JP2002030048A - 光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの製造方法 - Google Patents
光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの製造方法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】医薬および農薬の重要中間体である光学活性α
−メチル−ビス−３,５−（トリフルオロメチル）ベン
ジルアミンを製造する方法を提供する。 【解決の手段】ビス−３,５−（トリフルオロメチル）
フェニルメチルケトンと光学活性一級アミンを酸性条件
下、脱水縮合することによって得られる光学活性イミン
を不斉還元することにより、光学活性二級アミンに変換
し、該二級アミンを加水素分解することにより、光学活
性α−メチル−ビス−３、５−（トリフルオロメチル）
ベンジルアミンを高い不斉純度で収率良く製造する。
−メチル−ビス−３,５−（トリフルオロメチル）ベン
ジルアミンを製造する方法を提供する。 【解決の手段】ビス−３,５−（トリフルオロメチル）
フェニルメチルケトンと光学活性一級アミンを酸性条件
下、脱水縮合することによって得られる光学活性イミン
を不斉還元することにより、光学活性二級アミンに変換
し、該二級アミンを加水素分解することにより、光学活
性α−メチル−ビス−３、５−（トリフルオロメチル）
ベンジルアミンを高い不斉純度で収率良く製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬および農薬の
重要中間体である光学活性α−メチル−ビス−３，５−
（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの製造方法に関
する。
重要中間体である光学活性α−メチル−ビス−３，５−
（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光学活性α−メチル−ビス−３，５−
（トリフルオロメチル）ベンジルアミンは、医薬および
農薬の重要中間体である。該光学活性アミンの製造方法
に関しては、J. Am. Chem. Soc., 112, 5741(1990)に１
件報告されているのみで、J. Chem. Soc., Perkin Tran
s. 1, 2039(1985)記載のオキシム誘導体の不斉還元を参
考にして合成している。しかしながら、その化学収率お
よび光学純度は、それぞれ、１５％、７１％ｅｅ（Ｓ）
と低く、該光学活性アミンの工業的に簡便で且つ効率の
良い製造方法ではなかった。
（トリフルオロメチル）ベンジルアミンは、医薬および
農薬の重要中間体である。該光学活性アミンの製造方法
に関しては、J. Am. Chem. Soc., 112, 5741(1990)に１
件報告されているのみで、J. Chem. Soc., Perkin Tran
s. 1, 2039(1985)記載のオキシム誘導体の不斉還元を参
考にして合成している。しかしながら、その化学収率お
よび光学純度は、それぞれ、１５％、７１％ｅｅ（Ｓ）
と低く、該光学活性アミンの工業的に簡便で且つ効率の
良い製造方法ではなかった。
【０００３】また、本発明の技術的背景として、光学活
性Ｎ−（アルキルベンジリデン）−α−メチルベンジル
アミンの不斉還元がある。このタイプのジアステレオ選
択的な１、３−不斉還元の研究は多く行われているが、
得られる生成物が下記一般式［６］に示すような窒素原
子に対して二つの同様なα−アルキルベンジル基を持つ
ことになり、一般的なキラル補助基の除去方法である加
水素分解では、キラル補助基側（ｂ）だけを選択的に切
断することができず、これらの一連の技術は一般的な光
学活性α−アルキルベンジルアミンの不斉合成法として
は採用され難かった。
性Ｎ−（アルキルベンジリデン）−α−メチルベンジル
アミンの不斉還元がある。このタイプのジアステレオ選
択的な１、３−不斉還元の研究は多く行われているが、
得られる生成物が下記一般式［６］に示すような窒素原
子に対して二つの同様なα−アルキルベンジル基を持つ
ことになり、一般的なキラル補助基の除去方法である加
水素分解では、キラル補助基側（ｂ）だけを選択的に切
断することができず、これらの一連の技術は一般的な光
学活性α−アルキルベンジルアミンの不斉合成法として
は採用され難かった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の１，３−不斉還
元において、特に、本発明で対象とする一般式［４］で
示される還元生成物の場合、アルキル基が共にメチル基
であるため、切断箇所における立体的な嵩高さはほとん
ど同じである。このような場合には、アリール基上の置
換基の電子的な効果を利用して選択的に切断するしかな
い。
元において、特に、本発明で対象とする一般式［４］で
示される還元生成物の場合、アルキル基が共にメチル基
であるため、切断箇所における立体的な嵩高さはほとん
ど同じである。このような場合には、アリール基上の置
換基の電子的な効果を利用して選択的に切断するしかな
い。
【０００５】しかしながら、このような研究は非常に限
られており、特に、本発明で対象とするトリフルオロメ
チル基が２つ置換した下記一般式［７］で示される化合
物の選択的な加水素分解については全く報告されていな
い。また、不斉還元で優先的に得られる相対配置におい
てもキラル補助基側（ｂ）で選択的に切断できるかにつ
いては全く不明であった。
られており、特に、本発明で対象とするトリフルオロメ
チル基が２つ置換した下記一般式［７］で示される化合
物の選択的な加水素分解については全く報告されていな
い。また、不斉還元で優先的に得られる相対配置におい
てもキラル補助基側（ｂ）で選択的に切断できるかにつ
いては全く不明であった。
【０００６】
【化８】
【０００７】［式中、Ｒは、アルキル基を表し、＊は、
不斉炭素を表す］
不斉炭素を表す］
【０００８】
【化９】
【０００９】［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１
もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表
す］
もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表
す］
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、ビス−３，５−
（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンと光学活
性一級アミンを酸性条件下、脱水縮合することによって
得られる光学活性イミンを不斉還元することにより、光
学活性二級アミンに変換し、該二級アミンを加水素分解
することにより、光学活性α−メチル−ビス−３，５−
（トリフルオロメチル）ベンジルアミンが高い不斉純度
で収率良く製造できることを見出した。
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、ビス−３，５−
（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンと光学活
性一級アミンを酸性条件下、脱水縮合することによって
得られる光学活性イミンを不斉還元することにより、光
学活性二級アミンに変換し、該二級アミンを加水素分解
することにより、光学活性α−メチル−ビス−３，５−
（トリフルオロメチル）ベンジルアミンが高い不斉純度
で収率良く製造できることを見出した。
【００１１】本発明の方法は、次のスキーム１で表され
る。
る。
【００１２】
【化１０】
【００１３】すなわち、本発明は、（１）一般式［３］
【００１４】
【化１１】
【００１５】［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１
もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表
す］で示される光学活性イミンを不斉還元することによ
り、一般式［４］
もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表
す］で示される光学活性イミンを不斉還元することによ
り、一般式［４］
【００１６】
【化１２】
【００１７】［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１
もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表
す］で示される光学活性二級アミンに変換し、該二級ア
ミンを加水素分解することにより、式［５］
もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表
す］で示される光学活性二級アミンに変換し、該二級ア
ミンを加水素分解することにより、式［５］
【００１８】
【化１３】
【００１９】［式中、＊は、不斉炭素を表す］で示され
る光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロ
メチル）ベンジルアミンを製造する方法である。
る光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロ
メチル）ベンジルアミンを製造する方法である。
【００２０】また、本発明は、（２） 一般式［３］で
示される光学活性イミンが、式［１］
示される光学活性イミンが、式［１］
【００２１】
【化１４】
【００２２】で示されるビス−３，５−（トリフルオロ
メチル）フェニルメチルケトンと、一般式［２］
メチル）フェニルメチルケトンと、一般式［２］
【００２３】
【化１５】
【００２４】［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１
もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表
す］で示される光学活性一級アミンを酸性条件下、脱水
縮合することによって得られる光学活性イミンである上
記の製造方法である。
もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表
す］で示される光学活性一級アミンを酸性条件下、脱水
縮合することによって得られる光学活性イミンである上
記の製造方法である。
【００２５】また、本発明は、（３） 一般式［３］
【００２６】
【化１６】
【００２７】［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１
もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表
す］で示される光学活性イミンである。
もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表
す］で示される光学活性イミンである。
【００２８】また、本発明は、（４） 一般式［４］
【００２９】
【化１７】
【００３０】［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１
もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表
す］で示される光学活性二級アミンである。
もしくは２−ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表
す］で示される光学活性二級アミンである。
【００３１】また、本発明は、（５）一般式［３］、
［４］、［２］、または、式［５］で示される化合物の
立体化学が、Ｒ体（またはＳ体）である（１）、また
は、（２）に記載した製造方法である。
［４］、［２］、または、式［５］で示される化合物の
立体化学が、Ｒ体（またはＳ体）である（１）、また
は、（２）に記載した製造方法である。
【００３２】また、本発明は、（６）一般式［３］、ま
たは、［４］で示される化合物の立体化学が、Ｒ体（ま
たはＳ体）である（３）、または、（４）に記載した化
合物である。
たは、［４］で示される化合物の立体化学が、Ｒ体（ま
たはＳ体）である（３）、または、（４）に記載した化
合物である。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の光学活性α−メチ
ル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルア
ミンの製造方法について詳細に説明する。
ル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルア
ミンの製造方法について詳細に説明する。
【００３４】本発明の製造方法は、ビス−３，５−（ト
リフルオロメチル）フェニルメチルケトンと光学活性一
級アミンを酸性条件下、脱水縮合することにより光学活
性イミンを製造する過程（第一過程）、該光学活性イミ
ンを不斉還元することにより光学活性二級アミンを製造
する過程（第二過程）および該光学活性二級アミンを加
水素分解することにより光学活性α−メチル−ビス−
３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンを製造
する過程（第三過程）の三つよりなる。
リフルオロメチル）フェニルメチルケトンと光学活性一
級アミンを酸性条件下、脱水縮合することにより光学活
性イミンを製造する過程（第一過程）、該光学活性イミ
ンを不斉還元することにより光学活性二級アミンを製造
する過程（第二過程）および該光学活性二級アミンを加
水素分解することにより光学活性α−メチル−ビス−
３，５−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンを製造
する過程（第三過程）の三つよりなる。
【００３５】本発明の第一過程において、一般式［３］
で示される光学活性イミンを以下の方法により工業的に
簡便で且つ効率良く製造することができる。
で示される光学活性イミンを以下の方法により工業的に
簡便で且つ効率良く製造することができる。
【００３６】すなわち、式［１］で示されるビス−３，
５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンと一
般式［２］で示される光学活性一級アミンを酸性条件
下、脱水縮合することにより製造することができる。
５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンと一
般式［２］で示される光学活性一級アミンを酸性条件
下、脱水縮合することにより製造することができる。
【００３７】一般式［２］で示される光学活性一級アミ
ンとしては、１−フェニルエチルアミン、１−１’−ナ
フチルエチルアミン、１−２’−ナフチルエチルアミン
等が挙げられる。その中でも、１−フェニルエチルアミ
ンおよび１−２’−ナフチルエチルアミンが好ましく、
特に、１−フェニルエチルアミンがより好ましい。ま
た、該光学活性一級アミンにはＲ体またはＳ体が存在す
るため、それから誘導される一般式［３］で示される光
学活性イミンにもＲ体またはＳ体が存在するが、これら
の鏡像体は目的とする生成物の絶対配置に応じて適宜使
い分ければよい。
ンとしては、１−フェニルエチルアミン、１−１’−ナ
フチルエチルアミン、１−２’−ナフチルエチルアミン
等が挙げられる。その中でも、１−フェニルエチルアミ
ンおよび１−２’−ナフチルエチルアミンが好ましく、
特に、１−フェニルエチルアミンがより好ましい。ま
た、該光学活性一級アミンにはＲ体またはＳ体が存在す
るため、それから誘導される一般式［３］で示される光
学活性イミンにもＲ体またはＳ体が存在するが、これら
の鏡像体は目的とする生成物の絶対配置に応じて適宜使
い分ければよい。
【００３８】一般式［２］で示される光学活性一級アミ
ンの使用量は、通常は式［１］で示されるビス−３，５
−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンに対し
て、１モル当量以上使用すればよく、１〜１０モル当量
が好ましく、特に、１〜５モル当量がより好ましい。
ンの使用量は、通常は式［１］で示されるビス−３，５
−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケトンに対し
て、１モル当量以上使用すればよく、１〜１０モル当量
が好ましく、特に、１〜５モル当量がより好ましい。
【００３９】本反応は、式［１］で示されるケトンと一
般式［２］で示される光学活性一級アミンの脱水縮合で
あるため、酸性条件下、副生する水を除きながら反応を
行う。好ましくは、水と混和せず、水よりも比重が小さ
く、水と共沸する溶媒を用いて、還流条件下、ディーン
・スターク管で副生する水を除く。
般式［２］で示される光学活性一級アミンの脱水縮合で
あるため、酸性条件下、副生する水を除きながら反応を
行う。好ましくは、水と混和せず、水よりも比重が小さ
く、水と共沸する溶媒を用いて、還流条件下、ディーン
・スターク管で副生する水を除く。
【００４０】使用される溶媒としては、水と共沸する溶
媒であればよく、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼ
ン、キシレンおよびメシチレン等の芳香族炭化水素系が
好ましく、特に、トルエンがより好ましい。これらの溶
媒は、単独または組み合わせて用いることができる。
媒であればよく、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼ
ン、キシレンおよびメシチレン等の芳香族炭化水素系が
好ましく、特に、トルエンがより好ましい。これらの溶
媒は、単独または組み合わせて用いることができる。
【００４１】溶媒の使用量としては、理論的に副生する
水の量を共沸除去できるだけの溶媒量を必要とするが、
ディーン・スターク管を用いることにより使用量を極端
に減らすことができる。
水の量を共沸除去できるだけの溶媒量を必要とするが、
ディーン・スターク管を用いることにより使用量を極端
に減らすことができる。
【００４２】本脱水縮合において使用される酸触媒とし
ては、ｐ−トルエンスルホン酸、１０−カンファースル
ホン酸等の有機酸、塩酸、硫酸、リン酸等の無機酸が挙
げられる。その中でも、ｐ−トルエンスルホン酸および
硫酸が好ましく、特に、ｐ−トルエンスルホン酸がより
好ましい。
ては、ｐ−トルエンスルホン酸、１０−カンファースル
ホン酸等の有機酸、塩酸、硫酸、リン酸等の無機酸が挙
げられる。その中でも、ｐ−トルエンスルホン酸および
硫酸が好ましく、特に、ｐ−トルエンスルホン酸がより
好ましい。
【００４３】酸触媒の使用量としては、式［１］で示さ
れるケトンに対して、触媒量使用すればよく、０．００
１〜１モル当量が好ましく、特に、０．００５〜０．５
モル当量がより好ましい。
れるケトンに対して、触媒量使用すればよく、０．００
１〜１モル当量が好ましく、特に、０．００５〜０．５
モル当量がより好ましい。
【００４４】本脱水縮合の温度条件は、使用する溶媒と
水の共沸温度から溶媒の沸点までの範囲で行なうことが
でき、特に、使用する溶媒の沸点付近がより好ましい。
水の共沸温度から溶媒の沸点までの範囲で行なうことが
でき、特に、使用する溶媒の沸点付近がより好ましい。
【００４５】本発明の第一過程の後処理においては、反
応終了後、通常の後処理操作を行うことによって、粗生
成物を得ることができる。粗生成物は、必要に応じて、
活性炭、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の
精製操作を行い、目的の一般式［３］で示される光学活
性イミンを高い純度で得ることができる。また、単離精
製せずに第二過程の不斉還元に用いることができる。具
体的には、反応終了液をそのまま、または、反応終了液
を炭酸水素ナトリウムまたは水酸化ナトリウム等のアル
カリ水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムまたは無水
硫酸ナトリウム等の乾燥剤で乾燥し、濾過して得られる
該光学活性イミンのトルエン溶液等を用いることができ
る。
応終了後、通常の後処理操作を行うことによって、粗生
成物を得ることができる。粗生成物は、必要に応じて、
活性炭、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の
精製操作を行い、目的の一般式［３］で示される光学活
性イミンを高い純度で得ることができる。また、単離精
製せずに第二過程の不斉還元に用いることができる。具
体的には、反応終了液をそのまま、または、反応終了液
を炭酸水素ナトリウムまたは水酸化ナトリウム等のアル
カリ水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムまたは無水
硫酸ナトリウム等の乾燥剤で乾燥し、濾過して得られる
該光学活性イミンのトルエン溶液等を用いることができ
る。
【００４６】また、本発明の第二過程において、一般式
［４］で示される光学活性二級アミンを以下の方法によ
り工業的に簡便で且つ効率良く製造することができる。
［４］で示される光学活性二級アミンを以下の方法によ
り工業的に簡便で且つ効率良く製造することができる。
【００４７】すなわち、第一過程で製造した一般式
［３］で示される光学活性イミンを遷移金属錯体を用い
る接触還元（第二過程法）またはハイドライド還元
（第二過程法）することにより製造することができ
る。
［３］で示される光学活性イミンを遷移金属錯体を用い
る接触還元（第二過程法）またはハイドライド還元
（第二過程法）することにより製造することができ
る。
【００４８】初めに、遷移金属錯体を用いる接触還元
（第二過程法）について詳細に説明する。
（第二過程法）について詳細に説明する。
【００４９】遷移金属錯体としては、酸化白金、白金／
活性炭、白金黒等の白金触媒、還元ニッケル、ラネーニ
ッケル、白金付きラネーニッケル等のニッケル触媒、ラ
ネーコバルト等のコバルト触媒、還元銅、銅−クロム酸
化物等の銅触媒、亜鉛−クロム酸化物等の亜鉛触媒、酸
化ルテニウム、ルテニウム／活性炭等のルテニウム触
媒、ロジウム／活性炭、ロジウム／アルミナ、ロジウム
−酸化白金等のロジウム触媒、イリジウム黒等のイリジ
ウム触媒、酸化レニウム等のレニウム触媒、パラジウム
／活性炭、パラジウム黒、パラジウム／硫酸バリウム、
パラジウム／炭酸ストロンチウム、パラジウム／炭酸カ
ルシウム、パラジウム／炭酸カルシウム−二酢酸鉛、パ
ラジウム／硫酸バリウム−キノリン、パラジウム／アル
ミナ、パラジウムスポンジ、塩化パラジウム、酢酸パラ
ジウム、パラジウムアセチルアセトナート、ビス（ジベ
ンジリデンアセトン）パラジウム、テトラキス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ［ビス（トリ
フェニルホスフィン）］パラジウム、ジクロロ［ビス
（ジフェニルホスフィノ）メタン］パラジウム、ジクロ
ロ［ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウ
ム、ジクロロ［１、３−ビス（ジフェニルホスフィノ）
プロパン］パラジウム、ジクロロ［１、４−ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）ブタン］パラジウム、ジクロロ
（１、５−シクロオクタジエン）パラジウム、ジクロロ
［ビス（ベンゾニトリル）］パラジウム、ジクロロ［ビ
ス（アセトニトリル）］パラジウム、酢酸［ビス（トリ
フェニルホスフィン）］パラジウム等のパラジウム触媒
等が挙げられる。その中でも、白金触媒、ロジウム触媒
およびパラジウム触媒が好ましく、特に、白金／活性
炭、ロジウム／活性炭およびパラジウム／活性炭がより
好ましい。
活性炭、白金黒等の白金触媒、還元ニッケル、ラネーニ
ッケル、白金付きラネーニッケル等のニッケル触媒、ラ
ネーコバルト等のコバルト触媒、還元銅、銅−クロム酸
化物等の銅触媒、亜鉛−クロム酸化物等の亜鉛触媒、酸
化ルテニウム、ルテニウム／活性炭等のルテニウム触
媒、ロジウム／活性炭、ロジウム／アルミナ、ロジウム
−酸化白金等のロジウム触媒、イリジウム黒等のイリジ
ウム触媒、酸化レニウム等のレニウム触媒、パラジウム
／活性炭、パラジウム黒、パラジウム／硫酸バリウム、
パラジウム／炭酸ストロンチウム、パラジウム／炭酸カ
ルシウム、パラジウム／炭酸カルシウム−二酢酸鉛、パ
ラジウム／硫酸バリウム−キノリン、パラジウム／アル
ミナ、パラジウムスポンジ、塩化パラジウム、酢酸パラ
ジウム、パラジウムアセチルアセトナート、ビス（ジベ
ンジリデンアセトン）パラジウム、テトラキス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ［ビス（トリ
フェニルホスフィン）］パラジウム、ジクロロ［ビス
（ジフェニルホスフィノ）メタン］パラジウム、ジクロ
ロ［ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウ
ム、ジクロロ［１、３−ビス（ジフェニルホスフィノ）
プロパン］パラジウム、ジクロロ［１、４−ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）ブタン］パラジウム、ジクロロ
（１、５−シクロオクタジエン）パラジウム、ジクロロ
［ビス（ベンゾニトリル）］パラジウム、ジクロロ［ビ
ス（アセトニトリル）］パラジウム、酢酸［ビス（トリ
フェニルホスフィン）］パラジウム等のパラジウム触媒
等が挙げられる。その中でも、白金触媒、ロジウム触媒
およびパラジウム触媒が好ましく、特に、白金／活性
炭、ロジウム／活性炭およびパラジウム／活性炭がより
好ましい。
【００５０】これらの触媒は、単独または組み合わせて
用いることができる。金属を担体に担持させた触媒を用
いる場合、その担持量は、０．１〜５０重量％であり、
０．５〜３０重量％が好ましく、特に、１〜２０重量％
がより好ましい。また、取り扱いの安全性を高めるため
に、または、金属表面の酸化を防ぐために、水、鉱油等
にからませたものを使うこともできる。
用いることができる。金属を担体に担持させた触媒を用
いる場合、その担持量は、０．１〜５０重量％であり、
０．５〜３０重量％が好ましく、特に、１〜２０重量％
がより好ましい。また、取り扱いの安全性を高めるため
に、または、金属表面の酸化を防ぐために、水、鉱油等
にからませたものを使うこともできる。
【００５１】遷移金属錯体の触媒量は、通常は一般式
［３］で示される光学活性イミンに対して、０．０１〜
５０重量％であり、０．５〜３０重量％が好ましく、特
に、１〜２０重量％がより好ましい。
［３］で示される光学活性イミンに対して、０．０１〜
５０重量％であり、０．５〜３０重量％が好ましく、特
に、１〜２０重量％がより好ましい。
【００５２】接触還元の水素の量は、通常は一般式
［３］で示される光学活性イミンに対して、１モル当量
以上使用すればよいが、通常は反応系を水素雰囲気下で
行うため大過剰使用する。
［３］で示される光学活性イミンに対して、１モル当量
以上使用すればよいが、通常は反応系を水素雰囲気下で
行うため大過剰使用する。
【００５３】接触還元の水素圧は、０．０１〜１０ＭＰ
ａであり、０．０５〜５ＭＰａが好ましく、特に、０．
１〜２ＭＰａがより好ましい。接触還元の水素源は、分
子状水素以外に、ギ酸、ギ酸アンモニウム、ヒドラジン
等を用いることができる。
ａであり、０．０５〜５ＭＰａが好ましく、特に、０．
１〜２ＭＰａがより好ましい。接触還元の水素源は、分
子状水素以外に、ギ酸、ギ酸アンモニウム、ヒドラジン
等を用いることができる。
【００５４】接触還元で使用される溶媒としては、ｎ−
ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｃ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン
等の脂肪族炭化水素系、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メシチレン等の芳香族炭化水素系、塩化メチレン、
クロロホルム、１、２−ジクロロエタン等のハロゲン化
炭化水素系、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
ｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサン等のエーテル
系、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系、メタ
ノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノ
ール等のアルコール系、酢酸、プロピオン酸、酪酸等の
カルボン酸系、塩酸、硫酸、臭化水素酸、ｐ−トルエン
スルホン酸、１０−カンファースルホン酸等の酸性水溶
液、水等が挙げられる。その中でも、トルエン、酢酸エ
チル、メタノール、エタノール、ｉ−プロパノール、酢
酸、塩酸水溶液が好ましく、特に、メタノール、エタノ
ール、ｉ−プロパノール、塩酸水溶液がより好ましい。
これらの溶媒は単独または組み合わせて用いることがで
きる。
ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｃ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン
等の脂肪族炭化水素系、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メシチレン等の芳香族炭化水素系、塩化メチレン、
クロロホルム、１、２−ジクロロエタン等のハロゲン化
炭化水素系、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
ｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサン等のエーテル
系、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系、メタ
ノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノ
ール等のアルコール系、酢酸、プロピオン酸、酪酸等の
カルボン酸系、塩酸、硫酸、臭化水素酸、ｐ−トルエン
スルホン酸、１０−カンファースルホン酸等の酸性水溶
液、水等が挙げられる。その中でも、トルエン、酢酸エ
チル、メタノール、エタノール、ｉ−プロパノール、酢
酸、塩酸水溶液が好ましく、特に、メタノール、エタノ
ール、ｉ−プロパノール、塩酸水溶液がより好ましい。
これらの溶媒は単独または組み合わせて用いることがで
きる。
【００５５】接触還元の温度範囲は、−５０〜１５０℃
であり、−２５〜１００℃が好ましく、特に、０〜８０
℃がより好ましい。
であり、−２５〜１００℃が好ましく、特に、０〜８０
℃がより好ましい。
【００５６】次に、ハイドライド還元剤による不斉還元
（第二過程法）について詳細に説明する。
（第二過程法）について詳細に説明する。
【００５７】ハイドライド還元剤としては、（ｉ−Ｂ
ｕ）2ＡｌＨ、（ｉ−Ｂｕ）3Ａｌ、［２、６−（ｔ−Ｂ
ｕ）2−４−Ｍｅ］Ａｌ（ｉ−Ｂｕ）2、ＬｉＡｌＨ4、
ＬｉＡｌＨ（ＯＭｅ）3、ＬｉＡｌＨ（Ｏ−ｔ−Ｂ
ｕ）3、ＮａＡｌＨ2（ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3）2等のアル
ミニウムハイドライド系、ジボラン、ＢＨ3・ＴＨＦ、
ＢＨ3・ＳＭｅ2、ＢＨ3・ＮＭｅ3、９−ＢＢＮ、ＮａＢ
Ｈ4、ＮａＢＨ4−ＣｅＣｌ3、ＬｉＢＨ4、Ｚｎ（Ｂ
Ｈ4）2、Ｃａ（ＢＨ4）2、Ｌｉｎ−ＢｕＢＨ3、ＮａＢ
Ｈ（ＯＭｅ）3、ＮａＢＨ（ＯＡｃ）3、ＮａＢＨ3Ｃ
Ｎ、Ｅｔ4ＮＢＨ4、Ｍｅ4ＮＢＨ（ＯＡｃ）3、（ｎ−Ｂ
ｕ）4ＮＢＨ3ＣＮ、（ｎ−Ｂｕ）4ＮＢＨ（ＯＡｃ）3、
Ｌｉ（ｓ−Ｂｕ）3ＢＨ、Ｋ（ｓ−Ｂｕ）3ＢＨ、ＬｉＳ
ｉａ3ＢＨ、ＫＳｉａ3ＢＨ、ＬｉＥｔ3ＢＨ、ＫＰｈ3Ｂ
Ｈ、（Ｐｈ3Ｐ）2ＣｕＢＨ4、ＴｈｘＢＨ2、Ｓｉａ2Ｂ
Ｈ、カテコールボラン、ＩｐｃＢＨ2、Ｉｐｃ2ＢＨ等の
ホウ素ハイドライド系、Ｅｔ3ＳｉＨ、ＰｈＭｅ2Ｓｉ
Ｈ、Ｐｈ2ＳｉＨ2、ＰｈＳｉＨ3−Ｍｏ（ＣＯ）6等のケ
イ素ハイドライド系等が挙げられる。その中でも、Ｌｉ
ＡｌＨ4、ジボラン、ＮａＢＨ4およびＬｉＢＨ4が好ま
しく、特に、ＬｉＡｌＨ4およびＮａＢＨ4がより好まし
い。これらのハイドライド還元剤は、各種無機塩の存在
下、行うこともできる。
ｕ）2ＡｌＨ、（ｉ−Ｂｕ）3Ａｌ、［２、６−（ｔ−Ｂ
ｕ）2−４−Ｍｅ］Ａｌ（ｉ−Ｂｕ）2、ＬｉＡｌＨ4、
ＬｉＡｌＨ（ＯＭｅ）3、ＬｉＡｌＨ（Ｏ−ｔ−Ｂ
ｕ）3、ＮａＡｌＨ2（ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3）2等のアル
ミニウムハイドライド系、ジボラン、ＢＨ3・ＴＨＦ、
ＢＨ3・ＳＭｅ2、ＢＨ3・ＮＭｅ3、９−ＢＢＮ、ＮａＢ
Ｈ4、ＮａＢＨ4−ＣｅＣｌ3、ＬｉＢＨ4、Ｚｎ（Ｂ
Ｈ4）2、Ｃａ（ＢＨ4）2、Ｌｉｎ−ＢｕＢＨ3、ＮａＢ
Ｈ（ＯＭｅ）3、ＮａＢＨ（ＯＡｃ）3、ＮａＢＨ3Ｃ
Ｎ、Ｅｔ4ＮＢＨ4、Ｍｅ4ＮＢＨ（ＯＡｃ）3、（ｎ−Ｂ
ｕ）4ＮＢＨ3ＣＮ、（ｎ−Ｂｕ）4ＮＢＨ（ＯＡｃ）3、
Ｌｉ（ｓ−Ｂｕ）3ＢＨ、Ｋ（ｓ−Ｂｕ）3ＢＨ、ＬｉＳ
ｉａ3ＢＨ、ＫＳｉａ3ＢＨ、ＬｉＥｔ3ＢＨ、ＫＰｈ3Ｂ
Ｈ、（Ｐｈ3Ｐ）2ＣｕＢＨ4、ＴｈｘＢＨ2、Ｓｉａ2Ｂ
Ｈ、カテコールボラン、ＩｐｃＢＨ2、Ｉｐｃ2ＢＨ等の
ホウ素ハイドライド系、Ｅｔ3ＳｉＨ、ＰｈＭｅ2Ｓｉ
Ｈ、Ｐｈ2ＳｉＨ2、ＰｈＳｉＨ3−Ｍｏ（ＣＯ）6等のケ
イ素ハイドライド系等が挙げられる。その中でも、Ｌｉ
ＡｌＨ4、ジボラン、ＮａＢＨ4およびＬｉＢＨ4が好ま
しく、特に、ＬｉＡｌＨ4およびＮａＢＨ4がより好まし
い。これらのハイドライド還元剤は、各種無機塩の存在
下、行うこともできる。
【００５８】ハイドライド還元剤の使用量は、通常は一
般式［３］で示される光学活性イミンに対して、１モル
当量以上使用すればよく、１〜１０モル当量が好まし
く、特に、１〜７モル当量がより好ましい。
般式［３］で示される光学活性イミンに対して、１モル
当量以上使用すればよく、１〜１０モル当量が好まし
く、特に、１〜７モル当量がより好ましい。
【００５９】ハイドライド還元で使用される溶媒として
は、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｃ−ヘキサン、ｎ−
ヘプタン等の脂肪族炭化水素系、ベンゼン、トルエン、
キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系、塩化メチ
レン、クロロホルム、１、２−ジクロロエタン等のハロ
ゲン化炭化水素系、ジエチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサン等のエー
テル系、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系、
アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系、メ
タノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパ
ノール等のアルコール系、酢酸、プロピオン酸、酪酸等
のカルボン酸系等が挙げられる。その中でも、ジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ｔ−ブチルメチルエー
テル、メタノール、エタノール、ｉ−プロパノールが好
ましく、特に、テトラヒドロフラン、メタノール、エタ
ノール、ｉ−プロパノールがより好ましい。これらの溶
媒は、単独または組み合わせて用いることができる。
は、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｃ−ヘキサン、ｎ−
ヘプタン等の脂肪族炭化水素系、ベンゼン、トルエン、
キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系、塩化メチ
レン、クロロホルム、１、２−ジクロロエタン等のハロ
ゲン化炭化水素系、ジエチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサン等のエー
テル系、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系、
アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系、メ
タノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパ
ノール等のアルコール系、酢酸、プロピオン酸、酪酸等
のカルボン酸系等が挙げられる。その中でも、ジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ｔ−ブチルメチルエー
テル、メタノール、エタノール、ｉ−プロパノールが好
ましく、特に、テトラヒドロフラン、メタノール、エタ
ノール、ｉ−プロパノールがより好ましい。これらの溶
媒は、単独または組み合わせて用いることができる。
【００６０】ハイドライド還元の温度範囲は、−１００
〜１００℃であり、−８０〜８０℃が好ましく、特に、
−６０〜６０℃がより好ましい。
〜１００℃であり、−８０〜８０℃が好ましく、特に、
−６０〜６０℃がより好ましい。
【００６１】本発明の第二過程の後処理においては、反
応終了後、通常の後処理操作を行うことにより、粗生成
物を得ることができる。得られた粗生成物は、必要に応
じて、活性炭、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィ
ー等の精製操作を行うことにより、目的の一般式［４］
で示される光学活性二級アミンを高い純度で得ることが
できる。
応終了後、通常の後処理操作を行うことにより、粗生成
物を得ることができる。得られた粗生成物は、必要に応
じて、活性炭、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィ
ー等の精製操作を行うことにより、目的の一般式［４］
で示される光学活性二級アミンを高い純度で得ることが
できる。
【００６２】また、本発明の第三過程において、一般式
［５］で示される光学活性α−メチル−ビス−３，５−
（トリフルオロメチル）ベンジルアミンを以下の方法に
より工業的に簡便で且つ効率良く製造することができ
る。
［５］で示される光学活性α−メチル−ビス−３，５−
（トリフルオロメチル）ベンジルアミンを以下の方法に
より工業的に簡便で且つ効率良く製造することができ
る。
【００６３】すなわち、第二過程で製造した一般式
［４］で示される光学活性二級アミンを加水素分解する
ことにより製造することができる。
［４］で示される光学活性二級アミンを加水素分解する
ことにより製造することができる。
【００６４】加水素分解の反応条件は、第二過程の遷移
金属錯体を用いる接触還元の反応条件と基本的に同じで
あるが、加水素分解は不斉還元よりも厳しい反応条件を
必要とする。従って、緩和な反応条件を選択することに
より不斉還元だけを進行させ、反応終了液を取り出さず
に、同じ耐圧反応容器内で引き続き加水素分解を行うこ
ともできる。その際、遷移金属錯体を追加したり、水素
圧または反応温度を上げることにより加水素分解を効率
的に行うことができる。
金属錯体を用いる接触還元の反応条件と基本的に同じで
あるが、加水素分解は不斉還元よりも厳しい反応条件を
必要とする。従って、緩和な反応条件を選択することに
より不斉還元だけを進行させ、反応終了液を取り出さず
に、同じ耐圧反応容器内で引き続き加水素分解を行うこ
ともできる。その際、遷移金属錯体を追加したり、水素
圧または反応温度を上げることにより加水素分解を効率
的に行うことができる。
【００６５】本発明の第三過程の後処理においては、反
応終了後、通常の後処理操作を行うことにより、粗生成
物を得ることができる。得られた粗生成物は、必要に応
じて、活性炭、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィ
ー等の精製操作を行うことにより、目的の式［５］で示
される光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフル
オロメチル）ベンジルアミンを高い純度で得ることがで
きる。
応終了後、通常の後処理操作を行うことにより、粗生成
物を得ることができる。得られた粗生成物は、必要に応
じて、活性炭、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィ
ー等の精製操作を行うことにより、目的の式［５］で示
される光学活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフル
オロメチル）ベンジルアミンを高い純度で得ることがで
きる。
【００６６】
【実施例】以下、実施例により、本発明の実施の形態を
具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定さ
れるものではない。
具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定さ
れるものではない。
【００６７】実施例に示したα−メチル−ビス−３，５
−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの絶対配置
は、旋光度の実測値の符号と文献値を比較して決定し
た。また、それぞれの変換率、ジアステレオマー比およ
び光学純度は、キラルＧＣ（ＣＰ−Ｃｈｉｒａｓｉｌ−
Ｄｅｘ ＣＢ）により決定した。
−（トリフルオロメチル）ベンジルアミンの絶対配置
は、旋光度の実測値の符号と文献値を比較して決定し
た。また、それぞれの変換率、ジアステレオマー比およ
び光学純度は、キラルＧＣ（ＣＰ−Ｃｈｉｒａｓｉｌ−
Ｄｅｘ ＣＢ）により決定した。
【００６８】［実施例１］トルエン１００ｍｌに、ビス
−３，５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケト
ン １０ｇ（３９．０６ｍｍｏｌ、１ｅｑ）、（Ｓ）−
１−フェニルエチルアミン ４．９６ｇ（４１．０２ｍ
ｍｏｌ、１．０５ｅｑ）とｐ−トルエンスルホン酸・一
水和物 ０．３７ｇ（１．９５ｍｍｏｌ、０．０５ｅ
ｑ）を溶解し、２４時間加熱還流し、副生する水をディ
ーン・スターク管で除いた。反応終了液を飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾
燥、濾過、濃縮、真空乾燥し、下記式
−３，５−（トリフルオロメチル）フェニルメチルケト
ン １０ｇ（３９．０６ｍｍｏｌ、１ｅｑ）、（Ｓ）−
１−フェニルエチルアミン ４．９６ｇ（４１．０２ｍ
ｍｏｌ、１．０５ｅｑ）とｐ−トルエンスルホン酸・一
水和物 ０．３７ｇ（１．９５ｍｍｏｌ、０．０５ｅ
ｑ）を溶解し、２４時間加熱還流し、副生する水をディ
ーン・スターク管で除いた。反応終了液を飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾
燥、濾過、濃縮、真空乾燥し、下記式
【００６９】
【化１８】
【００７０】で示される光学活性イミン（３ａ）の粗生
成物を定量的に得た。粗生成物はさらに精製を行わず不
斉還元に用いた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ＣＤＣｌ3）：１．５５（ｄ、
６．４Ｈｚ、３Ｈ）、２．３３（ｓ、３Ｈ）、４．８７
（ｑ、６．４Ｈｚ、１Ｈ）、７．２４（ｔ、７．８Ｈ
ｚ、１Ｈ）、７．３５（ｔ、７．８Ｈｚ、２Ｈ）、７．
４５（ｄ、７．８Ｈｚ、２Ｈ）、８．３１（ｓ、１
Ｈ）、８．３８（ｓ、２Ｈ）． ［実施例２］エタノール２ｍｌに、実施例１で製造した
光学活性イミン（３ａ） ３５９ｍｇ（１ｍｍｏｌ）と
５％パラジウム／活性炭（５０重量％含水） ７ｍｇ
（２重量％）を加え、水素圧を０．２ＭＰａに設定し、
室温で１２時間撹拌した。反応終了液をセライト濾過、
濃縮、真空乾燥し、下記式
成物を定量的に得た。粗生成物はさらに精製を行わず不
斉還元に用いた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ＣＤＣｌ3）：１．５５（ｄ、
６．４Ｈｚ、３Ｈ）、２．３３（ｓ、３Ｈ）、４．８７
（ｑ、６．４Ｈｚ、１Ｈ）、７．２４（ｔ、７．８Ｈ
ｚ、１Ｈ）、７．３５（ｔ、７．８Ｈｚ、２Ｈ）、７．
４５（ｄ、７．８Ｈｚ、２Ｈ）、８．３１（ｓ、１
Ｈ）、８．３８（ｓ、２Ｈ）． ［実施例２］エタノール２ｍｌに、実施例１で製造した
光学活性イミン（３ａ） ３５９ｍｇ（１ｍｍｏｌ）と
５％パラジウム／活性炭（５０重量％含水） ７ｍｇ
（２重量％）を加え、水素圧を０．２ＭＰａに設定し、
室温で１２時間撹拌した。反応終了液をセライト濾過、
濃縮、真空乾燥し、下記式
【００７１】
【化１９】
【００７２】で示される光学活性二級アミン（４ａ）の
粗生成物を得た。粗生成物の変換率とジアステレオマー
比はキラルＧＣにより決定し、それぞれ１００％、Ｓ
Ｓ：ＳＲ＝１．９：１であった。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ＣＤＣｌ3）：１．２８（ｄ、
６．５Ｈｚ、３Ｈ）、１．２９（ｄ、６．４Ｈｚ、３
Ｈ）、１．５８（ｂｒ、１Ｈ）、３．３９（ｑ、６．５
Ｈｚ、１Ｈ）、３．６５（ｑ、６．４Ｈｚ、１Ｈ）、
７．０５−７．４４（ｍ、５Ｈ）、７．７０（ｓ、２
Ｈ）、７．７６（ｓ、１Ｈ）． ［実施例３−９］ （代表的な実験操作）各種アルコール５ｍｌに、実施例
１で製造した光学活性イミン（３ａ） ３５９ｍｇ（１
ｍｍｏｌ、１ｅｑ）を溶解し、設定温度に冷却後、水素
化ホウ素ナトリウム ３８ｍｇまたは水素化リチウムア
ルミニウム ３８ｍｇ（１ｍｍｏｌ、４ｅｑ）を加え、
所定時間撹拌した。反応終了液に、０．１Ｎ塩酸を加え
て反応を終了させ、酢酸エチルで抽出、０．５Ｎ水酸化
ナトリウムで洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾
過、濃縮、真空乾燥し、実施例２と同じ光学活性二級ア
ミン（４ａ）の粗生成物を得た。粗生成物の変換率とジ
アステレオマー比はキラルＧＣにより決定した。各実施
