランド距離を確保しやすくなっている。
図9は、第1、第2、第3型のリターンロスと周波数の関係を示すグラフである。第2型や第3型は第1型に比べてリターンロスが小さくなるがその差はわずかである。
図10は、第1、第2、第3型の放射効率と周波数の関係を示すグラフである。第1型から第3型の最大放射効率はいずれも約79(%)であり、有意な差は見いだせなかった。以上の点から、第1型、第2型、第3型のいずれも同等のアンテナ性能を有することが見いだされた。第1型は放射電極132の電極パターンがもっともシンプルであるため、製造容易性を評価基準とした場合には、3つの型の中でもっとも優れている。
図11は、実装領域104の周辺を金属物体114で覆ったときのアンテナ装置100の外観図であり、図12はその上面図である。第2型は、第3側面144および第4側面146の一部を放射電極132によって覆っているため、いわゆるシールド効果を期待できるのではないかと考えられる。すなわち、第2型は、側面部の放射電極132が外部の影響から給電電極130やグランド電極134を保護する上で有効に機能するのではないかとの仮説を立てた。そこで、この仮説を実証するため、実装領域104の周辺に金属物体114を設置し、そのときのアンテナの特性についてシミュレーション実験を行った。金属物体114は、バッテリー、LCD(Liquid Crystal Display)、シールドケース、メタルフレーム、その他の電子部品群を想定して設置したものである。金属物体114のサイズは、x×y×z=36mm×45mm×5.0mmである。また、実装領域104から金属物体114までの距離として、x、y方向いずれにも3.0mmを確保した。
図13は、金属物体114の設置・非設置時における第1型と第2型の放射効率と周波数の関係を示すグラフである。図10と異なり、図13では最大放射効率近辺の周波数特性を示している。金属物体114を設置しない場合、第1型の最大放射効率は78.6(%)、第2型の最大放射効率は78.9%であり、ほとんど差はなかった。金属物体114を設置した場合、第1型の最大放射効率は75.7(%)、第2型の最大放射効率は76.8(%)であった。すなわち、第1型の場合、金属物体114の設置により最大放射効率は78.6−75.7=2.9(%)低下している。第2型の場合には、78.9−76.8=2.1(%)低下している。このため、第2型の方が、第1型に比べて金属物体114の影響が緩和されており、上記仮説が実証された。
以上、各実施形態に基づいて、アンテナ装置100、101、102を説明した。いずれの場合も、底面138の給電電極130およびグランド電極134が、上面136の放射電極132aと面として対向するため、グランド結合容量C1、給電結合容量C2を大きく設定しやすい。第2側面142は完全な開放端としており、アンテナ素子124の面上に給電ギャップを形成しない構造となっている。グランド結合容量C1や給電結合容量C2は、給電電極130やグランド電極134の面積により変化する。したがって、アンテナ素子の電極パターンのみでアンテナ特性を大きく変化させることができる。また、電極パターンがシンプルであるため、製造しやすく、コスト抑制や品質安定の面でも効果的である。
インダクタを使ってアンテナ特性を調整する場合には、インダクタの抵抗成分により放射効率が低下することがある。しかし、本実施形態におけるアンテナ素子の場合には、共振周波数とインピーダンスのいずれもキャパシタ(グランド結合容量C1、給電結合容量C2)により調整できるため、電極パターンによりインダクタンスを形成する必要がない。
以上、本発明を実施の形態をもとに説明した。実施の形態は例示であり、いろいろな変形および変更が本発明の特許請求範囲内で可能なこと、またそうした変形例および変更も本発明の特許請求の範囲にあることは当業者に理解されるところである。従って、本明細書での記述および図面は限定的ではなく例証的に扱われるべきものである。
100,101,102,105 アンテナ装置、103 グランドパターン領域、104 実装領域、106 給電パターン、108 第1グランド電極接続パターン、110 第2グランド電極接続パターン、112 給電ライン、114 金属物体、122 プリント基板、124,125,126,127 アンテナ素子、130 給電電極、132 放射電極、134 グランド電極、150 交流電源、C1,C2 キャパシタ。

Claims (4)

  1. 略直方体状の誘電体の表面に、放射電極、給電電極およびグランド電極が形成されるアンテナ素子と、
    前記アンテナ素子が取り付けられる実装領域および前記実装領域の周縁に設けられるグランドパターン領域を含むプリント基板と、を備え、
    前記給電電極および前記グランド電極は、いずれも前記誘電体の底面のみに形成され、
    前記放射電極は、前記誘電体の上面から第1の側面を介して底面に折り返す構造にて形成され、
    前記第1の側面と対向する第2の側面を、電極の非形成領域とし、
    前記第1および第2の側面と隣接する第3および第4の側面の双方または一方の上面側に、前記放射電極の一部を形成し
    前記第1の側面の全面に前記放射電極を形成したことを特徴とするアンテナ装置。
  2. 前記第1および第2の側面と隣接する第3および第4の側面の一方を、電極の非形成領域としたことを特徴とする請求項1に記載のアンテナ装置。
  3. 前記上面の全面に前記放射電極を形成したことを特徴とする請求項1または2に記載のアンテナ装置。
  4. 前記グランド電極は、前記底面において前記放射電極と所定幅のギャップを介して対向するように形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のアンテナ装置。
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