JP5087404B2 - 光学活性ベンジルアミン誘導体の製造方法 - Google Patents

光学活性ベンジルアミン誘導体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5087404B2
JP5087404B2 JP2007537630A JP2007537630A JP5087404B2 JP 5087404 B2 JP5087404 B2 JP 5087404B2 JP 2007537630 A JP2007537630 A JP 2007537630A JP 2007537630 A JP2007537630 A JP 2007537630A JP 5087404 B2 JP5087404 B2 JP 5087404B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
substituted
carbon atoms
unsubstituted
general formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007537630A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2007037242A1 (ja
Inventor
辰佳 田中
一美 大黒
勝 満田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaneka Corp
Original Assignee
Kaneka Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kaneka Corp filed Critical Kaneka Corp
Priority to JP2007537630A priority Critical patent/JP5087404B2/ja
Publication of JPWO2007037242A1 publication Critical patent/JPWO2007037242A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5087404B2 publication Critical patent/JP5087404B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C311/00Amides of sulfonic acids, i.e. compounds having singly-bound oxygen atoms of sulfo groups replaced by nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups
    • C07C311/15Sulfonamides having sulfur atoms of sulfonamide groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
    • C07C311/16Sulfonamides having sulfur atoms of sulfonamide groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings having the nitrogen atom of at least one of the sulfonamide groups bound to hydrogen atoms or to an acyclic carbon atom
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07BGENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
    • C07B53/00Asymmetric syntheses
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C209/00Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C209/62Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton by cleaving carbon-to-nitrogen, sulfur-to-nitrogen, or phosphorus-to-nitrogen bonds, e.g. hydrolysis of amides, N-dealkylation of amines or quaternary ammonium compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07BGENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
    • C07B2200/00Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
    • C07B2200/07Optical isomers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

