JP5072530B2 - Liquid crystal device and electronic device including the same - Google Patents
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Description
本発明は、液晶装置及びそれを備えた電子機器に関するものである。 The present invention relates to a liquid crystal device and an electronic apparatus including the same.
フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置(Fringe Field Switching mode Liquid Crystal Display:FFSモードLCD)は、インプレインスイッチング(In Plane Switching:IPS)モードLCDの低い開口率及び透過率を改善するために提案された。 A fringe field switching mode liquid crystal display (FFS mode LCD) has been proposed in order to improve the low aperture ratio and transmittance of an in plane switching (IPS) mode LCD.
図13は、従来技術によるFFSモードLCDを示す平面図である。図示したように、複数のゲート配線130及びデータ配線132は、単位画素を限定するように、第1光透過性絶縁基板(図示せず)上に交叉配列される。薄膜トランジスタ134がゲート配線130とデータ配線132との交叉部に設けられる。共通電極(図示せず)は、前記のように交叉配列されたゲート配線130及びデータ配線132により限定された画素領域内にプレート形状で配置される。
FIG. 13 is a plan view showing a conventional FFS mode LCD. As shown in the drawing, the plurality of
画素電極136は、画素領域内に共通電極と電気的に絶縁され、且つ薄膜トランジスタ134と接するように配置される。画素電極136は、内部に複数のスリットS1、S2、S3が設けられる。ここで、スリットS1、S2、S3は、画素の長辺の中心にゲート配線130と平行に配置される基準スリットS1と、基準スリットS1の上下部に所定の傾きで配置される複数の上部スリットS2及び下部スリットS3とで分類される。
The
共通信号線138が、共通電極に共通信号を印加するため、ゲート配線130と隣接して画素の縁部にゲート配線130と平行に配列される。又、共通信号線138は、共通電極の一部分と接し、画素電極136の一部分と重なるように配列される。
In order to apply a common signal to the common electrode, the
図示していないが、前述した構造のアレイ基板から所定距離をもって離隔して、第2光透過性絶縁基板上にブラックマトリクス及びカラーフィルタを含む所定のエレメントを形成したカラーフィルタ基板が配置され、そして、複数の陽又は陰の液晶分子を含む液晶層(図示せず)が第1及び第2光透過性絶縁基板の間に介在される。 Although not shown, a color filter substrate having predetermined elements including a black matrix and a color filter formed on a second light-transmissive insulating substrate is disposed at a predetermined distance from the array substrate having the structure described above, and A liquid crystal layer (not shown) including a plurality of positive or negative liquid crystal molecules is interposed between the first and second light-transmissive insulating substrates.
又、アレイ基板とカラーフィルタ基板との各内側面には、第1及び第2水平配向膜が形成され、各外側面には第1及び第2偏光板が設置される。 Further, first and second horizontal alignment films are formed on the inner side surfaces of the array substrate and the color filter substrate, and first and second polarizing plates are provided on the outer side surfaces.
ここで、第1及び第2水平配向膜は、陽の液晶が適用される場合、ゲート配線130と平行な方向に、陰の液晶が適用される場合、データ配線132と平行な方向にラビングされる。第1及び第2偏光板は、それらの透過軸がノーマリブラックモードで作動するように、互いに垂直に設置され、特にそれらのうち1つの偏光板は、配向膜のラビング軸の方向と平行な透過軸を有するように設置される。
Here, the first and second horizontal alignment films are rubbed in a direction parallel to the
このような構造のFFSモードLCDにおいて、共通電極と画素電極136との間に電界が形成される場合、共通電極と画素電極136間の距離より、アレイ基板とカラーフィルタ基板との間隔が大きいため、2つの電極の間及び電極上部にフリンジフィールドが形成される。このフリンジフィールドは、共通電極及び画素電極136上部を含む全領域に至るので、装置の駆動に際して、共通電極及び画素電極136の間に配置された液晶分子はもちろん、各共通電極及び画素電極136の上部にある液晶分子も動作する。
In the FFS mode LCD having such a structure, when an electric field is formed between the common electrode and the
