JP5417078B2 - 液晶表示素子 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示素子に関する。

液晶層内の液晶分子が基板に対して垂直に配向している垂直配向型液晶表示素子は、電圧無印加時における黒レベルが非常に良好で、液晶セルの片側、又は両側の上下偏光板間に、適切なパラメータを持つ負の光学異方性を有する光学補償板を導入することにより、非常に良好な視角特性を有する（例えば、特許文献１参照）。

近年、垂直配向型液晶表示素子において、暗表示時の視角特性だけでなく明表示においても良好な視角特性を獲得するために、液晶の配向方向が１つの画素内で複数の方向に向く「マルチドメイン配向」が多く用いられている。例えば、画素電極内に開口部を設けて斜め電界を発生させて配向を制御するマルチドメイン配向（例えば、特許文献２参照）や、画素電極内に突起構造を設けて傾斜面により配向を制御するマルチドメイン配向（例えば、特許文献３参照）などが提案されている。しかし、上記した斜め電界を発生させるための電極構造や基板表面に突起構造を設けると、例えば、ドットマトリクス表示部の１画素内において開口率が低下して液晶表示素子の透過率が低下する。

一方、液晶表示装置の左右方位の視角特性だけを重視する場合は、上記したようなマルチドメイン配向ではなく、液晶表示素子全面で均一な配向処理を施すモノドメイン配向であっても良い。均一な配向処理は、いわゆる垂直配向膜に対する光配向処理（例えば、特許文献４参照）や、特定の表面自由エネルギーを有する垂直配向膜に対するラビング処理方法（例えば、特許文献１参照）により可能である。

モノドメイン垂直配向型液晶表示素子は、電圧印加の有無に関わらず液晶層内における配向状態が一様になるように配向制御される。電気光学特性における急峻性は液晶層内におけるプレチルト角にも大きく依存し、９０度に近いほど良好になる傾向が見られる。この時、電圧印加時の配向欠陥を防止するため、電圧無印加時においても液晶分子が基板に対して垂直から僅かに傾斜するようにプレチルト角を付与する必要がある。

また、垂直配向型液晶表示素子においては、１／３２以上の高Ｄｕｔｙ駆動条件で、良好なＯｎ表示時透過率を実現しつつ、高いコントラストを実現するには、電気光学特性における急峻性を良好にするため液晶層におけるリタデーションΔｎｄ（Δｎ：液晶材料の複屈折率、ｄ：液晶層厚）を、１／４以下の低Ｄｕｔｙ駆動条件に比べて、大きく設定するように調整することが有効である。

また、駆動方法は、ＴＦＴなどの能動素子を用いたアクティブマトリクスと、単純マトリクスに分けられる。単純マトリクスには、７セグメントや任意のマークなどを表示するキャラクターディスプレイや、縦と横の電極でドット表示するドットマトリクスディスプレイがある。ドットマトリクスディスプレイでは、横方向の走査電極と縦方向の信号電極に電圧波形を印加することでオンオフ表示を行っている。マルチプレックス駆動又はｄｕｔｙ駆動とも呼ばれる。この時の電圧波形は、任意のｄｕｔｙ比とバイアス比により決定され、最適バイアス法や全走査電極を同時に選択するアクティブアドレッシング法や複数走査電極を同時に選択するマルチラインセレクション法もしくはマルチラインアドレッシング法が用いられている。なお、走査電極は一方向に順次選択されることが一般的である。表示の内容は駆動回路内の表示データＲＡＭから読み込まれ、信号電極に接続されたセグメントドライバ及び走査電極に接続されたコモンドライバを経由して１画面分ずつ順次駆動される。

図１７は、従来の垂直配向型液晶表示素子の一例を表す概略断面図である。なお、図１８の直線Ｘ−Ｙ間の断面図である。

第１の基板（上側基板）１と第２の基板（下側基板）２が対向し、その間に液晶層３を挟持する。第１の基板１は、透明基板１３の対向表面上に透明電極（セグメント電極）１４を形成し、その上に垂直配向膜１５を塗布し、その表面を１８で示す方向にラビング処理したものであり、外側表面上には視角補償板１２と偏光板１１が配置されている。第２の基板２は、第１の基板１同様、透明基板２３の対向表面上に透明電極（コモン電極）２４を形成し、その表面を垂直配向膜２５で覆い、矢印２８の方向にラビング処理したものである。外側表面上には視角補償板２２と偏光板２１が配置されている。液晶層３は、基板１、２の面に垂直に配向する性質を有する液晶分子を含み、ラビング処理１８、２８により、基板の法線方向から一定の角度（この例では、略８９．９°）のプレチルトを有する。下側基板２の下方にはバックライト４及び光源５が配置されている。

図１８は、図１７の透明電極（セグメント電極）１４及び透明電極（コモン電極）２４の電極パターンを表す概略平面図である。この平面図は、図１７の液晶表示素子を法線方向から見たものである。なお、図１７と同じ参照番号は、同一の部材を表すので、その説明は省略する。

図１８では、上側電極が６時から１２時方位に短冊状電極形状を有するセグメント電極１４であり、下側電極がその直交方向に短冊状電極形状を有するコモン電極２４である。セグメント電極１４とコモン電極２４とが交差する四角形の領域が１画素を構成する。

図１８では短冊状電極は数本のみ表示されているが、下側基板２は、実際は素子内で６４本のコモン電極２４を有している。電極幅は０．４６ｍｍ、電極間距離は０．０１５ｍｍとした。ラビング方位は、短冊状電極の長手方位に対して略直交する１２時方位である。一方上側基板１においては短冊状セグメント電極１４が素子の上下方位に対して長手方位が平行になるように配置され、電極本数は１２８本である。電極幅は０．４６ｍｍ、電極間距離は０．０１５ｍｍとした。ラビング方位は、短冊状電極の長手方位に対して略平行な６時方位である。従って上下短冊状電極が交差する０．４６ｍｍ四方の部分が1画素を形成することになる。

最良視認方向は、液晶層中央分子が電圧印加時に倒れこむ方位の関係から、６時方位となる。一方その逆の方位（反視認方向）は素子法線方向を基準とした観察極角角度を変化させると明表示が暗くなり視認しにくくなる角度が存在する。