本発明は、医薬および農薬の分野において、製造上重要な中間体化合物である光学活性ベンジルアミン誘導体およびその製造法に関する。より詳細には、光学活性ベンジルアルコール誘導体を、光学活性ベンジルアミン誘導体へと導く方法に関する。
一般式(1);
Figure 0005087404
(式中、Arは炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基、または、炭素数4〜20の置換もしくは無置換のヘテロ芳香族基を表す。Rは炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。*1は不斉炭素を表す。)で示される光学活性ベンジルアルコール誘導体から、一般式(7);
Figure 0005087404
(式中、Ar、R,は前記に同じ。R6は、水素、炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。*2は不斉炭素を表す。)で示される光学活性ベンジルアミン誘導体を製造する方法としては、
1)光学活性ベンジルアルコール誘導体の水酸基を塩素などのハロゲンに置換した後に窒素求核剤と反応させ、光学活性ベンジルアミン誘導体を製造する方法(非特許文献1)。
2)光学活性ベンジルアルコール誘導体とジフェニルホスホリルアジドを反応させ、
続いて還元することで光学活性ベンジルアミン誘導体を製造する方法(非特許文献2,3)。
3)光学活性ベンジルアルコール誘導体をスルホニル化した後に窒素求核剤と反応させ、光学活性ベンジルアミン誘導体を製造する方法(特許文献1)。
4)光学活性ベンジルアルコール誘導体をアゾジカルボニル化合物存在下、窒素求核剤と反応させ、光学活性ベンジルアミン誘導体を製造する方法(非特許文献4)。
などが報告されている。
特開2002−30048 Journal of Organic Chemistry, 1998, 63, 6273 Journal of Organic Chemistry, 1996, 61, 3561 Tetrahedron Asymmetry, 1996, 7, 2809 Journal of Organic Chemistry, 1990, 55, 215
しかしながら、1)の方法は、ベンジル位での求核置換反応であるために、ベンジルカチオンの安定化効果の影響を受け、SN1型の置換反応とSN2型の置換反応とが競争し、部分的にラセミ化が進行することが知られている。従って、高光学純度の光学活性ベンジルアミン誘導体の製造は困難であった。
2)の方法は高い不斉転写率で置換反応が進行するものの、窒素求核種がアジドであるため、光学活性N−アルキルベンジルアミン、光学活性N−アリールベンジルアミンもしくは光学活性N−アラルキルベンジルアミンを製造するためには、得られた光学活性アジド化合物を還元した後にN−アルキル化、N−アリール化もしくはN−アラルキル化を行なう必要があり、工程数が増え、操作が煩雑となる。また、アミンのモノアルキル化反応は、一般的に3級アミン及び/又は四級アンモニウム塩の副生が問題となり、高収率にて目的物を得るのは困難である。さらには爆発危険性を有するアジド化合物の扱いは、工業的な生産において、安全面、設備面の両面において課題の残る方法であった。
3)の方法もベンジル位での求核置換であるために、高光学純度の光学活性ベンジルアミン誘導体の取得は困難であった。特許文献1に記載の製造法はラセミ化が比較的抑制されてはいるが、使用できる窒素求核剤がベンジルアミン、アリルアミン、ベンジルカーバメート、ヒドロキシルアミン、フタルイミドカリウム、アジ化ナトリウム等に限定されており、該置換反応終了後に脱保護を行うことで、製造できるアミンは一級アミンに限られていた。従って、二級アミンを合成するためには該置換反応をおこなった後、脱保護操作および、N−アルキル化、N−アリール化もしくはN−アラルキル化を行う必要が生じ、工程数が長く煩雑になるという問題があった。また、アミンのモノアルキル化反応は、一般的に3級アミン及び/又は四級アンモニウム塩が副生し、高収率にて目的物を得るのは困難である。
4)の方法は、一般的に非常に高い不斉転写率にて反応が進行することが知られているものの、使える窒素求核剤に制限があり、例えばフタルイミド等のイミド、ジアシルアミン等、酸性度の低い化合物のみが一般的に用いられている。イミドまたはジアシルアミンを窒素求核剤に用いた場合、直接的にN−アルキル、N−アリールまたはN−アラルキルアミンの合成は不可能であり、脱保護をした後にN−アルキル化、N−アリール化、もしくはN−アラルキル化が必要となり、工程数が長く煩雑になる。また、脱保護条件としては毒性の強いヒドラジンを使用する方法、もしくは過酷な酸,アルカリ条件下で加熱する方法が知られているが、前者は毒性の問題、後者は分子内の他の官能基が存在する場合、基質が分解してしまうという問題があった。
上記現状に鑑み、光学活性ベンジルアミンの製造方法に関して、光学活性ベンジルアルコール誘導体と窒素求核剤との反応を鋭意検討した結果、以下による製造方法を見出した。
即ち本発明は、一般式(5);
Figure 0005087404
(式中、Arは炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基、または、炭素数4〜20の置換もしくは無置換のヘテロ芳香族基を表す。Rは炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基または炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。R6は、水素、炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基または炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。mは1〜3の整数を表す。*2は不斉炭素を表す。)で示される光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体の製造方法であって、一般式(1);
Figure 0005087404
(式中、Ar及びRは前記と同じ。*1は不斉炭素を表す。)で示される光学活性ベンジルアルコール誘導体を、一般式(4);
Figure 0005087404
(式中、R6は前記と同じ。mは前記に同じ。)で示されるスルホニルアミド誘導体と反応させることを特徴とする方法に関する。
また、本発明は、一般式(7);
Figure 0005087404
(式中、Arは炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基、または、炭素数4〜20の置換もしくは無置換のヘテロ芳香族基を表す。Rは炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基または炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。R6は、水素、炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基または炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。*2は不斉炭素を表す。)で示される光学活性ベンジルアミン誘導体の製造方法であって、前記式(5)で示される光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体を、一般式(6);
7SM (6)
(式中、R7は、水素、炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基、または、炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。Mは水素、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を表す。)で示されるチオール誘導体と反応させることを特徴とする方法に関する。
また、本発明は、前記式(5)で示される光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体に関する。
本発明により、非常に高い不斉転写率にて光学活性ベンジルアミン誘導体の製造が可能となる。また、本発明により、光学活性N−アルキルベンジルアミン、光学活性N−アリールベンジルアミンもしくは光学活性N−アラルキルベンジルアミンを簡便に短工程にて製造が可能となる。
まず、一般式(1);
Figure 0005087404
で表される光学活性ベンジルアルコール誘導体を、一般式(4);
Figure 0005087404
で示される光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体と反応させ、一般式(5);
Figure 0005087404
で示される光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体を製造する工程について述べる。
なお、本明細書における炭素数は置換基の炭素数を含まない数である。また、後述のアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基の置換基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基、オキシ基、アルコキシ基、ニトロ基、チオ基、アミノ基、カルボニル基、ニトリル基、スルホニル基、ハロゲンなどがあげられる。また、本明細書において例えば「2−、3−、または4−メチル置換フェニル基」とは、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、または、4−メチルフェニル基をあらわす。
一般式(1)、(5)中、Arは炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基、または、炭素数4〜20の置換もしくは無置換のヘテロ芳香族基を表す。
炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基としては具体的にはフェニル基、2−、3−、または4−メチル置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジメチル置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリメチル置換フェニル基、2−、3−、または4−エチル置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジエチル置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリエチル置換フェニル基、2−、3−、または4−プロピル置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジプロピル置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリプロピル置換フェニル基、2−、3−、または4−イソプロピル置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジイソプロピル置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリイソプロピル置換フェニル基、2−、3−、または4−ブチル置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジブチル置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリブチル置換フェニル基、2−、3−、または4−イソブチル置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジイソブチル置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリイソブチル置換フェニル基、2−、3−、または4−オクチル置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジオクチル置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリオクチル置換フェニル基、2−、3−、または4−ドデシル置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジドデシル置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリドデシル置換フェニル基、2−、3−、または4−トリフルオロメチル置換フェニル基、2,3−ビス(トリフルオロメチル)フェニル基、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ビス(トリフルオロメチル)置換フェニル基、2,3,4−トリス(トリフルオロメチル)フェニル基、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリス(トリフルオロメチル)置換フェニル基、2−、3−、または4−トリフルオロエチル置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ビス(トリフルオロエチル)置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリス(トリフルオロエチル)置換フェニル基等のアルキル置換フェニル基;
2−、3−、または4−ヒドロキシ置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジヒドロキシ置換フェニル基、2,3,4−基、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリヒドロキシ置換フェニル基、2−、3−、または4−メトキシ置換フェニル基、2,3−ジメトキシフェニル基、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジメトキシ置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリメトキシ置換フェニル基、2−、3−、または4−エトキシ置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジエトキシ置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリエトキシ置換フェニル基、2−、3−、または4−ブトキシ置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジブトキシ置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリブトキシ置換フェニル基、2−、3−、または4−オクトキシ置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジオクトキシ置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリオクトキシ置換フェニル基、2−、3−、または4−トリフルオロメトキシ置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ビス(トリフルオロメトキシ)置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリス(トリフルオロメトキシ)置換フェニル基等の酸素原子置換フェニル基;
2−、3−、または4−(メチルチオ)置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ビス(メチルチオ)置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリス(メチルチオ)置換フェニル基、2−、3−、または4−(エチルチオ)置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ビス(エチルチオ)置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリス(エチルチオ)置換フェニル基、2−、3−、または4−(オクチルチオ)置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ビス(オクチルチオ)置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリス(オクチルチオ)置換フェニル基等の硫黄置換フェニル基;
2−、3−、または4−アミノ置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジアミノ置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリアミノ置換フェニル基、2−、3−、または4−(N−メチルアミノ)置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ビス(N−メチルアミノ)置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリス(N−メチルアミノ)置換フェニル基、2−、3−、4−(N−エチルアミノ)置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ビス(N−エチルアミノ)置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリス(N−エチルアミノ)置換フェニル基、2−、3−、または4−(N,N−ジメチルアミノ)置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ビス(N,N−ジメチルアミノ)置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリス(N,N−ジメチルアミノ)置換フェニル基、2−、3−、または4−(N,N−ジブチルアミノ)置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ビス(N,N−ジブチルアミノ)置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリス(N,N−ジブチルアミノ)置換フェニル基等のアミノ置換フェニル基;
2−、3−、または4−クロロ置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジクロロ置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリクロロ置換フェニル基、2−、3−、または4−ブロモ置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジブロモ置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリブロモ置換フェニル基、2−、3−、または4−フルオロ置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジフルオロ置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリフルオロ置換フェニル基等のハロゲン置換フェニル基;
2−、3−、または4−フェニル置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ジフェニル置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリフェニル置換フェニル基、2−、3−、または4−(2−クロロフェニル)置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ビス(2−クロロフェニル)置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリス(2−クロロフェニル)置換フェニル基等のアリール置換フェニル基等が挙げられる。
