JP5094134B2 - 成膜装置のクリーニング装置およびそれを用いたクリーニング方法 - Google Patents
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また、第1電極表面への汚染物の付着量が増えると、第1電極の表面近傍でのプラズマ状態が不安定になり、汚染物が成膜中の膜表面に飛来しなかった場合でも、特性低下を引き起こすことがある。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、成膜装置内の電極表面の汚染物を迅速かつ簡単に除去できることを見出し、本発明の完成に至った。
前記第1電極の表面に接触可能な導電性の汚染物除去部と、前記汚染物除去部を支持する導電性の基部とを備え、前記基板搬送手段にて第1電極と第2電極の間に搬送されることにより、前記汚染物除去部が前記第1電極の表面に摺接して第1電極の表面に付着した汚染物を払い落として除去するように構成された成膜装置のクリーニング装置が提供される。
また、本発明の別の観点によれば、反応容器と、該反応容器内に互いに離間して対向配置された第1電極および第2電極と、被成膜基板を搬入して前記第2電極上に設置しかつ成膜後に所望の膜が成膜された被成膜基板を反応容器の外部へ搬出する基板搬送手段とを備えた成膜装置をクリーニングするクリーニング方法であって、前記基板搬送手段によって前記クリーニング装置を前記第1電極と第2電極の間に搬送することにより、前記汚染物除去部が第1電極の表面に摺接して第1電極表面に付着した汚染物を払い落として除去する工程を有する成膜装置のクリーニング方法が提供される。
これらの構成の汚染物除去部は、搬送方向と略直交する方向に延びる列を、搬送方向に1列または複数列で基部に配置することができる。特に櫛歯状の場合は、複数列でかつ各列の歯の位置をずらして汚染物除去部を配置することが好ましい。
また、このクリーニング方法では、成膜装置がプラズマCVD装置である場合、クリーニング装置により電極表面に付着した汚染物を除去する工程の前に、反応容器内に反応性クリーニングガスを導入し、前記クリーニングガスをプラズマ化して電極表面に付着した汚染物をプラズマエッチングする前処理工程を行ってもよい。つまり、電極に強固に固着した汚染物を除去する場合には、前記前処理によって汚染物を脆くしておき、クリーニング装置によって汚染物を確実に除去することができる。この前処工程では、汚染物を脆い構造にすればよく、汚染物を除去する必要は無いので、短時間の処理で十分である。したがって、プラズマエッチングのみで汚染物を除去する場合と比較して、汚染物除去工程のトータル時間を大幅に短縮することができる。
以下、図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
図1は本発明に係るクリーニング装置の実施形態1を示す図であって、(a)は側面図であり、(b)は平面図である。図2は本発明のクリーニング装置を用いてクリーニングされる一般的なプラズマCVD装置を示す概略断面図である。
このクリーニング装置100は、長方形板状の基部101と、基部101の一面(この場合上面)の搬送方向Xの下流端101a寄りに、かつ搬送方向Xと略直交する方向Yに延びて形成された垂直板状の汚染物除去部102とからなり、基部101は、後述するプラズマCVD装置の基板搬送手段の一構成要素である移動機構によって装置内を移動可能に構成されている。
プラズマCVD装置は、反応容器114と、反応容器114内に互いに対向して略平行に配置された第1電極111および第2電極112と、反応容器114の外部から電極間に被成膜基板を搬入するためのシャッター機構を有する搬入口115と、電極間の被成膜基板を反応容器114の外部に搬出するためのシャッター機構を有する搬出口116と、反応容器114内に反応性ガスやキャリアガス等のガスを導入するためのガス導入口(図示省略)と、反応容器114内のガスを外部に排出する排気口117および図示しない真空ポンプと、反応容器114の搬入口115側に設けられて内部を真空と大気開放に切り換え可能な第1室(図示省略)と、反応容器114の搬出口116側に設けられて内部を真空と大気開放に切り換え可能な第2室(図示省略)と、第1電極111と第2電極112の間に基板を搬出入することができる基板搬送手段(図示省略)とを備える。
このように構成されたプラズマCVD装置は、被成膜基板を載置した枠形トレーが反応容器に搬送されると、トレー下方の第2電極が上昇してトレー内を通り抜けて被成膜基板を押し上げ、これによって成膜時に第2電極上の被成膜基板と第1電極との間にプラズマを発生させることができる。
なお、基板搬送部を収容する真空と大気開放に切り替え可能な反応容器は搬送入出口が1つの場合は第一室のみであっても構わない。
基部101および汚染物除去部102の材質としては、ステンレス、銅、真鍮等の金属材料や種々の樹脂系材料などが好適に用いられる。ただし、クリーニング装置100を使用する温度に応じた耐熱性を有している材質を選ぶ必要がある。また、電極を傷つけないためにも汚染物除去部102の材質は第1電極111の材質と比較して同等以下の硬度であることが好ましい。また、プラズマCVD装置にて可燃性または支燃性の原料ガスを用いたCVDプロセスを行う場合には、摩擦による帯電を防ぐために汚染物除去部102の材質として導電体を用いるかまたは絶縁体に導電体コーティングを行うなどの帯電抑制処理を行うことが好ましい。
また、クリーニング装置100は、プラズマCVD装置の第1電極111と第2電極112との間に基板搬送手段の移動機構によって搬送されて汚染物除去部102が第1電極111の表面に摺接することで、第1電極111の表面に付着した汚染物を除去することができる。
したがって、汚染物除去部102の基部101からの突出寸法は、第2電極112上の基部101の上面と第1電極111の表面との間隔より僅かに長いことが好ましい。加えて、クリーニング装置100の搬送を円滑に進めるためには、基板搬送手段の搬送の駆動力に合わせて汚染物除去部102の材質と長さとを調整することが好ましい。例えば、駆動力が0.5N・mのとき、汚染物除去部102の弾性係数が1.0Gpa以上80.0GPa以下で、かつ電極間距離と10mmを足し合わせた長さ以下であるとき、円滑な搬送ができる。このようにすれば、汚染物除去部102が第1電極111に接触した際に適度な摩擦抵抗を生じて効率良く第1電極111の表面に付着した汚染物を除去することができる。
次に、このように構成されたクリーニング装置100を用いたプラズマCVD装置のクリーニング工程の一例を説明する。
続いて、図3および図4に示すように、搬入口115および搬出口116を開いて基板搬送手段(図示省略)にてクリーニング装置100を第1電極111と第2電極112の間に搬送する。クリーニング装置100が電極間を移動することにより、汚染物除去部102が第1電極111の表面を摺接して第1電極111の表面に付着した汚染物Cを払い落とす。払い落とされた汚染物Cは基部101上に落ちて回収される。なお、図4および図5ではクリーニング装置100が第2電極112上を摺動しているように図示されているが、実際はクリーニング装置100と第2電極112との間にはスムーズな搬送を行うため、搬送時にクリーニング装置100と第2電極112との間の摩擦を低減するような隙間が存在していることが好ましい。
その後、搬入口115および搬出口116を閉じ、第2室からクリーニング装置100を外部に取り出す。
このようなクリーニング工程によれば、反応容器114内を大気開放することがなく、反応容器114内に空気中の不純物が侵入することがないため、次に行なう成膜工程の前に反応容器114内を不活性ガスにて清浄化する必要がなく、プラズマCVD装置の稼働率を低下させずに迅速にクリーニング作業を終了することができる。
なお、成膜装置によっては1つの開閉口で被成膜基板の搬入と搬出を兼ねるものがあり、この場合は基板搬送手段にてクリーニング装置を第1・第2電極間で往復移動させてクリーニングを行う。
本発明では、汚染物の状態により上述の方法を適宜組み合わせることができる。
図6(a)は実施形態1のクリーニング装置の正面図を示し、このクリーニング装置100の汚染物除去部102は板状であったが、図6(b)に示すように櫛歯状に汚染物除去部202を形成してもよい(実施形態2)。また、図6(c)に示すように、複数の毛束302aを基部101に接着してブラシ状に汚染物除去部302を形成してもよい(実施形態3)。
また、図7(a)および(b)に示すように、織物状に汚染物除去部402を形成してもよい(実施形態4)。この場合、例えば四角形の織物状汚染物除去部402を二つ折りにしてその一端側を基部101に埋め込み接着することができる。
成膜装置によっては、第1電極および第2電極が垂直に立てられた縦型成膜装置があるが、この縦型成膜装置の場合も本クリーニング装置を用いて汚染物が付着した一方の電極表面をクリーニングすることができる。このような縦型成膜装置では、第1および第2電極間の下方に移動機構(例えばローラー等)が設けられているため、上記実施形態で示したクリーニング装置の基部を立てた状態で移動機構によって移動させ、垂直方向の汚染物除去部を一方の電極表面に摺接させてクリーニングすることができる。この場合、一方の電極表面から除去された汚染物は他方の電極上には落ちないため問題はないが、粉末状の軽い汚染物は上述のように不活性ガスと共に外部へ排出してもよい。
図6(c)に示すような高さ10mmのステンレスブラシ(SUS304:弾性係数74GPa)をシリコーン系接着剤(GE東芝シリコーンTSE397-B)を用いて基部に接着して汚染物除去部を形成して、基部および汚染物除去部の合計高さが11.5mmのクリーニング装置を作製した。
そして、図3〜5で説明したように、このクリーニング装置を電極間距離が11mmの平行平板型プラズマCVD装置に通常の成膜プロセスと同様に搬入・搬出して電極クリーニングを行った。この際、クリーニング装置を支障なく搬送・搬出することができた。なお、プラズマCVD装置は、成膜時にH2、SiH4、B2H6、PH3、CH4を使用して1枚の被成膜基板に膜厚2μmのSi膜を成膜した後の状態でクリーニングされた。
その後、カソード(第1電極)表面の汚染物を除去できることを目視にて確認した。汚染物が除去されたことは、クリーニング前のカソード表面に存在していた突起状の汚染物が、クリーニング後には無くなっていることで判断できた。
実施例1と同一のプラズマCVD装置(電極間距離11mm)に対して、前処理としてNF3の反応性ラジカルによるプラズマクリーニングを行い、その後、クリーニング装置は以下のものを使用したこと以外は実施例1と同様に汚染物の除去を行った。
クリーニング装置としては、高さ10mmのステンレス板をシリコーン系接着剤(GE東芝シリコーンTSE397-B)を用いて基部に搬送方向と直交方向に接着して汚染物除去部を形成し、基部および汚染物除去部の合計高さが11.5mmとなったものを使用した。また、プラズマCVD装置は、成膜時にH2、SiH4、B2H6、PH3、CH4を使用して1枚の被成膜基板に膜厚2μmのSi膜を成膜した後の状態でクリーニングされた。
クリーニングの際、このクリーニング装置を支障なく搬送・搬出することができた。
その後、電極間距離を測定したところ、クリーニングを行う前の電極間距離と同じ11mmであり、クリーニング装置の基部上に落下物が確認されたことから、クリーニング装置によってカソード表面から汚染物が除去されたと判断できた。
101 基部
102、202、302、402 汚染物除去部
111 第1電極
112 第2電極
114 反応容器
115 搬入口
116 搬出口
117 排気口
C 汚染物
Claims (8)
- 反応容器と、該反応容器内に互いに離間して対向配置された第1電極および第2電極と、被成膜基板を搬入して前記第2電極上に設置しかつ成膜後に所望の膜が成膜された被成膜基板を反応容器の外部へ搬出する基板搬送手段とを備えた成膜装置をクリーニングする際に、前記基板搬送手段にて前記第1電極と第2電極の間に搬送されるクリーニング装置であって、
前記第1電極の表面に接触可能な導電性の汚染物除去部と、前記汚染物除去部を支持する導電性の基部とを備え、前記基板搬送手段にて第1電極と第2電極の間に搬送されることにより、前記汚染物除去部が前記第1電極の表面に摺接して第1電極の表面に付着した汚染物を払い落として除去するように構成されたことを特徴とする成膜装置のクリーニング装置。 - 汚染物除去部は、第1電極と第2電極の間を通過する方向に対して略直交方向に延びると共に、前記電極表面の前記略直交方向の幅以上の長さを有する請求項1に記載の成膜装置のクリーニング装置。
- 前記汚染物除去部が繊維の集合体からなる請求項1または2に記載の成膜装置のクリーニング装置。
- 前記繊維の集合体がブラシ状または織物状に形成された請求項3に記載の成膜装置のクリーニング装置。
- 前記汚染物除去部が板状または櫛歯状に形成された請求項1または2に記載の成膜装置のクリーニング装置。
- 成膜装置が、プラズマCVD装置である請求項1〜5のいずれか1つに記載の成膜装置のクリーニング装置。
- 反応容器と、該反応容器内に互いに離間して対向配置された第1電極および第2電極と、被成膜基板を搬入して前記第2電極上に設置しかつ成膜後に所望の膜が成膜された被成膜基板を反応容器の外部へ搬出する基板搬送手段とを備えた成膜装置をクリーニングするクリーニング方法であって、
前記基板搬送手段によって前記請求項1〜5のいずれか1つに記載のクリーニング装置を前記第1電極と第2電極の間に搬送することにより、前記汚染物除去部が第1電極の表面に摺接して第1電極表面に付着した汚染物を払い落として除去する工程を有する成膜装置のクリーニング方法。 - 前記成膜装置がプラズマCVD装置であり、前記クリーニング装置により電極表面に付着した汚染物を除去する工程の前に、前記反応容器内に反応性クリーニングガスを導入し、前記クリーニングガスをプラズマ化して電極表面に付着した汚染物をプラズマエッチングする前処理工程を含む請求項7に記載の成膜装置のクリーニング方法。
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