特開２００６−２４３１０２号公報 特開２００４−２１２５８２号公報 特開２００６−２４３１０２号公報 特開２００４−２１２５８２号公報

図１７に示す従来の垂直配向型液晶表示素子を、リタデーション値Δｎｄが約９００ｎｍに設定された液晶材料を用いて作製し、１／６４Ｄｕｔｙ、１／９ｂｉａｓ駆動条件で、最大コントラストが得られる駆動電圧において液晶表示素子の外観を観察すると、最良視認方位や素子左右方位では観察極角角度を変化させてもドットマトリックス表示部全体が均一な表示状態を実現しているのに対して、反視認方位を中心に時計、反時計回りで７０°方位程度においては、表示均一性が不十分であり、特に反視認方位から観察した場合はざらつき状に感じられ、表示品位が著しく低下する場合がある。

また、ドットマトリクス表示部において各画素エッジ４辺が上下偏光板吸収軸に対して４５°±１０°程度である場合、画素エッジ付近に発生する斜め電界の影響から液晶層の閾値電圧付近で画素内部よりもエッジ付近の液晶分子の傾斜が大きくなり光りぬけが生じる事から、電気光学特性における閾値付近の急峻性に影響を与え、特に単純マトリクス駆動において、ｏｆｆ電圧時における透過率上昇を引き起こしコントラスト低下の原因となる問題がある。

本発明の目的は、表示均一性を実現する垂直配向型液晶表示素子を提供することである。

また、本発明の他の目的は、閾値電圧付近の電圧印加時における画素エッジ付近の光りぬけを抑制する電極構造を有する垂直配向型液晶表示素子を提供することである。

本発明の一観点によれば、液晶表示素子は、所定の間隔で対向して配置された一対の透明基板と、前記透明基板の一方の対向面側に形成された複数本の第１の透明電極と、前記透明基板の他方の対向面側に、前記第１の透明電極と直交方向に延在するように形成された複数本の第２の透明電極と、前記透明基板のそれぞれの対向面側に形成され、少なくとも一方に対しては前記第１の透明電極の長手方向と平行にモノドメイン垂直配向処理を行ったモノドメイン垂直配向膜と、前記一対の基板に挟持され、プレチルト角を有する垂直配向モードの液晶層と、前記一対の基板を挟んで配置される一対の偏光板とを有し、前記第１及び第２の透明電極の各交差部分で前記一対の偏光板の吸収軸の少なくとも１つとなす角が０°±１０又は９０°±１０°の範囲内となる辺を含む六角形状の画素を形成している。

本発明によれば、垂直配向型液晶表示素子において表示均一性を実現することができる。

また、本発明によれば、閾値電圧付近の電圧印加時における画素エッジ付近の光りぬけを抑制する電極構造を有する垂直配向型液晶表示素子を提供することができる。

本発明の第１の実施例による液晶表示素子１００の構成を表す概略断面図である。 本発明の第１の実施例によるセグメント電極３４及びコモン電極２４の電極パターンを表す概略平面図である。 図２に示す第１の実施例による電極構造及び液晶配向構造においてセグメント電極３４及びコモン電極２４間に閾値電圧以上の電圧印加した場合の液晶層中央分子ダイレクタ分布の予想概念図である。 本発明の第１の実施例による開口部３４ａを有する電極パターンの一例を表す概略平面図である。 本発明の第１の実施例による開口部３４ｂを有する電極パターンの一例を表す概略平面図である。 第１の実施例による電極パターンＡ１〜Ａ３を表す概略平面図である。 第１の実施例による電極パターンＢ１〜Ｂ３を表す概略平面図である。 本発明の第１の実施例による液晶表示素子１００の正面観察時配向組織写真である。 本発明の第１の実施例による液晶表示素子１００の正面観察写真である。 図２に示す電極構造における画素９の画素エッジ９Ｂ及び９Ｃにおける配向組織の正面観察時配向組織写真である。 本発明の第２の実施例によるセグメント電極５４及びコモン電極４４の電極パターンを表す概略平面図である。 図１１に示す第２の実施例による電極構造及び液晶配向構造においてセグメント電極５４及びコモン電極４４間に閾値電圧以上の電圧印加した場合の液晶層中央分子ダイレクタ分布の予想概念図である。 図１１の画素エッジ９Ｄにおける配向組織の正面観察写真である。 本発明の第３の実施例によるセグメント電極７４及びコモン電極６４の電極パターンを表す概略平面図である。 図１４に示す第３の実施例による電極構造及び液晶配向構造においてセグメント電極７４及びコモン電極６４間に閾値電圧以上の電圧印加した場合の液晶層中央分子ダイレクタ分布の予想概念図である。 本発明の第３の実施例の変形例によるセグメント電極及びコモン電極の電極パターンを表す概略平面図である。 従来の垂直配向型液晶表示素子の一例を表す概略断面図である。 従来の垂直配向型液晶表示素子のドットマトリックス電極パターンを表す概略平面図である。 図１８に示す電極パターン及び電極構造、配向方向においてＯＮ電圧印加時の配向状態を示す正面観察写真である。 図１８に示す電極パターン及び電極構造、配向方向においてＯＮ電圧印加時の１画素内の液晶ダイレクタ分布を表す概念図である。

本発明者は、従来技術において液晶表示素子を反視認方位から観察した時に表示不均一性が発生する原因を解析したところ、電極間に発生する斜め電界が原因であることが判った。

図１７に示すように、通常、２枚の基板間にある電極パターンのエッジには斜め電界が発生することが知られているが、特に垂直配向型液晶表示素子の場合、その影響を受けやすいことが分かっている。

垂直配向型液晶表示素子に用いられるネガ型液晶は、電界の電気力線に対して垂直になる方向に倒れる。電極パターンのエッジに生じる斜め電界においても同様に倒れる。セグメント電極１４の側辺には下拡がりの電界が生じるので液晶分子（ダイレクタ）は、外側に向かうように倒れる。同様に、コモン電極２４の側辺には、上拡がりの電界が生じ、液晶分子（ダイレクタ）は、内側に向かうように倒れる。そのため、電極パターンのエッジに生じる斜め電界による液晶ダイレクタが、配向処理による液晶ダイレクタと異なる方向にあるとき、その境界部では黒い線状のドメイン境界が認識される。

図１９は、図１８に示す電極パターン及び電極構造、配向方向において、プレチルト角を８９．９５°に設定した場合のＯＮ電圧印加時の正面観察写真である。白い領域は、垂直配向していた液晶分子が配向方向に倒れ、クロスニコル配置の偏光板を通過して光が透過するようになった領域を示すと考えられる。白い領域周辺の黒い領域は未だ光が透過しない領域を示すと考えられ、液晶分子の配向が乱されていると考えられる。