従って、FFSモードLCDでは、共通電極及び画素電極が、いずれも光透過性導電膜からなるので、高開口率を有し、そして、電極の上部にある液晶分子も動作するから、向上した高透過率を有する。更に、1つの画素領域内で、又は隣接する画素領域の間に、対称の2方向の電界が形成されるので、液晶分子の屈折率異方性が補償される。これにより色ずれを防止できる(例えば、特許文献1参照)。 Therefore, in the FFS mode LCD, since the common electrode and the pixel electrode are both made of a light-transmitting conductive film, it has a high aperture ratio, and the liquid crystal molecules on the upper part of the electrode also operate. Have a rate. Furthermore, a symmetrical electric field in two directions is formed in one pixel region or between adjacent pixel regions, so that the refractive index anisotropy of liquid crystal molecules is compensated. Thereby, color misregistration can be prevented (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、FFSモードLCDは、高開口率及び高透過率を有する及び色ずれを防止するという利点があるが、共通電極と画素電極との間にフリンジフィールドが形成される時、ラビング軸の角度を30度或いは45度等にすると、画素電極136のスリットS2、S3のエッジ部が鋭角になることから、スリット内の電界が複数の方向に存在することになり、一部の液晶が他の液晶と微妙に異なる方向に向くことになり、これらの配向方向が微妙に異なる液晶の境界領域にディスクリネーションと称される表示欠陥の発生がより表示領域にまで位置し、透過率低下を引き起こすという欠点がある。
However, the FFS mode LCD has an advantage of having a high aperture ratio and a high transmittance and preventing color shift, but when the fringe field is formed between the common electrode and the pixel electrode, the angle of the rubbing axis is changed. When the angle is set to 30 degrees or 45 degrees, the edge portions of the slits S2 and S3 of the
又、FFSモードLCDは、画素電極136にスリットS1、S2、S3を設けている。このようにすると、画素電極136のスリットの幅L或いは間隔Wが疎らになる。例えば電極幅が大きいところでは、IPSモードと同じく透過率が下がる傾向にあり、良好なLCDパネルを得ることは容易ではない。
In the FFS mode LCD, the
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[適用例1]第1基板と、第1基板上に、形成されたゲート配線と、ゲート配線と交差して、矩形状の画素の領域を定義するデータ配線と、ゲート配線及びデータ配線に連結されている薄膜トランジスタと、矩形状の画素の領域と対応し、複数のスリット状の開口部を有し、開口部の長手方向と矩形状の画素の領域枠のいずれかの一辺との交差角が直角である共通電極と、薄膜トランジスタに連結され共通電極と重なる画素電極と、第1基板と向かい合うように配置された第2基板と、第1基板と第2基板との間に設けられた液晶層と、を含み、第1基板と第2基板と液晶層とにより、液晶パネルを形成し、画素電極及び共通電極を液晶パネルの上下方向又は左右方向に対し傾斜させたことを特徴とする液晶装置。 And Application Example 1] first substrate, on the first substrate, a gate wiring formed, intersects the Gate wiring, a data wiring that defines the area of the rectangular pixel, Gate wiring及a thin film transistor is connected to the fine data lines, corresponding to the rectangular pixel region, a plurality of slit-shaped openings, one of the region frame in the longitudinal direction and rectangular pixel open mouth a common electrode intersection angles between Kano side is perpendicular, the pixel electrodes overlapping the concatenated common electrode thin film transistor, and a second substrate disposed to face the first substrate, a first substrate comprises a liquid crystal layer provided between the second substrate and the first substrate and the second substrate and the liquid crystal layer, the liquid crystal panel is formed, a picture element electrode及beauty Common electrodes of the liquid crystal panel A liquid crystal device, wherein the liquid crystal device is tilted with respect to a vertical direction or a horizontal direction.
これによれば、スリット状のパターンの長手方向と矩形状の画素の領域枠(画素として表示に寄与する領域の枠のこと)のいずれかの一辺との交差角が直角である画素電極及び共通電極を液晶パネルの上下方向又は左右方向に対し傾斜させることで、ディスクリネーションの発生を制御し、良好な透過率を得ることができる。 According to this longitudinal direction a rectangular pixel region frame of the slit pattern (that of the frame of the area contributing to the display as a pixel) pixel electrode and the common intersection angles between either side are perpendicular By inclining the electrodes with respect to the vertical direction or the horizontal direction of the liquid crystal panel, the occurrence of disclination can be controlled and good transmittance can be obtained.
