JPS63227010A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明は、ガラス基板、半導体ウェハ等の被処理基板表
面に薄、膜等を形成する成膜装置に関する。

（従来の技術） 一般に成膜装置は、例えばガラス基板、半導体ウェハ等
の被処理基板表面に、５ｉ０２、Ｓｉ等の薄膜を形成す
る。

第２図は、このような従来の成膜装置の一例の構成を示
すものである。

処理室１内には、ヒータ２ａを内蔵する基板保持部２が
配置されており、この基板保持部２には、例えばガラス
基板３等の被処理基板が下向きに保持される。基板保持
部２の下部には、ガラス基板３に対向する対向電極４が
配置されている。この対向電極４は、材質例えばアルミ
ニウム等がらなり、多数の反応ガス流通用の透孔４ａが
形成されている。

上記構成の成膜装置では、処理室１内を例えば０．１Ｔ
ｏｒｒ程度の真空とし、ヒータ２ａによりガラス基板３
を例えば３００℃程度に加熱する。そして、透孔４ａか
らＳ　ｉ　Ｈ４等の反応ガスを処理室１内に供給すると
ともに、基板保持部２と対向電極４との間に電源５から
例えば１３．５６８Ｈ２の交流電圧を印加して、上記反
応ガスをプラズマ化して、ガラス基板３表面にＳｉ等の
薄膜を形成する。

そして、１枚のガラス基板３の成膜が終了すると、図示
しない搬送機構等で成膜の終了したガラス基板３を基板
保持部２からアンロードし、次のガラス基板３をロード
して連続的に成膜を行う。

（発明が解決しようとする問題点） 上記説明の成膜装置では、処理室内部、例えば対向電極
にＳｔ等の成ＷＪ、物質か付着する。そして、この成膜
物質が、被処理基板の成膜操作中に、処理室内に飛散し
、被処理基板表面に付着する場合がある。

このため、従来は、例えば数枚の被処理基板の成膜を行
う毎に、手作業による拭き取り等により、処理室内部、
例えば対向電極のクリーニングを行う必要があった。

しかしながら、上記クリーニング操作は、ヒータによる
加熱を停止し、処理室内を常圧に戻してから行う必要が
ある６したがって、再び、処理室内を真空とし、基板保
持部を所定の温度として次の成膜繰作を行うまでに、例
えば４〜６時間程度の時間を要するという問題がある。

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、処理室を解放状態とすることなく、処理室内のクリー
ニングを行うことができ、従来に比べて、クリーニング
時間および次の成膜操作を行うまでの準備時間を短縮し
て、生産性の向上を図ることのできる成膜装置を提供し
ようとするものである。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち本発明は、被処理基板を収容する処理室内に所
定の反応ガスを供給して前記被処理基板に成膜を行う成
膜装置において、前記処理室内部の少なくとも一部に付
着した付着物を除去するクリーニング機構を配置したこ
とを特徴とする。

（作　用） 本発明の成膜装置では、処理室内部の少なくとも一部、
例えば対向電極に付着した成膜物質を除去するクリーニ
ング機構を備えている。

したがって、処理室を解放状態とすることなく、処理室
内、例えば対向電極のクリーニングを行うことができ、
従来に比べて、クリーニング時間および次の成膜繰作を
行うまでの準備時間を短縮することができる。

（実施例） 以下本発明の成膜装置を第１図を参照して実施例につい
て説明する。

処理室１１内には、ヒータ１２ａを内蔵する基板保持部
１２が配置されており、この基板保持部１２には、例え
ばガラス基板１３等の被処理基板が下向きに保持される
。基板保持部１２の下部には、ガラス基板１３に対向す
る対向電極１４が配置されている。この対向電ｆ！１４
は、材質例えばアルミニウムまたはカーボン等からなり
、ガラス基板１３等の被処理基板の形状および寸法に応
じて、例えば１辺４００ｎｌ程度の正方形状等とされて
おり、多数の反応ガス流通用の透孔１４ａが形成されて
いる。そして、上記対向電極は、ガラス基板１３との間
隔が例えば１５ｎ＋１〜３０ｎｌｌ程度となるよう配置
されている。

また、上記対向電極１４内には、冷媒流路１４ｂが形成
されており、この冷媒流路１４ｂは、処理室１１外の冷
媒供給源１５に接続されている。

さらに、処理室１１内には、ローラ１６と、このローラ
１６を対向電極１４表面に当接状態で移動させる駆動機
構１７が配置されている。

上記ローラ１６は、直径が、基板保持部１２と対向電極
１４との間隔より小径、例えば１０ｍｎ〜２５ｍｍとさ
れ、長さが、対向電Ｆｆ！１４の幅に応じて例えば４０
０ｍ１程度とされている。また、ローラ１６の表面には
、材質例えばウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等からな
り、粘着性を有する粘＠層１６ａが形成されている。

