JP5112122B2 - プラズマ処理装置、プラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法 - Google Patents
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Description
単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
前記基板のプラズマ処理時には、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて増大する基板電位について、当該基板電位との電位差が一定になるように、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて、前記単電極に印加する吸着電圧を増大することを特徴とする。
単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を処理枚数毎に算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を処理枚数毎に前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とする。
単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を積算処理時間に対応させて算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を積算処理時間に対応して前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とする。
単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記単電極を共用して、前記単電極にバイアスパワーを供給することにより、前記基板に自己バイアス電位を印加するバイアス印加手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記バイアス印加手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
前記基板のプラズマ処理時には、バイアスパワーを一定とすると共に、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて増大する基板電位について、当該基板電位との電位差が一定になるように、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて、前記単電極に印加する吸着電圧を増大することを特徴とする。
単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記単電極を共用して、前記単電極にバイアスパワーを供給することにより、前記基板に自己バイアス電位を印加するバイアス印加手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記バイアス印加手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
予め、バイアスパワーが一定である所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を処理枚数毎に算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を処理枚数毎に前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とする。
単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記単電極を共用して、前記単電極にバイアスパワーを供給することにより、前記基板に自己バイアス電位を印加するバイアス印加手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記バイアス印加手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
予め、バイアスパワーが一定である所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を積算処理時間に対応させて算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を積算処理時間に対応して前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とする。
単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記単電極を共用して、前記単電極にバイアスパワーを供給することにより、前記基板に自己バイアス電位を印加するバイアス印加手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記バイアス印加手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
前記基板のプラズマ処理時には、吸着電圧を一定とすると共に、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて増大する基板電位について、当該基板電位との電位差が一定になるように、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて、前記単電極に供給するバイアスパワーを増大することを特徴とする。
単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記単電極を共用して、前記単電極にバイアスパワーを供給することにより、前記基板に自己バイアス電位を印加するバイアス印加手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記バイアス印加手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、バイアスパワーをゼロとして、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位の変化を相殺する自己バイアス電位に対応するバイアスパワーを求めて、一定の積算処理時間間隔における基準バイアスパワーを求め、求めた前記基準バイアスパワーに基づいて、前記単電極に供給する設定バイアスパワーを処理枚数毎に算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、吸着電圧を一定とすると共に、算出した前記設定バイアスパワーを処理枚数毎に前記単電極に供給して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とする。
単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記単電極を共用して、前記単電極にバイアスパワーを供給することにより、前記基板に自己バイアス電位を印加するバイアス印加手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記バイアス印加手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、バイアスパワーをゼロとして、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位の変化を相殺する自己バイアス電位に対応するバイアスパワーを求めて、一定の積算処理時間間隔における基準バイアスパワーを求め、求めた前記基準バイアスパワーに基づいて、前記単電極に供給する設定バイアスパワーを積算処理時間に対応させて算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、吸着電圧を一定とすると共に、算出した前記設定バイアスパワーを積算処理時間に対応して前記単電極に供給して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とする。
静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
前記基板のプラズマ処理時には、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて増大する基板電位について、当該基板電位との電位差が一定になるように、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて、前記単電極に印加する吸着電圧を増大することを特徴とする。