例の反応条件と結果を表１にまとめた。
粗生成物を得た。粗生成物の変換率とジアステレオマー
比はキラルＧＣにより決定し、それぞれ１００％、Ｓ
Ｓ：ＳＲ＝１．９：１であった。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ＣＤＣｌ3）：１．２８（ｄ、
６．５Ｈｚ、３Ｈ）、１．２９（ｄ、６．４Ｈｚ、３
Ｈ）、１．５８（ｂｒ、１Ｈ）、３．３９（ｑ、６．５
Ｈｚ、１Ｈ）、３．６５（ｑ、６．４Ｈｚ、１Ｈ）、
７．０５−７．４４（ｍ、５Ｈ）、７．７０（ｓ、２
Ｈ）、７．７６（ｓ、１Ｈ）． ［実施例３−９］ （代表的な実験操作）各種アルコール５ｍｌに、実施例
１で製造した光学活性イミン（３ａ） ３５９ｍｇ（１
ｍｍｏｌ、１ｅｑ）を溶解し、設定温度に冷却後、水素
化ホウ素ナトリウム ３８ｍｇまたは水素化リチウムア
ルミニウム ３８ｍｇ（１ｍｍｏｌ、４ｅｑ）を加え、
所定時間撹拌した。反応終了液に、０．１Ｎ塩酸を加え
て反応を終了させ、酢酸エチルで抽出、０．５Ｎ水酸化
ナトリウムで洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾
過、濃縮、真空乾燥し、実施例２と同じ光学活性二級ア
ミン（４ａ）の粗生成物を得た。粗生成物の変換率とジ
アステレオマー比はキラルＧＣにより決定した。各実施
例の反応条件と結果を表１にまとめた。
【００７３】
【化２０】
【００７４】
【表１】
【００７５】［実施例１０］エタノール２ｍｌに、実施
例８で製造した光学活性二級アミン（４ａ）の粗生成物
１８１ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）と５％パラジウム／活
性炭（５０重量％含水） １８ｍｇ（１０重量％）を加
え、水素圧を０．２ＭＰａに設定し、５５℃で１２時間
撹拌した。反応終了液をセライト濾過、濃縮、真空乾燥
し、（Ｓ）−α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオ
ロメチル）ベンジルアミンの粗生成物９６ｍｇを得た。
収率は７５％であった。粗生成物の光学純度はキラルＧ
Ｃにより決定し、７６％ｅｅであった。
例８で製造した光学活性二級アミン（４ａ）の粗生成物
１８１ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）と５％パラジウム／活
性炭（５０重量％含水） １８ｍｇ（１０重量％）を加
え、水素圧を０．２ＭＰａに設定し、５５℃で１２時間
撹拌した。反応終了液をセライト濾過、濃縮、真空乾燥
し、（Ｓ）−α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオ
ロメチル）ベンジルアミンの粗生成物９６ｍｇを得た。
収率は７５％であった。粗生成物の光学純度はキラルＧ
Ｃにより決定し、７６％ｅｅであった。
【００７６】
【発明の効果】医薬および農薬の重要中間体である光学
活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチ
ル）ベンジルアミンを工業的に簡便で且つ効率良く製造
できる。
活性α−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチ
ル）ベンジルアミンを工業的に簡便で且つ効率良く製造
できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｍ 7:00 Ｃ０７Ｍ 7:00 (72)発明者 金井 正富 埼玉県川越市今福中台2805番地 セントラ ル硝子株式会社化学研究所内 (72)発明者 速水 崇 埼玉県川越市今福中台2805番地 セントラ ル硝子株式会社化学研究所内 Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AA02 AB84 AC26 AC52 AC81 AD17 BA25 BA61 BB14 BC10 BC11 BC19 BE20 BE22 BE23 4H039 CA71 CB30 CE40
Claims (6)
- 【請求項１】 一般式［３］ 【化１】 ［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−
ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される
光学活性イミンを不斉還元することにより、一般式
［４］ 【化２】 ［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−
ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される
光学活性二級アミンに変換し、該二級アミンを加水素分
解することにより、式［５］ 【化３】 ［式中、＊は、不斉炭素を表す］で示される光学活性α
−メチル−ビス−３，５−（トリフルオロメチル）ベン
ジルアミンを製造する方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載した一般式［３］で示さ
れる光学活性イミンが、式［１］ 【化４】 で示されるビス−３，５−（トリフルオロメチル）フェ
ニルメチルケトンと、一般式［２］ 【化５】 ［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−
ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される
光学活性一級アミンを酸性条件下、脱水縮合することに
よって得られる光学活性イミンである請求項１に記載し
た製造方法。 - 【請求項３】 一般式［３］ 【化６】 ［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−
ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される
光学活性イミン。 - 【請求項４】 一般式［４］ 【化７】 ［式中、Ａｒは、フェニル基、または、１もしくは２−
ナフチル基を表し、＊は、不斉炭素を表す］で示される
光学活性二級アミン。 - 【請求項５】一般式［３］、［４］、［２］、または、
式［５］で示される化合物の立体化学が、Ｒ体（または
Ｓ体）である請求項１、または、２に記載した製造方
法。 - 【請求項６】一般式［３］、または、［４］で示される
化合物の立体化学が、Ｒ体（またはＳ体）である請求項
３、または、４に記載した化合物。
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