図１９に示すように、正方形状の1画素において画素周囲の電極間部分の暗領域以外に画素の左右及び上の３辺の周辺部において暗領域が観察される。さらに上辺周辺部において暗領域に奇数個の交点（交差点）ＣＰが存在することがわかる。図２０を参照して、この黒い線（ブラッククロスＢＣ）が発生する原因を説明する。

図２０は、図１８に示す電極パターン及び電極構造、配向方向においてＯＮ電圧印加時の１画素内の液晶ダイレクタ分布を表す概念図である。

画素中央部においては、上下方向の配向処理に従って液晶分子が図中上方向に倒れ、リタデーションが生じ、光が透過するようになると考えられる。左右側辺においては、横方向のフリンジ電界と上下方向の配向処理との相乗効果により液晶分子が斜め方向に倒れこみ、偏光板の吸収軸方向と一致する成分が生じ、遮光状態が維持されていると考えられる。

ハッチングを施した矢印で示す画素中心部の液晶ダイレクタは、斜め電界が存在しないため上側基板１と下側基板２の両基板のラビング方向によって１２時方向に決定される。白抜きの矢印で示す画素エッジ部の液晶ダイレクタは斜め電界の影響によって決定される。液晶層３は、連続体の性質を示すため、中心部から左右エッジ部にかけて、液晶ダイレクタは、連続して９０度回転する。図中、これを簡略化して中間部分を黒塗りの矢印で４５度傾いた液晶ダイレクタとして示す。また、画素の上部分（図中上部分）の辺７においては、画素中心部の液晶ダイレクタと画素エッジ部の液晶ダイレクタとが、反転する関係にあるため、両液晶ダイレクタが１８０度回転する領域（境界領域）と不連続領域が存在する。

このような状態で、下側及び上側偏光板吸収軸が図に示すように、両基板のラビング方向に対して±４５度傾いた配置になっている時、黒塗りの矢印で示す液晶ダイレクタ領域及び画素上部分の中心部とエッジ部の液晶ダイレクタが反転する境界領域は、偏光板吸収軸と平行もしくは略平行となっているため、明状態が得られず黒い線となって観察される。

不連続領域は、電圧印加しても液晶が垂直に維持していると推測される。不連続領域は、上記黒い線の交差点ＣＰであり、ここでは液晶分子が電圧印加にもかかわらず傾斜しないため、点状の暗領域が形成されると考えられる。本明細書では、この黒い線領域を「ブラッククロス」と呼ぶ。

ブラッククロスＢＣの発生原因は、液晶分子の配向方位が偏光板吸収軸に対して平行及び平行に近くなっているか、または、電圧印加しているにもかかわらず基板に対して液晶分子が略垂直になっているためと考えられる。

図１９において、上側エッジ付近のブラッククロスＢＣを観察すると、交差点ＣＰが見られるが、画素ごとに交差点ＣＰの数や位置が異なる現象が観察される。画素ごとのブラッククロスＢＣの交差点ＣＰの位置や数の違いにより、エッジ付近における配向方位が違う領域の面積比が変化すると考えられ、これが液晶表示の反視認方向から観察した場合の表示不均一性の原因として特定できると考えられる。

反視認方向では、画素中心部の透過率は低く、画素エッジ部のみ透過することがわかる。このエッジ部の透過部分は正面から見た時（例えば、図１９）のブラッククロス領域ＢＣであり、反視認方向から時計回り及び反時計回りに視認方向を変えたときには、ブラッククロス領域ＢＣの液晶ダイレクタ分布が影響する。上述したように、ブラッククロスＢＣの交点位置及び個数は画素ごとに異なるため、ブラッククロス領域ＢＣの液晶ダイレクタ分布は画素ごとに異なっていると考えられる。ここで、ブラッククロス領域ＢＣの液晶ダイレクタ分布を概略右４５度と左４５度で構成されていると仮定すると、画素ごとに交差点ＣＰが異なるため右４５度領域と左４５度領域の大きさ（面積）も異なることが予想される。この場合、反視認方向から時計回りに視角を変えた時の透過率と反時計回りに視角を変えた時の透過率が異なることになり、複数画素もしくは画面全体を観察した時、ざらつき状に観察され、表示均一性に劣り、表示品位の低い液晶表示素子となってしまう。

本発明者は、上記ブラッククロスＢＣの発生位置や数が画素ごとにバラバラで固定されていないことが表示不均一性の原因であると考えられることから、これを解決する方法は、（１）上側エッジ付近でブラッククロスＢＣ自体が発生しないようにする。（２）ブラッククロスＢＣが各画素で均一になるようにすることが有効であると推察した。

一方、閾値電圧付近印加時における画素エッジ付近の光りぬけを解消する方法としては、上下偏光板吸収軸に対して画素エッジが略平行又は直交になるような液晶表示素子構造を取ることが最も有効と推察した。

図１は、本発明の第１の実施例による液晶表示素子１００の構成を表す概略断面図である。液晶表示素子１００は、行列状のドットマトリクス電極パターンを有するモノドメイン垂直配向型液晶表示素子である。

セグメント電極基板（上側基板）１とコモン電極基板（下側基板）２が対向し、その間に液晶層３を挟持する。セグメント電極基板１は、透明基板１３の対向表面上に透明電極（セグメント電極）３４を形成し、その上に垂直配向膜１５を塗布し、その表面を１８で示す方向にラビング処理したものであり、外側表面上には視角補償板１２と偏光板１１が配置されている。

コモン電極基板２は、セグメント電極基板１同様、透明基板２３の対向表面上に透明電極（コモン電極）２４を形成し、その表面を垂直配向膜２５で覆い、矢印２８の方向にラビング処理したものである。外側表面上には視角補償板２２と偏光板２１が配置されている。

液晶層３は、基板１、２の面に垂直に配向する性質を有する液晶分子を含み、配向処理により、基板の法線方向から一定の角度のプレチルトを有する。下側基板２の下方にはバックライト４及び光源５が配置されている。なお、基板１における透明電極３４と垂直配向膜１５の間、及び基板２における透明電極２４と垂直配向膜２５の間に、基板間ショート防止の絶縁膜等を形成しても良い。

セグメント電極３４は、透明電極のＩＴＯで形成し、線幅は４６０μｍ、線間は１５μｍで、１２８本の線状の電極で構成した。

コモン電極２４は、透明電極のＩＴＯで形成し、線幅は４６０μｍ、線間は１５μｍで、６４本の線状の電極で構成した。

例えば、各基板上に透明膜であるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜をＣＶＤ、蒸着、スパッタなどにより５００Åの厚さで形成し、フォトリソグラフィーにて整形する。なお、セグメント電極３４には、後述する図３に示すような開口部３４ａを設けた。なお、第1の実施例としては、図６（Ａ）〜（Ｃ）及び図７（Ａ）〜（Ｃ）に示す電極パターンＡ１〜Ａ３及びＢ１〜Ｂ３を用いて開口部３４ａ１〜ａ３、及びｂ１〜ｂ３を設けて、実際に液晶表示素子を作製した。それぞれの電極パターンについては、後に図６及び図７を参照して詳述する。