静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を処理枚数毎に算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を処理枚数毎に前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とする。
静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を積算処理時間に対応させて算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を積算処理時間に対応して前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とする。
静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
前記単電極を共用するバイアス印加手段により、前記単電極にバイアスパワーを供給して、前記基板に自己バイアス電位を印加し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
前記基板のプラズマ処理時には、バイアスパワーを一定とすると共に、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて増大する基板電位について、当該基板電位との電位差が一定になるように、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて、前記単電極に印加する吸着電圧を増大することを特徴とする。
静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
前記単電極を共用するバイアス印加手段により、前記単電極にバイアスパワーを供給して、前記基板に自己バイアス電位を印加し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
予め、バイアスパワーが一定である所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を処理枚数毎に算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を処理枚数毎に前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とする。
静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
前記単電極を共用するバイアス印加手段により、前記単電極にバイアスパワーを供給して、前記基板に自己バイアス電位を印加し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
予め、バイアスパワーが一定である所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を積算処理時間に対応させて算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を積算処理時間に対応して前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とする。
静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
前記単電極を共用するバイアス印加手段により、前記単電極にバイアスパワーを供給して、前記基板に自己バイアス電位を印加し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
前記基板のプラズマ処理時には、吸着電圧を一定とすると共に、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて増大する基板電位について、当該基板電位との電位差が一定になるように、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて、前記単電極に供給するバイアスパワーを増大することを特徴とする。
静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
前記単電極を共用するバイアス印加手段により、前記単電極にバイアスパワーを供給して、前記基板に自己バイアス電位を印加し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、バイアスパワーをゼロとして、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位の変化を相殺する自己バイアス電位に対応するバイアスパワーを求めて、一定の積算処理時間間隔における基準バイアスパワーを求め、求めた前記基準バイアスパワーに基づいて、前記単電極に供給する設定バイアスパワーを処理枚数毎に算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、吸着電圧を一定とすると共に、算出した前記設定バイアスパワーを処理枚数毎に前記単電極に供給して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とする。
静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
前記単電極を共用するバイアス印加手段により、前記単電極にバイアスパワーを供給して、前記基板に自己バイアス電位を印加し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、バイアスパワーをゼロとして、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位の変化を相殺する自己バイアス電位に対応するバイアスパワーを求めて、一定の積算処理時間間隔における基準バイアスパワーを求め、求めた前記基準バイアスパワーに基づいて、前記単電極に供給する設定バイアスパワーを積算処理時間に対応させて算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、吸着電圧を一定とすると共に、算出した前記設定バイアスパワーを積算処理時間に対応して前記単電極に供給して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とする。
金属材料からなる真空容器31は、図10に示すように接地されており、その電位は0ボルトである。上述したように、基板34の処理枚数に伴って、壁面31aに絶縁膜40bが堆積して、その膜厚が増加していくが、それに伴い、プラズマ側から見た絶縁膜40bのインピーダンスも変化していき、その結果、図11(a)に示すように、プラズマ電位Vpも増加することになる。このとき、基板34はプラズマ中にあるため、絶縁体表面を持つ静電チャック35上に置かれた基板34は、真空容器31と電気的に絶縁されているため、バイアス印加がない場合、プラズマ電位Vpにほぼ等しくなる。
具体的には、まず、上記ステップS2で求めた積算膜厚に対する基板電位Vwの関係に基づいて、静電チャック電源13に設定する際に基準となる基準吸着電圧Vrを求める。図1に示すプラズマCVD装置においては、静電チャック電源13に設定する設定吸着電圧Vと基板電位Vwの差である電位差Vcが常に一定であれば、吸着力Fも一定となるので、上記ステップS2において計測した積算膜厚に対する基板電位Vwに一定の電位差Vc0を加算すれば、積算膜厚に対する基準吸着電圧Vr=Vw+Vc0が求まることになる(図3のグラフにおける点線参照)。この電位差Vc0は、要求される吸着力Fに基づいて、求めればよい。そして、[(積算膜厚)=(基板毎の成膜膜厚)×(処理枚数)]の関係があることから、この基準吸着電圧Vrに基づいて、処理枚数毎に設定する設定吸着電圧Vを算出することができる。
基板電位の計測方法としては、公知の方法を用いて行う。例えば、プラズマ中にプラズマ計測用のプローブを挿入して、プラズマ電位を計測することにより、基板電位を求める方法でもよい。但し、プラズマ中にプローブを挿入する場合、プローブからの金属汚染やプラズマ密度分布変化による計測への影響も考えられるため、特許文献1のような方法を用いて、基板電位を求めることが望ましい。
詳細には、上記ステップS12で求めた積算膜厚に対する基板電位Vwの関係に基づいて、積算膜厚に対する基準吸着電圧Vr=Vw+Vc0を求める(図5のグラフにおける点線参照)。この基準吸着電圧Vrは、静電チャック電源13へ設定吸着電圧Vを設定する際に基準となるものである。そして、この基準吸着電圧Vrに基づいて、積算膜厚に対して設定する設定吸着電圧Vを算出することになる。