炭素数4〜20の置換もしくは無置換のヘテロ芳香族基として具体的には、2−フリル基、3−フリル基、3−、4−、または5−メチル置換−2−フリル基、2−、4−、または5−メチル置換−3−フリル基、3−、または5−エチル置換−2−フリル基、3−、または5−フェニル置換−2−フリル基、2−チエニル基、3−チエニル基、3−、4−、または5−メチル置換−2−チエニル基、2−、4−、または5−メチル置換−3−チエニル基、3−、または5−エチル置換−2−チエニル基、3−、または5−フェニル置換−2−チエニル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、3−、4−、または5−メチル置換−2−ピロリル基、2−、4−、または5−メチル置換−3−ピロリル基、3−、または5−エチル置換−2−ピロリル基、3−、または5−フェニル置換−2−ピロリル基、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基、3−、4−、5−、または6−メチル置換−2−ピリジル基、2−、4−、5−、または6−メチル置換−3−ピリジル基、3−、または5−エチル置換−2−ピリジル基、3−、または5−フェニル置換−2−ピリジル基、2−イミダゾイル基、4−、または5−メチル置換−2−イミダゾイル基、3−イソチアゾリル基、4−イソチアゾリル基、5−イソチアゾリル基、4−、または5−メチル置換−3−イソチアゾリル基、3−メチル−4−イソチアゾリル基、5−フェニル−3−イソチアゾリル基、2−インドイル基、3−インドイル基、4−メチル−2−インドイル基、7−メチル−4−インドイル基などがあげられる。
これらの中で、Arとして好ましくは、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基であり、さらに好ましくは、1〜3つのトリフルオロメチル基、フルオロ基またはトリフルオロメトキシ基に置換されたフェニル基であり、とりわけ好ましくは、1〜3つのトリフルオロメチル基に置換されたフェニル基である。具体的には2−、3−、または、4−トリフルオロメチル置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ビス(トリフルオロメチル)置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリス(トリフルオロメチル)置換フェニル基があげられ、さらに好ましくは3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル基である。
一般式(1)、(5)中、Rは炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基、または、炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。
炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、t−ドデシル基等の鎖状アルキル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基をあげることができる。
炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基としては、例えば、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2−エチルフェニル基、3−エチルフェニル基、4−エチルフェニル基、2−メトキシフェニル基、3−メトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、2−ニトロフェニル基、4−フェニルフェニル基、4−クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基、4−フルオロフェニル基等を挙げることができる。
炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、2−メチルベンジル基、3−メチルベンジル基、4−メチルベンジル基、2−メトキシベンジル基、3−エトキシベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−(4−メチルフェニル)エチル基、1−(4−メトキシフェニル)エチル基、3−フェニルプロピル基、2−フェニルプロピル基等を挙げることができる。
これらの中で、好ましくは無置換のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
*1は不斉炭素を表し、その絶対配置は特に限定せず、(R)−体であっても良いし、(S)−体であっても良いが、好ましくは(S)−体である。また、*2は不斉炭素を表し、その絶対配置は特に限定せず、(R)−体であっても良いし、(S)−体であっても良いが、好ましくは(R)−体である。本工程の反応は立体反転で進行するため、(R)−体のベンジルアルコール誘導体からは(S)−体のベンジルスルホニルアミド誘導体が生成し、(S)−体のベンジルアルコール誘導体からは(R)−体のベンジルスルホニルアミド誘導体が生成する。
一般式(4)、(5)中、R6は水素、炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基、または、炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基の具体例としては、前述のものがあげられる。これらの中でも、R6としては炭素数1〜18の無置換のアルキル基が好ましく、さらに好ましくは、メチル基、エチル基である。
一般式(4)、(5)中、mは1〜3の整数を表す。ニトロ基の置換位置は特に限定しないが、好ましくは、2−位に一置換、3−位に一置換、4−位に一置換、2,4−位に二置換であり、具体的には、ニトロ基の置換したフェニル基が、2−ニトロフェニル基、3−ニトロフェニル基、4−ニトロフェニル基、2,4−ジニトロフェニル基である。さらに好ましくはmが1であり、ニトロ基の置換したフェニル基が2−ニトロフェニル基、3−ニトロフェニル基、4−ニトロフェニル基である。
光学活性ベンジルアルコール誘導体(1)は、例えばTetrahedron Asymmetry, 2003, 14, 3581に従って、対応するケトンを不斉水素化することにより容易に合成可能である。
光学活性ベンジルアルコール誘導体(1)から光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体(5)への変換は、一般式(2);
Figure 0005087404
で示されるホスフィン誘導体と、一般式(3);
Figure 0005087404
で示されるアゾジカルボニル化合物の存在下、実施することができる。一般式(2)中、R1、R2、R3はそれぞれ独立して、同じであっても異なっていてもよく、炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基、または、炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。具体的には、Rで例示したものと同様なものがあげられる。R1,R2,R3の全てがフェニル基もしくはn−ブチル基のものは、安価で毒性もひくく、より好ましい。
一般式(3)中、R4,R5は、それぞれ独立して、同じでも異なっていてもよく、炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、または、置換もしくは無置換のアミノ基を表す。
炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−ドデシルオキシ基、t−ドデシルオキシ基等をあげることができる。
炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリールオキシ基としては、例えば、フェニルオキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、2−メチルフェニルオキシ基、3−メチルフェニルオキシ基、4−メチルフェニルオキシ基、2−エチルフェニルオキシ基、3−エチルフェニルオキシ基、4−エチルフェニルオキシ基、2−メトキシフェニルオキシ基、3−メトキシフェニルオキシ基、4−メトキシフェニルオキシ基、2−ニトロフェニルオキシ基、4−フェニルフェニルオキシ基、4−クロロフェニルオキシ基、4−ブロモフェニルオキシ基、4−フルオロフェニルオキシ基等を挙げることができる。
炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基としては、例えば、ベンジルオキシ基、2−メチルベンジルオキシ基、3−メチルベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、2−メトキシベンジルオキシ基、3−エトキシベンジルオキシ基、1−フェニルエチルオキシ基、2−フェニルエチルオキシ基、1−(4−メチルフェニル)エチルオキシ基、1−(4−メトキシフェニル)エチルオキシ基、3−フェニルプロピルオキシ基、2−フェニルプロピルオキシ基等を挙げることができる。
置換アミノ基としては、炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基のいずれかに1置換、もしくは、それぞれ独立して2置換されたアミノ基をあげることができる。これらアミノ基の置換基の具体例としては、Rで例示したものと同様なもの等を挙げることができる。
これらの中でも、R4、R5が共にメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ベンジルオキシ基のものが工業的に入手し易いため好ましい。さらに好ましくはR4、R5が共にイソプロポキシ基のものである。
本工程におけるホスフィン誘導体(2)の使用量は、通常、光学活性ベンジルアルコール誘導体(1)に対して1当量以上使用すればよく、好ましくは1〜10当量であり、さらに好ましくは1〜3当量である。
本工程におけるアゾジカルボニル化合物(3)の使用量は、通常、光学活性ベンジルアルコール誘導体(1)に対して1当量以上使用すればよく、好ましくは1〜10当量であり、さらに好ましくは1〜3当量である。
本工程におけるスルホニルアミド誘導体(4)の使用量は、通常、光学活性ベンジルアルコール誘導体(1)に対して1当量以上使用すればよく、好ましくは1〜10当量であり、さらに好ましくは1〜3当量である。
