JP5110341B2 - 表示装置及びその表示駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置及びその表示駆動方法に関し、特に、アクティブマトリックス型の駆動方式に対応した表示パネルを備えた表示装置及びその表示駆動方法に関する。

近年、パーソナルコンピュータや映像機器のモニタやディスプレイとして、薄型軽量で低消費電力の表示デバイスの普及が著しい。特に、液晶表示装置（ＬＣＤ）は、近年普及が著しい携帯電話やデジタルカメラ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、電子辞書等の携帯機器（モバイル機器）の表示デバイスとして広く適用されている。

また、このような液晶表示装置に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）や無機エレクトロルミネッセンス素子（無機ＥＬ素子）、あるいは、発光ダイオード（ＬＥＤ）等のような自己発光型の光学要素（発光素子）を、マトリクス状に配列した表示パネルを備えた発光素子型の表示装置の本格的な普及に向けた研究開発も盛んに行われている。

特に、アクティブマトリックス型の駆動方式を適用した発光素子型の表示装置においては、液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、また、視野角依存性もなく、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるとともに、液晶表示装置のようにバックライトを必要としないので、一層の薄型軽量化や低消費電力化が可能である、という携帯機器への適用に極めて優位な特徴を有している。

ここで、液晶表示装置や発光素子型の表示装置における駆動制御方法について、図面を参照して簡単に説明する。
図１６は、従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の要部を示す概略構成図である。また、図１７は、従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の表示駆動方法の一例（ホールド型）を模式的に示したタイミングチャートであり、図１８は、従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の表示駆動方法の他の例（擬似インパルス型）を模式的に示したタイミングチャートである。ここで、図１７及び図１８においては、後述する実施形態との比較のために、便宜的に表示パネルに１２行（第１行〜第１２行）の表示画素が配列された構成を有する場合について、その表示駆動方法を示した。図中、ｋは正の整数である。なお、各行における映像データの書込動作及び表示動作、ブランキングデータの書込動作及び表示動作を明確にするため、便宜的にハッチングを施して示した。

まず、旧来の陰極線管（ＣＲＴ）を適用した表示装置においては、周知のように、電子ビームを陰極線管内部で偏向させて、蛍光面（スクリーン）を照射しつつ走査することにより、１フレーム期間のうち、僅かな時間だけ発光動作させ、次のフレーム期間において再び電子ビームが照射されるまで、何も表示（発光）しない、インパルス型の表示駆動制御が実行される。

これによれば、前のフレーム期間における画像情報が消えた後に次のフレーム期間の画像情報が表示されるので、動画像の表示動作において残像が視認されにくくなり、良好な表示画質を実現することができる反面、動きのない静止画像の表示動作においてはちらつきが生じやすいという問題を有している。

一方、液晶表示装置や発光素子型の表示装置のようなアクティブマトリックス型の表示装置は、一般に、図１６に示すように、行、列方向に配設された複数の走査ラインＳＬｐ及びデータラインＤＬｐの各交点近傍に、複数の表示画素ＥＭｐが２次元配列された表示パネル１１０Ｐと、各走査ラインＳＬｐに接続された走査ドライバ１２０Ｐと、各データラインＤＬに接続されたデータドライバ１３０Ｐと、を備えた構成を有している。

このような構成を有する表示装置における表示駆動制御は、例えば、図１７に示すように、まず、走査ドライバ１２０Ｐから各行の走査ラインＳＬｐに選択レベルの走査信号Ｓselを順次印加することにより、行ごとの表示画素ＥＭｐを順次選択状態に設定し、各行の選択タイミングに同期して、データドライバ１３０Ｐから当該行の映像データ（表示データ）に応じた階調電圧Ｖpixを各列のデータラインＤＬｐに印加することにより、各表示画素ＥＭｐに階調電圧Ｖpixに基づく電圧成分が保持される（映像データが書き込まれる；映像データ書込動作）。

これにより、各表示画素ＥＭｐにおいて上記電圧成分に応じた階調制御が行われる（具体的には、液晶表示装置においては液晶分子の配向状態が制御され、発光素子型の表示装置においては、発光素子の発光輝度が制御される）ことにより、上記映像データに応じた表示動作（発光動作）が実行され、表示パネルに所望の画像情報が表示される。

次いで、走査ドライバ１２０Ｐから走査ラインＳＬｐに非選択レベルの走査信号Ｓselを順次印加することにより、行ごとの表示画素ＥＭｐが非選択状態に設定されるが、このとき、各表示画素に書き込まれた映像データ（電圧成分）が保持されることにより、上記映像データに応じた表示動作が継続される（映像表示動作）。この表示動作は、次の映像データが各行の表示画素ＥＭｐに書き込まれるまで、例えば、１フレーム期間継続して実行される（ホールド型の表示駆動制御）。

このようなホールド型の表示駆動方法においては、上述したインパルス型の表示駆動方法とは異なり、１フレーム期間のほとんどの期間において、映像データに応じた表示動作（発光動作）が継続されるので、静止画像の表示動作においてはちらつきが生じにくいという特性を有しているが、その反面、動画像の表示動作においては、前のフレーム期間に表示された画像情報が残像として視認されやすくなり、画像情報のボケやにじみを生じ、表示画質の劣化を招くという問題を有していた。

そこで、液晶表示装置や発光素子型の表示装置において、上述した動画像の表示動作におけるボケやにじみを抑制して表示画質を向上させる表示駆動方法として、例えば、図１８に示すように、１フレーム期間に、上述した各行の表示画素ＥＭｐに対する映像データ書込動作（映像データ書込期間）及び映像表示動作（映像表示期間）に加え、各表示画素ＥＭｐを最低階調で表示動作（発光動作）、又は、非表示動作（非発光動作）させるために、データドライバから各データラインにブランキングデータを供給して、各表示画素に当該ブランキングデータを書き込む動作（ブランキングデータ書込期間）、及び、当該ブランキングデータに基づく黒表示動作（黒表示期間）を実行する手法が知られている。

これにより、１フレーム期間に一定期間の黒表示期間が挿入されて、何も表示（発光）されない表示状態が設定されるので、映像表示期間が相対的に短縮されて、上述した陰極線管に適用されるインパルス型に類似した表示駆動方法（便宜的に「擬似インパルス型の表示駆動方法」と記す）を実現することができ、動画像の表示動作における表示品質を向上させることができる。このような表示装置の駆動制御方法については、例えば、特許文献１等に詳しく記載されている。

特開２００４−２６４４８１号公報 （第１７頁〜第１８頁、図６）

しかしながら、従来技術に示した擬似インパルス型の表示駆動方法においては、図１８に示したように、１フレーム期間内に、データドライバから供給される映像データの書込期間及び映像表示期間と、同様にデータドライバから供給されるブランキングデータの書込期間及び黒表示期間とを設定する必要があるため、図１７に示したように、１フレーム期間内に、データドライバから供給される映像データの書込動作及び映像表示動作のみを実行し、黒表示動作を実行しない場合に比較して、映像データの書込動作に割り当てられる時間が短くなり、書込動作に係る駆動周波数（すなわち、表示装置の駆動周波数）を高くする必要がある（高速で書き込む必要がある）。

このように映像データ（表示データ）の書込期間が短くなり、高速で書込動作を実行しなければならなくなると、表示パネル（信号配線等）に寄生する抵抗成分や容量成分等によるＣＲ時定数に起因して信号遅延が生じ、各表示画素への映像データの書込状態が不十分となる書込不足が発生して、映像データに応じた階調表示が適切に実行されなくなるという問題を有していた。

また、図１７、図１８においては図示を省略したが、各表示画素に映像データを書き込む際には、先のフレーム期間において当該表示画素に書き込まれ、残留している映像データに基づく電圧成分を放電して初期化（リセット）するリセット動作や、当該行の走査ラインを選択レベルに設定する際の信号レベルの立ち上がり動作のための時間を短くする必要があるため、動作タイミングの設定に余裕がなくなり、タイミング制御が複雑になったり、誤動作が生じやすくなったりするという問題を有していた。

そこで、本発明は、上述した種々の問題点に鑑み、アクティブマトリックス型の駆動方式に対応した表示パネルを備えた表示装置において、動画像をボケやにじみのない良好な表示品質で表示することができるとともに、映像データ（表示データ）に対応した適切な階調で画像情報を表示することができる表示装置及びその表示駆動方法を提供することを目的とする。

請求項１記載の発明は、行方向に配設された複数の走査ライン及び列方向に配設された複数のデータラインと、行方向に配設された複数の信号ラインと、複数の表示画素と、を有し、前記各表示画素が前記各走査ラインと前記各データラインとの各交点近傍に配列された表示パネルと、所定のタイミングで前記表示パネルの前記各走査ラインに選択レベルの走査信号を順次印加して、各行の前記表示画素を順次選択状態に設定する走査駆動部と、所望の画像情報を表示するための表示データに応じた階調信号を生成し、前記各データラインを介して、前記選択状態に設定された行の前記表示画素に供給するデータ駆動部と、前記表示パネルに配列された前記複数の表示画素を、複数行ごとに複数のグループに分け、該各グループの前記表示画素に、当該表示画素を表示動作させる第１の電源電圧及び前記表示画素を非表示動作させる、前記第１の電源電圧と異なる電位の第２の電源電圧を供給する電源駆動部と、前記各信号ラインに状態設定信号を供給する状態設定部と、タイミング制御信号を供給することにより、前記走査駆動部、前記データ駆動部、前記電源駆動部及び前記状態設定部の各々を所定のタイミングで動作させ、少なくとも、前記表示パネルの前記各グループの前記表示画素を、前記表示データに応じて一斉に表示動作させる駆動制御部と、を備え、前記表示画素は、発光素子と、前記発光素子の発光動作を制御する発光駆動回路と、を備え、前記発光駆動回路は、第１の制御端子と第１の導通路とを有し、前記第１の導通路の一端に前記第１の電源電圧又は前記第２の電源電圧が印加され、該第１の導通路の他端に前記発光素子が接続された第１のスイッチ手段と、第２の制御端子と第２の導通路とを有し、前記第２の制御端子が前記走査ラインに接続され、前記第２の導通路の一端に前記第１の電源電圧又は前記第２の電源電圧が印加され、該第２の導通路の他端に前記第１のスイッチ手段の前記第１の制御端子が接続された第２のスイッチ手段と、第３の制御端子と第３の導通路とを有し、前記第３の制御端子が前記走査ラインに接続され、前記第３の導通路の一端に前記データラインが接続され、該第３の導通路の他端に前記第１の導通路の他端が接続された第３のスイッチ手段と、第４の制御端子と第４の導通路とを有し、前記第４の制御端子が前記信号ラインに接続され、前記第４の導通路の一端が前記走査ラインに接続され、該第４の導通路の他端に前記第１のスイッチ手段の前記第１の制御端子が接続され、前記信号ラインに前記状態設定信号が供給されたときにオン状態に設定される第４のスイッチ手段と、前記第１のスイッチ手段の前記第１の制御端子と前記第１の導通路の他端との間に接続されて、前記第１の制御端子と前記第１の導通路の他端との間の電位差に対応した電荷を蓄積する容量素子と、を備え、前記駆動制御部は、前記状態設定部から前記信号ラインに前記状態設定信号を供給する逆バイアス設定期間を設定し、該逆バイアス設定期間に前記各表示画素に接続される前記各走査ラインに前記走査駆動部から特定の電圧レベルに設定した非選択レベルの前記走査信号を印加し、当該表示画素に前記電源駆動部から前記第２の電源電圧を供給するように制御し、前記逆バイアス設定期間において、前記第１のスイッチ手段の前記第１の制御端子に、前記走査ラインの前記特定の電圧レベルが、前記信号ラインに接続されてオン状態に設定された前記第４のスイッチ手段を介して印加され、前記特定の電圧レベルが、前記第２の電源電圧と同じ電位又は前記第１の制御端子に印加される電圧が前記第１のスイッチ手段に対して逆バイアス電圧となる電位に設定されていることを特徴とする。