詳細には、まず、上記ステップS22で求めた積算膜厚に対する基板電位Vwの関係に基づいて、積算膜厚に対する基準バイアスパワーPrを求める(図7のグラフにおける点線参照)。詳細は後述するが、この基準バイアスパワーPrは、静電チャック電源13に設定する設定吸着電圧V(本実施例では、一定とする。)と基板電位Vwとの電位差Vcを一定とする自己バイアス電位Vs、つまり、積算膜厚に伴う基板電位Vwの増分を相殺する自己バイアス電位Vsから求められるものであり、バイアス電源11へ設定バイアスパワーPbiasを設定する際に基準となるものである。そして、求めた基準バイアスパワーPrに基づいて、処理枚数毎に設定する設定バイアスパワーPbiasを算出することになる。
図3で示したように、積算膜厚に伴って基板電位Vwは増加するが、この要因は、前述の図12(a)で説明したように、プラズマ電位Vpが変動することにあり、自己バイアス電位Vsを適宜に制御すれば、つまり、バイアスパワーPbiasを適宜に制御すれば、積算膜厚に伴う基板電位Vwの増分を相殺することができ、その結果、静電チャック電源13に設定した設定吸着電圧Vと基板電位Vwとの電位差Vcを一定とすることができる。自己バイアス電位Vsは、前述した図11(b)に示すように、バイアスパワーPbiasに伴って増加していくが、プラズマ電位Vpに対し負の方向に作用するため、積算膜厚に伴う基板電位Vwの増分を相殺するように、バイアスパワーPbiasを増加させていけばよいことになる。従って、これらの関係に基づいて、積算膜厚に対するバイアスパワーPbias、即ち、基準バイアスパワーPrを求めることができる。
詳細には、まず、上記ステップS32で求めた積算膜厚に対する基板電位Vwの関係に基づいて、積算膜厚に対する基準バイアスパワーPrを求める(図9のグラフにおける点線参照)。この基準バイアスパワーPrは、実施例3で説明したように、静電チャック電源13に設定する設定吸着電圧V(本実施例でも、一定とする。)と基板電位Vwとの電位差Vcを一定とする自己バイアス電位Vs、つまり、積算膜厚に伴う基板電位Vwの増分を相殺する自己バイアス電位Vsから求められたものであり、バイアス電源11へ設定バイアスパワーPbiasを設定する際に基準となるものである。そして、求めた基準バイアスパワーPrに基づいて、積算膜厚に対して設定する設定バイアスパワーPbiasを算出することになる。
3 成膜室
4 天井板
5 基板支持台
6 基板
7 基板載置部
11 バイアス電源
13 静電チャック電源
14 温調器
16 給電アンテナ
20 静電チャック電極
26 コントローラ
27 温度検出器
Claims (18)
- 単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
前記基板のプラズマ処理時には、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて増大する基板電位について、当該基板電位との電位差が一定になるように、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて、前記単電極に印加する吸着電圧を増大することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を処理枚数毎に算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を処理枚数毎に前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を積算処理時間に対応させて算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を積算処理時間に対応して前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記単電極を共用して、前記単電極にバイアスパワーを供給することにより、前記基板に自己バイアス電位を印加するバイアス印加手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記バイアス印加手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
前記基板のプラズマ処理時には、バイアスパワーを一定とすると共に、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて増大する基板電位について、当該基板電位との電位差が一定になるように、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて、前記単電極に印加する吸着電圧を増大することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記単電極を共用して、前記単電極にバイアスパワーを供給することにより、前記基板に自己バイアス電位を印加するバイアス印加手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記バイアス印加手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
予め、バイアスパワーが一定である所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を処理枚数毎に算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を処理枚数毎に前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記単電極を共用して、前記単電極にバイアスパワーを供給することにより、前記基板に自己バイアス電位を印加するバイアス印加手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記バイアス印加手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
予め、バイアスパワーが一定である所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を積算処理時間に対応させて算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を積算処理時間に対応して前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記単電極を共用して、前記単電極にバイアスパワーを供給することにより、前記基板に自己バイアス電位を印加するバイアス印加手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記バイアス印加手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
前記基板のプラズマ処理時には、吸着電圧を一定とすると共に、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて増大する基板電位について、当該基板電位との電位差が一定になるように、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて、前記単電極に供給するバイアスパワーを増大することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記単電極を共用して、前記単電極にバイアスパワーを供給することにより、前記基板に自己バイアス電位を印加するバイアス印加手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記バイアス印加手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、バイアスパワーをゼロとして、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位の変化を相殺する自己バイアス電位に対応するバイアスパワーを求めて、一定の積算処理時間間隔における基準バイアスパワーを求め、求めた前記基準バイアスパワーに基づいて、前記単電極に供給する設定バイアスパワーを処理枚数毎に算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、吸着電圧を一定とすると共に、算出した前記設定バイアスパワーを処理枚数毎に前記単電極に供給して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着する静電吸着手段と、
前記単電極を共用して、前記単電極にバイアスパワーを供給することにより、前記基板に自己バイアス電位を印加するバイアス印加手段と、
前記真空容器内のガスをプラズマ化する誘導結合型のプラズマ発生手段と、
前記静電吸着手段と前記バイアス印加手段と前記プラズマ発生手段とを制御する制御手段とを備え、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、バイアスパワーをゼロとして、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位の変化を相殺する自己バイアス電位に対応するバイアスパワーを求めて、一定の積算処理時間間隔における基準バイアスパワーを求め、求めた前記基準バイアスパワーに基づいて、前記単電極に供給する設定バイアスパワーを積算処理時間に対応させて算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、吸着電圧を一定とすると共に、算出した前記設定バイアスパワーを積算処理時間に対応して前記単電極に供給して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
前記基板のプラズマ処理時には、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて増大する基板電位について、当該基板電位との電位差が一定になるように、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて、前記単電極に印加する吸着電圧を増大することを特徴とするプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法。 - 静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を処理枚数毎に算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を処理枚数毎に前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とするプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法。 - 静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を積算処理時間に対応させて算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を積算処理時間に対応して前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とするプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法。 - 静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
前記単電極を共用するバイアス印加手段により、前記単電極にバイアスパワーを供給して、前記基板に自己バイアス電位を印加し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
前記基板のプラズマ処理時には、バイアスパワーを一定とすると共に、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて増大する基板電位について、当該基板電位との電位差が一定になるように、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて、前記単電極に印加する吸着電圧を増大することを特徴とするプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法。 - 静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
前記単電極を共用するバイアス印加手段により、前記単電極にバイアスパワーを供給して、前記基板に自己バイアス電位を印加し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
予め、バイアスパワーが一定である所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を処理枚数毎に算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を処理枚数毎に前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とするプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法。 - 静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
前記単電極を共用するバイアス印加手段により、前記単電極にバイアスパワーを供給して、前記基板に自己バイアス電位を印加し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
予め、バイアスパワーが一定である所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算処理時間間隔における基準吸着電圧を求め、求めた前記基準吸着電圧に基づいて、前記単電極に印加する設定吸着電圧を積算処理時間に対応させて算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、算出した前記設定吸着電圧を積算処理時間に対応して前記単電極に印加して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とするプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法。 - 静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
前記単電極を共用するバイアス印加手段により、前記単電極にバイアスパワーを供給して、前記基板に自己バイアス電位を印加し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
前記基板のプラズマ処理時には、吸着電圧を一定とすると共に、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて増大する基板電位について、当該基板電位との電位差が一定になるように、連続する処理枚数又は積算処理時間に応じて、前記単電極に供給するバイアスパワーを増大することを特徴とするプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法。 - 静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
前記単電極を共用するバイアス印加手段により、前記単電極にバイアスパワーを供給して、前記基板に自己バイアス電位を印加し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、バイアスパワーをゼロとして、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位の変化を相殺する自己バイアス電位に対応するバイアスパワーを求めて、一定の積算処理時間間隔における基準バイアスパワーを求め、求めた前記基準バイアスパワーに基づいて、前記単電極に供給する設定バイアスパワーを処理枚数毎に算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、吸着電圧を一定とすると共に、算出した前記設定バイアスパワーを処理枚数毎に前記単電極に供給して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とするプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法。 - 静電吸着手段の単電極に吸着電圧を印加することにより、真空容器内に収容される基板を支持台に静電吸着し、
前記単電極を共用するバイアス印加手段により、前記単電極にバイアスパワーを供給して、前記基板に自己バイアス電位を印加し、
誘導結合型のプラズマ発生手段により、前記真空容器内のガスをプラズマ化して、
前記支持台に吸着された前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法であって、
予め、所定のプラズマ処理条件下において、バイアスパワーをゼロとして、一定の積算処理時間間隔で基板電位の変化を計測し、計測した前記基板電位の変化を相殺する自己バイアス電位に対応するバイアスパワーを求めて、一定の積算処理時間間隔における基準バイアスパワーを求め、求めた前記基準バイアスパワーに基づいて、前記単電極に供給する設定バイアスパワーを積算処理時間に対応させて算出しておき、
前記所定のプラズマ処理条件下における前記基板のプラズマ処理時には、吸着電圧を一定とすると共に、算出した前記設定バイアスパワーを積算処理時間に対応して前記単電極に供給して、前記基板に対する静電吸着力を一定とすることを特徴とするプラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法。
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