[適用例2]第1基板と、第1基板上に、形成されたゲート配線と、ゲート配線と交差して、矩形状の画素の領域を定義するデータ配線と、ゲート配線及びデータ配線に連結されている薄膜トランジスタと、矩形状の画素の領域と対応して形成された共通電極と、薄膜トランジスタに連結され共通電極と重なり、複数のスリット状の開口部を有し、開口部の長手方向と矩形状の画素の領域枠のいずれかの一辺との交差角が直角である画素電極と、第1基板と向かい合うように配置された第2基板と、第1基板と第2基板との間に設けられた液晶層と、を含み、第1基板と第2基板と液晶層とにより、液晶パネルを形成し、画素電極及び共通電極を液晶パネルの上下方向又は左右方向に対し傾斜させたことを特徴とする液晶装置。 And Application Example 2] The first substrate, the first substrate, a gate wiring formed, it intersects the Gate wiring, a data wiring that defines the area of the rectangular pixel, Gate wiring及a thin film transistor is connected to the fine data lines, a common electrode formed to correspond to the rectangular pixel region overlaps the concatenated common electrode thin film transistors, a plurality of slit-shaped opening the a, a pixel electrode intersection angles between either side of the region frame in the longitudinal direction and rectangular pixel open mouth is square, and a second substrate disposed to face the first substrate, comprises a liquid crystal layer provided between the first substrate and the second substrate, the first and second substrates and a liquid crystal layer, the liquid crystal panel is formed, a picture element electrode及beauty Common electrode a liquid crystal device characterized in that is inclined with respect to the vertical direction or horizontal direction of the liquid crystal panel.
これによれば、スリット状のパターンの長手方向と矩形状の画素の領域枠のいずれかの一辺との交差角が直角である共通電極及び画素電極を液晶パネルの上下方向又は左右方向に対し傾斜させることで、ディスクリネーションの発生を制御し、良好な透過率を得ることができる。 According to this, the common electrode and the pixel electrode whose crossing angle between the longitudinal direction of the slit-shaped pattern and one side of the rectangular pixel region frame is a right angle are inclined with respect to the vertical direction or the horizontal direction of the liquid crystal panel. By doing so, the occurrence of disclination can be controlled and good transmittance can be obtained.
[適用例3]上記液晶装置であって、第2基板は、画素電極の縦横の境界領域と対向する領域に遮光膜を有し、画素電極又は共通電極の少なくとも一部を遮光膜とオーバーラップさせることを特徴とする液晶装置。 Application Example 3 In the above-described liquid crystal device, the second substrate has a light shielding film in a region facing the vertical and horizontal boundary regions of the picture element electrodes, the picture element electrodes or shielding at least a portion of the common electrode A liquid crystal device characterized by overlapping with an optical film.
これによれば、ディスクリネーションの発生を最小限に抑え、画素の領域を従来以上に有効利用し、液晶パネル輝度の向上が図れる。 According to this, the occurrence of disclination can be minimized, the pixel area can be used more effectively than before, and the brightness of the liquid crystal panel can be improved.
[適用例4]上記液晶装置であって、画素電極及び共通電極は、光透過性導電膜からなることを特徴とする液晶装置。 Application Example 4 In the liquid crystal device, the picture element electrode及beauty Common electrodes, a liquid crystal device characterized by comprising a light transmitting conductive film.
これによれば、画素の領域を従来以上に有効利用し、液晶パネル輝度の向上が図れる。 According to this, the pixel area can be used more effectively than before, and the brightness of the liquid crystal panel can be improved.
[適用例5]上記液晶装置であって、薄膜トランジスタは、画素の領域外に設けられていることを特徴とする液晶装置。
Application Example 5 In the above-described liquid crystal device, the thin film transistor, a liquid crystal device, characterized in that provided in a region outside the picture element.
これによれば、画像表示領域から開口率を下げる要因である薄膜トランジスタやコンタクト部を外へ出すことにより、画像表示領域を表示として有効に使い切ることができる。 According to this, the image display area can be effectively used up as a display by moving out the thin film transistor and the contact part, which are factors that lower the aperture ratio from the image display area.
[適用例6]上記のいずれかに記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。 Application Example 6 Electronic equipment comprising the liquid crystal device according to any one of the above.
これによれば、ディスクリネーションの発生を制御し、良好な透過率を得る電子機器を提供できる。 According to this, it is possible to provide an electronic device that controls the occurrence of disclination and obtains good transmittance.
本実施形態について図面を参照して以下に説明する。尚、説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。又、カラーフィルタや配向膜等の図示は省略してある。 This embodiment will be described below with reference to the drawings. In each of the drawings used for the description, the scale of each layer and each member is different in order to make each layer and each member recognizable on the drawing. Further, illustration of a color filter, an alignment film, and the like is omitted.