透明電極２４及び３４を形成した基板１及び２上に垂直配向膜をフレキソ印刷で成膜後、焼成し、その膜をラビング等の処理でプレチルト角を付与した。なお、第１の実施例では、図６（Ａ）〜（Ｃ）及び図７（Ａ）〜（Ｃ）に示す電極パターンＡ１〜Ａ３及びＢ１〜Ｂ３についてそれぞれ、プレチルト角を８９．９５°に設定して、計６種類の液晶表示素子１００を作製した。

セグメント電極基板（上側基板）１のプレチルト方向は６時方向（右を０度とした場合、反時計回りに９０度の位置、図１では左方向）、コモン電極基板（下側基板）１のプレチルトの方位角は方向は１２時方向（右を０度とした場合、時計回りに９０度の位置、図１では右方向）のアンチパラレル配向とした。なお、画素内に一様な配向処理を実現するものであればラビング処理の手法は問わない。例えば、垂直配向膜に対する紫外線照射や金属酸化物の斜め蒸着、スパッタ膜を用いた配向法等を用いることができる。また、ラビング処理は、基板１及び２のいずれか一方にのみ施しても良い。

セル厚ｄは、コモン基板２に散布した積水化学製球状プラスチックスペーサーにより約４．０μｍとした。液晶層３には、Δε＜０、Δｎ＜０．２３のメルク（株）製液晶材料を真空注入法にて注入し、注入口を紫外線硬化樹脂で封止した後、液晶材料の等方相転移温度より約20℃高い温度にて約1時間焼成した。なお、液晶材料は、Δεが負のネガティブ用材料であれば、Δｎ等の物性値には制限はない。

偏光板１１及び２１の吸収軸角度は、上側偏光板１１が４５度、下側偏光板２１が１３５度のクロスニコル配置とした。偏光板角度は、交差角度が９０度とすることで、良好な黒状態が得られるため望ましいが、数度程度ずらすことも可能である。また、偏光板材料は、ヨウ素系偏光板、染料系偏光板のいずれも使用可能である。

光学補償板１２及び２２には、Ｃプレート（Ｒｅ＝０ｎｍ、Ｒｔｈ＝２２０ｎｍ）を片側の偏光板と基板間に２枚積層した。なお、両側の偏光板と基板間に光学補償板（Ａプレート、Ｃプレート、Ｂプレート：２軸位相差板）を挿入することも可能である。

図２は、本発明の第１の実施例によるセグメント電極３４及びコモン電極２４の電極パターンを表す概略平面図である。この平面図は、図１の液晶表示素子を法線方向から見たものである。この例では、コモン電極３４は、後述する図６（Ｂ）に示す電極パターンＡ２を採用している。

図２において、実線で示す上側電極が６時から１２時方位に長いセグメント電極３４であり、破線で示す下側電極がその直交方向に延在するコモン電極２４である。電極３４及びコモン電極２４の各交差部は１つの画素９を形成するが、第１の実施例では、図２に示すように六角形となる。

セグメント電極３４及びコモン電極２４間の液晶層３は図に示すように１２時方位に中央分子が配向する基板表面配向処理が施されている。最良視認方向は、液晶層中央分子が電圧印加時に倒れこむ方位の関係から、６時方位となる。一方その逆の方位は素子法線方向を基準とした観察極角角度を変化させると明表示が暗くなり視認しにくくなる角度が存在する。

左右隣りの画素は上下に半画素分ずれて配置しており、コモン電極２４は全体的に屈曲した構造で蛇行しつつ左右方位に延在する。一方、セグメント電極３４は左右エッジが屈曲しており蛇腹のような構造で上下方位に延在する。したがって、セグメント電極３４及びコモン電極２４の各交差部である各画素９においては、９時方位、３時方位に頂角を有し、その角度は９０°±１０°好ましくは略９０°である。左右頂角を挟む２辺が基板水平方向となす角は４５°±１０°、好ましくは略４５°である。すなわち、左右頂角を挟む４辺は上下偏光板吸収軸に対して略平行又は直交状態となるので閾値電圧付近における光抜けを抑制することが可能となる。また、左右頂角の山は互いに逆方位を向いている。１２時、６時方位の２辺は液晶表示素子の左右方位に対して平行な辺となる。

図３は、図２に示す第１の実施例による電極構造及び液晶配向構造においてセグメント電極３４及びコモン電極２４間に閾値電圧以上の電圧印加した場合の液晶層中央分子ダイレクタ分布の予想概念図である。

各画素９の図中６時方位の辺においては配向処理方向（液晶ダイレクタ：液晶分子の傾く方向）と斜め電界による配向方位は等しい。図中左右方位の下半分の辺ではセグメント電極とコモン電極エッジがほぼ平行になり斜め電界はほぼ発生しないので液晶層本来の配向方位に向く。図中左右方位の上半分ではセグメント電極３４及びコモン電極２４間で斜め電界が発生し、配向方位は４５°回転する。１２時方位の辺は従来の電極構造と同様に斜め電界による配向方位と液晶層本来の配向方位が１８０°異なっているのでブラッククロスＢＣが発生すると考えられる。従って、１２時方位の辺における斜め電界発生状態を制御する必要がある。

図４は、本発明の第１の実施例による開口部３４ａを有する電極パターンの一例を表す概略平面図である。

上述したように、表示不均一性の原因は、ブラッククロスＢＣの発生位置が固定されていないことであると考えられるので、これを解決する方法として、画素上側エッジ７付近でブラッククロスＢＣ自体が発生しないようにするか、又はブラッククロスＢＣが各画素で均一になるようにすることが考えられる。

そこで、第１の実施例では、図４に示すように配向処理による画素中心部の液晶分子が傾く方向と斜め電界による画素エッジ部の液晶分子が傾く方向とが反転する（逆方向の）関係にある画素辺７付近のセグメント電極３４に矩形状開口部３４ａを配置する構造とした。

