JP5097550B2 - 改善されたヒートシンクを備える半導体発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板と、回路と、少なくとも１つのヒートシンクと、前記回路に電気的に接続されている少なくとも１つのＬＥＤとを有する発光装置に関する。本発明は、前記のような装置の製造の方法にも関する。

高効率かつ高輝度のＬＥＤのアレイが、現在、照明用に考慮されている。このことを実現可能にするために、個々のＬＥＤは、サブマウント上にファインピッチで組立てられなければならない。

現在、シリコン基板上の薄膜処理は、これらのサブマウントを作製するために既に使用されている。シリコンの使用は、有利であり、シリコン加工が周知のものであるので、容易に利用可能であり、前記ＬＥＤを駆動する回路として使用するために十分に小さいピッチでシリコン上に金属構造を作ることが可能である。同時に、シリコンは、前記ＬＥＤからの熱を輸送する（transport heat away from the LED）ための適度な熱伝導性を有している。

現在、前記回路は、前記ＬＥＤと前記シリコン基板との間の熱抵抗を最小にするように、薄い絶縁ゲート酸化物上で成長され、前記ＬＥＤは、前記回路の上側において前記回路に接続されている。

幾つかのＬＥＤが前記基板上にファインピッチで位置されている、マルチＬＥＤのアプリケーションにおいて、ＬＥＤ間のクロストークを回避することが更に望まれており、即ち、前記ＬＥＤの側壁から発する光が、隣のＬＥＤ（オプションで、異なる色のものである）に結合し、そこで吸収される。

ＬＥＤ間のクロストークを防止する１つの仕方は、前記基板における窪み内に前記ＬＥＤを位置させることであり、この結果、前記窪みの壁が、ＬＥＤ間の前記クロストークを防止する。しかしながら、このような窪み内に回路のパターンを配する工程は、単純なものではなく、従って、クロストークを防止するために個々のＬＥＤの周りにリソグラフィ的に壁を築くことが提案されている。

マルチＬＥＤアプリケーションにおける他の問題は、ＬＥＤ、特に高出力ＬＥＤが、発光する際に多量の熱エネルギを放散することである。この熱放散は、前記ＬＥＤが動作することができる長さ又は電力に対する制限を課す。従って、前記ＬＥＤからの良好な熱輸送を得ることが非常に望まれている。従来、このことは、シリコンベースのサブマウントをヒートシンク上に位置させ、前記サブマウントの側壁が、前記ヒートシンクから外方に向いている前記ＬＥＤを収容していることによって、なされている。しかしながら、前記ヒートシンクと前記ＬＥＤとの間の熱抵抗を低下させることが、このことによって前記のような熱放散による制限を減少することができるため、有利である。

クロストークを防止する代替的な仕方は、沖電気工業株式会社による特開昭６１−６１４５８号に開示されている。この文献においては、メサ構造のＬＥＤのパターンが、基板上に配されている。次いで、感光性樹脂が、前記基板上にスピンコートされており、従って、前記ＬＥＤ間の領域を、前記ＬＥＤ間の遮光性領域を形成する材料によって充填している。次いで、この回路パターンが前記のような構造の上側に配されている。

しかしながら、この方法は、前記ＬＥＤからの改善された熱輸送を提供しているものではない。

従って、容易に作られると共に、前記ＬＥＤからの改善された熱輸送を提供するＬＥＤベース照明装置のための必要性は、まだ残っている。特に、隣接するＬＥＤ間の低減されたクロストークを有する前記のような装置に対する必要性がある。

本発明の目的は、上述の不利な点を克服する発光装置と、前記のような発光装置の製造のための方法とを提供することにある。

従って、第１の見地において、本発明は、基板と、回路と、ヒートシンクと、前記回路に電気的に接続されている発光ダイオード（ＬＥＤ）とを有する発光装置であって、前記ＬＥＤが、前記基板内の穴を介して前記ヒートシンクに熱的に接触している、発光装置を提供する。

