JP5096857B2 - 液晶表示素子 - Google Patents
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図4Aにコモン電極の一部の形状を示し、図4Bに、セグメント電極の一部の形状を示す。発明者らは、比較例1として、図4Aに示す縦400μm、横500μmのコモン電極3cに、図4Bに示す縦500μm、横400μmのセグメント電極3s−1組み合わせた場合、画素がどのように表示されるかについて独自のソフトによりシミュレーションを行った。
図6に、実施例1におけるセグメント電極形状を示す。発明者らは、上記光抜けを防ぐために、セグメント電極3s−2の左右のエッジをジグザグパターン(鋸歯形状)とした場合について検討(シミュレーション)を行った。ジグザグパターンの辺は、偏光板軸方向7a、7bのどちらか一方に平行となっている。鋸歯のピッチは20μmである。
図9に、実施例2として、他の電極形状の例を示す。図は、7セグメントで「8」を表示するセグメント型の液晶表示素子の例である。このセグメント電極は、そのセグメント領域を平面的に包括するコモン電極に対向する。従って、セグメント電極のエッジ部分とコモン電極間に斜め電界が発生する。偏光板がその軸方向を45°および135°とするクロスニコル配置であるとする。前述の光抜け対策として、各セグメント電極8sの斜めの辺が45°もしくは135°となるようにし、縦横の辺に上記実施例と同様のジグザグパターンを設ける。それにより、非選択電圧印加時の光抜けはかなり減少するであろう。
比較例2は比較例1の電極パターンでモノドメイン垂直配向型液晶セルである。1画素あたりのセグメント側およびコモン側の電極幅は405μmとし、電極間隔は幅30μmとした。下側基板に透明導電膜であるITOでセグメント電極を、上側基板に同じくITOでコモン電極を配置した。配向処理は垂直配向膜にラビング等で89.5°のプレチルトを付与した。下側基板のプレチルトの方位角方向は12時方向(右を0度とした場合、反時計まわりに90度の位置である。図1上では上方向)、上側基板のプレチルトは6時方向の、アンチパラレル配向とした。このとき液晶ダイレクタは12時方向であり、最適視認方向は6時方向になる。セル厚は6μm。液晶材料はΔε=−2.2、Δn=0.20のネガティブ液晶を用いた。偏光板の吸収軸角度は上側45度、下側135度の配置とした。使用した偏光板はポラテクノ製SHC−13U。光学補償板にはCプレート(ΔR=0nm、Δth=220nm)を下側の偏光板と液晶セル間に3枚積層した。ΔR:面内リターデーション値、Δth:厚み方向のリターデーション値である。
図10に、実施例3における電極パターンを示す。比較例2のセグメント電極のエッジを45°と135°のジグザグ線で構成したパターンとした。ジグザグパターンは2つの頂点の間隔(ピッチ)が20μm、2つの頂点の高さは10μmである。コモン電極もセグメント電極と同様に電極のエッジを45°と135°のジグザグ線で構成したパターンとした。ジグザグパターンのピッチと高さはセグメント電極と同じである。
図11に、実施例4における電極パターンを示す。実施例3の電極パターンと同様にセグメント電極とコモン電極のエッジを同角度のジグザグ線とした。異なるのはジグザグパターンのピッチおよび高さであり、それぞれピッチ40μm、高さ20μmとした。
図12に、実施例5における電極パターンを示す。実施例3の電極パターンと同様にセグメント電極のエッジを45°と135°のジグザグ線で構成したパターンで、1ドットに占める頂点の数を減らした。コモン電極は比較例1と同じ直線パターンを用いた。比較例2と同様にセグメント電極幅(図中 水平方向の距離)は405μmであり、隣り合う電極と電極の間隔は30μmとした。セグメント電極はコモン電極の中心線とコモン電極間隔の中心線の2箇所で折り曲げるような形状とし、そのときのジグザグピッチは435μm、高さは217.5μmであった。上下基板を重ねた時、両電極が重なり合った部分の電極パターンは、「くの字」の形状であった。
