JP5114835B2 - 3次元配線用bscマクロ構造および半導体装置 - Google Patents
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Description
前記BSCに前記基板内で電気的に接続されると共に、前記BSCの一方の側または両側に形成され、開口内に配置された1または複数の電極接続開口電極と、を備え、前記複数のBSCは、複数の前記電極接続開口電極が両側に配置された第1のBSC(10A)と、互いに接続されると共に、それぞれ、片側に単一の前記電極接続開口電極が配置された第2のBSC(10B)を含んでいることを特徴とする半導体装置が得られる。
上記実施例の3次元配線用BSCマクロ構造10A、10Bでは、BCS12に1つの開口電極11を接続することとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、図4−1および図4−2に示すように、BSC12に複数の開口電極11を接続した構成としてもよい。
上記実施例の3次元配線用BSCマクロ構造10A、10Bでは、開口電極11の形状を略正方形状としたが本発明はこれに限られるものではなく、例えば、図5に示すような形状としてもよい。
10A、10B 3次元配線用BSCマクロ構造
11 開口電極
11a パッド
12 BSC
20、30 ベアチップ
21、31 パッド
32 バンプ
40 TAP Controller
100 基板
101 外部接続用I/O
102 パッド
103 BSC Buffer
110、120 ベアチップ
130 TAP Controller
140 ボンディングワイヤ
Claims (3)
- 基板と、
当該基板の内部に形成され、前記基デイジーチェーンチェーンを構成するように、互いにシリアル接続された複数のBSC(バウンダリスキャンセル)と、
前記BSCに前記基板内で電気的に接続されると共に、前記BSCの一方の側または両側に形成され、開口内に配置された1または複数の電極接続開口電極と、
を備え、前記複数のBSCは、複数の前記電極接続開口電極が両側に配置された第1のBSC(10A)と、互いに接続されると共に、それぞれ、片側に単一の前記電極接続開口電極が配置された第2のBSC(10B)を含んでいることを特徴とする3次元配線用BSCマクロ構造。 - 基板と、
当該基板の内部に形成され、前記基板内部でデイジーチェーンを構成するように、互いにシリアル接続された複数のBSC(バウンダリスキャンセル)と、
前記BSCに前記基板内で電気的に接続されると共に、前記BSCの一方の側または両側に形成され、開口内に配置された複数の電極接続開口電極と、
を備え、前記複数のBSCは、互いに接続されると共に、それぞれ、片側に2つの前記電極接続開口電極が配置された複数の第2のBSC(10B)を含んでいることを特徴とする3次元配線用BSCマクロ構造。 - シリコン基板と、
当該基板の内部に形成され、前記基板内部でデイジーチェーンを構成するように、互いにシリアル接続された複数のBSC(バウンダリスキャンセル)と、
前記BSCに前記基板内で電気的に接続されると共に、前記BSCの一方の側または両側に形成され、開口内に配置された1または複数の電極接続開口電極と、
を備え、前記複数のBSCは、複数の前記電極接続開口電極が両側に配置された第1のBSC(10A)と、互いに接続されると共に、それぞれ、片側に単一の前記電極接続開口電極が配置された第2のBSC(10B)を含んでいることを特徴とする半導体装置。
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