本発明による装置の１つの有利な点は、前記ＬＥＤ及び前記ヒートシンクが、前記基板内の穴を介して熱的に接続しているので、基板材料が、熱経路内にないことである。熱経路内の材料は、好ましくは、前記基板材料の熱伝導性よりも高い熱伝導性を有するように選択される。従って、前記のような接続部の熱伝導性は、前記のような熱が前記基板材料を介し輸送されるべきであった場合のものよりも、高い。本明細書において使用される「回路」なる語は、受動導体のパターンを称しているものであり、即ち、ダイオード、トランジスタ及びスイッチ等の電気的素子が接続されることができるものの表現である。素子とアースとの間の接地接続も、例えば、前記ヒートシンクであっても良く、前記回路の一部であっても良い。

本明細書において使用される「ヒートシンク」なる語は、発光ダイオードのような、熱放散素子からの熱を輸送する手段を称している。前記語は、前記熱放散素子から、幾つかの中間ヒートシンクに対して共通のものであり得る第２のヒートシンクへと熱を輸送する所謂中間ヒートシンクを含むものとされるべきである。

本明細書において使用される「ＬＥＤ」なる語は、１つの発光ダイオード（ＬＥＤ）、又は１つのチップ状に形成されている複数のＬＥＤ、所謂マルチフォールドチップス（multi-fold chips）を称している。前記語は、更に、例えば、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）と、高分子ＬＥＤ（ポリＬＥＤ）と、従来の無機ＬＥＤのような、全ての種類のＬＥＤであって、紫外線から可視光を経て赤外線までの、何らかの波長の光を発するＬＥＤを称している。ＬＥＤなる語は、レーザダイオード（ＬＤ）も含むものであるともされるべきである。

「熱的に接続している」及び「熱的に接続されている」なる語は、ＬＥＤとヒートシンクとの間のような、前記のような２つの素子間の熱伝導性が高い、好ましくは、前記基板材料の熱伝導性よりも高いことを称している。従って、２つの素子は、自身が、１つ以上の付加的な素子によって分離されている場合でさえも、前記のような付加的な構成要素が前記基板材料の熱伝導性よりも高い熱伝導性を有している限り、互いに熱的に接続されることができる。

更に、本発明によれば、前記ＬＥＤは、前記基板内の穴によって、少なくとも部分的に回路を介して、前記ヒートシンクと熱的に接続して配されているのが好ましい。

前記ＬＥＤは、前記回路に電気的に接続されているが、前記ＬＥＤが前記回路に熱的にも接続されていると共に、前記回路が前記ヒートシンクに接続されている場合、特に前記回路が高い熱伝導性を有する材料で形成されている場合に、有利であることができる。従って、前記ＬＥＤによって放散される熱の少なくとも一部は、前記基板内の穴によって、前記回路を介して前記ヒートシンクに輸送される。

好ましくは、前記ＬＥＤも、前記穴によって前記回路に接続される。前記回路が、主に、前記ＬＥＤと反対側である前記基板の側部に配されている場合でさえも、前記回路の一部が前記穴に入れられており、前記ＬＥＤが前記基板内の穴によって前記回路に接続されるのを可能にしている。

更に好ましくは、前記回路は、前記ヒートシンク上に配され、オプションで少なくとも部分的に誘電層によって分離されており、前記ＬＥＤは、前記回路上に配されている。

このことは、前記ヒートシンクと前記回路と間、及び前記ＬＥＤと前記回路との間の高い接触領域を可能にし、前記ＬＥＤと前記ヒートシンクとの間の高い熱伝導性を可能にしている。更に、このことは、前記ＬＥＤと前記ヒートシンクとの間の距離を最小化し、前記ＬＥＤから前記ヒートシンクへの熱伝導性を増大させる。