本工程において、用いられる溶媒は特に限定されず、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF),ジメチルスルホキシド(DMSO),N−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等の非プロトン性極性溶媒;ヘキサメチルベンゼン、トルエン、n−ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン(THF),ジイソプロピルエーテル、メチルtert−ブチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒;クロロベンゼン、塩化メチレン、クロロホルム、1,1,1−トリクロロエタン等のハロゲン系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒;アセトニトリル、ブチロニトリル等のニトリル系溶媒;メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール等のアルコール;水などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用しても良い。なかでもテトラヒドロフラン、トルエン、酢酸エチルが好ましく、さらに好ましくはトルエンである。
反応温度は、通常−50〜110℃の範囲内であり、好ましくは−20〜50℃である。
本反応において、ベンジルアルコール誘導体(1)、ホスフィン誘導体(2)、アゾジカルボニル化合物(3)及び溶媒の添加順序に特に制限はない。
反応終了後、反応液から生成物を取得するためには、一般的な後処理を行えばよい。例えば、反応終了後の反応液に水を加え、一般的な抽出溶媒、例えば、酢酸エチル、ジエチルエーテル、塩化メチレン、トルエン、ヘキサン等を用いて抽出操作を行う。得られた抽出液から、減圧加熱等の操作により反応溶媒および抽出溶媒を留去すると、目的化合物が得られる。また、反応終了後、減圧加熱等の操作により反応溶媒を留去してから同様の操作を行っても良い。さらには、反応液にヘキサン、ヘプタン等の炭化水素溶媒を加え、副生するホスフィンオキシドを析出させ、これをろ別した後に溶媒留去する方法をとっても良い。このようにして得られる目的物は、ほぼ純粋なものであるが、晶析精製、分別蒸留、カラムクロマトグラフィー等、一般的な手法により精製を加え、さらに純度を高めても良い。
次に前記式(5)で表される光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体を、一般式(6);
7SM (6)
で示されるチオール誘導体と反応させ、一般式(7);
Figure 0005087404
で示される光学活性ベンジルアミン誘導体を製造する工程について述べる。
一般式(7)中、Ar、R、R6、*2は前記に同じである。
一般式(6)中、R7は、水素、炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基、または、炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。具体例としては、Rで例示したものと同様なもの等を挙げることができる。これらの中でも、無置換のアルキル基またはフェニル基が好ましく、さらに好ましくはドデシル基である。
また、Mは水素、もしくはリチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等のアルカリ金属、もしくはベリリウム、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属を表す。これらの中でも好ましくは水素、アルカリ金属であり、さらに好ましくは水素、ナトリウム、カリウムである。
光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体(5)は前述の工程で得られた反応液をそのまま用いても良いし、単離、精製されたものを用いても良い。
本工程におけるチオール誘導体(6)の使用量は、通常、光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体(5)に対して1当量以上使用すればよく、好ましくは1〜10当量であり、さらに好ましくは1〜3当量である。
本工程において、塩基を共存させてもよい。チオール誘導体(6)中のMが水素の場合、塩基の共存により反応が促進される。使用する塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化セシウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの金属水酸化物、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウムなどの炭酸塩等が挙げられる。なかでも好ましくは水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムであり、特にこのましくは水酸化ナトリウム、水酸化カリウムである。
これらの塩基はそのまま用いても良いが、特に、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムを使用する場合、1〜50重量%の水溶液として用いるのが好ましく、さらに好ましくは5〜30重量%水溶液として用いるのが好ましい。
用いられる塩基の量は、通常、光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体(5)に対して1当量以上使用すればよく、好ましくは1〜10当量であり、さらに好ましくは1〜5当量である。
反応温度は、通常−50〜110℃の範囲内であり、好ましくは0〜110℃である。
本工程において、用いられる溶媒は特に限定されず、具体的には光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体を製造する工程であげた溶媒と同様なものがあげられる。なかでもジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、水、トルエンが好ましく、さらに好ましくは、水−トルエンの2層系である。
本工程において、相関移動触媒を共存させると、反応が促進されることがあり、好ましい。使用する相間移動触媒としては、例えばテトラブチルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、ベンジルトリエチルアンモニウムブロミド、トリオクチルメチルアンモニウムクロリド、トリオクチルメチルアンモニウムブロミド等の四級アンモニウム塩類;テトラブチルホスホニウムクロリド、テトラブチルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムクロリド、テトラフェニルホスホニウムブロミド等のホスホン酸塩類;15−クラウン−5、18−クラウン−6等のクラウンエ−テル類;ポリエチレングリコール等のポリエーテル類等を使用することができる。好ましくはは四級アンモニウム塩類であり、さらに好ましくはテトラブチルアンモニウムブロミドである。
相間移動触媒を共存させる場合の使用量としては、好ましくは光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体に対して、0.001〜200mol%であり、より好ましくは、0.01〜100mol%である。
本反応における基質、触媒及び溶媒の添加順序に特に制限はない。
反応終了後、反応液から生成物を取得するためには、一般的な後処理を行えばよい。例えば、反応終了後の反応液に水を加え、一般的な抽出溶媒、例えば、酢酸エチル、ジエチルエーテル、塩化メチレン、トルエン、ヘキサン等を用いて抽出操作を行う。得られた抽出液から、減圧加熱等の操作により反応溶媒および抽出溶媒を留去すると、目的化合物が得られる。また、反応終了後、減圧加熱等の操作により反応溶媒を留去してから同様の操作を行っても良い。このようにして得られる目的物は、ほぼ純粋なものであるが、晶析精製、分別蒸留、カラムクロマトグラフィー等、一般的な手法により精製を加え、さらに純度を高めても良い。
また、本発明によって効率よく製造できる光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体(5)は、光学活性化合物としては文献未記載の新規化合物である。本化合物は、本発明者らによる検討の結果、上記製造法によって発明され、医薬品中間体としての用途が開発された。
本発明の化合物である光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体(5)においてAr、R、R6、m、*2は前記に同じである。
Arとして好ましくは、1〜3つのトリフルオロメチル基、フルオロ基またはトリフルオロメトキシ基に置換されたフェニル基であり、さらに好ましくは、1〜3つのトリフルオロメチル基に置換されたフェニル基である。具体的には2−、3−、または4−トリフルオロメチル置換フェニル基、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、または3,5−ビス(トリフルオロメチル)置換フェニル基、2,3,4−、2,3,5−、2,3,6−、2,4,5−、2,4,6−、または3,4,5−トリス(トリフルオロメチル)置換フェニル基、である。さらに好ましくは3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル基である。
Rとして好ましくは無置換のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
6としては無置換のアルキル基が好ましく、さらに好ましくは、メチル基、エチル基である。
mとして好ましくは、1または2であり、2−位に一置換、3−位に一置換、4−位に一置換、2,4−位に二置換がより好ましい。具体的には、ニトロ基の置換したフェニル基が、2−ニトロフェニル基、3−ニトロフェニル基、4−ニトロフェニル基、2,4−ジニトロフェニル基である。さらに好ましくは、mが1であり、ニトロ基の置換したフェニル基が2−ニトロフェニル基、3−ニトロフェニル基、4−ニトロフェニル基である。