図４において、左右方向に配置されるコモン電極２４の線間部の対向するセグメント電極３４に、矩形状開口部３４ａを設ける。開口部３４ａの上下エッジ間距離Ｗは、コモン電極２４の線間距離ｄよりも大きく（Ｗ＞ｄ）、上下に隣接する２つの画素９にまたがって開口部３４ａが形成されている。また、開口部３４ａの上側エッジ位置は、上方向に隣接する画素９の下側エッジ８より当該上方向に隣接する画素９の内側となり、開口部３４ａの下側エッジ位置は、画素９の上側エッジ７より画素９の内側の位置となる。

図４に示す例では、開口部３４ａを一つのみ設けているが、図６（Ａ）に示すように、複数の開口部３４ａを、高さＷ、幅ｓの大きさで、隣接する開口部３４ａと間隔ｅをあけて周期的に配置してもよい。

なお、この図４に示す開口部３４ａの上下エッジ間距離Ｗがコモン電極２４の線間距離ｄよりも大きい電極パターンを、以下、本明細書では、電極パターンＡとする。

図５は、本発明の第１の実施例による開口部３４ｂを有する電極パターンの一例を表す概略平面図である。

図５において、左右方向に配置されるコモン電極２４の線間部と対向するセグメント電極３４に、矩形状開口部３４ｂを設ける。開口部３４ｂの上側エッジ位置は、コモン電極２４の線間部の垂直方向の中心より画素９の上側エッジ７に近い位置とする。開口部３４ｂの下側エッジ位置は、画素９の上側エッジ７より画素９の内側の位置とする。開口部３４ｂの上下エッジ間距離Ｗは、少なくともコモン電極２４の線間距離ｄより小さくかつ線間距離ｄの半分以上（ｄ＞Ｗ≧１／２ｄ）とする。なお、少なくとも開口部３４ｂの一部とコモン電極２４の線間部の一部とは平面視上重なりあうように、開口部３４ｂを配置する。

図５に示す例では、開口部３４ｂを一つのみ設けているが、図７（Ａ）に示すように、複数の開口部３４ｂを、高さＷ、幅ｓの大きさで、隣接する開口部３４ｂと間隔ｅをあけて周期的に配置してもよい。

なお、この図５に示す開口部３４ｂの上下エッジ間距離Ｗがコモン電極２４の線間距離ｄよりも小さい電極パターンを、以下、本明細書では、電極パターンＢとする。

図６は、第１の実施例による電極パターンＡ１〜Ａ３を表す概略平面図である。この平面図は、図１の液晶表示素子を法線方向から見たものである。図６（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ、以下の表１に示す３種類の寸法による開口部３４ａを有するパターンＡ１〜Ａ３に対応する。表１には、図４で示した各部位の寸法を示す。

図６（Ａ）は、電極パターンＡ１を示す概略平面図である。パターンＡ１は、開口部３４ａ１を各画素９につき２つ配置した例である。開口部３４ａ１の寸法は、表１に示すように、画素９の上側エッジ７の長さＰ＝２５５．５μｍに設定された場合において、高さＷ＝６０μｍ、幅ｓ＝５１．１μｍに設定され、開口部３４ａ１間の間隔ｅ又は各開口部３４ａ１と画素エッジ端部（画素９の上側エッジ７の端部）との間隔ｅは、開口部３４ａ１の幅ｓと同じ５１．１μｍである。

図６（Ｂ）は、電極パターンＡ２を示す概略平面図である。パターンＡ２は、開口部３４ａ２を各画素９につき１つ配置した例である。開口部３４ａ２の寸法は、表１に示すように、画素９の上側エッジ７の長さＰ＝２７６μｍに設定された場合において、高さＷ＝６０μｍ、幅ｓ＝９２μｍに設定され、開口部３４ａ２と画素エッジ端部（画素９の上側エッジ７の端部）との間隔ｅは、開口部３４ａ２の幅ｓと同じ９２μｍである。

図６（Ｃ）は、電極パターンＡ３を示す概略平面図である。パターンＡ３は、開口部３４ａ３を各画素９につき１つ配置した例である。開口部３４ａ３の寸法は、表１に示すように、画素９の上側エッジ７の長さＰ＝３２８．５μｍに設定された場合において、高さＷ＝６０μｍ、幅ｓ＝６５．７μｍに設定され、開口部３４ａ３と画素エッジ端部（画素９の上側エッジ７の端部）との間隔ｅは、開口部３４ａ３の幅ｓの２倍となる１３１．４μｍである。

図７は、第１の実施例による電極パターンＢ１〜Ｂ３を表す概略平面図である。この平面図は、図１の液晶表示素子を法線方向から見たものである。図７（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ、以下の表２に示す３種類の寸法による開口部３４ｂを有するパターンＢ１〜Ｂ３に対応する。表２には、図５で示した各部位の寸法を示す。

図７（Ａ）は、電極パターンＡ１を示す概略平面図である。パターンＡ１は、開口部３４ｂ１を各画素９につき２つ配置した例である。開口部３４ｂ１の寸法は、表１に示すように、画素９の上側エッジ７の長さＰ＝２５５．５μｍに設定された場合において、高さＷ＝３０μｍ、幅ｓ＝５１．１μｍに設定され、開口部３４ｂ１間の間隔ｅ又は各開口部３４ｂ１と画素エッジ端部（画素９の上側エッジ７の端部）との間隔ｅは、開口部３４ｂ１の幅ｓと同じ５１．１μｍである。

図７（Ｂ）は、電極パターンＡ２を示す概略平面図である。パターンＡ２は、開口部３４ｂ２を各画素９につき１つ配置した例である。開口部３４ｂ２の寸法は、表１に示すように、画素９の上側エッジ７の長さＰ＝２７６μｍに設定された場合において、高さＷ＝３０μｍ、幅ｓ＝９２μｍに設定され、開口部３４ｂ２と画素エッジ端部（画素９の上側エッジ７の端部）との間隔ｅは、開口部３４ｂ２の幅ｓと同じ９２μｍである。

図７（Ｃ）は、電極パターンＡ３を示す概略平面図である。パターンＡ３は、開口部３４ｂ３を各画素９につき１つ配置した例である。開口部３４ｂ３の寸法は、表１に示すように、画素９の上側エッジ７の長さＰ＝３２８．５μｍに設定された場合において、高さＷ＝３０μｍ、幅ｓ＝６５．７μｍに設定され、開口部３４ｂ３と画素エッジ端部（画素９の上側エッジ７の端部）との間隔ｅは、開口部３４ｂ３の幅ｓの２倍となる１３１．４μｍである。

図８及び図９は、本発明の第１の実施例による液晶表示素子１００の正面観察時配向組織写真である。図８（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図６（Ａ）〜（Ｃ）に示す電極パターンＡ１〜Ａ３を用いて液晶表示素子１００を作製して、撮影したものである。図９（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図７（Ａ）〜（Ｃ）に示す電極パターンＢ１〜Ｂ３を用いて液晶表示素子１００を作製して、撮影したものである。