前記ＬＥＤは、少なくとも部分的に、前記基板における穴内に位置されることができる。このようにして、前記ＬＥＤ上の接続パッドと前記回路との間の直接的な接触が、可能にされ、従って、前記ＬＥＤと前記ヒートシンクとの間の良好な熱接続が、達成されることができる。

更に、２つの隣接するＬＥＤ間のクロストーク（前記クロストークは、前記ＬＥＤが前記基板の表面に平行な方向に発光することによるものである）は、特に、前記基板が半透明材料で作られている場合、又は前記穴の内壁が光を反射する又は吸収する場合、前記ＬＥＤを前記穴内に配することによって減少される。前記基板における穴内に前記ＬＥＤを配することによって、隣接するＬＥＤ間のクロストークを防止するために、前記ＬＥＤの周りに壁をリソグラフィ的に築く必要がない。

前記回路は、前記基板における穴内に突起部を形成しても良い。前記のような突起部は、前記ＬＥＤの前記回路への取り付けを容易にし、前記ＬＥＤと前記穴の底との間に、良好に規定された空間を提供し、前記ＬＥＤと前記穴の底との間に空洞を作る。前記のような空洞は、前記ＬＥＤから前記ヒートシンクへの熱輸送を更に改善するために、熱伝導性のある下充填（under-fill）材料によって充填されることができる。

前記基板における穴によって、前記回路を介し、ヒートシンクに各々熱的に接続されている２つ以上のＬＥＤを有する本発明の装置においては、前記ＬＥＤは、１つの共通の又は２つの異なるヒートシンクに接続されることができる。しかしながら、前記装置における機械的応力を減少するために、前記ＬＥＤがヒートシンクを分離するように接続されているのが、有利である。

第２の見地において、本発明は、発光装置の製造のための方法を提供する。前記方法は、基板、回路、ヒートシンク及びＬＥＤを準備するステップと、前記基板上に前記回路を配するステップと、前記基板内の穴を得るステップと、前記回路へ電気的に接続された前記ＬＥＤを配するステップと、前記ＬＥＤに熱的に接続された前記ヒートシンクを配するステップとを有し、これにより前記熱的接続が前記穴によって有効にされる。

好ましくは、本発明による方法において、前記ＬＥＤと前記回路との間の電気的接続は、前記基板内の前記穴によって有効にされる。

従って、前記基板内の前記穴によって、少なくとも部分的に前記回路を介して、前記ＬＥＤが前記ヒートシンクに熱的に接続されている発光装置が、作られる。

従って、この方法は、本発明による照明装置であって、前記ＬＥＤと前記ヒートシンクとの間に基板材料が存在せず、前記ＬＥＤからの良好な熱輸送を可能にする本発明による照明装置の製造を可能にする。

前記方法は、前記回路と前記基板及び／又はヒートシンクとの間の電気的絶縁層、及びエッチングマスクの堆積のような、保護層の堆積のような、付加的なステップを有していても良い。

前記製造の方法は、付加的な穴、又はサイト特有（site-specific）エッチングによる貫通基板ビアホールの容易な製造も可能にする。

本発明は、添付図面を参照して、以下で更に記載される。

図１に示されている本発明の一実施例は、ＬＥＤ４が配されている穴３を備えている基板２を有する本発明による照明装置１を示している。

回路５は、誘電体の層６によって前記基板から分離されて、基板２上に配されている。しかしながら、穴３の中央部においては、誘電体が、回路５上に配されておらず、この結果、前記回路は、前記穴内に接触可能である。

ＬＥＤ４は、穴３内の回路５の前記のような接触可能な部分において、電気的に、かつ、熱的に、前記回路に接続されている。前記ＬＥＤは、熱的にではあるが、電気的にではなく、熱バンプ７に接続されている。

中間ヒートシンク８が、配されており、回路５及び熱バンプ７へ、熱的に接続されており、熱伝導性のある誘電層９によって回路５から、部分的に電気的に隔離されている。しかしながら、ヒートシンク８は、前記回路のための接地接続として働き、従って、前記回路の１つの場所１０において、前記回路は、中間ヒートシンク８に電気的に接触している。