請求項２記載の発明は、請求項１記載の表示装置において、前記表示パネルは、前記各信号ラインを前記各グループに対応して有し、該各信号ラインは前記各グループに含まれる各行に対応して分岐して配設され、前記状態設定部は、前記各グループに対応した前記各信号ラインに単一の前記状態設定信号を出力し、前記分岐して配設された信号ラインを介して、前記グループごとの前記表示画素に前記状態設定信号を同時に供給することを特徴とする。

請求項３記載の発明は、請求項１記載の表示装置において、前記表示パネルは、前記各信号ラインを、前記各グループに含まれる各行に対応して複数有し、前記状態設定部は、前記各信号ラインに対応して前記状態設定信号を順次出力し、前記各信号ラインを介して、前記行ごとの前記表示画素に前記状態設定信号を順次供給することを特徴とする。

請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置において、前記表示パネルは、複数の電源ラインを前記各グループに対応して有し、該各電源ラインは前記各グループに含まれる各行に対応して分岐して配設され、前記電源駆動部は、前記各グループに対応した前記各電源ラインに単一の前記第１の電源電圧又は前記第２の電源電圧を出力し、前記分岐して配設された電源ラインを介して、前記グループごとの前記表示画素に前記第１の電源電圧又は前記第２の電源電圧を同時に供給することを特徴とする。

請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置において、前記各グループの複数行の前記表示画素は、連続する複数の行の前記表示画素からなることを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置において、前記各グループの複数行の前記表示画素は、連続しない複数の行の前記表示画素からなることを特徴とする。

請求項７記載の発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置において、前記逆バイアス設定期間において、当該逆バイアス設定期間より前の期間に前記容量素子に蓄積されていた電荷の少なくとも一部が放電されることを特徴とする。

請求項８記載の発明は、請求項１乃至７のいずれかに記載の表示装置において、少なくとも前記発光駆動回路に設けられる前記第１のスイッチ手段は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタにより構成されていることを特徴とする。
請求項９記載の発明は、請求項１乃至８のいずれかに記載の表示装置において、前記データ駆動部は、前記階調信号として、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための所定の電流値を有する階調電流を生成する手段を備えていることを特徴とする。
請求項１０記載の発明は、請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置において、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする。

すなわち、本発明に係る表示装置及びその表示駆動方法においては、表示パネルに２次元配列された複数の表示画素を、予め複数行ごとにグループ分けし、電源駆動部（電源ドライバ）から各グループごとに、当該グループに含まれる全ての行の表示画素に、同一の電圧レベルを有する電源電圧（第１の電源電圧、又は、第２の電源電圧）を同時に印加することにより、当該グループの表示画素を一斉に表示動作（発光動作）、又は、非表示動作（非発光動作）させるように制御される。

また、各グループの表示画素の非表示動作期間内に、状態設定部（逆バイアスドライバ）から各行の表示画素に、状態設定信号（逆バイアス設定信号）を供給することにより、各行の表示画素に設けられた表示駆動手段や発光制御手段（発光駆動用のスイッチング手段）に無電圧（０Ｖ）、又は、逆バイアス電圧を、一括して、又は、順次印加した状態（逆バイアス状態）に設定するとともに、走査駆動部（走査ドライバ）及びデータ駆動部（データドライバ）により、各行の表示画素に表示データに応じた階調信号（階調電流）を順次供給して書き込むように制御される。

これにより、同一グループ内の各行の表示画素に、少なくとも逆バイアス設定動作及び書込動作を実行する期間中、当該グループに含まれる表示画素（発光素子）の表示動作が行われず、非表示状態（非発光状態）に設定されるので、所定の１処理サイクル期間（１フレーム期間）のうち、一定期間のみ非表示動作（非発光動作）が行われ、その残りの期間、表示データに応じた輝度階調で表示動作（発光動作）が行われる擬似インパルス型の表示駆動制御を実現することができる。

ここで、各グループごとに異なるタイミングで当該グループの表示画素を一斉に非表示動作又は表示動作することができるので、各グループの表示画素への第１及び第２の電源電圧の印加時間を任意に設定することにより、１処理サイクル期間（１フレーム期間）における上記非表示期間の比率（黒挿入率）を、概ね３０％以上に設定することができ、動画像においてボケやにじみを抑制して、鮮明で良好な表示画質を実現することができる。

また、本発明に係る表示装置及びその表示駆動方法によれば、動画像を鮮明な表示画質で表示するために、黒表示動作のためのブランキングデータの書込動作を実行する必要がないので、各行の表示画素に対する表示データの書込時間を充分確保することができる。したがって、表示データの書込不足に起因する表示品質の低下を抑制して、表示データに応じた適切な階調表示を実現することができる。また、これにより、各種信号のタイミング制御に余裕を持たせることができるので、表示装置の誤動作の発生を抑制することができる。

さらに、本発明に係る表示装置及びその表示駆動方法によれば、表示パネルに配列される各表示画素に、表示駆動手段や発光制御手段（発光駆動用のスイッチング素子）として、例えば、アモルファスシリコン薄膜トランジスタからなる回路構成を適用した場合であっても、各表示画素に設けられた発光制御手段や表示駆動手段を逆バイアス状態に設定することができるので、アモルファスシリコン薄膜トランジスタにおける素子特性（しきい値電圧の変動；Ｖthシフト）の劣化を大幅に抑制して、表示データに応じた適切な階調表示（適切な輝度階調での発光素子の発光動作）を実現することができる。

以下、本発明に係る表示装置及びその表示駆動方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。
［第１の実施形態］
＜表示装置＞
まず、本発明に係る表示装置の概略構成について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示す概略ブロック図である。また、図２は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの一例を示す要部構成図であり、図３は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの周辺回路（走査ドライバ、電源ドライバ、逆バイアスドライバ）の一例を示す要部構成図である。

なお、以下に示す実施形態においては、表示パネルとして、発光素子を備えた複数の表示画素を２次元配列した構成を有し、各表示画素が表示データ（映像データ）に応じた輝度階調で発光動作することにより画像情報を表示する発光素子型の表示装置について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、液晶表示装置のように、各表示画素が表示データに応じて階調制御（表示データに応じたバイアス状態に設定）され、透過光や反射光により所望の画像情報を階調表示（表示動作）する表示装置であってもよい。

図１、図２、図３に示すように、本実施形態に係る表示装置１００は、概略、行、列方向に相互に直交するように配設された複数の走査ラインＳＬと複数のデータラインＤＬとの各交点近傍に、後述する発光駆動回路及び発光素子を備えた複数の表示画素ＥＭが配列された表示パネル１１０と、該表示パネル１１０の各走査ラインＳＬに接続され、各走査ラインＳＬに所定のタイミングで選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、行ごとの表示画素ＥＭを順次選択状態に設定する走査ドライバ（走査駆動部）１２０と、各行の走査ラインＳＬに並行に配設された複数の電源ラインＶＬに接続され、予め任意の複数行ごとにグループ分けされ、各グループごとに、当該グループに含まれる行の電源ラインＶＬに所定のタイミングで電源電圧（第１の電源電圧、第２の電源電圧）Ｖscを順次印加する電源ドライバ（電源駆動部）１３０と、各行の走査ラインＳＬに並行に配設された複数の逆バイアスラインＢＬに接続され、上記複数行ごとにグループ分けされた各グループごとに、当該グループに含まれる行の逆バイアスライン（信号ライン）ＢＬに所定のタイミングで逆バイアス設定信号（状態設定信号）Ｖbsを印加することにより、行ごとの表示画素ＥＭを順次逆バイアス状態（特定のバイアス状態）に設定する逆バイアスドライバ（状態設定部）１４０と、表示パネル１１０の各データラインＤＬに接続され、表示データに応じた階調信号（階調電流Ｉdata）を、各データラインＤＬを介して表示画素ＥＭへ供給するデータドライバ（データ駆動部）１５０と、後述する表示信号生成回路１７０から供給されるタイミング信号に基づいて、少なくとも上記走査ドライバ１２０及び電源ドライバ１３０、逆バイアスドライバ１４０、データドライバ１５０の動作状態を制御して、表示パネル１１０における所定の画像表示動作を実行するための走査制御信号及び電源制御信号、逆バイアス制御信号、データ制御信号を生成して出力するシステムコントローラ（駆動制御部）１６０と、例えば、表示装置１００の外部から供給される映像信号に基づいて、表示データ（輝度階調データ）を生成してデータドライバ１５０に供給するとともに、該表示データに基づいて表示パネル１１０に所定の画像情報を表示するためのタイミング信号（システムクロック等）を抽出、又は、生成してシステムコントローラ１６０に供給する表示信号生成回路１７０と、を備えて構成されている。

以下、上記各構成について具体的に説明する。
（表示パネル・表示画素）
図４は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素（発光駆動回路）の一例を示す回路構成図である。なお、本実施形態においては、表示画素として、表示データに応じた電流値を有する階調電流を供給することにより、各表示画素に設けられた発光素子に表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流を流して、所望の輝度階調で発光動作（表示動作）させる電流階調指定方式の駆動制御方法に対応した回路構成（発光駆動回路）を備えた場合について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、表示データに応じた電圧値を有する階調電圧を印加することにより、各表示画素の発光素子に表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流を流して、所望の輝度階調で発光動作させる電圧階調指定方式の駆動制御方法に対応した回路構成を備えたものであってもよい。

本実施形態に係る表示装置１００に適用される表示パネル１１０は、図２に示すように、行、列方向に２次元配列された複数の表示画素ＥＭが、予め任意の複数行ごと（図２では、３行ごと）にグループ分けされ、各グループごとに、各々単一の電源ラインＶＬ及び逆バイアスラインＢＬが各行の表示画素ＥＭに接続されるように分岐して配設された構成を有している。

そして、後述する表示駆動方法に示すように、各グループに含まれる行の表示画素ＥＭに対して、各発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタ）に逆バイアス電圧が印加された逆バイアス状態に設定する逆バイアス設定動作において、後述する逆バイアスドライバ１４０から各グループごとに単一の逆バイアス設定信号Ｖbsが、各グループに含まれる全ての行に対応して分岐して配設された逆バイアスラインＢＬに印加されることにより、各グループに含まれる全ての行の表示画素ＥＭ（発光駆動用のスイッチング素子）が一斉に逆バイアス状態に設定される。

また、少なくとも、上記グループに含まれる行の表示画素ＥＭが逆バイアス状態に設定されている期間、及び、同一グループに含まれるいずれかの行の表示画素ＥＭについて表示データの書込動作が実行されている期間、後述する電源ドライバ１３０から各グループごとに単一の電源電圧Ｖsc（ハイレベル又はローレベル）が、各グループに含まれる全ての行に対応して分岐して配設された電源ラインＶＬに印加されることにより、各グループに含まれる全ての行の表示画素ＥＭが一斉に発光動作（表示動作）、又は、非発光動作（非表示動作）するように制御される。