*2は(R)−体であっても良いし、(S)−体であっても良いが、好ましくは(R)−体である。
以下に例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
α−メチル−3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンジルアルコール(3.87mmmol)、N−メチル−2−ニトロベンゼンスルホニルアミド(3.87mmol)、トリフェニルホスフィン(4.64mmmol)からなるトルエン(6mL)懸濁液に対して、ジイソプロピルアゾジカルボキシレート(4.64mmmol)のトルエン(1.7mL)溶液を、内温10〜19℃にて滴下した。滴下終了後1時間の攪拌を行なったのち、ヘキサン(3mL)を添加し、さらに1時間の攪拌を行った。析出した固体をろ別し、母液を減圧濃縮し、粗生成物を得た。HPLCで標品と比較分析した結果、下記式;
Figure 0005087404
で示される(R)−N−メチル−N−[α−メチル−3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンジル]−2−ニトロベンゼンスルホニルアミドが1.57g含有していることが確認された(収率89%)。得られた粗生成物はそのまま次工程に使用した。
1H−NMR(400MHz,CDCl3) δ1.60(3H,d),2.73(3H,s),5.37−5.42(1H,q),7.66−7.79(6H,m),8.05−8.07(1H,m)
(実施例2)
実施例1で得られた(R)−N−メチル−N−[α−メチル−3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンジル]−2−ニトロベンゼンスルホニルアミド(12.95mmol)、テトラブチルアンモニウムブロミド(1.30mmol)、n−ドデカンチオール(14.25mmol)を含有するトルエン(20mL)溶液に対して、内温が25℃を超えないように、3M水酸化ナトリウム水溶液(38.58mmol、12.9mL)を添加した。添加終了後、内温20〜25℃にて1時間の攪拌を行った。反応溶液に水(10mL)を添加し、分液操作により、有機層を取得した。取得した有機層に水(30mL)を加え、これに濃塩酸を添加することで、系内のpHを1.8(内温25℃)とし、分液操作により水層を取得した。得られた水層に酢酸エチル(30mL)を加え、これに30wt%水酸化ナトリウム水溶液を添加することで、系内のpHを8.0(内温23℃)とし、分液操作により有機層を取得した。得られた有機層を減圧加熱濃縮し、(R)−N−メチル−1−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]エチルアミンを2.76g得た。収率は79%であった。粗生成物の光学純度は99.7%eeであり、2ステップの不斉転写率は99.7%で、窒素求核剤による置換反応は反転で進行した。
不斉転写率は以下の式で算出できる。
不斉転写率(%)=(反応生成物の光学純度(%ee)/反応基質(原料)の光学純度(%ee))X100
(実施例3)
実施例1で得られた(R)−N−メチル−N−[α−メチル−3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンジル]−2−ニトロベンゼンスルホニルアミド(0.66mmol)、ベンゼンチオール(0.79mmol)、炭酸カリウム(1.98mmol)、ジメチルホルムアミド(DMF)(3mL)を含有する懸濁溶液を、内温24℃にて2時間の攪拌を行なった。反応溶液にトルエン(15mL)、水(5mL)を添加し、分液操作により、有機層を取得した。取得した有機層に水(10mL)を加え、これに濃塩酸を添加することで、系内のpHを1.7(内温23℃)とし、分液操作により水層を取得した。得られた水層をHPLCで標品と比較分析した結果、(R)−N−メチル−1−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]エチルアミンが158mg含有していることが確認された。収率は89%であった。粗生成物の光学純度は99.5%eeであり、2ステップの不斉転写率は99.5%で、窒素求核剤による置換反応は反転で進行した。
(実施例4)
実施例1で得られた(R)−N−メチル−N−[α−メチル−3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンジル]−2−ニトロベンゼンスルホニルアミド(3.51mmol)、水酸化リチウム一水和物(10.52mmol)、ジメチルスルホキシド(DMSO)(3mL)を含有する懸濁溶液に、内温27〜31℃にてn−ドデカンチオール(3.86mmol)のDMSO(1mL)溶液を添加した。添加終了後、3時間の攪拌を行なった。反応溶液にトルエン(21mL)、水(13mL)を添加し、分液操作により、有機層を取得した。取得した有機層に水(20mL)を加え、これに濃塩酸を添加することで、系内のpHを1.9(内温23℃)とし、分液操作により水層を取得した。得られた水層をHPLCで標品と比較分析した結果、(R)−N−メチル−1−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]エチルアミンが857mg含有していることが確認された。収率は90%であった。粗生成物の光学純度は99.5%eeであり、2ステップの不斉転写率は99.5%で、窒素求核剤による置換反応は反転で進行した。
(実施例5)
(S)−1−フェニル−1−プロパノール(4.04mmmol)(96.3%ee)、N−ベンジル−2−ニトロベンゼンスルホンアミド(4.45mmol)、トリフェニルホスフィン(6.06mmmol)からなるトルエン(5mL)懸濁液に対して、ジイソプロピルアゾジカルボキシレート(6.06mmmol)のトルエン(1.0mL)溶液を、内温−3℃に保ちながら滴下した。滴下終了後1時間の攪拌を行なったのち、ヘキサン(2.5mL)を添加し、さらに1時間の攪拌を行った。析出した固体をろ別し、母液を減圧濃縮し、粗生成物を得た。HPLCで標品と比較分析した結果、(R)−N−ベンジル−N−(1−フェニルプロピル)−2−ニトロベンゼンスルホンアミドが1.55g含有していることが確認された(収率94%)。得られた粗生成物はそのまま次工程に使用した。
1H−NMR(400MHz,CDCl3) δ0.78(3H,t),1.88−1.95(2H,m),4.37(2H,dd),4.97−5.00(1H,m),7.12−7.62(14H,m)
(実施例6)
実施例5で得られた(R)−N−ベンジル−N−(1−フェニルプロピル)−2−ニトロベンゼンスルホンアミド(3.79mmol)、テトラブチルアンモニウムブロミド(0.38mmol)、1M水酸化ナトリウム水溶液(11.37mmol、11.4mL)とトルエン(12mL)を混合し、内温30〜35℃にて、n−ドデカンチオール(5.68mmol)を添加した。添加終了後、同温にて4時間の攪拌を行ったのち、分液操作により、有機層を取得した。取得した有機層に水(15mL)を加え、これに濃塩酸を添加することで、系内のpHを1.7(内温27℃)とし、その後分液操作を行い水層を取得した。得られた水層に30wt%水酸化ナトリウム水溶液を添加することで、系内のpHを9.7(内温23℃)とし、酢酸エチル(20mL)を添加後、分液操作により有機層を取得した。得られた有機層を減圧加熱濃縮し、(R)−N−ベンジル−1−フェニルプロピルアミンを0.62g得た。収率は64%であった。生成物の光学純度は90.0%eeであり、2ステップの不斉転写率は93.5%で、窒素求核剤による置換反応は反転で進行した。
1H−NMR(400MHz,CDCl3) δ0.80(3H,t),1.59−1.80(3H,m),3.46−3.66(3H,m),7.21−7.36(10H,m)
(実施例7)
(S)−1,2−ジフェニルエタノール(4.04mmmol)(96.6%ee)、N−エチル−2−ニトロベンゼンスルホンアミド(4.45mmol)、トリフェニルホスフィン(6.06mmmol)を含有するトルエン(5mL)懸濁液に対して、ジイソプロピルアゾジカルボキシレート(6.06mmmol)のトルエン(1.0mL)溶液を、内温−3℃に保ちながら滴下した。滴下終了後19時間の攪拌を行なったのち、水(10.0mL)を添加した。反応液をトルエン(20.0mL)にて抽出した後、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄を行った。得られた抽出液はそのまま次工程に使用した。HPLCで標品と比較分析した結果、(R)−N−エチル−N−(1,2−ジフェニルエチル)−2−ニトロベンゼンスルホンアミドが0.61g含有していることが確認された(収率37%)。
1H−NMR(400MHz,CDCl3) δ0.97(3H,t),3.26−3.47(4H,m),5.37−5.41(1H,m),7.05−7.64(14H,m)
(実施例8)
実施例7で得られた(R)−N−エチル−N−(1,2−ジフェニルエチル)−2−ニトロベンゼンスルホンアミド(1.49mmol)のトルエン溶液(18ml)、テトラブチルアンモニウムブロミド(0.15mmol)、1M水酸化ナトリウム水溶液(4.47mmol、4.5mL)からなる懸濁液に対して、内温が30〜35℃にて、n−ドデカンチオール(2.23mmol)を添加した。添加終了後、同温にて18時間の攪拌を行った後、分液操作により、有機層を取得した。取得した有機層に水(15mL)を加え、これに濃塩酸を添加することで、系内のpHを0.6(内温27℃)とした後、分液操作により水層を取得した。得られた水層に30wt%水酸化ナトリウム水溶液を添加することで、系内のpHを9.7(内温23℃)とし、酢酸エチル(20mL)を添加後、分液操作を行うことで有機層を取得した。得られた有機層を減圧加熱濃縮し、(R)−N−エチル−1,2−ジフェニルエチルアミンを0.33g得た。収率は83%であった。生成物の光学純度は93.6%eeであり、2ステップの不斉転写率は96.9%で、窒素求核剤による置換反応は反転で進行した。
1H−NMR(400MHz,CDCl3) δ0.97(3H,d),1.51(1H,br),2.35−2.50(2H,m),2.87−2.96(2H,m),3.83−3.87(1H,m)、7.16−7.32(10H,m)