上記構成のプラズマＣＶＤ装置では、処理室１１内を例
えば０．　ＩＴｏｒｒ程度の真空とし、ヒータ１２ａに
よりガラス基板１３を例えば３００°Ｃに加熱する。そ
して、透孔１４ａからＳｉＨ４等の反応ガスを処理室１
１内に供給するとともに、基板保持部１２と対向電極１
４との間に電源１８から例えば１３．５６　　ＭＨｚの
交流電圧を印加して、上記反応ガスをプラズマ化して、
ガラス基板１３表面にＳｉ等の薄膜を形成する。そして
、１枚のガラス基板１３の成膜が終了すると、図示しな
い搬送機構等で成膜の終了したガラス基板１３を基板保
持部１２からアンロードし、次のガラス基板１３３０−
ドして連続的に成膜を行う。

また、上記成膜操作中は、対向電極１４内の冷媒流路１
４ｂに、冷媒供給源１５から例えばフレオン等を流通し
、この対向電極１４を例えば５０°Ｃ程度の温度に保つ
よう冷却を行う。

そして、例えば５〜１０枚程度のガラス基板１３の成膜
操作を行う毎に、駆動機構１７により、ローラ１６を対
向電極１４表面に当接状態で移動させる。この時、対向
電極１４表面に付着したＳｉ等の成膜物質は、ローラ１
６表面の粘着層１６ａに付着し、対向電ｆｌｉ１４表面
がクリーニングされる。

なお、Ｓｉ等の成膜物質が、対向電極１４表面に強固に
付着すると、粘着層１６ａｙ！！：ｆするローラ１６に
よるクリーニングで除去することは困難となる。そこで
、この実施例の成膜装置では、上述のように、対向電極
１４を例えば５０℃程度の温度に保つよう冷却し、Ｓｌ
等の成膜物質が対向電極１４表面に強固に付着すること
を防止する。すなわち、対向電極１４を冷却することに
より、３００°Ｃ程度に加熱されたガラス基板１３表面
に成膜されるように、対向電極１４表面に強固に成膜物
質が付着することを防止する。

すなわち、この実施例の成膜装置では、対向電極１４内
の冷媒流路１４ｂに、冷媒供給源１５から冷媒を流通し
、冷却することにより、成膜物質が対向電極１４表面に
強固に付着することを防止する。そして、駆動機構１７
により、粘着層１６ａを有するローラ１６をローラ１６
を対向電極１４表面に当接状態で移動させ、対向電極１
４のクリーニングを行う、したがって、従来の成膜装置
のように、対向電極１４のクリーニングを行う毎に、ヒ
ータ１２による加熱を停止し、処理室１１内を常圧に戻
す必要もなく、短時間でクリーニングを行うことができ
、次の成膜操作を行うことができる。

なお、上記実施例では、処理室１１内のクリーニング機
構を処理室１１外に出す方式は示さなかったが、基板を
出し入れするロードロックａ梢を介してこのクリーニン
グｔａｌＮも処理室１１外へ取り出せるようにすれば、
ローラ１６がＳｉ等で汚れた時にも処理室１１を常圧に
戻すことなく、ローラ１６の交換を行うことができる。

［発明の効果］ 上述のように、本発明の成膜装置では、処理室を解放状
態とすることなく、処理室内のクリーニングを行うこと
ができるので、従来に比べて短時間で処理室内のクリー
ニングを行うことができ、次の成膜操作を行うまでの準
備時間も必要としない。したがって、従来に比べて大幅
に生産性の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の成膜装置な示す構成図、第
２図は従来の成膜装置を示す構成図である。 １１・・・・・・処理室、１３・・・・・・ガラス基板
、１４・・・・・・対向を極、１４ａ・・・・・・反応
ガス流通用の透孔、１４ｂ・・・・・・冷媒流路、１５
・・・・・・冷媒供給源、１６・・・・・・ローラ、１
６ａ・・・・・・粘着層、１７・・・・・・駆動機構。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）被処理基板を収容する処理室内に所定の反応ガス
   を供給して前記被処理基板に成膜を行う成膜装置におい
   て、前記処理室内部の少なくとも一部に付着した付着物
   を除去するクリーニング機構を配置したことを特徴とす
   る成膜装置。
2. （２）前記クリーニング機構は、表面が粘着性を有する
   ローラと、このローラを被クリーニング部と当接状態で
   移動させる駆動機構とからなる特許請求の範囲第１項記
   載の成膜装置。
3. （３）前記クリーニング機構は、被クリーニング部を冷
   却する冷却手段を備えたことを特徴とする特許請求の範
   囲第１項または第２項記載の成膜装置。