JP3830727B2 - 光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの製造方法 - Google Patents
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Landscapes
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医薬および農薬の重要中間体である光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンは、医薬および農薬の重要中間体である。該光学活性アミンの製造方法に関しては、J. Am. Chem. Soc., 112, 5741(1990)に１件報告されているのみで、J. Chem. Soc., Perkin Trans. 1, 2039(1985)記載のオキシム誘導体の不斉還元を参考にして合成している。しかしながら、その化学収率および光学純度は、それぞれ、１５％、７１％ｅｅ（Ｓ）と低く、該光学活性アミンの工業的に簡便で且つ効率の良い製造方法ではなかった。
【０００３】
また、本発明の技術的背景として、光学活性Ｎ−（アルキルベンジリデン）−α−メチルベンジルアミンの不斉還元がある。このタイプのジアステレオ選択的な１、３−不斉還元の研究は多く行われているが、得られる生成物が下記一般式［６］に示すような窒素原子に対して二つの同様なα−アルキルベンジル基を持つことになり、一般的なキラル補助基の除去方法である加水素分解では、キラル補助基側（ｂ）だけを選択的に切断することができず、これらの一連の技術は一般的な光学活性α−アルキルベンジルアミンの不斉合成法としては採用され難かった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記の１，３−不斉還元において、特に、本発明で対象とする一般式［４］で示される還元生成物の場合、アルキル基が共にメチル基であるため、切断箇所における立体的な嵩高さはほとんど同じである。このような場合には、アリール基上の置換基の電子的な効果を利用して選択的に切断するしかない。
【０００５】
しかしながら、このような研究は非常に限られており、特に、本発明で対象とするトリフルオロメチル基が２つ置換した下記一般式［７］で示される化合物の選択的な加水素分解については全く報告されていない。また、不斉還元で優先的に得られる相対配置においてもキラル補助基側（ｂ）で選択的に切断できるかについては全く不明であった。
【０００６】
【化８】
【０００７】
［式中、Ｒは、アルキル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］
【０００８】
【化９】
【０００９】
［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記の課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、ビス−３，５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンと光学活性一級アミンを酸性条件下、脱水縮合することによって得られる光学活性イミンを不斉還元することにより、光学活性二級アミンに変換し、該二級アミンを加水素分解することにより、光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンが高い不斉純度で収率良く製造できることを見出した。
【００１１】
本発明の方法は、次のスキーム１で表される。
【００１２】
【化１０】
【００１３】
すなわち、本発明は、
（１）一般式［３］
【００１４】
【化１１】
【００１５】
［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される光学活性イミンを不斉還元することにより、一般式［４］
【００１６】
【化１２】
【００１７】
［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される光学活性二級アミンに変換し、該二級アミンを加水素分解することにより、式［５］
【００１８】
【化１３】
【００１９】
［式中、＊は、不斉炭素を表す］で示される光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンを製造する方法である。
【００２０】
また、本発明は、
（２） 一般式［３］で示される光学活性イミンが、式［１］
【００２１】
【化１４】
【００２２】
で示されるビス−３，５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンと、一般式［２］
【００２３】
【化１５】
【００２４】
［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される光学活性一級アミンを酸性条件下、脱水縮合することによって得られる光学活性イミンである上記の製造方法である。
【００２５】
また、本発明は、
（３） 一般式［３］
【００２６】
【化１６】
【００２７】
［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される光学活性イミンである。
【００２８】
また、本発明は、
（４） 一般式［４］
【００２９】
【化１７】
【００３０】
［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される光学活性二級アミンである。
【００３１】
また、本発明は、
（５）一般式［３］、［４］、［２］、または、式［５］で示される化合物の立体化学が、Ｒ体（またはＳ体）である（１）、または、（２）に記載した製造方法である。
【００３２】
また、本発明は、
（６）一般式［３］、または、［４］で示される化合物の立体化学が、Ｒ体（またはＳ体）である（３）、または、（４）に記載した化合物である。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの製造方法について詳細に説明する。
【００３４】