１画素の上側部分（上側エッジ７付近）を観察すると、電極パターンＡ１〜Ｂ３のいずれを用いた場合でも、ブラッククロスＢＣのパターンが各画素９においてほぼ均一に発生しており、ブラッククロスＢＣを固定化できたのがわかる。すなわち、いずれの電極パターンにおいても各画素において著しくブラッククロスＢＣの形状が異なる状態は確認されなかった。従って、上記電極パターンを用いた場合には、外観上反視認方位である１２時方位から観察したとしても表示均一性は最良視認方位と同じく確保できていることがわかった。

また、図９（Ａ）〜（Ｃ）に示す開口部３４ｂ１〜ｂ３のエッジ付近では、ブラッククロスＢＣが発生していないことがわかる。ブラッククロスＢＣが発生しない原因は、開口部３４ｂを設けることにより、当該開口部３４ｂの斜め電界発生方位が逆方位となり、画素上側エッジ部７近辺と液晶ダイレクタの方位が同一になったためと考えられる。すなわち、開口部３４ｂの上側エッジ７付近においては、液晶ダイレクタの反転が起こらなくなったと考えられる。

このように、開口部３４ｂを設けることにより、電極開口率は低下するものの、開口部３４ｂのエッジ付近ではブラッククロスＢＣが発生しないため、１画素における実効的な開口率が上昇する傾向が見られる。

なお、図８（Ｃ）に示す電極パターンＡ３及び図９（Ｃ）に示す電極パターンＢ３のように、間隔ｅ又は幅ｓが概ね１００μｍを越えると各画素におけるブラッククロスＢＣの形状に若干の乱れが生じることがわかった。このことから、良好な表示状態を実現するには間隔ｅと幅ｓは好ましくは１００μｍ以下であることが有効と考えられる。

また、閾値電圧付近の光りぬけが現れるこの上側エッジ７付近は出来る限り短く出来ることが好ましく画素９の下側エッジ８付近も同様である。電極抵抗の観点から上側エッジ７及び下側エッジ８の左右長さは１０μｍ以上であることが好ましく、３０μｍ以上であることがさらに好ましい。また、この２辺の左右長さが１００μｍ以下の場合は矩形状開口部３４ａ又は３４ｂを設けなくても反視認方位からの表示ムラは発生しないと考えられる。

図１０（Ａ）は、図２に示す電極構造における画素９の画素エッジ９Ｂにおける配向組織の正面観察写真である。図１０（Ｂ）は、図２に示す電極構造における画素９の画素エッジ９Ｃにおける配向組織の正面観察写真である。

画素エッジ９Ｂは１２時方位から略４５°反時計回り平行であり、上下偏光板吸収軸に対して平行又は直交している。画素中央からエッジに向かって配向方位が４５°回転することから、ブラッククロスＢＣは発生しないがエッジ付近に暗領域が観察されることがわかった。しかし従来構造における画素左右辺付近に発生するブラッククロスＢＣによる暗領域に比べればその面積は小さい。画素エッジ９Ｃでは斜め電界による影響をほとんど受けないためエッジ付近に暗領域は全く観察されなかった。

以上の検討においては基板平面に対するプレチルト角が８９．９５°程度の実サンプルで検証を行ったが、プレチルト角８９．５°未満では画素エッジにおけるブラッククロスＢＣの乱れによる反視認方位の表示ムラは従来構造においても観察されなかった。従って、本発明の第１の実施例は、プレチルト角８９．５°以上の場合に有効である。

以上、本発明の第１の実施例によれば、ドットマトリックス電極パターンを用いた液晶表示素子において、コモン電極２４とセグメント電極３４とが交差する部分を１画素とした場合に、当該画素の配向処理による画素中心部の液晶ダイレクタ（液晶分子の傾く方向）と斜め電界による画素エッジ部の液晶ダイレクタ（液晶分子の傾く方向）とが反転する（逆方向の）関係にある辺７を構成するセグメント電極３４に、コモン電極２４の電極間中央部より画素エッジから画素内側の領域に矩形状開口部３４ａ又は３４ｂを設けることにより、開口部３４ａ又は３４ｂ間の領域においてブラッククロスＢＣの交差点ＣＰを固定化することができる。また、開口部３４ｂを設ける場合は、当該開口部３４ｂのエッジ付近におけるブラッククロスＢＣの発生を抑制することができる。よって、反視認方向及びそれを中心にした時計回り及び反時計回りで７０度方位程度において発生する表示不均一性を解消し、最良視認方位と同等な表示均一性を得ることができる。

また、画素９の形状を六角形とすることで、上側エッジ７及び下側エッジ８以外の画素エッジを上下偏光板吸収軸に対して略平行又は直交（（少なくとも上下偏光板吸収軸のうちの１つと当該４辺とのなす角が０°±１０又は９０°±１０°の範囲内となる状態））になるようにし、閾値電圧付近印加時における画素エッジ付近の光りぬけを解消することができる。

次に本発明の第２の実施例について説明する。第２の実施例は、第１の実施例と電極構造のみが異なり、その他の構成は実質的に同一であるので、以下、電極構造を中心に説明し、その他の説明は省略する。

図１１は、本発明の第２の実施例によるセグメント電極５４及びコモン電極４４の電極パターンを表す概略平面図である。この平面図は、図１の液晶表示素子１００を法線方向から見たものである。

図１１において、実線で示す上側電極が６時から１２時方位に長いセグメント電極５４であり、破線で示す下側電極がその直交方向に長いコモン電極４４である。セグメント電極５４及びコモン電極４４の各交差部は１つの画素９を形成するが、第２の実施例では、図１１に示すような六角形となる。

第１の実施例による電極構造と比べると、セグメント電極とコモン電極の形状を入れ替えた構造である。すなわち、左右隣りの画素は上下に半画素分ずれて配置しており、セグメント電極５４は全体的に屈曲した構造で蛇行しつつ上下方位に延在する。一方、コモン電極４４は上下エッジが屈曲しており蛇腹のような構造で左右方位に延在する。１つの画素９においては上下方位（１２時、６時方位）に頂点を有し、その角度は９０°±１０°、好ましくは略９０°である。左右方位（９時方位、３時方位）の２辺（画素エッジ９Ａ）は液晶表示素子上下方位に対して平行な六角形となっている。上下頂角を挟む４辺（画素エッジ９Ｂ、９Ｃ、９Ｄ）は、上下偏光板吸収軸に対して略平行又は直交状態（少なくとも上下偏光板吸収軸のうちの１つと当該４辺とのなす角が０°±１０又は９０°±１０°の範囲内となる状態）となるので閾値電圧付近における光抜けを抑制することが可能となる。また、上下頂角の山は互いに逆方位を向いている。左右方位の２辺は液晶分子配向方位に対して平行な辺となる。