回路５及び熱バンプ７は、前記穴の底の突起部を形成し、ＬＥＤ４と前記穴の底との間の空洞１１を形成している。空洞１１は、熱伝導性のある下充填物によって充填されており、ＬＥＤ４と中間ヒートシンク８との間の熱的接続を更に改善し、前記中間ヒートシンク８は、第２ヒートシンク１２に半田付けされている。

ＬＥＤは、回路５を介して、前記ＬＥＤを制御するＬＥＤ駆動ユニット１３に更に接続されている。ＬＥＤ駆動ユニット１３は、前記回路の前記ヒートシンクによって覆われていない場所において、熱伝導性のある誘電層９における穴１４を介して、回路５に接続されている。

基板１は、発光装置のためのサブマウントにおいて使用するのに適している当業者に知られている如何なる基板であっても良い。前記基板の材料は、エッチングによって前記基板内に窪み及び穴を作るのがかなり容易であるようなものであることが好ましい。適切な基板は、限定的にではないが、典型的には、標準シリコン基板、ダイアモンド、アルミニウム窒化物を含んでいる。

穴３の面積は、ＬＥＤ４が前記穴に嵌合されるのに十分なほど大きいのが好ましい。更に、前記穴は、前記ＬＥＤの上面が、前記回路に取り付けられた場合に、本質的に、前記基板の上面のレベルにある又は前記基板の上面のレベルよりも低いものであるように、十分深い（即ち、前記基板は十分に厚い）ものである。本発明の照明装置において適切に使用され得る多くのＬＥＤが、前記基板の前記表面に対して多かれ少なかれ平行な方向に、光を発することもできる。従って、あるアプリケーションにおいて、例えば、互いに横に位置されている幾つかの本発明の照明装置を使用する場合、１つのＬＥＤから発せられた光が、隣接するＬＥＤに結合導入され、そこで吸収されるのを防止することが有利であり得る。従って、このような場合において、本質的に平行な方向に発せられた光が前記穴の壁によって吸収されるか又は反射されるかのいずれかであるように、前記ＬＥＤの少なくとも前記基板の表面に平行な方向に光を発することができる部分が前記穴内に位置されるのが有利である。好ましくは、前記穴の面積は、前記穴の底よりも前記穴の上面において広いものであり、従って、前記穴から光を反射することができる前記穴の内壁を形成する。

本発明の他の実施例において、前記ＬＥＤは、前記回路への接続のための前記穴内に到達している電気的コネクタを有して、前記基板内の穴の上側か又は前記穴の傍らからのいずれかにおいて、前記基板の表面上に位置されることができ、前記のようなコネクタは、前記回路を介して、前記ＬＥＤからの熱を前記ヒートシンクに輸送する。

本発明において使用するのに適切なＬＥＤは、レーザダイオードを含む、何らかの色の光を発するＬＥＤであることができる。しかしながら、一方の側に全ての自身の端子を有するＬＥＤが、このことにより前記回路への接続が容易になるので、好まれる。

前記回路は、好ましくは、銅、アルミニウム、銀、金及び他の適切な導電性金属のような、導電性金属のパターニングされた層と、ＡｌＳｉのような、発光装置用の回路として使用するのに適している導電性材料を含む金属又は他の非金属とを有している。好ましくは、前記回路の前記熱伝導性は、前記基板の前記熱伝導性よりも高いものである。

前記回路は、例えば、好ましくは高い熱伝導性を有すると共に前記回路と前記基板との間に配されている誘電材料の層によって、前記基板から電気的に絶縁されているのが好ましい。

前記のような誘電材料の非限定的な例は、例えば、ＡＩＮ、ダイアモンド、Ｓｉ_３Ｎ_４及びＳｉＣを含む。

図１に示されている回路は、熱伝導性誘電材料によって前記ヒートシンクから部分的に電気的に絶縁されている。しかしながら、本発明の幾つかの実施例において、前記回路は、前記ヒートシンクから全体として絶縁されているのが好ましい。前記回路を前記ヒートシンクから絶縁するのに適切な誘電材料は、非限定的にではないが、ダイアモンド、ＳｉＣ及びＡｌＮを含む。