図13に、実施例6における電極パターンを示す。実施例6はセグメント電極のエッジを45°と135°の斜め線で構成した実施例5と同じパターンとした。ジグザグパターンのピッチは435μm、高さは217.5μmである。コモン電極は実施例3と同様の形状でピッチが50μm、高さ25μmのジグザグパターンとした。上下基板を重ねた時、両電極が重なり合った部分の電極パターンは、ジグザグ線を含んだ「くの字」状の形状であった。上記実施例3から6について、電極パターン以外は比較例2と全く同様に、液晶セルを作製した。駆動条件も同一で、同様に電圧と透過率の特性を測定した。
表1.1/32duty 1/6bias駆動時の最大コントラストとそのときのON透過率
セグメント電極およびコモン電極のエッジ部を45度と135度のジグザグパターンとすることで、従来電極パターンのコントラストと比較して大きくすることができた。実施例4においては比較例の1.6倍のコントラストが、実施例6においては比較例の2.4倍のコントラストが得られた。また、その時のON透過率も高くできた。とりわけジグザグパターンの頂点の数を小さくすることが、効果的であることがわかる。また、比較例2と実施例5の結果から、ジグザグパターンはセグメント電極もしくはコモン電極のどちらかに配置するだけで、高コントラスト化の効果があることがわかる。比較例と実施例3と実施例4の比較、または実施例5と実施例6の比較から、好ましくはセグメント電極とコモン電極の両方の電極のエッジにジグザグパターンを配置したほうが、高コントラスト化の効果は高いことがわかる。ジグザグパターンで構成された表示画素は、視認距離により視認性が変わることが確認できた。視認距離が10cm以内では実施例5や実施例6の形状が、くの字状に認識された。それ以上離れた距離では1画素の形状は気にならず、比較例2と同等の視認性であった。実施例3や実施例4については視認距離が10cm以内でも、比較例2と同様の形状に認識された。
図14に、比較例3におけるセグメント電極パターンを示す。コモン電極は、図4Aに示したように縦400μm、横500μmである。セグメント電極は図14に示すように縦250μm、横100μmのスリット状開口部を設けた縦500μm、横300μmの電極である。
図16に、実施例7におけるセグメント電極を示す。実施例7では、比較例3のスリット部のエッジに該当する部分を、ピッチが40μmで45度と135度の角度のジグザグパターンで作製した。コモン電極は比較例3と同様である。プレチルト角を90度とし、ラビング等の配向処理を行わない以外は比較例1および実施例1と同条件で計算を実施した。
2 液晶層
2m 液晶分子
3a、3b 電極
3c コモン電極
3d、3d−1、3d−2 画素
3s、3s−1、3s−2、8s セグメント電極
4a、4b 垂直配向膜
5a、5b 偏光板
6 光学補償板
7a、7b 偏光板軸方向
Claims (4)
- 対向する一対の基板と、
前記基板の各々の対向面側に形成された電極パターンと、
前記基板の各々の対向面側に形成された前記電極パターンの交差部分で形成された表示領域と、
前記基板の各々に対し前記電極パターンを覆って形成された垂直配向膜と、
前記基板間に挟持された液晶層と、
前記基板の各々において前記液晶層側とは反対側に形成された一対の偏光板と
を有し、
前記表示領域の輪郭は、前記基板の各々の対向面側に形成された前記電極パターンの、各々のエッジにより構成され、
前記表示領域の輪郭において、前記電極パターンのエッジが前記偏光板の軸方向のいずれか一方およびその直交方向と平行なジグザグパターンを含む液晶表示素子。 - 前記一対の偏光板の互いの軸方向がクロスニコルである請求項1記載の液晶表示素子。
- 液晶表示素子正面観察時に、12時方向から時計回り90度の位置を右方向とし、右方向を0°として左回りを正としたとき、前記一対の偏光板の軸方向の一方が45°で、他方が135°である請求項2記載の液晶表示素子。
- 前記ジグザグパターンのピッチが2μm〜40μmである請求項1〜3のいずれか1項記載の液晶表示素子。
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