液晶層中央分子の配向方位は１２時方位で、セグメント電極５４、コモン電極４４はそれぞれ表、裏基板面に配置される。図１１の画素エッジ９Ａ（左右辺）は第１の実施例の画素エッジ９Ａに相当するが、液晶分子配向方位と画素エッジ９Ａが略平行であるため、従来技術である図１８の左右２辺と同じ構造であり、配向組織としても図１９と同様になるのでブラッククロスＢＣを固定化する必要はないと考えられ、第１の実施例のような矩形状開口部３４ａ又は３４ｂの配置は不要である。

図１２は、図１１に示す第２の実施例による電極構造及び液晶配向構造においてセグメント電極５４及びコモン電極４４間に閾値電圧以上の電圧印加した場合の液晶層中央分子ダイレクタ分布の予想概念図である。

画素上側の頂角を挟む２辺において、左辺はセグメント電極５４及びコモン電極４４のエッジがほぼ等しくなっていることから斜め電界はほぼ生じず液晶層の本来の配向方向へ配列し、右辺（図１１の画素エッジ９Ｂ）は斜め電界が発生することによりエッジ付近ではダイレクタが４５°回転すると考えられる。左右２辺（図１１の画素エッジ９Ａ）は上記したとおり図２０に示す従来技術の配向状態と等しくなると考えられる。画素下側の頂角を挟む２辺においては、左辺（図１１の画素エッジ９Ｃ）はセグメント電極５４及びコモン電極４４のエッジがほぼ等しいので液晶層本来の配向方位に配列すると考えられるが、右辺エッジ（図１１の画素エッジ９Ｄ）における斜め電界による配向方位と液晶層本来の配向方位は略１３５°異なることからエッジ付近でダイレクタの回転が発生しブラッククロスＢＣが観察されると考えられる。

図１３は、図１１の画素エッジ９Ｄにおける配向組織の正面観察写真である。

画素エッジ９Ｄおける配向組織は図に示すようにエッジ部付近にブラッククロスＢＣによる暗領域が観察されるが、いずれの画素９においてもブラッククロス交差点ＣＰは観察されず均一な配向組織が確認できた。なお、図１１の画素エッジ９Ａの配向組織は図１９に示す従来技術の画素左右エッジ付近の配向組織と、画素エッジ９Ｂ及び９Ｃはそれぞれ図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示す配向組織と同様である。

次に本発明の第３の実施例について説明する。第３の実施例は、第１の実施例及び第２の実施例と電極構造のみが異なり、その他の構成は実質的に同一であるので、以下、電極構造を中心に説明し、その他の説明は省略する。

図１４は、本発明の第３の実施例によるセグメント電極７４及びコモン電極６４の電極パターンを表す概略平面図である。この平面図は、図１の液晶表示素子１００を法線方向から見たものである。

図１４において、実線で示す上側電極が６時から１２時方位に長いセグメント電極７４であり、破線で示す下側電極がその直交方向に長いコモン電極６４である。セグメント電極７４及びコモン電極６４の各交差部は１つの画素９を形成するが、第３の実施例では、図１４に示すような六角形となる。

画素９の形状を通常の六角形にした場合、４辺は上下偏光板吸収軸に対して略平行又は直交にすることが出来るが、残りの２辺は上下偏光板吸収軸に対して略平行又は直交にすることが出来ないため閾値電圧付近の電圧印加時においてその２辺エッジ部分で光りぬけが生じコントラストの低下が生じる。通常の六角形形状の画素９では、光りぬけ抑制という観点からはまだ完全ではない。

そこで、第３の実施例では、第１の実施例による電極構造をベースに上記２辺の部分に関しても液晶表示装置の横方向に対して４５°±１０°好ましくは略４５°（少なくとも上下偏光板吸収軸のうちの１つと上記２辺とのなす角が０°±１０又は９０°±１０°）になるように電極構造の変形が可能かどうかを検討した。さまざまな電極パターンを検討した結果図１４に示す第３の実施例による電極構造に至った。

第３の実施例による画素９の形状は、第１の実施例同様、頂角が６個存在する六角形状であるが、その違いは、上下方位にも頂角を配置し、その頂角の山方位が一致している「山型」となっていることである。これによりセグメント電極７４及びコモン電極６４で構成される各画素の接続に不具合が生じず、画素９の全ての辺を偏光板吸収軸に略平行又は略直交にすることが可能となる。

第１の実施例による電極構造と比べると、セグメント電極７４の形状は、第１の実施例によるセグメント電極３４から開口部を無くしたものである。コモン電極６４の形状は、上下エッジが大きい山型と小さい山型を交互に繰り返す形状となっている。第３の実施例では、他の実施例における画素エッジ９Ａに相当する辺が存在しない。

図１５は、図１４に示す第３の実施例による電極構造及び液晶配向構造においてセグメント電極７４及びコモン電極６４間に閾値電圧以上の電圧印加した場合の液晶層中央分子ダイレクタ分布の予想概念図である。

画素９の１２時方位頂点付近の左右辺（画素エッジ９Ｄ）におけるダイレクタは斜め電界の影響から液晶層３の本来の配向方位から１３５°回転した方位となるので画素エッジ９Ｄ（図１４）周辺にブラッククロスＢＣが発生すると考えられる。画素エッジ９Ｃにおいては、セグメント電極７４及びコモン電極６４のエッジがほぼ等しくなっていることから斜め電界はほぼ生じず液晶層の本来の配向方向へ配列し、画素エッジ９Ｂにおいては、斜め電界が発生することによりエッジ付近ではダイレクタが４５°回転すると考えられる。

なお、画素エッジ９Ｂ〜９Ｄの電圧印加時配向組織はそれぞれ図１０（Ａ）、１０（Ｂ）、図１３に示すものと同様である。

第３の実施例による電極構造では、画素エッジ付近におけるブラッククロスＢＣの画素毎の差はほぼ見られず、外観上も均一に観察される。そして画素９の全ての辺において閾値電圧付近における光抜けが解消されコントラストが改善されることを確認した。