前記回路は、有利には、前記装置の後側（即ち、前記ヒートシンク側）において囲んでいるものに触れている少なくとも１つの部分を有する。前記のような触れている部分は、前記回路とＬＥＤ駆動ユニットとの間の接続としても利用されることができ、前記回路に電気的に接続されている前記ＬＥＤの機能を制御するにも使用されるであろう。

前記回路から分離されている、熱バンプの使用は、オプションのものであるが、前記ＬＥＤと前記ヒートシンクとの間の熱的接触を更に改善するのに使用されることができる。前記熱バンプは、少なくとも前記基板の熱伝導性よりも高い、高い熱伝導性を有する非導電材料又は導電性材料から作られるのが好ましい。前記熱バンプに適切な材料は、非限定的にではないが、例えば、前記回路において使用するのに適している材料である。

前記中間ヒートシンクは、非限定的にではないが、例えば、銅、銀、金、タングステン及び他の金属、又は高い熱伝導性を有する非金属の材料のような、高い熱伝導性の材料から作られるのが好まししい。前記のような材料は、当業者によって既知のものである。

本発明の他の好適実施例において、本発明による幾つかの照明装置が、照明装置のアレイに配されている。前記のようなアレイにおいて、幾つかのＬＥＤが、１つの同じ基板上において別個の穴内に配されることができる、又は別個の基板上に配されることができる。幾つかの装置は、１つの共通の中間ヒートシンク又は別個の中間ヒートシンクに熱的に接続されることができる。しかしながら、各ＬＥＤは、このことが、例えば、前記ヒートシンクの熱膨張によって出現する装置上の機械的歪みを減少するので、別個の中間ヒートシンクに熱的に接続されているのが好ましい。しかしながら、これらの場合において、前記装置の機械的支持及び前記ヒートシンクの特性を改善するために、全ての前記のようなヒートシンクを、共通の第２のヒートシンク上に配するのが好適であり得る。

前記第２のヒートシンクに適している材料は、高い熱伝導性を有する材料であり、非限定的にではないが、ＣｕＷ合金、銅／モリブデン合金、炭化ケイ素粒子強化アルミニウム（Ａｌ／ＳｉＣ：silicon-carbide-particle-reinforced alumimun）のような金属マトリックス複合物、炭素／炭素複合物、ダイアモンド粒子強化炭化ケイ素のようなセラミックマトリックス複合材料を含む。

前記ＬＥＤと前記穴の底との間の前記空洞は、前記ＬＥＤと前記ヒートシンクとの間の熱的接続を改善するように、熱伝導性材料によって充填されるのが好ましい。適切な前記のような材料は、非限定的にではないが、熱伝導性セラミック粒子を有するエポキシ樹脂を含む。

好ましくは、前記回路は、該回路に接続されている前記ＬＥＤの機能を制御するＬＥＤ駆動ユニットに接続されていても良い。適切な前記のようなＬＥＤ駆動ユニットは、当業者にとって既知のものである。

本発明による装置は、１つの基板上の別個の穴内に上述されたように各々配されていると共に、少なくとも部分的に共通の回路を供給している複数のＬＥＤを有する装置にも関するものであると理解されたい。

本発明による装置は、「貫通基板ビアホール」、即ち前記基板を通過する１つの開孔も有する。当該装置は、ＬＥＤの上方に配されている光コリメータによって、又は所望の仕方において（複数の）前記ＬＥＤから発せられた光を広げるためのＬＥＤのアレイによって覆われることができ、前記コリメータと前記ＬＥＤとの間のボイドは、シリコンペーストによって充填されている。貫通基板ビアホールは、前記シリコンペーストによって前記のようなボイドを充填するのに使用されることができる。