なお、表示パネル１１０に配列された表示画素ＥＭに対して表示データを書き込む書込動作においては、後述する走査ドライバ１２０から各行ごとに個別の走査信号Ｖselが、各行ごとに配設された走査ラインＳＬに印加されることにより、各行の表示画素ＥＭが選択状態に設定され、データドライバ１５０から各表示画素ＥＭに対応した階調信号（階調電流）が、各列に配設されたデータラインＤＬに供給されることにより、各行ごとの表示画素ＥＭに表示データが書き込まれる。

また、本実施形態に係る表示パネル１１０に配列される表示画素ＥＭは、例えば、図４に示すように、概略、走査ドライバ１２０から印加される走査信号Ｖselに基づいて、表示画素ＥＭを選択状態に設定し、当該選択状態においてデータドライバ１５０から供給される階調信号（階調電流Ｉdata）を取り込み、該階調信号に応じた発光駆動電流を生成する発光駆動回路ＤＣと、該発光駆動回路ＤＣから供給される発光駆動電流に基づいて、所定の輝度階調で発光動作する周知の有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬと、を備えた構成を適用することができる。

本実施形態に係る発光駆動回路ＤＣは、具体的には、図４に示すように、ゲート端子（制御端子）が走査ラインＳＬに、ドレイン端子及びソース端子（導通路の一端、他端）が所定の電源電圧Ｖscが印加される電源ラインＶＬ及び接点Ｎ１１に各々接続された薄膜トランジスタ（書込制御手段、第２のスイッチ手段）Ｔｒ１１と、ゲート端子（制御端子）が走査ラインＳＬに、ソース端子及びドレイン端子（導通路の一端、他端）がデータラインＤＬ及び接点Ｎ１２に各々接続された薄膜トランジスタ（書込制御手段、第３のスイッチ手段）Ｔｒ１２と、ゲート端子（制御端子）が接点Ｎ１１に、ドレイン端子及びソース端子（導通路の一端、他端）が電源ラインＶＬ及び接点（接続接点）Ｎ１２に各々接続された薄膜トランジスタ（表示駆動手段、発光制御手段、第１のスイッチ手段）Ｔｒ１３と、ゲート端子（制御端子）が逆バイアスラインＢＬに、ドレイン端子及びソース端子（導通路の一端、他端）が走査ラインＳＬ及び接点Ｎ１１に各々接続された薄膜トランジスタ（バイアス制御手段、第４のスイッチ手段）Ｔｒ１４と、接点Ｎ１１及び接点Ｎ１２間（薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース端子間）に接続されたコンデンサ（電荷蓄積手段、容量素子）Ｃｓと、を備えた構成を有している。

また、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード端子が上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード端子には共通電圧Ｖcomが印加されている。ここで、共通電圧Ｖcomは、有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬへの発光駆動電流の供給が遮断されて発光動作しない非発光動作期間（非表示動作期間）においてローレベルに設定される電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）と等電位であるか、あるいは、当該電源電圧Ｖscよりも高い電位であって、かつ、有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬに発光駆動電流が供給されて所定の輝度階調で発光動作する発光動作期間（表示動作期間）においてハイレベルに設定される電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）よりも低電位となる、任意の電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）に設定されている（Ｖｓ≦Ｖcom＜Ｖｅ）。

ここで、コンデンサＣｓは、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に形成される寄生容量であってもよいし、該寄生容量に加えて接点Ｎ１１及び接点Ｎ１２間にさらに容量素子を並列に接続したものであってもよい。また、薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３については、特に限定するものではないが、例えば、薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３を全て単一のチャネル型の薄膜トランジスタ（電界効果型トランジスタ）により構成することにより、ｎチャネル型アモルファスシリコン薄膜トランジスタを良好に適用することができる。

これにより、すでに確立されたアモルファスシリコン製造技術を適用して、素子特性（電子移動度等）が均一で安定したアモルファスシリコン薄膜トランジスタからなる発光駆動回路を、比較的簡易な製造プロセスで製造することができる。なお、以下の説明においては、発光駆動回路ＤＣの一構成例として、薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３を全てｎチャネル型の薄膜トランジスタにより構成した場合について説明する。

また、図４に示した表示画素ＥＭにおいては、発光駆動回路ＤＣにより発光駆動される発光素子を有機ＥＬ素子ＯＥＬとしたが、本発明における発光素子は有機ＥＬ素子ＯＥＬに限定されるものではなく、電流制御型の発光素子であれば、例えば、発光ダイオード等の他の発光素子であってもよい。さらに、本実施形態においては、発光駆動回路ＤＣにより電流制御型の発光素子を発光駆動することにより画像情報を表示する場合について説明するが、表示データに応じた電圧成分を生成して、電圧制御型の発光素子を発光駆動する構成や、液晶分子の配向状態を変化させる回路構成を有するものであってもよい。

（走査ドライバ）
走査ドライバ１２０は、システムコントローラ１６０から供給される走査制御信号に基づいて、各走査ラインＳＬに選択レベル（上述した表示画素ＥＭにおいては、ハイレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、各行ごとの表示画素ＥＭを選択状態に設定する。具体的には、各行の走査ラインＳＬに走査信号Ｖselを印加する動作を、相互に時間的に重ならないタイミングでずらして実行することにより、各行ごとの表示画素ＥＭを順次選択状態に設定する。

特に、本実施形態に係る表示装置１００においては、表示パネル１１０について予めグループ分けされた複数行ごとの表示画素ＥＭに対して、グループ内の各行の走査ラインＳＬに順次走査信号Ｖselを印加することにより、当該グループについて各行の表示画素ＥＭが順次選択状態に設定され、さらに、各グループについて同様の動作が実行されることにより、表示パネル１１０に配列された全ての表示画素ＥＭが行ごとに順次選択状態に設定される。

ここで、走査ドライバ１２０は、例えば、図３に示すように、後述するシステムコントローラ１６０から走査制御信号として供給される走査クロック信号ＳＣＫ及び走査スタート信号ＳＳＴに基づいて、各行の走査ラインＳＬに対応するシフト信号を順次出力する周知のシフトレジスタ１２１と、該シフトレジスタ１２１から出力されるシフト信号を所定の信号レベル（オンレベル）に変換して、システムコントローラ１６０から走査制御信号として供給される出力制御信号ＳＯＥに基づいて、各走査ラインＳＬに走査信号Ｖselとして出力する出力回路部（出力バッファ）１２２と、を備えた構成を有している。

（電源ドライバ）
電源ドライバ１３０は、システムコントローラ１６０から供給される電源制御信号に基づいて、各グループに含まれる行の表示画素ＥＭについて、発光動作期間中のみハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ；第１の電源電圧）を当該グループに含まれる行の電源ラインＶＬに印加し、発光動作期間以外の動作期間（後述する表示装置の表示駆動動作において同一のグループに含まれる全ての行の表示画素ＥＭにおける逆バイアス設定期間及び書込動作期間を含む非発光動作期間）中、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ；第２の電源電圧）を印加する。ここで、ローレベルの電源電圧Ｖscを印加する動作は、実質的に、表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ）への電源電圧Ｖscの供給を遮断する動作と等価となる。

これにより、当該グループの表示画素ＥＭについて逆バイアス状態に設定されている期間及び書込動作が実行されている期間中は、当該グループの全ての行の表示画素ＥＭにローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が同時に印加されて一斉に非発光状態（非表示状態）に設定され、当該グループの全ての行の表示画素ＥＭに対して書込動作が終了した後において、当該グループの全ての行の表示画素ＥＭにハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が同時印加されて一斉に発光状態（階調表示状態）に設定される。

ここで、電源ドライバ１３０は、例えば、図３に示すように、システムコントローラ１６０から電源制御信号として供給されるクロック信号ＶＣＫ及びスタート信号ＶＳＴに基づいて、各グループごとの電源ラインＶＬに対応するシフト信号を順次出力する周知のシフトレジスタ１３１と、シフト信号を所定の電圧レベル（電圧値Ｖｅ、Ｖｓ）に変換して、電源制御信号として供給される出力制御信号ＶＯＥに基づいて、各グループごとの電源ラインＶＬに電源電圧Ｖscとして出力する出力回路部１３２と、を備えた構成を有している。

（逆バイアスドライバ）
逆バイアスドライバ１４０は、システムコントローラ１６０から供給される逆バイアス制御信号に基づいて、各グループに含まれる行の表示画素ＥＭについて、非発光動作期間Ｔnem中の特定の期間のみ、逆バイアス設定信号Ｖbsを当該グループに含まれる行の逆バイアスラインＢＬに印加し、書込動作期間Ｔwrt開始以前の非発光動作期間Ｔnem中、各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ）に設けられた発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３ゲート−ソース間）に逆バイアス電圧（０Ｖ（無電圧）を含む）を印加して、逆バイアス状態（無電界状態を含む）に設定する。

これにより、当該グループの全ての行の表示画素ＥＭに、逆バイアス設定信号Ｖbsが同時印加されて一斉に逆バイアス状態に設定され、また、当該グループの各行の表示画素ＥＭについて書込動作が実行されるまで、各行の表示画素ＥＭにおける逆バイアス状態が継続して設定される。

ここで、逆バイアスドライバ１４０は、例えば、図３に示すように、上述した電源ドライバ１３０と同様に、システムコントローラ１６０から逆バイアス制御信号として供給されるクロック信号ＢＣＫ及びスタート信号ＢＳＴに基づいて、各グループごとの逆バイアスラインＢＬに対応するシフト信号を順次出力する周知のシフトレジスタ１４１と、シフト信号を所定の電圧レベルに変換して、逆バイアス制御信号として供給される出力制御信号ＢＯＥに基づいて、各グループごとの逆バイアスラインＢＬに逆バイアス設定信号Ｖbsとして出力する出力回路部１４２と、を備えた構成を有している。

（データドライバ）
図５は、本実施形態に係る表示装置に適用されるデータドライバの一例を示す概略ブロック図である。なお、図５に示すデータドライバの内部構成については、表示データに応じた電流値を有する階調電流を生成することができる一構成例を示したものに過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。

データドライバ１５０は、概略、システムコントローラ１６０から供給されるデータ制御信号に基づいて、後述する表示信号生成回路１７０から供給される、デジタル信号からなる表示データ（輝度階調データ）を１行分ごとに所定のタイミングで順次取り込んで保持し、該表示データの階調値に対応する電流値を有する階調電流Ｉdataを生成して、書込動作期間に選択状態に設定された行の表示画素ＥＭに対して、各データラインＤＬを介して一斉に供給する。

データドライバ１５０は、具体的には、図５に示すように、システムコントローラ１６０から供給されるデータ制御信号（シフトクロック信号ＣＬＫ、サンプリングスタート信号ＳＴＲ）に基づいて、順次シフト信号を出力するシフトレジスタ回路５１と、該シフト信号の入力タイミングに基づいて、表示信号生成回路１７０から供給される１行分の表示データＤ０〜Ｄｍを順次取り込むデータレジスタ回路５２と、データ制御信号（データラッチ信号ＳＴＢ）に基づいて、データレジスタ回路５２により取り込まれた１行分の表示データＤ０〜Ｄｍを保持するデータラッチ回路５３と、図示を省略した電源供給手段から供給される階調基準電圧Ｖ０〜ＶＰに基づいて、上記保持された表示データＤ０〜Ｄｍを、所定のアナログ信号電圧（階調電圧Ｖpix）に変換するＤ／Ａコンバータ５４と、アナログ信号電圧に変換された表示データに対応する階調電流Ｉdataを生成し、システムコントローラ１６０から供給されるデータ制御信号（出力イネ−ブル信号ＯＥ）に基づくタイミングで、当該表示データに対応する列のデータラインＤＬに一斉に出力する電圧電流変換・階調電流供給回路５５と、を備えた構成を適用することができる。