第３の実施例の変形例として、図１６（Ａ）に示すように、第３の実施例による画素９を上下方向に反転させることも可能である。しかし、図１６（Ａ）に示すように、画素エッジ部において液晶層本来の配向方位に対して１３５°ダイレクタが回転する辺（画素エッジ９Ｄ）の長さが、第３の実施例に比して、長くなることがわかる。第３の実施例に比べて暗領域が若干多くなる懸念がある。

さらに、第３の実施例の他の変形例として、図１６（Ｂ）に示すように、第３の実施例の電極構造において全体を９０°回転させると共に、セグメント電極とコモン電極の形状を入れ替えることも可能である。また、図１６（Ｂ）に示す他の変形例を１８０度回転した構造とすることも可能である。即ち、上下方向に存在した同じ方位を向く頂角の山の方位を左方位にそろえたり、右方位にそろえたりすることも可能である。

以上、本発明の各実施例によれば、ドットマトリックス電極パターンを用いた液晶表示素子において、コモン電極とセグメント電極とが交差する部分を１画素とした場合に、画素形状を上下偏光板吸収軸に対して略平行又は直交状態（少なくとも上下偏光板吸収軸のうちの１つと）となる辺（少なくとも上下偏光板吸収軸のうちの１つと当該辺とのなす角が０°±１０又は９０°±１０°）を含む六角形とすることで、閾値電圧付近における光抜けを抑制することが可能となる。

また、第１の実施例によれば、画素の配向処理による画素中心部の液晶ダイレクタ（液晶分子の傾く方向）と斜め電界による画素エッジ部の液晶ダイレクタ（液晶分子の傾く方向）とが反転する（逆方向の）関係にある辺７を構成するセグメント電極３４に、コモン電極２４の電極間中央部より画素エッジから画素内側の領域に矩形状開口部３４ａ又は３４ｂを設けることにより、開口部３４ａ又は３４ｂ間の領域においてブラッククロスＢＣの交差点ＣＰを固定化することができる。よって、表示均一性を実現することができる。

また、第２及び第３の実施例及びそれらの変形例によれば、液晶ダイレクタ（液晶分子の傾く方向）と直交する辺を無くすことにより、ブラッククロスＢＣの交差点ＣＰの発生を抑制し、表示均一性を実現することができる。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

１、２…基板、３…液晶層、４…バックライト、５…光源、１１、１２…偏光板、１３、２３…視角補償板、１４、３４、５４、７４、９４…セグメント電極、２４、４４、６４、８４…コモン電極、１５、２５…垂直配向膜、１８、２８…ラビング方向

Claims (15)

1. 所定の間隔で対向して配置された一対の透明基板と、
   前記透明基板の一方の対向面側に形成された複数本の第１の透明電極と、
   前記透明基板の他方の対向面側に、前記第１の透明電極と直交方向に延在するように形成された複数本の第２の透明電極と、
   前記透明基板のそれぞれの対向面側に形成され、少なくとも一方に対しては前記第１の透明電極の長手方向と平行にモノドメイン垂直配向処理を行ったモノドメイン垂直配向膜と、
   前記一対の基板に挟持され、プレチルト角を有する垂直配向モードの液晶層と、
   前記一対の基板を挟んで配置される一対の偏光板と
   を有する液晶表示素子であって、
   前記第１及び第２の透明電極の各交差部分で前記一対の偏光板の吸収軸の少なくとも１つとなす角が０°±１０又は９０°±１０°の範囲内となる辺を含む六角形状の画素を形成している液晶表示素子。
2. 前記六角形状の画素は、左右方向に２つの頂角と、各頂角についてそれぞれ当該頂角を挟む２つの辺とを有し、前記２つの頂角の山が向く方位は互いに逆方位であり、前記２つの辺は前記液晶表示素子の左右方向に対して４５°±１０°方位に向いており、前記一対の偏光板の吸収軸の少なくとも１つと該２つの辺とのなす角が０°±１０又は９０°±１０°の範囲内となる請求項１記載の液晶表示素子。
3. 前記六角形状の画素の上下２辺は等しい長さであり、隣接する左右画素は前記液晶表示素子の上下方位に対して半ピッチずれた位置に配置される請求項１又は２記載の液晶表示素子。
4. 上下に隣接した前記画素間と該画素間に接続する画素内の一部にかけて、前記第１の透明電極に矩形状開口部を配置した請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
5. 上下に隣接した前記画素間から該画素間と上又は下方向に接続する画素内の一部にかけて、前記第１の透明電極に矩形状開口部を配置した請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
6. 前記矩形状開口部の横幅と該矩形状開口部に隣接する領域の横幅が、それぞれ１００μｍ以下である請求項４又は５記載の液晶表示素子。
7. 前記六角形状の画素の上下２辺の長さが１０μｍ以上１００μｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
8. 前記六角形状の画素は、上下方向に２つの頂角と、各頂角についてそれぞれ当該頂角を挟む２つの辺とを有し、前記２つの頂角の山が向く方位は互いに逆方位であり、前記２つの辺は前記液晶表示素子の左右方向に対して４５°±１０°方位に向いており、前記一対の偏光板の吸収軸の少なくとも１つと該２つの辺とのなす角が０°±１０又は９０°±１０°の範囲内となる請求項１記載の液晶表示素子。
9. 前記六角形状の画素の左右２辺は等しい長さであり、隣接する左右画素は前記液晶表示素子の上下方位に対して半ピッチずれた位置に配置される請求項１又は８記載の液晶表示素子。
10. 前記六角形状の画素の左右２辺の長さが１０μｍ以上１００μｍ以下である請求項８又は９記載の液晶表示素子。
11. 前記六角形状の画素は、上下左右方向に４つの頂角と、各頂角についてそれぞれ当該頂角を挟む２つの辺とを有し、上下又は左右方向のいずれか一方の２つの頂角の山が向く方位は互いに逆方位であり、他方の２つの頂角の山が向く方位は互いに同方向であり、前記２つの辺は前記液晶表示素子の左右方向に対して４５°±１０°方位に向いており、前記一対の偏光板の吸収軸の少なくとも１つと該２つの辺とのなす角が０°±１０又は９０°±１０°の範囲内となる請求項１記載の液晶表示素子。
12. 前記六角形状の画素の上下左右方位のいずれか１方位の頂角に隣接する２辺が等しい長さで、他の４辺よりも長い請求項１１記載の液晶表示素子。
13. 前記配向膜に対する配向膜はラビングにより施された請求項１〜１２のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
14. 前記垂直配向膜の配向容易軸がアンチパラレル配向になるように配置された請求項１〜１３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
15. 前記液晶層のプレチルト角は８９．５°以上である請求項１〜１４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。