例
図１に示されている発光装置の製造の方法の例は、以下に記載され、図２において概説されている。
(ｉ)回路の作製
当該方法は、この実施例において前記穴内に突起物を形成する前記回路及び熱バンプの作製によって開始する。
約６２５μｍの厚さのシリコン基板が準備される。前記シリコン基板の前記回路の側となるべき側部に、マスク内に穴を残して（該穴が、前記突起物のための位置を規定していた）硬いエッチングマスク（０．５μｍのＳｉＯ_２）が成長され、パターニングされ、後続してＫＯＨが前記穴内を５−２０μｍの深さまでエッチングし、ＳｉＯ_２が、前記基板から剥がされた。
次いで、誘電材料Ｓｉ_３Ｎ_４が、前記突起部のための位置においては前記誘電材料内に穴を残して、前記基板と前記回路との間の電気的絶縁を設けるように、前記回路側の基板上に堆積され、パターニングされた。
前記回路は、厚い（１−５μｍ）アルミニウム層を堆積しパターニングすることによって、前記基板上に設けられ、前記回路上に、高い熱伝導率を有する薄い（〜１００ｎｍ）誘電層（ＡｌＮ）が、環境から（特に前記ヒートシンクから）前記回路を絶縁するためにスパッタリングされた。
前記熱バンプは、前記ＬＥＤに電気的に接続されておらず、従って、このＡｌＮ層は、前に、エッチング（７０℃ ＫＯＨエッチング）によって前記熱バンプから除去されることができ、前記ヒートシンクへの熱的かつ電気的接続を提供した。更に、前記ヒートシンクが、前記ＬＥＤの電気的アースとして働いているので、前記ＡｌＮ材料が、前記回路の前記ヒートシンクへの接地接続として働く部分から除去されることもできた。更に、前記回路の（前記ヒートシンクに覆われるべきではない）１つの領域において、前記ＡｌＮ材料は、前記回路の、当該装置の前記ヒートシンク側を囲んでいるものに接触されるべきである領域を提供するために、除去される（図２ａ）。

（ｉｉ）前記穴の規定
次いで、前記基板は、グラインド及びウェットダメージエッチングによって、前記基板の前記ＬＥＤ側から、ほぼ前記ＬＥＤの厚さ（〜２００μｍ）まで薄くされた。硬いエッチングマスク（Ｃｒ／Ｃｕ）が、前記基板の前記ＬＥＤ側に堆積され、前記穴の前記領域を規定するようにパターニングされた。

（ｉｉｉ）前記中間ヒートシンクのめっき
前記中間ヒートシンクを堆積させるために、めっきベース（Ｃｒ／Ｃｕ）が前記基板上の前記回路側にスパッタリングされ、厚い（２０−１００μｍ）レジストが前記中間ヒートシンクのための前記場所を規定するために前記めっきベース上にパターニングされた。次いで、前記中間ヒートシンク（銅 〜５０μｍ）が、前記規定されている位置において前記めっきベース上においてめっきされた（図２ｂ）。

（ｉｖ）前記穴のエッチング
前記レジストを除去した後、穴、即ち前記のような予め堆積された硬いエッチングマスクによって規定されている領域が、前記基板の前記ＬＥＤ側から、前記回路及び／又は前記回路が堆積されている前記誘電Ｓｉ_３Ｎ_４材料まで、エッチングで下げられた。このステップの間、前記基板の前記回路側は、前記めっきベース及び前記ヒートシンクによって前記エッチングから保護されていた。
この後、前記めっきベースがウェットエッチングによって除去され、このエッチングにより、前記基板の前記ＬＥＤ側から前記硬いエッチングマスクも除去された（図２ｃ）。

（ｖ）前記ＬＥＤの取り付け
前記回路の、今や前記穴内で接触していると共に、前記穴内に突起部を形成している部分に、無電解成長（electro-less growth）によって、はんだウェット層Ｎｉ／Ａｕが設けられる。このステップの間、Ｎｉ／Ａｕ層は、前記基板の前記回路側における前記のような銅の中間ヒートシンク上に堆積されることもでき、このことは、前記銅の中間ヒートシンクが腐食するのを防止する。
最後に、前記ＬＥＤは、前記回路と前記下充填材とにはんだ付けされることができ、前記装置は、ＣｕＷヒートシンクにはんだ付けされている（図２ｄ）。

本記載が、本発明による照明装置を形成するために、前記基板内の穴を介してヒートシンクへ熱的に接触された１つの単一のＬＥＤを配することに関するものである場合でさえも、１つの基板における幾つかの穴を介してヒートシンクと熱的に接触している幾つかのＬＥＤを平行に配する方法にも関するものであることを理解されたい。

提案された方法は、前記基板を貫通するビアホールの製造のための方法も提供する。

貫通基板ビアホールの製造は、例えば、以下のようにして実施されることができる。
前記中間ヒートシンクをめっきする前に、前記回路が堆積されているＳｉＯ_２層と、前記中間ヒートシンクから前記回路を絶縁している前記熱伝導誘電材料とが、前記基板材料に接触するための、小さい領域から除去される。前記中間ヒートシンクがめっきされている場合、従って、前記材料のリングが、前記接触される領域の周りにめっきされる。従って、前記基板の前記ＬＥＤ側における穴をエッチングするステップの間、接触される前記領域は保護されておらず、従って、貫通基板ビアホールが、前記所望の位置において得られる。

本発明の照明装置の断面図を説明している。 図１の装置の製造のための方法のステップの概要を示している。 図１の装置の製造のための方法のステップの概要を示している。 図１の装置の製造のための方法のステップの概要を示している。 図１の装置の製造のための方法のステップの概要を示している。

Claims (10)

1. 基板と、回路と、前記回路に電気的に接触されているＬＥＤと、前記ＬＥＤから熱を輸送するように配されているヒートシンクとを有する発光装置であって、前記ＬＥＤは、前記基板内の穴を介して前記ヒートシンクに熱的に接触されており、前記回路は、誘電層によって前記基板から電気的に絶縁されていることを特徴とする、発光装置。
2. 前記ＬＥＤは、前記回路を介して少なくとも部分的に、前記ヒートシンクと熱的に接触している、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記ＬＥＤは、前記基板内の前記穴を介して前記回路に接続されている、請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記回路は、前記ヒートシンク上に配されており、前記ＬＥＤは前記回路上に配されている、請求項３に記載の発光装置。
5. 前記ＬＥＤは、少なくとも部分的に前記穴内に配されている、請求項１ないし４の何れか一項に記載の発光装置。
6. 前記回路は、前記穴内の突起部を形成している、請求項３ないし５の何れか一項に記載の発光装置。
7. 前記基板内の第１の穴を介して第１のヒートシンクに熱的に接続されている第１のＬＥＤと、前記基板内の第２の穴を介して前記第２のヒートシンクに熱的に接続されている第２のＬＥＤとを有している、請求項１ないし６の何れか一項に記載の発光装置。
8. − 基板、回路、ヒートシンク及びＬＥＤを準備するステップと、
   − 前記基板上に前記回路を配するステップと、
   − 前記基板内に穴を得るステップと、
   − 前記回路に電気的に接続されている前記ＬＥＤを配するステップと、
   − 前記ＬＥＤに熱的に接続されている前記ヒートシンクを配するステップと、
   を有する発光装置の製造のための方法であって、
   前記基板上に前記回路を配するステップは、前記基板と前記回路との間を電気的に絶縁するように誘電層を設けるステップを含んでおり、
   前記熱的接続は前記穴を介して有効にされる、方法。
9. 前記電気的接続は前記穴を介して有効にされる、請求項８に記載の方法。
10. 前記穴は、エッチングによって得られる、請求項８又は９に記載の方法。

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