Claims (4)

  1. 一般式(7);
    Figure 0005087404
    (式中、Arは炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基、または、炭素数4〜20の置換もしくは無置換のヘテロ芳香族基を表す。Rは炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基または炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。R6は、水素、炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基または炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。*2は不斉炭素を表す。)で示される光学活性ベンジルアミン誘導体の製造方法であって、一般式(5);
    Figure 0005087404
    (式中、Ar、R、R、および*2は前記に同じ。mは1〜3の整数を表す。)で示される光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体、一般式(6);
    7SM (6)
    (式中、R7は、水素、炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基または炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。Mは水素、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を表す。)で示されるチオール誘導体とを、水−トルエンの2層系を溶媒とし、相間移動触媒を共存させて反応させることを特徴とする製造方法。
  2. さらに、塩基を共存させて行うことを特徴とする請求項1記載の製造方法。
  3. 前記一般式(5);
    Figure 0005087404
    (式中、Ar、R、R6、m、および*2は前記に同じ。)で表される光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体が、
    一般式(1);
    Figure 0005087404
    (式中、ArおよびRは前記に同じ。*1は不斉炭素を表す。)で示される光学活性ベンジルアルコール誘導体を、一般式(4);
    Figure 0005087404
    (式中、R6およびmは前記に同じ)で示されるスルホニルアミド誘導体と反応させることによって得られる、請求項1または2記載の製造方法。
  4. 前記一般式(5)で表される光学活性ベンジルスルホニルアミド誘導体が、
    一般式(2);
    Figure 0005087404
    (式中、R1,R2,R3は、それぞれ独立して、炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリール基または炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキル基を表す。)で示されるホスフィン誘導体と、
    一般式(3);
    Figure 0005087404
    (式中、R4,R5は、それぞれ独立して、炭素数1〜18の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数6〜20の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、炭素数7〜20の置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、または、置換もしくは無置換のアミノ基を表す。)で示されるアゾジカルボニル化合物の存在下にて、反応を行うことで得られる、請求項3記載の製造方法。
JP2007537630A 2005-09-27 2006-09-27 光学活性ベンジルアミン誘導体の製造方法 Expired - Fee Related JP5087404B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007537630A JP5087404B2 (ja) 2005-09-27 2006-09-27 光学活性ベンジルアミン誘導体の製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005279003 2005-09-27
JP2005279003 2005-09-27
PCT/JP2006/319106 WO2007037242A1 (ja) 2005-09-27 2006-09-27 光学活性ベンジルアミン誘導体の製造方法
JP2007537630A JP5087404B2 (ja) 2005-09-27 2006-09-27 光学活性ベンジルアミン誘導体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2007037242A1 JPWO2007037242A1 (ja) 2009-04-09
JP5087404B2 true JP5087404B2 (ja) 2012-12-05