本発明の製造方法は、ビス−３，５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンと光学活性一級アミンを酸性条件下、脱水縮合することにより光学活性イミンを製造する過程（第一過程）、該光学活性イミンを不斉還元することにより光学活性二級アミンを製造する過程（第二過程）および該光学活性二級アミンを加水素分解することにより光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンを製造する過程（第三過程）の三つよりなる。
【００３５】
本発明の第一過程において、一般式［３］で示される光学活性イミンを以下の方法により工業的に簡便で且つ効率良く製造することができる。
【００３６】
すなわち、式［１］で示されるビス−３，５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンと一般式［２］で示される光学活性一級アミンを酸性条件下、脱水縮合することにより製造することができる。
【００３７】
一般式［２］で示される光学活性一級アミンとしては、１−フェニルエチルアミン、１−１’−ナフチルエチルアミン、１−２’−ナフチルエチルアミン等が挙げられる。その中でも、１−フェニルエチルアミンおよび１−２’−ナフチルエチルアミンが好ましく、特に、１−フェニルエチルアミンがより好ましい。また、該光学活性一級アミンにはＲ体またはＳ体が存在するため、それから誘導される一般式［３］で示される光学活性イミンにもＲ体またはＳ体が存在するが、これらの鏡像体は目的とする生成物の絶対配置に応じて適宜使い分ければよい。
【００３８】
一般式［２］で示される光学活性一級アミンの使用量は、通常は式［１］で示されるビス−３，５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンに対して、１モル当量以上使用すればよく、１〜１０モル当量が好ましく、特に、１〜５モル当量がより好ましい。
【００３９】
本反応は、式［１］で示されるケトンと一般式［２］で示される光学活性一級アミンの脱水縮合であるため、酸性条件下、副生する水を除きながら反応を行う。好ましくは、水と混和せず、水よりも比重が小さく、水と共沸する溶媒を用いて、還流条件下、ディーン・スターク管で副生する水を除く。
【００４０】
使用される溶媒としては、水と共沸する溶媒であればよく、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンおよびメシチレン等の芳香族炭化水素系が好ましく、特に、トルエンがより好ましい。これらの溶媒は、単独または組み合わせて用いることができる。
【００４１】
溶媒の使用量としては、理論的に副生する水の量を共沸除去できるだけの溶媒量を必要とするが、ディーン・スターク管を用いることにより使用量を極端に減らすことができる。
【００４２】
本脱水縮合において使用される酸触媒としては、ｐ−トルエンスルホン酸、１０−カンファースルホン酸等の有機酸、塩酸、硫酸、リン酸等の無機酸が挙げられる。その中でも、ｐ−トルエンスルホン酸および硫酸が好ましく、特に、ｐ−トルエンスルホン酸がより好ましい。
【００４３】
酸触媒の使用量としては、式［１］で示されるケトンに対して、触媒量使用すればよく、０．００１〜１モル当量が好ましく、特に、０．００５〜０．５モル当量がより好ましい。
【００４４】
本脱水縮合の温度条件は、使用する溶媒と水の共沸温度から溶媒の沸点までの範囲で行なうことができ、特に、使用する溶媒の沸点付近がより好ましい。
【００４５】
本発明の第一過程の後処理においては、反応終了後、通常の後処理操作を行うことによって、粗生成物を得ることができる。粗生成物は、必要に応じて、活性炭、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の精製操作を行い、目的の一般式［３］で示される光学活性イミンを高い純度で得ることができる。また、単離精製せずに第二過程の不斉還元に用いることができる。具体的には、反応終了液をそのまま、または、反応終了液を炭酸水素ナトリウムまたは水酸化ナトリウム等のアルカリ水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムまたは無水硫酸ナトリウム等の乾燥剤で乾燥し、濾過して得られる該光学活性イミンのトルエン溶液等を用いることができる。
【００４６】
また、本発明の第二過程において、一般式［４］で示される光学活性二級アミンを以下の方法により工業的に簡便で且つ効率良く製造することができる。
【００４７】
すなわち、第一過程で製造した一般式［３］で示される光学活性イミンを遷移金属錯体を用いる接触還元（第二過程▲１▼法）またはハイドライド還元（第二過程▲２▼法）することにより製造することができる。
【００４８】
初めに、遷移金属錯体を用いる接触還元（第二過程▲１▼法）について詳細に説明する。
【００４９】
遷移金属錯体としては、酸化白金、白金／活性炭、白金黒等の白金触媒、還元ニッケル、ラネーニッケル、白金付きラネーニッケル等のニッケル触媒、ラネーコバルト等のコバルト触媒、還元銅、銅−クロム酸化物等の銅触媒、亜鉛−クロム酸化物等の亜鉛触媒、酸化ルテニウム、ルテニウム／活性炭等のルテニウム触媒、ロジウム／活性炭、ロジウム／アルミナ、ロジウム−酸化白金等のロジウム触媒、イリジウム黒等のイリジウム触媒、酸化レニウム等のレニウム触媒、パラジウム／活性炭、パラジウム黒、パラジウム／硫酸バリウム、パラジウム／炭酸ストロンチウム、パラジウム／炭酸カルシウム、パラジウム／炭酸カルシウム−二酢酸鉛、パラジウム／硫酸バリウム−キノリン、パラジウム／アルミナ、パラジウムスポンジ、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウムアセチルアセトナート、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ［ビス（トリフェニルホスフィン）］パラジウム、ジクロロ［ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン］パラジウム、ジクロロ［ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウム、ジクロロ［１、３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］パラジウム、ジクロロ［１、４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン］パラジウム、ジクロロ（１、５−シクロオクタジエン）パラジウム、ジクロロ［ビス（ベンゾニトリル）］パラジウム、ジクロロ［ビス（アセトニトリル）］パラジウム、酢酸［ビス（トリフェニルホスフィン）］パラジウム等のパラジウム触媒等が挙げられる。その中でも、白金触媒、ロジウム触媒およびパラジウム触媒が好ましく、特に、白金／活性炭、ロジウム／活性炭およびパラジウム／活性炭がより好ましい。
【００５０】
これらの触媒は、単独または組み合わせて用いることができる。金属を担体に担持させた触媒を用いる場合、その担持量は、０．１〜５０重量％であり、０．５〜３０重量％が好ましく、特に、１〜２０重量％がより好ましい。また、取り扱いの安全性を高めるために、または、金属表面の酸化を防ぐために、水、鉱油等にからませたものを使うこともできる。
【００５１】
遷移金属錯体の触媒量は、通常は一般式［３］で示される光学活性イミンに対して、０．０１〜５０重量％であり、０．５〜３０重量％が好ましく、特に、１〜２０重量％がより好ましい。
【００５２】
接触還元の水素の量は、通常は一般式［３］で示される光学活性イミンに対して、１モル当量以上使用すればよいが、通常は反応系を水素雰囲気下で行うため大過剰使用する。
【００５３】
接触還元の水素圧は、０．０１〜１０ＭＰａであり、０．０５〜５ＭＰａが好ましく、特に、０．１〜２ＭＰａがより好ましい。
接触還元の水素源は、分子状水素以外に、ギ酸、ギ酸アンモニウム、ヒドラジン等を用いることができる。
【００５４】
接触還元で使用される溶媒としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｃ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系、塩化メチレン、クロロホルム、１、２−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサン等のエーテル系、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール等のアルコール系、酢酸、プロピオン酸、酪酸等のカルボン酸系、塩酸、硫酸、臭化水素酸、ｐ−トルエンスルホン酸、１０−カンファースルホン酸等の酸性水溶液、水等が挙げられる。その中でも、トルエン、酢酸エチル、メタノール、エタノール、ｉ−プロパノール、酢酸、塩酸水溶液が好ましく、特に、メタノール、エタノール、ｉ−プロパノール、塩酸水溶液がより好ましい。これらの溶媒は単独または組み合わせて用いることができる。
【００５５】
接触還元の温度範囲は、−５０〜１５０℃であり、−２５〜１００℃が好ましく、特に、０〜８０℃がより好ましい。
【００５６】
次に、ハイドライド還元剤による不斉還元（第二過程▲２▼法）について詳細に説明する。
【００５７】
ハイドライド還元剤としては、（ｉ−Ｂｕ）2ＡｌＨ、（ｉ−Ｂｕ）3Ａｌ、［２、６−（ｔ−Ｂｕ）2−４−Ｍｅ］Ａｌ（ｉ−Ｂｕ）2、ＬｉＡｌＨ4、ＬｉＡｌＨ（ＯＭｅ）3、ＬｉＡｌＨ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）3、ＮａＡｌＨ2（ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3）2等のアルミニウムハイドライド系、ジボラン、ＢＨ3・ＴＨＦ、ＢＨ3・ＳＭｅ2、ＢＨ3・ＮＭｅ3、９−ＢＢＮ、ＮａＢＨ4、ＮａＢＨ4−ＣｅＣｌ3、ＬｉＢＨ4、Ｚｎ（ＢＨ4）2、Ｃａ（ＢＨ4）2、Ｌｉｎ−ＢｕＢＨ3、ＮａＢＨ（ＯＭｅ）3、ＮａＢＨ（ＯＡｃ）3、ＮａＢＨ3ＣＮ、Ｅｔ4ＮＢＨ4、Ｍｅ4ＮＢＨ（ＯＡｃ）3、（ｎ−Ｂｕ）4ＮＢＨ3ＣＮ、（ｎ−Ｂｕ）4ＮＢＨ（ＯＡｃ）3、Ｌｉ（ｓ−Ｂｕ）3ＢＨ、Ｋ（ｓ−Ｂｕ）3ＢＨ、ＬｉＳｉａ3ＢＨ、ＫＳｉａ3ＢＨ、ＬｉＥｔ3ＢＨ、ＫＰｈ3ＢＨ、（Ｐｈ3Ｐ）2ＣｕＢＨ4、ＴｈｘＢＨ2、Ｓｉａ2ＢＨ、カテコールボラン、ＩｐｃＢＨ2、Ｉｐｃ2ＢＨ等のホウ素ハイドライド系、Ｅｔ3ＳｉＨ、ＰｈＭｅ2ＳｉＨ、Ｐｈ2ＳｉＨ2、ＰｈＳｉＨ3−Ｍｏ（ＣＯ）6等のケイ素ハイドライド系等が挙げられる。その中でも、ＬｉＡｌＨ4、ジボラン、ＮａＢＨ4およびＬｉＢＨ4が好ましく、特に、ＬｉＡｌＨ4およびＮａＢＨ4がより好ましい。これらのハイドライド還元剤は、各種無機塩の存在下、行うこともできる。
【００５８】
ハイドライド還元剤の使用量は、通常は一般式［３］で示される光学活性イミンに対して、１モル当量以上使用すればよく、１〜１０モル当量が好ましく、特に、１〜７モル当量がより好ましい。
【００５９】
ハイドライド還元で使用される溶媒としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｃ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系、塩化メチレン、クロロホルム、１、２−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサン等のエーテル系、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール等のアルコール系、酢酸、プロピオン酸、酪酸等のカルボン酸系等が挙げられる。その中でも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ｔ−ブチルメチルエーテル、メタノール、エタノール、ｉ−プロパノールが好ましく、特に、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール、ｉ−プロパノールがより好ましい。これらの溶媒は、単独または組み合わせて用いることができる。
【００６０】
ハイドライド還元の温度範囲は、−１００〜１００℃であり、−８０〜８０℃が好ましく、特に、−６０〜６０℃がより好ましい。
【００６１】
本発明の第二過程の後処理においては、反応終了後、通常の後処理操作を行うことにより、粗生成物を得ることができる。得られた粗生成物は、必要に応じて、活性炭、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の精製操作を行うことにより、目的の一般式［４］で示される光学活性二級アミンを高い純度で得ることができる。
【００６２】
また、本発明の第三過程において、一般式［５］で示される光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンを以下の方法により工業的に簡便で且つ効率良く製造することができる。
【００６３】
すなわち、第二過程で製造した一般式［４］で示される光学活性二級アミンを加水素分解することにより製造することができる。
【００６４】
加水素分解の反応条件は、第二過程の遷移金属錯体を用いる接触還元の反応条件と基本的に同じであるが、加水素分解は不斉還元よりも厳しい反応条件を必要とする。従って、緩和な反応条件を選択することにより不斉還元だけを進行させ、反応終了液を取り出さずに、同じ耐圧反応容器内で引き続き加水素分解を行うこともできる。その際、遷移金属錯体を追加したり、水素圧または反応温度を上げることにより加水素分解を効率的に行うことができる。
【００６５】
本発明の第三過程の後処理においては、反応終了後、通常の後処理操作を行うことにより、粗生成物を得ることができる。得られた粗生成物は、必要に応じて、活性炭、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の精製操作を行うことにより、目的の式［５］で示される光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンを高い純度で得ることができる。
【００６６】
【実施例】
以下、実施例により、本発明の実施の形態を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６７】
実施例に示したα−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの絶対配置は、旋光度の実測値の符号と文献値を比較して決定した。また、それぞれの変換率、ジアステレオマー比および光学純度は、キラルＧＣ（ＣＰ−Ｃｈｉｒａｓｉｌ−Ｄｅｘ ＣＢ）により決定した。
【００６８】
［実施例１］
トルエン１００ｍｌに、ビス−３，５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトン １０ｇ（３９．０６ｍｍｏｌ、１ｅｑ）、（Ｓ）−１−フェニルエチルアミン ４．９６ｇ（４１．０２ｍｍｏｌ、１．０５ｅｑ）とｐ−トルエンスルホン酸・一水和物 ０．３７ｇ（１．９５ｍｍｏｌ、０．０５ｅｑ）を溶解し、２４時間加熱還流し、副生する水をディーン・スターク管で除いた。反応終了液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾過、濃縮、真空乾燥し、下記式
【００６９】
【化１８】
【００７０】
で示される光学活性イミン（３ａ）の粗生成物を定量的に得た。粗生成物はさらに精製を行わず不斉還元に用いた。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ＣＤＣｌ3）：１．５５（ｄ、６．４Ｈｚ、３Ｈ）、２．３３（ｓ、３Ｈ）、４．８７（ｑ、６．４Ｈｚ、１Ｈ）、７．２４（ｔ、７．８Ｈｚ、１Ｈ）、７．３５（ｔ、７．８Ｈｚ、２Ｈ）、７．４５（ｄ、７．８Ｈｚ、２Ｈ）、８．３１（ｓ、１Ｈ）、８．３８（ｓ、２Ｈ）．
［実施例２］
エタノール２ｍｌに、実施例１で製造した光学活性イミン（３ａ） ３５９ｍｇ（１ｍｍｏｌ）と５％パラジウム／活性炭（５０重量％含水） ７ｍｇ（２重量％）を加え、水素圧を０．２ＭＰａに設定し、室温で１２時間撹拌した。反応終了液をセライト濾過、濃縮、真空乾燥し、下記式
【００７１】
【化１９】
【００７２】
で示される光学活性二級アミン（４ａ）の粗生成物を得た。粗生成物の変換率とジアステレオマー比はキラルＧＣにより決定し、それぞれ１００％、ＳＳ：ＳＲ＝１．９：１であった。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ＣＤＣｌ3）：１．２８（ｄ、６．５Ｈｚ、３Ｈ）、１．２９（ｄ、６．４Ｈｚ、３Ｈ）、１．５８（ｂｒ、１Ｈ）、３．３９（ｑ、６．５Ｈｚ、１Ｈ）、３．６５（ｑ、６．４Ｈｚ、１Ｈ）、７．０５−７．４４（ｍ、５Ｈ）、７．７０（ｓ、２Ｈ）、７．７６（ｓ、１Ｈ）．
［実施例３−９］
（代表的な実験操作）
各種アルコール５ｍｌに、実施例１で製造した光学活性イミン（３ａ） ３５９ｍｇ（１ｍｍｏｌ、１ｅｑ）を溶解し、設定温度に冷却後、水素化ホウ素ナトリウム ３８ｍｇまたは水素化リチウムアルミニウム ３８ｍｇ（１ｍｍｏｌ、４ｅｑ）を加え、所定時間撹拌した。反応終了液に、０．１Ｎ塩酸を加えて反応を終了させ、酢酸エチルで抽出、０．５Ｎ水酸化ナトリウムで洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾過、濃縮、真空乾燥し、実施例２と同じ光学活性二級アミン（４ａ）の粗生成物を得た。粗生成物の変換率とジアステレオマー比はキラルＧＣにより決定した。各実施例の反応条件と結果を表１にまとめた。
【００７３】
【化２０】
【００７４】
【表１】
【００７５】
［実施例１０］
エタノール２ｍｌに、実施例８で製造した光学活性二級アミン（４ａ）の粗生成物 １８１ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）と５％パラジウム／活性炭（５０重量％含水） １８ｍｇ（１０重量％）を加え、水素圧を０．２ＭＰａに設定し、５５℃で１２時間撹拌した。反応終了液をセライト濾過、濃縮、真空乾燥し、（Ｓ）−α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの粗生成物９６ｍｇを得た。収率は７５％であった。粗生成物の光学純度はキラルＧＣにより決定し、７６％ｅｅであった。
【００７６】
【発明の効果】
医薬および農薬の重要中間体である光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンを工業的に簡便で且つ効率良く製造できる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、医薬および農薬の重要中間体である光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンは、医薬および農薬の重要中間体である。該光学活性アミンの製造方法に関しては、J. Am. Chem. Soc., 112, 5741(1990)に１件報告されているのみで、J. Chem. Soc., Perkin Trans. 1, 2039(1985)記載のオキシム誘導体の不斉還元を参考にして合成している。しかしながら、その化学収率および光学純度は、それぞれ、１５％、７１％ｅｅ（Ｓ）と低く、該光学活性アミンの工業的に簡便で且つ効率の良い製造方法ではなかった。
【０００３】
また、本発明の技術的背景として、光学活性Ｎ−（アルキルベンジリデン）−α−メチルベンジルアミンの不斉還元がある。このタイプのジアステレオ選択的な１、３−不斉還元の研究は多く行われているが、得られる生成物が下記一般式［６］に示すような窒素原子に対して二つの同様なα−アルキルベンジル基を持つことになり、一般的なキラル補助基の除去方法である加水素分解では、キラル補助基側（ｂ）だけを選択的に切断することができず、これらの一連の技術は一般的な光学活性α−アルキルベンジルアミンの不斉合成法としては採用され難かった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記の１，３−不斉還元において、特に、本発明で対象とする一般式［４］で示される還元生成物の場合、アルキル基が共にメチル基であるため、切断箇所における立体的な嵩高さはほとんど同じである。このような場合には、アリール基上の置換基の電子的な効果を利用して選択的に切断するしかない。
【０００５】
しかしながら、このような研究は非常に限られており、特に、本発明で対象とするトリフルオロメチル基が２つ置換した下記一般式［７］で示される化合物の選択的な加水素分解については全く報告されていない。また、不斉還元で優先的に得られる相対配置においてもキラル補助基側（ｂ）で選択的に切断できるかについては全く不明であった。
【０００６】
【化８】
［式中、Ｒは、アルキル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］
【０００８】
【化９】
［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記の課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、ビス−３，５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンと光学活性一級アミンを酸性条件下、脱水縮合することによって得られる光学活性イミンを不斉還元することにより、光学活性二級アミンに変換し、該二級アミンを加水素分解することにより、光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンが高い不斉純度で収率良く製造できることを見出した。
【００１１】
本発明の方法は、次のスキーム１で表される。
【００１２】
【化１０】
すなわち、本発明は、
（１）一般式［３］
【００１４】
【化１１】
［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される光学活性イミンを不斉還元することにより、一般式［４］
【００１６】
【化１２】
［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される光学活性二級アミンに変換し、該二級アミンを加水素分解することにより、式［５］
【００１８】
【化１３】
［式中、＊は、不斉炭素を表す］で示される光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンを製造する方法である。
【００２０】
また、本発明は、
（２） 一般式［３］で示される光学活性イミンが、式［１］
【００２１】
【化１４】
で示されるビス−３，５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンと、一般式［２］
【００２３】
【化１５】
［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される光学活性一級アミンを酸性条件下、脱水縮合することによって得られる光学活性イミンである上記の製造方法である。
【００２５】
また、本発明は、
（３） 一般式［３］
【００２６】
【化１６】
［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される光学活性イミンである。
【００２８】
また、本発明は、
（４） 一般式［４］
【００２９】
【化１７】
［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される光学活性二級アミンである。
【００３１】
また、本発明は、
（５）一般式［３］、［４］、［２］、または、式［５］で示される化合物の立体化学が、Ｒ体（またはＳ体）である（１）、または、（２）に記載した製造方法である。
【００３２】
また、本発明は、
（６）一般式［３］、または、［４］で示される化合物の立体化学が、Ｒ体（またはＳ体）である（３）、または、（４）に記載した化合物である。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの製造方法について詳細に説明する。
【００３４】
本発明の製造方法は、ビス−３，５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンと光学活性一級アミンを酸性条件下、脱水縮合することにより光学活性イミンを製造する過程（第一過程）、該光学活性イミンを不斉還元することにより光学活性二級アミンを製造する過程（第二過程）および該光学活性二級アミンを加水素分解することにより光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンを製造する過程（第三過程）の三つよりなる。
【００３５】
本発明の第一過程において、一般式［３］で示される光学活性イミンを以下の方法により工業的に簡便で且つ効率良く製造することができる。
【００３６】
すなわち、式［１］で示されるビス−３，５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンと一般式［２］で示される光学活性一級アミンを酸性条件下、脱水縮合することにより製造することができる。
【００３７】
一般式［２］で示される光学活性一級アミンとしては、１−フェニルエチルアミン、１−１’−ナフチルエチルアミン、１−２’−ナフチルエチルアミン等が挙げられる。その中でも、１−フェニルエチルアミンおよび１−２’−ナフチルエチルアミンが好ましく、特に、１−フェニルエチルアミンがより好ましい。また、該光学活性一級アミンにはＲ体またはＳ体が存在するため、それから誘導される一般式［３］で示される光学活性イミンにもＲ体またはＳ体が存在するが、これらの鏡像体は目的とする生成物の絶対配置に応じて適宜使い分ければよい。
【００３８】
一般式［２］で示される光学活性一級アミンの使用量は、通常は式［１］で示されるビス−３，５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンに対して、１モル当量以上使用すればよく、１〜１０モル当量が好ましく、特に、１〜５モル当量がより好ましい。
【００３９】
本反応は、式［１］で示されるケトンと一般式［２］で示される光学活性一級アミンの脱水縮合であるため、酸性条件下、副生する水を除きながら反応を行う。好ましくは、水と混和せず、水よりも比重が小さく、水と共沸する溶媒を用いて、還流条件下、ディーン・スターク管で副生する水を除く。
【００４０】
使用される溶媒としては、水と共沸する溶媒であればよく、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンおよびメシチレン等の芳香族炭化水素系が好ましく、特に、トルエンがより好ましい。これらの溶媒は、単独または組み合わせて用いることができる。
【００４１】
溶媒の使用量としては、理論的に副生する水の量を共沸除去できるだけの溶媒量を必要とするが、ディーン・スターク管を用いることにより使用量を極端に減らすことができる。
【００４２】
本脱水縮合において使用される酸触媒としては、ｐ−トルエンスルホン酸、１０−カンファースルホン酸等の有機酸、塩酸、硫酸、リン酸等の無機酸が挙げられる。その中でも、ｐ−トルエンスルホン酸および硫酸が好ましく、特に、ｐ−トルエンスルホン酸がより好ましい。
【００４３】
酸触媒の使用量としては、式［１］で示されるケトンに対して、触媒量使用すればよく、０．００１〜１モル当量が好ましく、特に、０．００５〜０．５モル当量がより好ましい。
【００４４】
本脱水縮合の温度条件は、使用する溶媒と水の共沸温度から溶媒の沸点までの範囲で行なうことができ、特に、使用する溶媒の沸点付近がより好ましい。
【００４５】
本発明の第一過程の後処理においては、反応終了後、通常の後処理操作を行うことによって、粗生成物を得ることができる。粗生成物は、必要に応じて、活性炭、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の精製操作を行い、目的の一般式［３］で示される光学活性イミンを高い純度で得ることができる。また、単離精製せずに第二過程の不斉還元に用いることができる。具体的には、反応終了液をそのまま、または、反応終了液を炭酸水素ナトリウムまたは水酸化ナトリウム等のアルカリ水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムまたは無水硫酸ナトリウム等の乾燥剤で乾燥し、濾過して得られる該光学活性イミンのトルエン溶液等を用いることができる。
【００４６】
また、本発明の第二過程において、一般式［４］で示される光学活性二級アミンを以下の方法により工業的に簡便で且つ効率良く製造することができる。
【００４７】
すなわち、第一過程で製造した一般式［３］で示される光学活性イミンを遷移金属錯体を用いる接触還元（第二過程▲１▼法）またはハイドライド還元（第二過程▲２▼法）することにより製造することができる。
【００４８】
初めに、遷移金属錯体を用いる接触還元（第二過程▲１▼法）について詳細に説明する。
【００４９】
遷移金属錯体としては、酸化白金、白金／活性炭、白金黒等の白金触媒、還元ニッケル、ラネーニッケル、白金付きラネーニッケル等のニッケル触媒、ラネーコバルト等のコバルト触媒、還元銅、銅−クロム酸化物等の銅触媒、亜鉛−クロム酸化物等の亜鉛触媒、酸化ルテニウム、ルテニウム／活性炭等のルテニウム触媒、ロジウム／活性炭、ロジウム／アルミナ、ロジウム−酸化白金等のロジウム触媒、イリジウム黒等のイリジウム触媒、酸化レニウム等のレニウム触媒、パラジウム／活性炭、パラジウム黒、パラジウム／硫酸バリウム、パラジウム／炭酸ストロンチウム、パラジウム／炭酸カルシウム、パラジウム／炭酸カルシウム−二酢酸鉛、パラジウム／硫酸バリウム−キノリン、パラジウム／アルミナ、パラジウムスポンジ、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウムアセチルアセトナート、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ［ビス（トリフェニルホスフィン）］パラジウム、ジクロロ［ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン］パラジウム、ジクロロ［ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウム、ジクロロ［１、３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］パラジウム、ジクロロ［１、４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン］パラジウム、ジクロロ（１、５−シクロオクタジエン）パラジウム、ジクロロ［ビス（ベンゾニトリル）］パラジウム、ジクロロ［ビス（アセトニトリル）］パラジウム、酢酸［ビス（トリフェニルホスフィン）］パラジウム等のパラジウム触媒等が挙げられる。その中でも、白金触媒、ロジウム触媒およびパラジウム触媒が好ましく、特に、白金／活性炭、ロジウム／活性炭およびパラジウム／活性炭がより好ましい。
【００５０】
これらの触媒は、単独または組み合わせて用いることができる。金属を担体に担持させた触媒を用いる場合、その担持量は、０．１〜５０重量％であり、０．５〜３０重量％が好ましく、特に、１〜２０重量％がより好ましい。また、取り扱いの安全性を高めるために、または、金属表面の酸化を防ぐために、水、鉱油等にからませたものを使うこともできる。
【００５１】
遷移金属錯体の触媒量は、通常は一般式［３］で示される光学活性イミンに対して、０．０１〜５０重量％であり、０．５〜３０重量％が好ましく、特に、１〜２０重量％がより好ましい。
【００５２】
接触還元の水素の量は、通常は一般式［３］で示される光学活性イミンに対して、１モル当量以上使用すればよいが、通常は反応系を水素雰囲気下で行うため大過剰使用する。
【００５３】
接触還元の水素圧は、０．０１〜１０ＭＰａであり、０．０５〜５ＭＰａが好ましく、特に、０．１〜２ＭＰａがより好ましい。
接触還元の水素源は、分子状水素以外に、ギ酸、ギ酸アンモニウム、ヒドラジン等を用いることができる。
【００５４】
接触還元で使用される溶媒としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｃ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系、塩化メチレン、クロロホルム、１、２−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサン等のエーテル系、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール等のアルコール系、酢酸、プロピオン酸、酪酸等のカルボン酸系、塩酸、硫酸、臭化水素酸、ｐ−トルエンスルホン酸、１０−カンファースルホン酸等の酸性水溶液、水等が挙げられる。その中でも、トルエン、酢酸エチル、メタノール、エタノール、ｉ−プロパノール、酢酸、塩酸水溶液が好ましく、特に、メタノール、エタノール、ｉ−プロパノール、塩酸水溶液がより好ましい。これらの溶媒は単独または組み合わせて用いることができる。
【００５５】
接触還元の温度範囲は、−５０〜１５０℃であり、−２５〜１００℃が好ましく、特に、０〜８０℃がより好ましい。
【００５６】
次に、ハイドライド還元剤による不斉還元（第二過程▲２▼法）について詳細に説明する。
【００５７】
ハイドライド還元剤としては、（ｉ−Ｂｕ）2ＡｌＨ、（ｉ−Ｂｕ）3Ａｌ、［２、６−（ｔ−Ｂｕ）2−４−Ｍｅ］Ａｌ（ｉ−Ｂｕ）2、ＬｉＡｌＨ4、ＬｉＡｌＨ（ＯＭｅ）3、ＬｉＡｌＨ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）3、ＮａＡｌＨ2（ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3）2等のアルミニウムハイドライド系、ジボラン、ＢＨ3・ＴＨＦ、ＢＨ3・ＳＭｅ2、ＢＨ3・ＮＭｅ3、９−ＢＢＮ、ＮａＢＨ4、ＮａＢＨ4−ＣｅＣｌ3、ＬｉＢＨ4、Ｚｎ（ＢＨ4）2、Ｃａ（ＢＨ4）2、Ｌｉｎ−ＢｕＢＨ3、ＮａＢＨ（ＯＭｅ）3、ＮａＢＨ（ＯＡｃ）3、ＮａＢＨ3ＣＮ、Ｅｔ4ＮＢＨ4、Ｍｅ4ＮＢＨ（ＯＡｃ）3、（ｎ−Ｂｕ）4ＮＢＨ3ＣＮ、（ｎ−Ｂｕ）4ＮＢＨ（ＯＡｃ）3、Ｌｉ（ｓ−Ｂｕ）3ＢＨ、Ｋ（ｓ−Ｂｕ）3ＢＨ、ＬｉＳｉａ3ＢＨ、ＫＳｉａ3ＢＨ、ＬｉＥｔ3ＢＨ、ＫＰｈ3ＢＨ、（Ｐｈ3Ｐ）2ＣｕＢＨ4、ＴｈｘＢＨ2、Ｓｉａ2ＢＨ、カテコールボラン、ＩｐｃＢＨ2、Ｉｐｃ2ＢＨ等のホウ素ハイドライド系、Ｅｔ3ＳｉＨ、ＰｈＭｅ2ＳｉＨ、Ｐｈ2ＳｉＨ2、ＰｈＳｉＨ3−Ｍｏ（ＣＯ）6等のケイ素ハイドライド系等が挙げられる。その中でも、ＬｉＡｌＨ4、ジボラン、ＮａＢＨ4およびＬｉＢＨ4が好ましく、特に、ＬｉＡｌＨ4およびＮａＢＨ4がより好ましい。これらのハイドライド還元剤は、各種無機塩の存在下、行うこともできる。
【００５８】
ハイドライド還元剤の使用量は、通常は一般式［３］で示される光学活性イミンに対して、１モル当量以上使用すればよく、１〜１０モル当量が好ましく、特に、１〜７モル当量がより好ましい。
【００５９】
ハイドライド還元で使用される溶媒としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｃ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系、塩化メチレン、クロロホルム、１、２−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサン等のエーテル系、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール等のアルコール系、酢酸、プロピオン酸、酪酸等のカルボン酸系等が挙げられる。その中でも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ｔ−ブチルメチルエーテル、メタノール、エタノール、ｉ−プロパノールが好ましく、特に、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール、ｉ−プロパノールがより好ましい。これらの溶媒は、単独または組み合わせて用いることができる。
【００６０】
ハイドライド還元の温度範囲は、−１００〜１００℃であり、−８０〜８０℃が好ましく、特に、−６０〜６０℃がより好ましい。
【００６１】
本発明の第二過程の後処理においては、反応終了後、通常の後処理操作を行うことにより、粗生成物を得ることができる。得られた粗生成物は、必要に応じて、活性炭、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の精製操作を行うことにより、目的の一般式［４］で示される光学活性二級アミンを高い純度で得ることができる。
【００６２】
また、本発明の第三過程において、一般式［５］で示される光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンを以下の方法により工業的に簡便で且つ効率良く製造することができる。
【００６３】
すなわち、第二過程で製造した一般式［４］で示される光学活性二級アミンを加水素分解することにより製造することができる。
【００６４】
加水素分解の反応条件は、第二過程の遷移金属錯体を用いる接触還元の反応条件と基本的に同じであるが、加水素分解は不斉還元よりも厳しい反応条件を必要とする。従って、緩和な反応条件を選択することにより不斉還元だけを進行させ、反応終了液を取り出さずに、同じ耐圧反応容器内で引き続き加水素分解を行うこともできる。その際、遷移金属錯体を追加したり、水素圧または反応温度を上げることにより加水素分解を効率的に行うことができる。
【００６５】
本発明の第三過程の後処理においては、反応終了後、通常の後処理操作を行うことにより、粗生成物を得ることができる。得られた粗生成物は、必要に応じて、活性炭、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の精製操作を行うことにより、目的の式［５］で示される光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンを高い純度で得ることができる。
【００６６】
【実施例】
以下、実施例により、本発明の実施の形態を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６７】
実施例に示したα−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの絶対配置は、旋光度の実測値の符号と文献値を比較して決定した。また、それぞれの変換率、ジアステレオマー比および光学純度は、キラルＧＣ（ＣＰ−Ｃｈｉｒａｓｉｌ−Ｄｅｘ ＣＢ）により決定した。
【００６８】
［実施例１］
トルエン１００ｍｌに、ビス−３，５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトン １０ｇ（３９．０６ｍｍｏｌ、１ｅｑ）、（Ｓ）−１−フェニルエチルアミン ４．９６ｇ（４１．０２ｍｍｏｌ、１．０５ｅｑ）とｐ−トルエンスルホン酸・一水和物 ０．３７ｇ（１．９５ｍｍｏｌ、０．０５ｅｑ）を溶解し、２４時間加熱還流し、副生する水をディーン・スターク管で除いた。反応終了液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾過、濃縮、真空乾燥し、下記式
【００６９】
【化１８】
で示される光学活性イミン（３ａ）の粗生成物を定量的に得た。粗生成物はさらに精製を行わず不斉還元に用いた。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ＣＤＣｌ3）：１．５５（ｄ、６．４Ｈｚ、３Ｈ）、２．３３（ｓ、３Ｈ）、４．８７（ｑ、６．４Ｈｚ、１Ｈ）、７．２４（ｔ、７．８Ｈｚ、１Ｈ）、７．３５（ｔ、７．８Ｈｚ、２Ｈ）、７．４５（ｄ、７．８Ｈｚ、２Ｈ）、８．３１（ｓ、１Ｈ）、８．３８（ｓ、２Ｈ）．
［実施例２］
エタノール２ｍｌに、実施例１で製造した光学活性イミン（３ａ） ３５９ｍｇ（１ｍｍｏｌ）と５％パラジウム／活性炭（５０重量％含水） ７ｍｇ（２重量％）を加え、水素圧を０．２ＭＰａに設定し、室温で１２時間撹拌した。反応終了液をセライト濾過、濃縮、真空乾燥し、下記式
【００７１】
【化１９】
で示される光学活性二級アミン（４ａ）の粗生成物を得た。粗生成物の変換率とジアステレオマー比はキラルＧＣにより決定し、それぞれ１００％、ＳＳ：ＳＲ＝１．９：１であった。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ＣＤＣｌ3）：１．２８（ｄ、６．５Ｈｚ、３Ｈ）、１．２９（ｄ、６．４Ｈｚ、３Ｈ）、１．５８（ｂｒ、１Ｈ）、３．３９（ｑ、６．５Ｈｚ、１Ｈ）、３．６５（ｑ、６．４Ｈｚ、１Ｈ）、７．０５−７．４４（ｍ、５Ｈ）、７．７０（ｓ、２Ｈ）、７．７６（ｓ、１Ｈ）．
［実施例３−９］
（代表的な実験操作）
各種アルコール５ｍｌに、実施例１で製造した光学活性イミン（３ａ） ３５９ｍｇ（１ｍｍｏｌ、１ｅｑ）を溶解し、設定温度に冷却後、水素化ホウ素ナトリウム ３８ｍｇまたは水素化リチウムアルミニウム ３８ｍｇ（１ｍｍｏｌ、４ｅｑ）を加え、所定時間撹拌した。反応終了液に、０．１Ｎ塩酸を加えて反応を終了させ、酢酸エチルで抽出、０．５Ｎ水酸化ナトリウムで洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾過、濃縮、真空乾燥し、実施例２と同じ光学活性二級アミン（４ａ）の粗生成物を得た。粗生成物の変換率とジアステレオマー比はキラルＧＣにより決定した。各実施例の反応条件と結果を表１にまとめた。
【００７３】
【化２０】
【表１】
［実施例１０］
エタノール２ｍｌに、実施例８で製造した光学活性二級アミン（４ａ）の粗生成物 １８１ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）と５％パラジウム／活性炭（５０重量％含水） １８ｍｇ（１０重量％）を加え、水素圧を０．２ＭＰａに設定し、５５℃で１２時間撹拌した。反応終了液をセライト濾過、濃縮、真空乾燥し、（Ｓ）−α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの粗生成物９６ｍｇを得た。収率は７５％であった。粗生成物の光学純度はキラルＧＣにより決定し、７６％ｅｅであった。
【００７６】
【発明の効果】
医薬および農薬の重要中間体である光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンを工業的に簡便で且つ効率良く製造できる。
Claims (6)
- 一般式［３］
- 請求項１に記載した一般式［３］で示される光学活性イミンが、式［１］
- 一般式［３］
- 一般式［４］
- 一般式［３］、［４］、［２］、または、式［５］で示される化合物の立体化学が、Ｒ体（またはＳ体）である請求項１、または、２に記載した製造方法。
- 一般式［３］、または、［４］で示される化合物の立体化学が、Ｒ体（またはＳ体）である請求項３、または、４に記載した化合物。
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