（システムコントローラ）
システムコントローラ１６０は、少なくとも、走査ドライバ１２０及び電源ドライバ１３０、逆バイアスドライバ１４０、データドライバ１５０の各々に対して、動作状態を制御するタイミング制御信号として、走査制御信号及び電源制御信号、逆バイアス制御信号、データ制御信号を生成して出力することにより、各ドライバを所定のタイミングで動作させて、所定の電圧レベルを有する走査信号Ｖsel及び電源電圧Ｖsc、逆バイアス設定信号Ｖbs、並びに、表示データに応じた階調信号（階調電流Ｉdata）を生成して表示パネル１１０に出力させ、各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ）における駆動制御動作（非発光動作、逆バイアス設定動作、書込動作、発光動作）を連続的に実行させて、映像信号に基づく所定の画像情報を表示パネル１１０に表示させる制御（後述する表示装置の表示駆動制御）を行う。

（表示信号生成回路）
表示信号生成回路１７０は、例えば、表示装置１００の外部から供給される映像信号から輝度階調信号成分を抽出し、表示パネル１１０の１行分ごとに、該輝度階調信号成分をデジタル信号からなる表示データ（輝度階調データ）としてデータドライバ１５０のデータレジスタ回路５２に供給する。ここで、上記映像信号が、テレビ放送信号（コンポジット映像信号）のように、画像情報の表示タイミングを規定するタイミング信号成分を含む場合には、表示信号生成回路１７０は、上記輝度階調信号成分を抽出する機能のほか、タイミング信号成分を抽出してシステムコントローラ１６０に供給する機能を有するものであってもよい。この場合においては、上記システムコントローラ１６０は、表示信号生成回路１７０から供給されるタイミング信号に基づいて、走査ドライバ１２０や電源ドライバ１３０、逆バイアスドライバ１４０、データドライバ１５０に対して個別に供給する各制御信号を生成する。

なお、図２、図３に示した表示パネル及びその周辺回路（走査ドライバ、データドライバ、逆バイアスドライバ、電源ドライバ）においては、予め複数行ごとにグループ分けされた表示パネル１１０の表示画素ＥＭに対して、電源ドライバ１３０及び逆バイアスドライバ１４０から各グループごとに分岐して配設された電源ラインＶＬ及び逆バイアスラインＢＬを介して所定の電圧レベルを有する単一の電源電圧Ｖsc及び逆バイアス設定信号Ｖbsを印加する構成を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、以下に示すように、各グループにおける電源ラインＶＬ及び逆バイアスラインＢＬを分岐することなく、行ごとに個別に配設し、個別の電源電圧Ｖsc及び逆バイアス設定信号Ｖbsを同時に印加するようにした構成を有するものであってもよい。

図６は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路（走査ドライバ、電源ドライバ、逆バイアスドライバ）の他の例を示す要部構成図である。
すなわち、表示パネル１１０及びその周辺回路（走査ドライバ１２０、電源ドライバ１３０、逆バイアスドライバ１４０）の他の例は、図６に示すように、表示パネル１１０の各行の表示画素ＥＭに対して、各々個別の走査ラインＳＬ、電源ラインＶＬ及び逆バイアスラインＢＬが配設され、走査ドライバ１２０、電源ドライバ１３０及び逆バイアスドライバ１４０から、各々個別の走査信号Ｖsel、電源電圧Ｖsc、逆バイアス設定信号Ｖbsが各行ごとに印加されるように構成されている。

ここで、電源ドライバ１３０は、同一のグループに含まれる各行の電源ラインＶＬに対して、同一の電圧レベルを有する電源電圧Ｖscを同時に印加することができるように、例えば、図６に示したように、シフトレジスタ１３１から各行の電源ラインＶＬに対応して順次出力されたシフト信号に基づいて、出力回路部１３２において、同一のグループに含まれる各行の個別の電源ラインＶＬに対して同一の電圧レベルを有する電源電圧Ｖscを同時に印加する構成を適用することができる。

また、逆バイアスドライバ１４０についても、同一のグループに含まれる各行の逆バイアスラインＢＬに対して、同一の電圧レベルを有する逆バイアス設定信号Ｖbsを同時に印加することができるように、例えば、図６に示すように、シフトレジスタ１４１から各行の逆バイアスラインＢＬに対応して順次出力されたシフト信号に基づいて、出力回路部１４２において、同一のグループに含まれる各行の個別の逆バイアスラインＢＬに対して同一の電圧レベルを有する逆バイアス設定信号Ｖbsを同時に印加する構成を適用することができる。

＜表示画素（発光駆動回路）の駆動制御方法＞
次に、本実施形態において、上述した表示パネルを構成する表示画素（図３参照）の駆動制御方法について説明する。
図７は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素における駆動制御方法（逆バイアス設定動作、非発光動作、書込動作、発光動作）を示すタイミングチャートである。また、図８は、本実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における逆バイアス設定動作及び非発光動作を示す概念図であり、図９は、本実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における書込動作及び発光動作を示す概念図である。

本実施形態に係る表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ）における駆動制御動作は、図７に示すように、所定の１処理サイクル期間Ｔcyc内に、表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ）への電源電圧Ｖscの供給を遮断（ローレベルの電源電圧Ｖscを印加）することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬへの発光駆動電流の供給を遮断して、発光動作させない非発光動作期間（非表示動作期間）Ｔnemと、当該非発光動作期間Ｔnem中に実行され、逆バイアスラインＢＬを介して逆バイアス設定信号Ｖbsを印加することにより、発光駆動回路ＤＣに設けられた発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓ）に保持された（残留する）電荷を放電して０Ｖ（無電圧）又は逆バイアス電圧が印加された逆バイアス状態（無電界状態を含む）に設定する逆バイアス設定期間Ｔbsと、非発光動作期間Ｔnem中に実行され、走査ラインＳＬに接続された表示画素ＥＭを選択状態に設定し、表示データに応じた電流値を有する階調電流Ｉdataを供給することにより、発光駆動回路ＤＣ２に設けられた発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓ）に、当該表示データに応じた電圧成分を保持させる書込動作期間Ｔwrtと、当該書込動作期間Ｔwrtに薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に保持された電圧成分に基づいて、表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流Ｉｂを有機ＥＬ素子ＯＥＬに流して、所定の輝度階調で発光動作させる発光動作期間（表示動作期間）Ｔemと、を含むように設定されている（Ｔcyc≧Ｔem＋Ｔnem、Ｔnem≧Ｔbs＋Ｔwrt）。

ここで、非発光動作期間Ｔnem中に設定される逆バイアス設定期間Ｔbs及び書込動作期間Ｔwrtは、図７に示すように、各々、非発光動作期間Ｔnemの開始時及び終了時に設定されるものであってもよいし、非発光動作期間の任意のタイミング（非発光動作期間の途中）で逆バイアス設定動作及び書込動作が実行されるように、逆バイアス設定期間Ｔbs及び書込動作期間Ｔwrtが設定されるものであってもよい。

また、本実施形態に係る１処理サイクル期間Ｔcycは、例えば、表示画素ＥＭが１フレーム（１画面）の画像のうちの１画素分の画像情報を表示するのに要する期間に設定される。すなわち、後述する表示装置の表示駆動方法において説明するように、複数の表示画素ＥＭを行方向及び列方向に２次元配列した表示パネル１１０に、１フレームの画像を表示する場合、上記１処理サイクル期間Ｔcycは、１行分の表示画素ＥＭが１フレームの画像のうちの１行分の画像を表示するのに要する期間（１フレーム期間Ｔfr）に設定される。

（非表示動作期間）
まず、非発光動作期間（非表示動作期間）Ｔnemにおいては、図７、図８（ａ）に示すように、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、非選択レベルの走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを非選択状態に設定するとともに、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加される。また、データドライバ１５０からはデータラインＤＬに対して階調電流Ｉdataは供給されない。

これにより、発光駆動回路ＤＣに設けられた薄膜トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオフ状態に設定されるので、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）と電源ラインＶＬとの電気的な接続が遮断されるとともに、薄膜トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；コンデンサＣｓの他端側）とデータラインＤＬとの電気的な接続も遮断された状態に設定される。なお、非発光動作期間Ｔnemにおいて、後述する逆バイアス設定期間Ｔbs以外の期間においては、逆バイアスドライバ１４０から逆バイアスラインＢＬに対して、ローレベルの逆バイアス設定信号Ｖbsが印加され、薄膜トランジスタＴｒ１４はオフ状態に設定されることにより、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）と走査ラインＳＬとの電気的な接続が遮断された状態に設定される。

ここで、後述する表示装置の表示駆動方法において説明するように、各表示画素ＥＭにおける駆動制御動作は、１処理サイクル期間Ｔcyc（１フレーム期間Ｔfr）を周期として繰り返し実行されるので、上記非発光動作期間Ｔnemの開始時点における薄膜トランジスタのＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、一つ前の処理サイクル期間において表示データに基づいて書き込まれた電圧成分が保持された状態にあり、薄膜トランジスタＴｒ１３はオン状態にある。

そのため、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）には、電源ラインＶＬに印加されているローレベル（接地電位ＧＮＤ以下）の電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が薄膜トランジスタＴｒ１３を介して印加されることになり、カソード端子の電位Ｖcom（接地電位ＧＮＤ）に対して同等以下の電位に設定されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに逆バイアス電圧が印加されることになり、有機ＥＬ素子ＯＥＬには発光駆動電流は流れず、発光動作は行われない（非発光動作）。

（逆バイアス設定期間）
次いで、上記非発光動作期間Ｔnem中に設定される逆バイアス設定期間Ｔbsにおいては、図７、図８（ｂ）に示すように、逆バイアスドライバ１４０から逆バイアスラインＢＬに対して、ハイレベルの逆バイアス設定信号Ｖbsが印加される。

これにより、発光駆動回路ＤＣに設けられた薄膜トランジスタＴｒ１４がオン動作することにより、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）には非選択レベル（ローレベル；Ｖsn）に設定された走査信号Ｖselの電圧レベルが印加された状態に設定されるので、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、上記非選択レベルの走査信号Ｖselに基づく電圧レベル（＝Ｖsn）と、接点Ｎ１２の電位との差分が生じることになる。

ここで、上述したように、非発光動作期間Ｔnemの開始時点におけるコンデンサＣｓには、一つ前の処理サイクル期間において表示データに基づいて書き込まれた電圧成分が保持された状態にあり、薄膜トランジスタＴｒ１３はオン状態にあるので、図７に示すように、上記非発光動作期間Ｔnemの開始時点で逆バイアス設定動作を実行する場合、接点Ｎ１２（コンデンサＣｓの他端）には、薄膜トランジスタＴｒ１３を介して電源ラインＶＬに印加されているローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加されることになる。

したがって、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、非選択レベルの走査信号Ｖsel（＝Ｖsn）と、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）との差分（Ｖsn−Ｖｓ）が印加、保持されることになる（図７、図８（ｂ）中、コンデンサＣｓの両端電位Ｖｃ参照）。ここで、少なくとも非選択レベルの走査信号Ｖsel（＝Ｖsn）の電圧レベルを、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）に対して同等、もしくは、低く設定することにより、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に印加される電位差（コンデンサＣｓの両端電圧Ｖｃ）を、０Ｖとなる無電界状態、又は、負電圧となる逆バイアス状態に設定することができる（以下の説明においては、便宜的に、無電界状態と逆バイアス状態を総称して、「逆バイアス状態」と記す）。

なお、上記非発光動作期間Ｔnemの開始時点で逆バイアス設定動作を実行した場合、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、上記逆バイアス電圧（Ｖsn−Ｖｓ）が保持され、非発光動作期間Ｔnem中、継続して逆バイアス状態が保持される。

これにより、薄膜トランジスタＴｒ１３は確実にオフ動作するように制御されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）に印加される電位はカソード端子の電位（共通電圧Ｖcom（＝ＧＮＤ））に対して同等以下に設定されて、有機ＥＬ素子ＯＥＬに逆バイアス電圧が印加されることになり、有機ＥＬ素子ＯＥＬには発光駆動電流は流れず、発光動作は行われない（非発光動作）。

なお、本実施形態に示した表示画素ＥＭの回路構成においては、逆バイアス設定信号Ｖbsの印加によりオン動作して、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１）に所定の電圧レベルを印加する手段として、導通路の一端が走査ラインＳＬに接続された薄膜トランジスタＴｒ１４を備え、非選択レベルの走査信号Ｖsel（＝Ｖsn）を薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１）に印加して、当該薄膜トランジスタＴｒ１３を逆バイアス状態に設定する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、上記薄膜トランジスタＴｒ１４の一端側に非選択レベルの走査信号Ｖsel（＝Ｖsn）する）と同等の電圧レベルを有する電源電圧が印加された構成（又は、当該電源電圧の印加された電源ラインに接続された構成）を有するものであってもよい。

（書込動作期間）
次いで、上記非発光動作期間Ｔnem中に設定される書込動作期間Ｔwrtにおいては、図７、図９（ａ）に示すように、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを選択状態に設定するとともに、この選択タイミングに同期して、データドライバ１５０からデータラインＤＬに対して、表示データに応じた（負極性の）電流値を有する階調電流Ｉdataを供給する。また、この書込動作期間Ｔwrtにおいては、上記非発光動作期間Ｔnemと同様に、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加され、逆バイアスドライバ１４０から逆バイアスラインＢＬに対して、ローレベルの逆バイアス設定信号Ｖbsが印加される。

これにより、発光駆動回路ＤＣに設けられた薄膜トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオン動作して、ローレベルの電源電圧Ｖscが薄膜トランジスタＴｒ１１を介して薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）に印加されるとともに、薄膜トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；コンデンサＣｓの他端側）が薄膜トランジスタＴｒ１２を介して、データラインＤＬに電気的に接続される。このとき、薄膜トランジスタＴｒ１４はオフ状態に設定されるので、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）と走査ラインＳＬとの電気的な接続が遮断された状態に設定される。

ここで、データラインＤＬには負極性の電流値を有する階調電流Ｉdataが供給されることにより、データラインＤＬ側からデータドライバ１５０方向に階調電流Ｉdataを引き込む動作が行われ、ローレベルの電源電圧Ｖscよりも低電位の電圧レベルが薄膜トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；コンデンサＣｓの他端側）に印加される。

このように、接点Ｎ１１及びＮ１２間（薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に電位差が生じることにより、薄膜トランジスタＴｒ１３がオン動作して、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１２、薄膜トランジスタＴｒ１２、データラインＤＬを介して、データドライバ１５０方向に、階調電流Ｉdataに対応した書込電流Ｉａが流れる。

このとき、薄膜トランジスタのＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、書込電流Ｉａにより生じた電位差に対応する電荷が蓄積され、電圧成分として保持される（図７、図９（ａ）中、コンデンサＣｓの両端電位Ｖｃ参照）。また、電源ラインＶＬには、ローレベル（接地電位ＧＮＤ以下）の電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加され、さらに、書込電流ＩａがデータラインＤＬ方向に流れるように制御されていることから、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）に印加される電位はカソード端子の電位Ｖcom（接地電位ＧＮＤ）よりも低くなるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに逆バイアス電圧が印加されることになり、有機ＥＬ素子ＯＥＬには発光駆動電流は流れず、発光動作は行われない（非発光動作）。

（表示動作期間）
次いで、書込動作期間Ｔwrt、又は、該書込動作期間Ｔwrtを含む非発光動作期間Ｔnem終了後の発光動作期間（表示動作期間）Ｔemにおいては、図７、図９（ｂ）に示すように、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、ローレベルの走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを非選択状態に設定するとともに、この非選択タイミングに同期して、データドライバ１３０からの階調電流Ｉdataの供給が遮断されて、当該階調電流Ｉdataの引き込み動作が停止される。また、上記非発光動作期間Ｔnemと同様に、逆バイアスドライバ１４０から逆バイアスラインＢＬに対して、ローレベルの逆バイアス設定信号Ｖbsが印加される。一方、この発光動作期間Ｔemにおいては、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が印加される。

これにより、発光駆動回路ＤＣに設けられた薄膜トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ１４がオフ動作するので、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）への電源電圧Ｖscの印加が遮断されるとともに、薄膜トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；コンデンサＣｓの他端側）への階調電流Ｉdataの引き込み動作に起因する電圧レベルの印加が遮断されるので、コンデンサＣｓには、上述した書込動作期間Ｔwrtにおいて蓄積された電荷（電圧成分Ｖdata）が保持されることになり、薄膜トランジスタＴｒ１３はオン状態を維持する。また、電源ラインＶＬには、共通電圧Ｖcom（接地電位ＧＮＤ）よりも高電位の電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が印加されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）に印加される電位はカソード端子の電位（接地電位）よりも高くなる。

したがって、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１２を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアス方向に所定の発光駆動電流Ｉｂが流れ、有機ＥＬ素子ＯＥＬが発光する。ここで、コンデンサＣｓにより保持される電圧成分（コンデンサＣｓの両端電位Ｖｃ）は、薄膜トランジスタＴｒ１３において階調電流Ｉdata（表示データ）に対応した書込電流Ｉａを流す場合の電位差に相当するので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる発光駆動電流Ｉｂは、上記書込電流Ｉａと同等の電流値（Ｉｂ≒Ｉａ）を有することになる。

また、当該表示画素ＥＭにおいて、書込動作期間Ｔwrtに書き込まれた表示データ（階調電流Ｉdata）に対応する電圧成分に基づいて、発光動作期間Ｔem中、薄膜トランジスタＴｒ１３を介して発光駆動電流Ｉｂが継続的に供給されることになり、有機ＥＬ素子ＯＥＬは当該表示データに応じた輝度階調で発光する動作を継続する。

このように、本実施形態に係る表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ）によれば、書込動作期間Ｔwrtにおいて、表示データ（輝度階調）に応じた電流値を指定した階調電流Ｉdata（書込電流Ｉａ）を強制的に駆動トランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に流して、その電流値に応じて保持される駆動トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間の電圧成分に基づいて、有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬに流す発光駆動電流Ｉｂを制御することにより、所定の輝度階調で発光動作させる電流階調指定方式の駆動制御方法を適用することができる。

また、本実施形態に係る表示画素ＥＭによれば、各表示画素ＥＭに設けられた発光駆動回路ＤＣを構成する単一の発光駆動用トランジスタ（薄膜トランジスタＴｒ１３）により、表示データに応じた階調電流Ｉdataの電流レベルを電圧レベルに変換する機能（電流／電圧変換機能）と、有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の電流値を有する発光駆動電流Ｉｂを供給する機能（発光駆動機能）の双方を実現することができるので、発光駆動回路ＤＣを構成する各トランジスタの動作特性のバラツキや経時変化の影響を受けることなく、長期間にわたり安定的に所望の発光特性を実現することができる。

次いで、上述した回路構成を有する表示画素（発光駆動回路）及びその駆動制御方法によるしきい値電圧の変動抑制効果（Ｖthシフト量抑制効果）について具体的に説明する。
図１０は、本実施形態に係る表示画素において、発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタ）を逆バイアス状態に設定した場合のしきい値電圧の変動量（Ｖthシフト量）を示す実験結果である。ここでは、発光駆動用のスイッチング素子として適用されるｎチャネル型のアモルファスシリコン薄膜トランジスタのゲート−ソース間に、順バイアス電圧を印加して継続的にオン動作させた場合（図中、点線で示す）と、駆動動作期間の１／５の期間、−３０Ｖの逆バイアス電圧を印加して逆バイアス状態に設定した場合（図中、実線で示す）における、時間経過に対するしきい値電圧の変動量の変化傾向を測定した結果の一例を示す。

本実施形態においては、図４に示したように、各表示画素ＥＭに設けられる発光駆動回路ＤＣとして、単一のチャネル型の複数のアモルファスシリコン薄膜トランジスタからなる回路構成を示して説明したが、アモルファスシリコン薄膜トランジスタは、一般に駆動履歴によるしきい値電圧の変動（Ｖthシフト）が発生しやすいということが知られている。

そのため、発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３）として、アモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用した場合、そのしきい値電圧の変動により、有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給される発光駆動電流Ｉｂの電流値が、表示データに対応しなくなって適切な輝度階調で発光動作（表示動作）することができなくなり、表示画質の劣化を招く可能性がある。

そこで、本実施形態においては、上述した１フレーム期間Ｔfr中に設定される非発光動作期間（非表示動作期間）に、各表示画素ＥＭの発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３）のゲート−ソース間電圧（コンデンサＣｓの両端電位Ｖｃ）を０Ｖ（無電圧）又は負電圧（逆バイアス電圧）に設定することにより、当該スイッチング素子のしきい値電圧の変動を抑制するようにしている。

具体的には、図１０に示すように、薄膜トランジスタに順バイアス電圧のみを継続的に印加した場合においては、図中、点線で示すように、時間の経過（横軸）にしたがって、しきい値電圧の変動量（Ｖthシフト量）が顕著に増大する傾向を示す（２５０時間経過で２Ｖ程度）。これに対して、薄膜トランジスタに一定期間、逆バイアス電圧を印加した場合においては、図中、実線で示すように、時間の経過（横軸）に対して、しきい値電圧の変動量が大幅に抑制される傾向を示す（２５０時間経過で０．６Ｖ程度）ことが判明した。

このようなしきい値電圧の変動抑制効果（Ｖthシフト量抑制効果）は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタの素子構造において、駆動動作期間中に一定期間だけ逆バイアス状態を設定することによって、ゲート絶縁膜を構成する窒化膜中への電荷の導入が膜厚の比較的浅い領域において行われ、深い領域への導入が抑制されること、さらに、逆バイアス状態に設定されることにより、窒化膜にトラップされた電荷が放出されることによるものと考えられている。

したがって、各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）に設けられる発光駆動用のスイッチング素子として、アモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用した場合であっても、駆動履歴によるしきい値電圧の変動（Ｖthシフト）を抑制することができるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに対して表示データに対応した電流値を有する発光駆動電流Ｉｂを供給することができ、適切な輝度階調で発光動作（表示動作）することができ、表示画質を向上させることができる。

＜表示装置の表示駆動方法＞
次に、本実施形態に係る表示装置における表示駆動方法（画像情報の表示動作）について説明する。
図１１は、本実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の第１の例を模式的に示したタイミングチャ−トである。なお、本実施形態においては、説明の都合上、便宜的に表示パネルに１２行（ｎ＝１２；第１行〜第１２行）の表示画素が配列された構成を有しているものとして説明する。また、図中、ｋは正の整数であり、図中の各行の斜線で示したハッチング部分は、各々、上述した表示データの逆バイアス設定期間を表しており、クロスメッシュで示したハッチング部分は、各々、上述した表示データの書込動作期間を表しており、ドットで示したハッチング部分は、各々、上述した発光動作期間を表している。

本実施形態に係る表示装置１００の表示駆動方法は、まず、表示パネル１１０に配列された各行ごとの表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ）に対して、予めグループ分けした複数行の表示画素ＥＭ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）ごとに、表示画素ＥＭを表示動作させない（有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光動作させない）非発光動作（非表示動作）を実行し、当該非発光動作期間Ｔnem中の任意のタイミング（本実施形態では非発光動作期間Ｔnemの終了間際）で、表示データに応じた階調電流Ｉdataを書き込む書込動作を各行ごとに順次実行し、その後、各グループの複数行の表示画素ＥＭごとに、表示データ（階調電流）に応じた所定の輝度階調で一斉に発光動作させることにより、表示パネル１１０一画面分の画像情報が表示される。

具体的には、まず、表示パネル１１０に配列された全ての表示画素ＥＭを複数行ごとに予めグループ分けする。例えば、図１１に示すように、表示パネル１１０を構成する１２行の表示画素ＥＭを、相互に隣接（連続）する１〜３行目、４〜６行目、７〜９行目、１０〜１２行目のように、各３行分の表示画素ＥＭを一組として４グループに分ける。

そして、１フレーム期間Ｔfr内の非発光動作期間（非表示動作期間）Ｔnem（図中、白抜きで表示）において、電源ドライバ１３０から表示パネル１１０の同一のグループに含まれる複数行の電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）を印加することにより、図７、図８（ａ）に示したように、当該グループに含まれる全ての行の表示画素ＥＭにおいて発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に電位差が生じないので、当該薄膜トランジスタＴｒ１３を介して有機ＥＬ素子ＯＥＬに発光駆動電流Ｉｂは流れず、当該グループの全ての表示画素ＥＭが非発光状態に設定される（非発光動作する）。

ここで、後述する書込動作期間以外の非発光動作期間Ｔnemにおいては、非発光動作するグループに含まれる全ての行の走査ラインＳＬに対して、走査ドライバ１２０から非選択レベル（ローレベル）の走査信号Ｖselが印加されるとともに、データドライバ１５０から各データラインＤＬに階調電流Ｉdataが供給されない状態（階調電流Ｉdataの供給が遮断された状態）に設定されている。

そして、この非発光動作期間Ｔnem中の任意のタイミングで（本実施形態では非発光動作期間Ｔnemの開始タイミングと同期して）設定される逆バイアス設定期間Ｔbs（図中、斜線で表示）においては、図７、図８（ｂ）に示したように、非発光動作するグループに含まれる全ての行の逆バイアスラインＢＬに対して、逆バイアスドライバ１４０から逆バイアス設定信号Ｖbsを印加することにより、当該グループに含まれる各表示画素ＥＭにおいて発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に逆バイアス電圧が印加される（逆バイアス設定動作）ので、当該薄膜トランジスタＴｒ１３はオフ動作する。

この逆バイアス設定期間Ｔbs終了後の非発光動作期間Ｔnem（図中、白抜きで表示）においては、上述した逆バイアス設定動作により薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に印加された逆バイアス電圧（逆バイアス状態）が保持されることにより、当該薄膜トランジスタＴｒ１３はオフ状態を保持する。

次いで、図１１に示すように、上記非発光動作期間Ｔnemにおいて上記逆バイアス設定動作による逆バイアス状態が一定時間以上経過した後の任意のタイミングで設定される書込動作期間Ｔwrt（図中、クロスメッシュで表示）においては、図７、図９（ａ）に示したように、走査ドライバ１２０から表示パネル１１０の各行の走査ラインＳＬに対して、選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを順次印加することにより、各行の表示画素ＥＭを順次選択状態に設定する。

そして、この選択タイミングに同期して、データドライバ１５０から各行の表示データに応じた電流値を有する階調電流Ｉdataを、各データラインＤＬに供給することにより、図９（ａ）に示したように、当該行の各表示画素ＥＭの発光駆動回路ＤＣに階調電流Ｉdataに応じた書込電流Ｉａが流れて、各薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース端子間（コンデンサＣｓの両端）に、階調電流Ｉdataに応じた電圧成分（Ｖdata）が保持される。
このような書込動作期間Ｔwrtは、表示パネル１１０に配列された表示画素ＥＭについて、各行ごとに時間的に重ならないようにタイミングをずらして順次実行される。

ここで、この書込動作期間Ｔwrtにおいては、同一のグループに含まれる行の表示画素ＥＭが選択状態に設定されている間、当該グループ内の全ての行の電源ラインＶＬに対して、電源ドライバ１３０からローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加されることにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬに逆バイアス電圧が印加されるので、発光駆動回路ＤＣから有機ＥＬ素子ＯＥＬに電流は流れず、当該グループ内の全ての表示画素ＥＭが非発光状態に設定される（非発光動作する）。
。

次いで、図１１に示すように、発光動作期間（表示動作期間）Ｔem（図中、ドットハッチングで表示）においては、図７、図９（ｂ）に示したように、同一のグループに含まれる各行の走査ラインＳＬに対して、走査ドライバ１２０から非選択レベル（ローレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、当該グループ内の全ての表示画素ＥＭが非選択状態に設定されるとともに、データドライバ１５０から各データラインＤＬへの階調電流Ｉdataの供給が遮断される。

そして、このタイミングに同期して、電源ドライバ１３０から当該グループに含まれる各行の電源ラインＶＬに対して、ハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が印加されることにより、図９（ｂ）に示したように、当該グループの各表示画素ＥＭ（発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に保持された電圧成分に基づいて、表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた発光駆動電流Ｉｂが有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給されて、所定の輝度階調で発光動作が行われる。

このような発光動作は、当該グループの全ての行の表示画素ＥＭについて上記書込動作が終了したタイミングに同期して（終了直後から）、当該グループに含まれる全ての行の表示画素ＥＭについて一斉に開始され、当該グループの各行について次の非発光動作（逆バイアス設定動作を含む）が開始されるタイミングまで継続して実行される。

すなわち、本実施形態のように、１〜３行目の表示画素ＥＭを一組とするグループにおいては、各行の表示画素ＥＭについて、一斉に非発光動作及び逆バイアス設定動作が実行され、その後、１行目から３行目の表示画素ＥＭまで順に書込動作が実行された後、各行の表示画素ＥＭが一斉に発光動作する。この発光動作は、当該グループに含まれる１〜３行目の表示画素ＥＭに対して、次の１フレーム期間Ｔfrにおける非発光動作及び逆バイアス設定動作が開始されるタイミングまで継続される。
以下、同様の動作が４〜６行目、７〜９行目、１０〜１２行目の表示画素ＥＭを各々一組とする各グループについて、各行の書込動作期間が時間的に重ならないように順次タイミングをずらしながら実行される。

したがって、このような表示装置の表示駆動方法によれば、複数行の表示画素を一組とする各グループごとに、１フレーム期間Ｔfr中に所定の長さの非発光動作期間Ｔnemが設定されるので、１フレーム期間Ｔfrのうち、一定期間のみ表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた輝度階調で各表示画素ＥＭが発光動作する擬似インパルス型の表示駆動制御を実現することができる。

なお、１フレーム期間Ｔfr中に実行される非発光動作期間Ｔnem、逆バイアス設定期間Ｔbs、書込動作期間Ｔwrt、発光動作期間Ｔemの実行タイミング及び実行時間（長さ）は、システムコントローラ１６０から走査ドライバ１２０、電源ドライバ１３０、逆バイアスドライバ１４０及びデータドライバ１５０にタイミング制御信号として供給される走査制御信号、電源制御信号、逆バイアス制御信号及びデータ制御信号により任意に設定することができる。

ここで、図１１に示したタイミングチャートにおいては、表示パネル１１０を構成する１２行の表示画素ＥＭを、４組にグループ分けして、各グループごとに異なるタイミングで一斉に非発光動作（逆バイアス設定動作を含む）及び発光動作を実行するように制御されるので、１フレーム期間Ｔfrにおける上記非発光動作による非表示期間の比率（黒挿入率）を概ね５０％に設定して、表示パネル１１０に表示される画像情報（表示画面）の半分を黒表示（非表示）することができる。

人間の視覚において、動画像をボケやにじみがなく鮮明に視認するためには、一般に、概ね３０％以上の黒挿入率を有していることが目安になるので、本実施形態によれば、良好な表示画質で動画像を表示することができる表示装置を実現することができる。なお、１フレーム期間Ｔfrにおける黒挿入率（非表示期間の比率）は、上述した５０％に限定されるものではなく、上記グループ数に応じて任意に設定することができる。特に、上述した３０％以上の黒挿入率であることが望ましいが、３０％以下の数値であってもよい。

また、本実施形態においては、図１１に示したように、１フレーム期間Ｔfrの大半の時間（図１１においては、１フレーム期間Ｔfrの２／３の期間）を用いて表示パネル１１０の全行（１２行分）の表示画素ＥＭに対して、順次書込動作を実行する場合について説明したが、図１０に示したように、逆バイアス状態が保持される期間を、１フレーム期間Ｔfrの比較的短い時間（例えば、１フレーム期間Ｔfrの１／５）に設定した場合であっても、各表示画素ＥＭに設けられた発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３）におけるしきい値電圧の変動（Ｖthシフト量）を大幅に抑制することができるので、１フレーム期間Ｔfrの大半の時間を用いて表示パネル１１０の全行の表示画素ＥＭに対して、順次書込動作を実行することができる。

この場合、図１８に示した表示駆動方法のように、ブランキングデータの書込動作及び黒表示動作を実行するために、各行における書込動作期間Ｔwrt（従来技術における映像データ書込期間に相当する）が大幅に短縮されることがなく、各行の書込時間を充分に確保することができ、表示データの書込不足に起因する表示品質の低下を抑制して、表示データに応じた適切な階調表示を実現することができる。また、これにより、各種信号のタイミング制御に余裕を持たせることができるので、表示装置の誤動作の発生を抑制することができる。

さらに、非発光動作期間Ｔnemにおいて、各表示画素ＥＭに設けられた発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３）に逆バイアス電圧を印加して逆バイアス状態に設定することができるので、上記スイッチング素子としてアモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用した場合であっても、しきい値電圧の変動（Ｖthシフト量）を大幅に抑制して、表示データに応じた適切な輝度階調で有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光動作させることができる。

加えて、本実施形態においては、発光動作及び非発光動作を制御するために、グループことに電源電圧Ｖscの電圧レベルを設定しているので、図２、図３に示したように、グループごとに単一の電源電圧Ｖscを出力し、当該グループ内に分岐して配設された電源ラインＶＬを介して各行の表示画素ＥＭに同時に当該電源電圧Ｖscを印加することができる。また、各表示画素ＥＭに設けられる発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３）のしきい値電圧の変動を抑制するために、グループことに逆バイアス設定信号Ｖbsの印加状態（印加及び遮断）を設定しているので、図２、図３に示したように、グループごとに単一の逆バイアス設定信号Ｖbsを出力し、当該グループ内に分岐して配設された逆バイアスラインＢＬを介して各行の表示画素ＥＭに同時に当該逆バイアス設定信号Ｖbsを印加することができる。

したがって、少なくとも、表示パネル１１０と電源ドライバ１３０間で電源電圧Ｖscを伝達するための接続端子、及び、表示パネル１１０と逆バイアスドライバ１４０間で逆バイアス設定信号Ｖbsを伝達するための接続端子（図示を省略）の数を、表示パネル１１０に設定されたグループの数に相当する個数分（本実施形態おいては、４個）に設定することができるので、各行の電源ラインＶＬ、逆バイアスラインＢＬごとに接続端子を備える場合に比較して接続端子数を大幅に削減することができるとともに、電源ドライバ１３０及び逆バイアスドライバ１４０の回路構成を簡略化することができる。