Family

ID=37899666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007537630A Expired - Fee Related JP5087404B2 (ja) 2005-09-27 2006-09-27 光学活性ベンジルアミン誘導体の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20090275779A1 (ja)
EP (1) EP1942103A1 (ja)
JP (1) JP5087404B2 (ja)
WO (1) WO2007037242A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10195038A (ja) * 1996-11-13 1998-07-28 Hokuriku Seiyaku Co Ltd ベンゼンスルホンアミド誘導体及びそれを含有する医薬
WO2002022549A1 (fr) * 2000-09-14 2002-03-21 Kaneka Corporation Procede d'extraction de nitrobenzenesulfonyle

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3830727B2 (ja) 2000-05-11 2006-10-11 セントラル硝子株式会社 光学活性α−メチル−ビス−3,5−(トリフルオロメチル)ベンジルアミンの製造方法
US6797842B2 (en) * 2000-05-11 2004-09-28 Central Glass Company, Limited Process for producing optically active 1-(fluoro- or trifluoromethyl-substituted phenyl) ethylamine and process for purifying same
US7704995B2 (en) * 2002-05-03 2010-04-27 Exelixis, Inc. Protein kinase modulators and methods of use

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10195038A (ja) * 1996-11-13 1998-07-28 Hokuriku Seiyaku Co Ltd ベンゼンスルホンアミド誘導体及びそれを含有する医薬
WO2002022549A1 (fr) * 2000-09-14 2002-03-21 Kaneka Corporation Procede d'extraction de nitrobenzenesulfonyle

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007037242A1 (ja) 2007-04-05
EP1942103A1 (en) 2008-07-09
JPWO2007037242A1 (ja) 2009-04-09
US20090275779A1 (en) 2009-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8222452B2 (en) Method for producing optically active amines
JP2005206527A (ja) 光学活性trans−4−アミノ−1−ベンジル−3−ピロリジノール誘導体の製造方法
JP5087404B2 (ja) 光学活性ベンジルアミン誘導体の製造方法
US20100081845A1 (en) Process for Production of Optically Active Benzylamine Derivatives
WO2011118625A1 (ja) 光学活性なn-モノアルキル-3-ヒドロキシ-3-アリールプロピルアミン化合物の製造方法
JP6477187B2 (ja) 2−アミノ−6−メチルニコチン酸エステルの製造方法
CN107108490B (zh) 含氮五氟硫基苯化合物的制造方法
US8835677B2 (en) Methods for producing aminonitrobenzoic acids
CN110494417B (zh) N-取代的芳族羟胺的生产
JP4356111B2 (ja) N−(2−アミノ−1,2−ジシアノビニル)ホルムアミジンの製造方法
US8124790B2 (en) Preparation process useful in synthesis of atorvastatin
JP6431294B2 (ja) 5−(トリフルオロメチル)ピリミジン誘導体及びその製造法
US11459303B2 (en) Process for the synthesis of lofexidine
JP4271924B2 (ja) 4−メルカプトフェノール類の製造方法
JP2005097149A (ja) [3−[(2r)−[[(2r)−(3−クロロフェニル)−2−ヒドロキシエチル]アミノ]プロピル]−1h−インドール−7−イルオキシ]酢酸の溶媒和物
US20070249847A1 (en) Method for Producing Acetamidopyrrolidine Derivatives and Intermediate Compounds Thereof
JP2004300137A (ja) 2−(ジクロロフェニル)−4−フェニルイミダゾール化合物
EP1963309B1 (en) Method for producing metal salts of losartan
JP4156739B2 (ja) モノアシルピペラジン誘導体の製造方法
JP2004035522A (ja) N−メチルウレア類の製造方法
EP2128161A1 (en) Process for obtaining 4-hydroxy-6-methyl-5,6-dihydro-4H-thieno[2,3-b]thiopyran-7,7-dioxide and its enantiomers, and applications thereof
JPH10101629A (ja) 光学活性酪酸誘導体の製造方法
JP2008308458A (ja) ピリジンカルボニル化合物の製造方法
JP2000256306A (ja) 芳香族チオール類の製造法
JPH06345737A (ja) ナファゾリンまたはその塩の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090904

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090904

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120424

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120622

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120719

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120816

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120910

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5087404

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees