JP5100413B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
(素子構造)
本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置は、図1に示すように、基板10と、基板10上に配置され,第1遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層14と、第1遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層14上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)16と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)16上に配置され,第2遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層18と、第2遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層18上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(AlyGa1-yN)(0.1≦y≦1)22と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlyGa1-yN)(0.1≦y≦1)22上に配置されたゲート電極26、ソース電極24およびドレイン電極28とを備える。
(素子構造)
本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置は、図2に示すように、基板10と、基板10上に配置された窒化物系化合物半導体層12と、窒化物系化合物半導体層12上に配置され, 第1遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層14と、第1遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層14上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)16と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)16上に配置され, 第2遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層18と、第2遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層18上に配置され,アンドープの窒化物系化合物半導体層20と、アンドープの窒化物系化合物半導体層20上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(AlyGa1-yN)(0.1≦y≦1)22と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlyGa1-yN)(0.1≦y≦1)22上に配置されたゲート電極26、ソース電極24およびドレイン電極28とを備える。
本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、基板10上に第1遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層14を形成する工程と、窒化物系化合物半導体層14上にアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)16を形成する工程と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)16上に第2遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層18を形成する工程と、第2遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層18上にアンドープの窒化物系化合物半導体層20を形成する工程と、アンドープの窒化物系化合物半導体層20上にアルミニウム窒化ガリウム層(AlyGa1-yN)(0.1≦y≦1)22を形成する工程と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlyGa1-yN)(0.1≦y≦1)22上にゲート電極26、ソース電極24およびドレイン電極28を形成する工程とを有する。
(素子構造)
本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置は、図1に示された、第1遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層14,窒化物系化合物半導体層14上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)16,アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)16上に配置され,第2遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層18からなる3層構造が複数回繰り返し形成された積層構造(14,16,18)を備える。
さらに、本発明の第3の実施の形態の変形例に係る半導体装置は、図3に示すように、基板10と、基板10上に配置された窒化物系化合物半導体層12と、窒化物系化合物半導体層12上に配置され, 第1遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層14と、第1遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層14上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)16と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)16上に配置され, 第2遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層18からなる4層構造が複数回、例えば約2〜3回程度繰り返し形成された積層構造(12/14/16/18,20/30/32/34,36/38/40/42)と、積層構造上に配置されたアンドープの窒化物系化合物半導体層44と、アンドープの窒化物系化合物半導体層44上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)22と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlyGa1-yN)(0.1≦y≦1)22上に配置されたゲート電極26、ソース電極24およびドレイン電極28とを備える。
上記のように、本発明は第1乃至第3の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
12…窒化物系化合物半導体層(GaN層)