なお、本実施形態においては、説明の都合上、図１１のタイミングチャートに示したように、１フレーム期間Ｔfr中に、逆バイアス設定期間及び書込動作期間を含む非発光動作（非表示動作）を実行した後、発光動作（表示動作）を実行する場合について説明したが、例えば、有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光動作（表示画素ＥＭの表示動作）を伴わない書込動作を実行した後、所定の長さの発光動作を実行し、その後さらに、逆バイアス設定動作を含む非発光動作を実行する場合であっても、実質的に制御動作は同等である。

次に、本実施形態に係る表示装置に適用可能な表示駆動方法の第２の例について、図面を参照して説明する。
図１２は、本実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の第２の例を模式的に示したタイミングチャ−トである。ここで、上述した第１の例（図１１参照）と同等の表示駆動方法については、その説明を簡略化する。

本実施形態に係る表示装置１００の表示駆動方法の第２の例は、１フレーム期間Ｔfr内に、表示パネル１１０に配列され、相互に隣接（連続）しない複数行の表示画素ＥＭを一組としてグループ分けし、各グループごとの表示画素ＥＭに対して、上記非発光動作（逆バイアス設定動作を含む）及び発光動作を一斉に実行し、各行ごとの表示画素ＥＭに対して、上記書込動作をタイミングをずらして順次実行する動作を行う。

具体的には、例えば、図１２に示すように、表示パネル１１０を構成する１２行の表示画素ＥＭを、１、５、９行目、２、６、１０行目、３、７、１１行目、４、８、１２行目のように、各々３行分の表示画素ＥＭを一組として４グループに分ける。
そして、例えば、１、５、９行目の表示画素ＥＭを一組とするグループにおいて、当該グループに含まれる全ての行の表示画素ＥＭに、一斉に非発光動作及び逆バイアス設定動作が実行され、その後、１、５、９行目の順に表示画素ＥＭに対して上記書込動作が実行され、９行目の表示画素ＥＭについて書込動作が終了した後、当該グループに含まれる１、５、９行目の全ての行の表示画素ＥＭが一斉に発光動作する。この発光動作は、１、５、９行目の表示画素ＥＭに対して、次のフレーム期間において非発光動作（逆バイアス設定動作を含む）が実行されるタイミングまで継続される。

また、上記９行目の表示画素ＥＭについて書込動作が終了したタイミングで、２、６、１０行目の表示画素ＥＭを一組とするグループにおいて、２、６、１０行目の順に表示画素ＥＭに対して上記書込動作が実行されるように、非発光動作及び逆バイアス設定動作、又は、発光動作が所定のタイミングで一斉に実行される。以下、同様の動作が３、７、１１行目、及び、４、８、１２行目を各々一組とするグループにおいて繰り返し実行される。

したがって、このような表示装置の表示駆動方法によっても、上述した第１の例に係る表示駆動方法と同様に、各グループごとに１フレーム期間Ｔfr中の一定期間のみ、表示データに応じた輝度階調で発光動作が実行されるとともに、当該発光動作期間以外の期間において、非発光動作（逆バイアス設定動作及び書込動作を含む）が実行される擬似インパルス型の表示駆動制御を実現することができる。ここで、本表示駆動方法においても、当該非発光動作による非表示期間の比率（黒挿入率）を３０％以上に設定することができるので、動画像のボケやにじみを抑制して鮮明さを向上させた表示装置を実現することができる。

また、各グループに含まれる行ごとに、非発光動作期間Ｔnem中に、各表示画素ＥＭに設けられた発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３）が逆バイアス状態に設定されるので、当該スイッチング素子に適用されるアモルファスシリコン薄膜トランジスタにおいて駆動履歴に起因して顕著に生じるしきい値電圧の変動（Ｖthシフト量）を大幅に抑制することができ、表示データに応じた適切な輝度階調で有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光動作させることができる。

さらに、この場合においても、システムコントローラ１６０により書込動作のタイミングを適宜設定することにより、１フレーム期間Ｔfrの大半の時間を用いて表示パネル１１０の全行（１２行分）の表示画素ＥＭに対して、順次書込動作を実行することができるので、各行の書込時間を充分に確保することができ、表示データの書込不足に起因する表示品質の低下を抑制して、表示データに応じた適切な階調表示を実現することができる。

また、発光動作及び非発光動作、並びに、逆バイアス設定動作を制御するために、グループことに電源電圧Ｖscの電圧レベルや逆バイアス設定信号Ｖbsの印加状態を設定しているので、表示パネル１１０と電源ドライバ１３０間の接続端子、及び、表示パネル１１０と逆バイアスドライバ１４０間の接続端子の数を、上記グループの数に相当する個数分（本実施形態おいては、４個）に削減して、電源ドライバ１３０及び逆バイアスドライバ１４０の回路構成を簡略化することができる。

なお、上述した第１、第２の例に係る表示駆動方法においては、表示パネル１１０を構成する表示画素ＥＭを、３行を一組として４グループに分けた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、上記グループ数を適宜増減させて設定したものであってもよいことはいうまでもない。

［第２の実施形態］
次に、本実施形態に係る表示装置及びその表示駆動方法の第２の実施形態について、図面を参照して説明する。
＜表示装置＞
図１３は、第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路（走査ドライバ、電源ドライバ、逆バイアスドライバ、データドライバ）の一例を示す要部構成図である。ここで、上述した第１の実施形態（図１〜図６参照）と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。

図１３に示すように、本実施形態に係る表示装置１００は、上述した第１の実施形態と同様に、２次元配列された複数の表示画素ＥＭが、予め任意の複数行ごとにグループ分けされた表示パネル１１０と、該表示パネル１１０の各行の走査ラインＳＬに接続された走査ドライバ１２０と、各行の電源ラインＶＬに接続された電源ドライバ１３０と、各行の逆バイアスラインＢＬに接続された逆バイアスドライバ１４０と、各列のデータラインＤＬに接続されたデータドライバ１５０と、上記各ドライバにタイミング制御信号（走査制御信号、電源制御信号、逆バイアス制御信号、データ制御信号）を出力するシステムコントローラ１６０と、表示データ（輝度階調データ）を生成してデータドライバ１５０に供給する表示信号生成回路１７０と、を備えた構成を有し、特に、本実施形態においては、上記各グループごとに単一の電源ラインＶＬが各行の表示画素ＥＭに対応するように分岐して配設され、また、上記各グループに含まれる各行の表示画素ＥＭに対応するように個別の逆バイアスラインＢＬが配設された構成を有している。

すなわち、電源ドライバ１３０は、上述した第１の実施形態と同様に、各グループの複数行の電源ラインＶＬに対応する単一の電源電圧Ｖscを、各グループごとに順次出力し、一方、逆バイアスドライバ１４０は、上述した走査ドライバ１２０と同様に、各グループに含まれる複数行の逆バイアスラインＢＬの各々に対応する個別の逆バイアス設定信号Ｖbsを、各行ごとに順次出力するように構成されている。

これにより、各グループに含まれる各行の電源ラインＶＬに対して、電源ドライバ１３０から各グループごとに所定の電圧レベルを有する電源電圧Ｖscが同時に印加されるので、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加された場合には、当該グループの全ての行の表示画素ＥＭが一斉に非発光状態（非表示状態）に設定され、一方、ハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が印加された場合には、当該グループの全ての行の表示画素ＥＭが一斉に発光状態（階調表示状態）に設定される。

また、各グループに含まれる各行の逆バイアスラインＢＬに対して、逆バイアスドライバ１４０から各行ごとに逆バイアス設定信号Ｖbsが順次印加されるので、走査ドライバ１２０から出力される走査信号Ｖselによって各行の表示画素ＥＭが順次選択状態に設定される場合と同様に、各行の表示画素ＥＭが順次逆バイアス状態に設定される。

＜表示装置の表示駆動方法＞
次に、本実施形態に係る表示装置における表示駆動方法（画像情報の表示動作）について説明する。
図１４は、本実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の第１の例を模式的に示したタイミングチャ−トである。ここでは、上述した第１の実施形態に示した表示画素の駆動制御方法を適宜参照しながら説明する。また、上述した第１の実施形態の第１の例と同等の表示駆動方法については、その説明を簡略化する。

本実施形態に係る表示装置１００の表示駆動方法の第１の例は、１フレーム期間Ｔfr内に、表示パネル１１０に配列された相互に隣接（連続）する複数行の表示画素ＥＭを一組としてグループ分けし、各グループごとの表示画素ＥＭに対して、上記非発光動作及び発光動作を一斉に実行するとともに、各行ごとの表示画素ＥＭに対して、上記逆バイアス設定動作及び書込動作をタイミングをずらして順次実行する動作を行う。

具体的には、まず、表示パネル１１０に配列された全ての表示画素ＥＭを、上述した第１の実施形態の第１の例と同様に、複数行ごとに予めグループ分けする。例えば、図１４に示すように、表示パネル１１０を構成する１２行の表示画素ＥＭを、相互に隣接（連続）する１〜３行目、４〜６行目、７〜９行目、１０〜１２行目のように、各３行分の表示画素ＥＭを一組として４グループに分ける。

そして、１フレーム期間Ｔfr内の非発光動作期間Ｔnem（図中、白抜きで表示）において、電源ドライバ１３０から表示パネル１１０の同一のグループに含まれる複数行の電源ラインＶＬに対して、単一のローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）を分岐して配設された電源ラインＶＬを介して印加することにより、当該グループの全ての表示画素ＥＭを一斉に非発光状態に設定する（非発光動作させる）。

この非発光動作期間Ｔnem中の任意のタイミングに（本実施形態では非発光動作期間Ｔnemの開始タイミングと同期して）設定される逆バイアス設定期間Ｔbs（図中、斜線で表示）においては、逆バイアスドライバ１４０から各行ごとに個別に配設された逆バイアスラインＢＬに対して、１行目から順にタイミングをずらしながら逆バイアス設定信号Ｖbsを印加することにより、各行の表示画素ＥＭに設けられた発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に逆バイアス電圧を印加して、順次逆バイアス状態に設定する。この各行ごとに設定される逆バイアス状態は、後述する書込動作において、各行の表示画素ＥＭに設けられた薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた電圧成分Ｖdataが保持されるまで継続される。

次いで、上記非発光動作期間Ｔnemにおいて各グループに含まれる各行における逆バイアス設定動作が終了した後の任意のタイミングに設定される書込動作期間Ｔwrt（図中、クロスメッシュで表示）においては、走査ドライバ１２０から各行の走査ラインＳＬに対して、１行目から順に選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを順次印加することにより、各行の表示画素ＥＭを順次選択状態に設定し、この選択タイミングに同期して、データドライバ１５０から各行の表示データに応じた電流値を有する階調電流Ｉdataを、各列のデータラインＤＬに供給することにより、当該行の各表示画素ＥＭに設けられた発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に階調電流Ｉdataに応じた電圧成分Ｖdataを保持させる書込動作を実行する。

次いで、発光動作期間Ｔem（図中、ドットハッチングで表示）においては、上述した各行における書込動作が終了したグループに含まれる各行に分岐して配設された電源ラインＶＬに対して、電源ドライバ１３０から単一のハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）を印加することにより、当該グループ内の全ての表示画素ＥＭを一斉に発光状態に設定する（発光動作させる）。この各グループごとに実行される発光動作は、当該グループの各行について次の非発光動作（逆バイアス設定動作を含む）が開始されるまで継続される。

以下、上記逆バイアス設定動作及び書込動作が、表示パネル１１０の各行について（時間的に重ならないように）タイミングをずらして順次実行されるように、４〜６行目、７〜９行目、１０〜１２行目の表示画素ＥＭを各々一組とする各グループについても同様の動作が実行される。これにより、表示パネル１１０一画面分の画像情報が表示される。

したがって、このような表示装置の表示駆動方法によっても、上述した第１の実施形態に係る表示駆動方法と同様に、擬似インパルス型の表示駆動制御を実現することができるので、動画像のボケやにじみを抑制して鮮明さを向上させた表示装置を実現することができる。

また、各行ごとに個別に逆バイアス設定動作及び書込動作を実行することにより、逆バイアス設定動作から書込動作までの期間に設定される逆バイアス状態に保持される期間を、各行間で一定に設定することができるので、図１０に示した各表示画素ＥＭに設けられた発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３）におけるしきい値電圧の変動（Ｖthシフト）抑制量を均一化することができ、表示データに応じた適切な輝度階調で有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光動作（表示動作）させて、より一層良好な表示画質を実現することができる。

次に、本実施形態に係る表示装置に適用可能な表示駆動方法の第２の例について、図面を参照して説明する。
図１５は、本実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の第２の例を模式的に示したタイミングチャ−トである。ここで、上述した第１の例（図１４参照）と同等の表示駆動方法については、その説明を簡略化する。

本実施形態に係る表示装置１００の表示駆動方法の第２の例は、１フレーム期間Ｔfr内に、表示パネル１１０に配列された相互に隣接（連続）しない複数行の表示画素ＥＭを一組としてグループ分けし、各グループごとの表示画素ＥＭに対して、上記非発光動作及び発光動作を一斉に実行するとともに、各行ごとの表示画素ＥＭに対して、上記逆バイアス設定動作及び書込動作をタイミングをずらして順次実行する動作を行う。

具体的には、例えば、図１５に示すように、表示パネル１１０に配列された表示画素ＥＭを、上述した第１の実施形態の第２の例と同様に、相互に隣接（連続）しない１、５、９行目、２、６、１０行目、３、７、１１行目、４、８、１２行目のように、各々３行分の表示画素ＥＭを一組として４グループに分ける。

そして、例えば、１、５、９行目の表示画素ＥＭを一組とするグループにおいて、当該グループに含まれる全ての行の表示画素ＥＭに、一斉に非発光動作が実行された後、１、５、９行目の順に表示画素ＥＭに対して逆バイアス設定動作が実行される。さらに、その後、１、５、９行目の順に書込動作が実行され、９行目の表示画素ＥＭについて書込動作が終了した後、当該グループに含まれる１、５、９行目の全ての行の表示画素ＥＭが一斉に発光動作する。この発光動作は、１、５、９行目の表示画素ＥＭに対して、次のフレーム期間において非発光動作が実行されるタイミングまで継続される。

また、上記９行目の表示画素ＥＭについて逆バイアス設定動作が終了したタイミングで、２、６、１０行目の表示画素ＥＭを一組とするグループにおいて、一斉に非発光動作が実行され、２、６、１０行目の順に表示画素ＥＭに対して逆バイアス設定動作が実行され、また、上記９行目の表示画素ＥＭについて書込動作が終了したタイミングで、２、６、１０行目の表示画素ＥＭを一組とするグループにおいて、２、６、１０行目の順に表示画素ＥＭに対して書込動作が実行されるように、非発光動作及び逆バイアス設定動作、書込動作が所定のタイミングで実行される。以下、同様の動作が３、７、１１行目、及び、４、８、１２行目を各々一組とするグループにおいて繰り返し実行される。

したがって、このような表示装置の表示駆動方法によっても、上述した第１の例に係る表示駆動方法と同様に、擬似インパルス型の表示駆動制御を実現して、動画像のボケやにじみを抑制することができるとともに、各行間で逆バイアス状態に保持される期間を一定にして、各表示画素ＥＭに設けられた発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３）におけるしきい値電圧の変動（Ｖthシフト）抑制量を均一化することができる。

本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示す概略ブロック図である。 第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの一例を示す要部構成図である。 第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの周辺回路（走査ドライバ、電源ドライバ、逆バイアスドライバ）の一例を示す要部構成図である。 第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示画素（発光駆動回路）の一例を示す回路構成図である。 第１の実施形態に係る表示装置に適用されるデータドライバの一例を示す概略ブロック図である。 第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路（走査ドライバ、電源ドライバ、逆バイアスドライバ）の他の例を示す要部構成図である。 第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示画素における駆動制御方法（逆バイアス設定動作、非発光動作、書込動作、発光動作）を示すタイミングチャートである。 第１の実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における逆バイアス設定動作及び非発光動作を示す概念図である。 第２の実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における書込動作及び発光動作を示す概念図である。 第１の実施形態に係る表示画素において、発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタ）を逆バイアス状態に設定した場合のしきい値電圧の変動量（Ｖthシフト量）を示す実験結果である。 第１の実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の第１の例を模式的に示したタイミングチャ−トである。 第１の実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の第２の例を模式的に示したタイミングチャ−トである。 第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路（走査ドライバ、電源ドライバ、逆バイアスドライバ、データドライバ）の一例を示す要部構成図である。 第２の実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の第１の例を模式的に示したタイミングチャ−トである。 第２の実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の第２の例を模式的に示したタイミングチャ−トである。 従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の要部を示す概略構成図である。 従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の表示駆動方法の一例（ホールド型）を模式的に示したタイミングチャートである。 従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の表示駆動方法の他の例（擬似インパルス型）を模式的に示したタイミングチャートである。

符号の説明

１００ 表示装置
１１０ 表示パネル
１２０ 走査ドライバ
１３０ 電源ドライバ
１４０ バイアス制御ドライバ
１５０ データドライバ
１６０ システムコントローラ
１７０ 表示信号生成回路
ＥＭ 表示画素
ＤＣ 発光駆動回路
ＳＬ 走査ライン
ＶＬ 電源ライン
ＢＬ バイアスライン
ＤＬ データライン
Ｔｒ１１〜Ｔｒ１４ 薄膜トランジスタ
Ｃｓ コンデンサ
ＯＥＬ 有機ＥＬ素子

Claims (10)

1. 行方向に配設された複数の走査ライン及び列方向に配設された複数のデータラインと、行方向に配設された複数の信号ラインと、複数の表示画素と、を有し、前記各表示画素が前記各走査ラインと前記各データラインとの各交点近傍に配列された表示パネルと、
   所定のタイミングで前記表示パネルの前記各走査ラインに選択レベルの走査信号を順次印加して、各行の前記表示画素を順次選択状態に設定する走査駆動部と、
   所望の画像情報を表示するための表示データに応じた階調信号を生成し、前記各データラインを介して、前記選択状態に設定された行の前記表示画素に供給するデータ駆動部と、
   前記表示パネルに配列された前記複数の表示画素を、複数行ごとに複数のグループに分け、該各グループの前記表示画素に、当該表示画素を表示動作させる第１の電源電圧及び前記表示画素を非表示動作させる、前記第１の電源電圧と異なる電位の第２の電源電圧を供給する電源駆動部と、
   前記各信号ラインに状態設定信号を供給する状態設定部と、
   タイミング制御信号を供給することにより、前記走査駆動部、前記データ駆動部、前記電源駆動部及び前記状態設定部の各々を所定のタイミングで動作させ、少なくとも、前記表示パネルの前記各グループの前記表示画素を、前記表示データに応じて一斉に表示動作させる駆動制御部と、
   を備え、
   前記表示画素は、発光素子と、前記発光素子の発光動作を制御する発光駆動回路と、を備え、前記発光駆動回路は、第１の制御端子と第１の導通路とを有し、前記第１の導通路の一端に前記第１の電源電圧又は前記第２の電源電圧が印加され、該第１の導通路の他端に前記発光素子が接続された第１のスイッチ手段と、第２の制御端子と第２の導通路とを有し、前記第２の制御端子が前記走査ラインに接続され、前記第２の導通路の一端に前記第１の電源電圧又は前記第２の電源電圧が印加され、該第２の導通路の他端に前記第１のスイッチ手段の前記第１の制御端子が接続された第２のスイッチ手段と、第３の制御端子と第３の導通路とを有し、前記第３の制御端子が前記走査ラインに接続され、前記第３の導通路の一端に前記データラインが接続され、該第３の導通路の他端に前記第１の導通路の他端が接続された第３のスイッチ手段と、第４の制御端子と第４の導通路とを有し、前記第４の制御端子が前記信号ラインに接続され、前記第４の導通路の一端が前記走査ラインに接続され、該第４の導通路の他端に前記第１のスイッチ手段の前記第１の制御端子が接続され、前記信号ラインに前記状態設定信号が供給されたときにオン状態に設定される第４のスイッチ手段と、前記第１のスイッチ手段の前記第１の制御端子と前記第１の導通路の他端との間に接続されて、前記第１の制御端子と前記第１の導通路の他端との間の電位差に対応した電荷を蓄積する容量素子と、を備え、
   前記駆動制御部は、前記状態設定部から前記信号ラインに前記状態設定信号を供給する逆バイアス設定期間を設定し、該逆バイアス設定期間に前記各表示画素に接続される前記各走査ラインに前記走査駆動部から特定の電圧レベルに設定した非選択レベルの前記走査信号を印加し、当該表示画素に前記電源駆動部から前記第２の電源電圧を供給するように制御し、
   前記逆バイアス設定期間において、前記第１のスイッチ手段の前記第１の制御端子に、前記走査ラインの前記特定の電圧レベルが、前記信号ラインに接続されてオン状態に設定された前記第４のスイッチ手段を介して印加され、前記特定の電圧レベルが、前記第２の電源電圧と同じ電位又は前記第１の制御端子に印加される電圧が前記第１のスイッチ手段に対して逆バイアス電圧となる電位に設定されていることを特徴とする表示装置。
2. 前記表示パネルは、前記各信号ラインを前記各グループに対応して有し、該各信号ラインは前記各グループに含まれる各行に対応して分岐して配設され、
   前記状態設定部は、前記各グループに対応した前記各信号ラインに単一の前記状態設定信号を出力し、前記分岐して配設された信号ラインを介して、前記グループごとの前記表示画素に前記状態設定信号を同時に供給することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
3. 前記表示パネルは、前記各信号ラインを、前記各グループに含まれる各行に対応して複数有し、
   前記状態設定部は、前記各信号ラインに対応して前記状態設定信号を順次出力し、前記各信号ラインを介して、前記行ごとの前記表示画素に前記状態設定信号を順次供給することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
4. 前記表示パネルは、複数の電源ラインを前記各グループに対応して有し、該各電源ラインは前記各グループに含まれる各行に対応して分岐して配設され、
   前記電源駆動部は、前記各グループに対応した前記各電源ラインに単一の前記第１の電源電圧又は前記第２の電源電圧を出力し、前記分岐して配設された電源ラインを介して、前記グループごとの前記表示画素に前記第１の電源電圧又は前記第２の電源電圧を同時に供給することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
5. 前記各グループの複数行の前記表示画素は、連続する複数の行の前記表示画素からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置。
6. 前記各グループの複数行の前記表示画素は、連続しない複数の行の前記表示画素からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置。
7. 前記逆バイアス設定期間において、当該逆バイアス設定期間より前の期間に前記容量素子に蓄積されていた電荷の少なくとも一部が放電されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置。
8. 少なくとも前記発光駆動回路に設けられる前記第１のスイッチ手段は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタにより構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の表示装置。
9. 前記データ駆動部は、前記階調信号として、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための所定の電流値を有する階調電流を生成する手段を備えていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の表示装置。
10. 前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置。
    

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