13、17、21…2次元電子ガス(2DEG)層
14、30、38…第1遷移金属をドープした窒化物系化合物半導体層(GaN層)
16、32、40…アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)
18、34、42…第2遷移金属をドープした窒化物系化合物半導体層(GaN層)
20、36、44…アンドープの窒化物系化合物半導体層(GaN層)
22…アルミニウム窒化ガリウム層(AlyGa1-yN)(0.1≦y≦1)
24…ソース電極
26…ゲート電極
28…ドレイン電極
Claims (2)
- 基板と、
前記基板上に配置され, 第1遷移金属原子をドープした第1の窒化物系化合物半導体層と、
前記第1の窒化物系化合物半導体層上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)と、
前記アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)上に配置され, 第2遷移金属原子をドープした第2の窒化物系化合物半導体層と、
前記第2遷移金属原子をドープした第2の窒化物系化合物半導体層上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(Al y Ga 1-y N)(0.1≦y≦1)と、
前記アルミニウム窒化ガリウム層(AlyGa1-yN)(0.1≦y≦1)上に配置されたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、
前記第1の窒化物系化合物半導体層と前記アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)との界面に形成された第1の2次元電子ガス層と、
前記アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)と前記第2の窒化物系化合物半導体層との界面に形成された第2の2次元電子ガス層と、
前記第2の窒化物系化合物半導体層と前記アルミニウム窒化ガリウム層(AlyGa1-yN)(0.1≦y≦1)との界面に形成された第3の2次元電子ガス層と
を備え、
前記第1遷移金属原子および前記第2遷移金属原子は、鉄(Fe)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、或いは銅(Cu)からなる群から選ばれる一または二以上の遷移金属原子であり、
前記第1遷移金属原子および前記第2遷移金属原子が、鉄(Fe)である場合、前記第1の窒化物系化合物半導体層および前記第2の窒化物系化合物半導体層は、前記鉄(Fe)のドープ量がいずれも1×1017cm-3以上である半絶縁性になされ、
前記第2の窒化物系化合物半導体層の厚さは、1μm以上であり、
前記第2の窒化物系化合物半導体層が高抵抗層化されることで、前記第2の2次元電子ガス層と前記第3の2次元電子ガス層との間にキャパシタが形成され、前記第2の2次元電子ガス層は高周波的に接地状態になされ、
前記第1の窒化物系化合物半導体層が高抵抗層化されることで、前記第1の窒化物系化合物半導体層と前記基板との間にキャパシタが形成され、前記第1の2次元電子ガス層は高周波的に接地状態になされることを特徴とする半導体装置。 - 基板と、前記基板上に配置され, 第1遷移金属原子をドープした第1の窒化物系化合物半導体層と、前記第1の窒化物系化合物半導体層上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(Al x Ga 1-x N)(0.1≦x≦1)と、前記アルミニウム窒化ガリウム層(Al x Ga 1-x N)(0.1≦x≦1)上に配置され, 第2遷移金属原子をドープした第2の窒化物系化合物半導体層と、前記第2遷移金属原子をドープした第2の窒化物系化合物半導体層上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(Al y Ga 1-y N)(0.1≦y≦1)と、前記アルミニウム窒化ガリウム層(Al y Ga 1-y N)(0.1≦y≦1)上に配置されたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、前記第1の窒化物系化合物半導体層と前記アルミニウム窒化ガリウム層(Al x Ga 1-x N)(0.1≦x≦1)との界面に形成された第1の2次元電子ガス層と、前記アルミニウム窒化ガリウム層(Al x Ga 1-x N)(0.1≦x≦1)と前記第2の窒化物系化合物半導体層との界面に形成された第2の2次元電子ガス層と、前記第2の窒化物系化合物半導体層と前記アルミニウム窒化ガリウム層(Al y Ga 1-y N)(0.1≦y≦1)との界面に形成された第3の2次元電子ガス層とを備える半導体装置の製造方法であって、
基板上に第1遷移金属原子をドープした第1の窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、
前記第1の窒化物系化合物半導体層上にアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)を形成する工程と、
前記アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)上に第2遷移金属原子をドープした第2の窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、
前記第2遷移金属原子をドープした前記第2の窒化物系化合物半導体層上にアルミニウム窒化ガリウム層(Al y Ga 1-y N)(0.1≦y≦1)を形成する工程と、
前記アルミニウム窒化ガリウム層(AlyGa1-yN)(0.1≦y≦1)上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と
を有し、
前記第1遷移金属原子および前記第2遷移金属原子は、鉄(Fe)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、或いは銅(Cu)からなる群から選ばれる一または二以上の遷移金属原子であり、
前記第1遷移金属原子および前記第2遷移金属原子が、鉄(Fe)である場合、前記第1の窒化物系化合物半導体層および前記第2の窒化物系化合物半導体層は、前記鉄(Fe)のドープ量がいずれも1×1017cm-3以上である半絶縁性になされ、
前記第2の窒化物系化合物半導体層の厚さは、1μm以上であり、
前記第2の窒化物系化合物半導体層が高抵抗層化されることで、前記第2の2次元電子ガス層と前記第3の2次元電子ガス層との間にキャパシタが形成され、前記第2の2次元電子ガス層は高周波的に接地状態になされ、
前記第1の窒化物系化合物半導体層が高抵抗層化されることで、前記第1の窒化物系化合物半導体層と前記基板との間にキャパシタが形成され、前記第1の2次元電子ガス層は高周波的に接地状態になされることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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