(全体構成)
図1(A)、(B)は、各々本実施形態に係る液晶装置10をその上に形成された各構成要素と共に対向基板12の側から見た平面図、及びそのI−I断面図である。より詳しくは対向基板12の法線方向から見た平面図である。本明細書では、対向基板12の法線方向から見ることを「平面視」とも呼ぶ。
(overall structure)
FIGS. 1A and 1B are a plan view of the
図1(A)、(B)において、本実施形態に係る液晶装置10は、透過型のアクティブマトリクス型液晶装置であり、素子基板(第1基板)14の上には、シール部16が対向基板(第2基板)12の縁に沿うように設けられている。素子基板14において、シール部16の外側の領域には、データ配線駆動回路18及び実装端子20が素子基板14の一辺に沿って設けられており、実装端子20が配列された辺に隣接する2辺に沿っては、ゲート配線駆動回路22が形成されている。素子基板14の残る一辺には、画像表示領域24の両側に設けられたゲート配線駆動回路22間をつなぐための複数の配線26が設けられており、更に、額縁28の下側等を利用して、プリチャージ回路や検査回路等の周辺回路が設けられることもある。対向基板12は、シール部16と略同じ輪郭を備えており、このシール部16によって対向基板12が素子基板14に固着されている。そして、素子基板14と対向基板12との間に液晶層30が保持されている。素子基板14と対向基板12と液晶層30とにより液晶パネル32が形成されている。
1A and 1B, a
詳しくは後述するが、素子基板14には、画素電極34がマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板12には、シール部16の内側領域に遮光性材料からなる額縁28が形成され、その内側が画像表示領域24とされている。対向基板12では、素子基板14の画素電極34の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス或いはブラックストライプ等と称せられる遮光膜36が形成される場合もある。
As will be described in detail later,
本実施形態の液晶装置10は、液晶層30をFFSモードで駆動する。このため、素子基板14の上には、画素電極34に加えて共通電極38も形成されており、対向基板12には、対向電極が形成されていない。
The
(液晶装置10の詳細な構成)
図2を参照して、本実施形態に係る液晶装置10及びそれに用いた素子基板14の構成を説明する。
図2は、本実施形態に係る液晶装置10に用いた素子基板14の画像表示領域24の電気的な構成を示す等価回路図である。
(Detailed configuration of the liquid crystal device 10)
With reference to FIG. 2, the structure of the
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the
図2に示すように、画像表示領域24には矩形状の複数の画素40がマトリクス状に形成されている。複数の画素40の各々には、画素電極34及び画素電極34を制御するための画素スイッチング用の薄膜トランジスタ42が形成されており、データ信号(画像信号)を線順次で供給するデータ配線44が薄膜トランジスタ42のソースに電気的に接続されている。薄膜トランジスタ42のゲートにはゲート配線46が電気的に接続されており、所定のタイミングで、ゲート配線46に走査信号を線順次で印加するように構成されている。画素電極34は、薄膜トランジスタ42のドレインに電気的に接続されており、薄膜トランジスタ42を一定期間だけオン状態とすることにより、データ配線44から供給されるデータ信号を各画素40に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極34を介して、図1(B)に示す液晶層30に書き込まれた所定レベルの画素信号は、素子基板14に形成された共通電極38との間で一定期間保持される。ここで、画素電極34と共通電極38との間には保持容量48が形成されており、画素電極34の電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる液晶装置10が実現できる。
As shown in FIG. 2, a plurality of
図2では、共通電極38がゲート配線駆動回路22から延びた配線のように示してあるが、素子基板14の画像表示領域24の略全面に形成されており、所定の電位に保持される。
In FIG. 2, the
(各画素40の詳細な構成)
図3(A)、(B)は、各々本実施形態に係る液晶装置10の画素40の1つ分の断面図及び素子基板14において相隣接する画素40の平面図であり、図3(A)は、図3(B)のIII−III線に相当する位置で液晶装置10を切断したときの断面図に相当する。又、図3(B)では、画素電極34は長い点線で示し、データ配線44及びそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、ゲート配線46は二点鎖線で示し、共通電極38において部分的に除去された箇所は実線で示してある。
(Detailed configuration of each pixel 40)
3A and 3B are a cross-sectional view of one
図3(A)、(B)に示すように、素子基板14上には、マトリクス状に複数の光透過性を有する画素電極34(長い点線で囲まれた領域)が画素40毎に形成され、画素電極34の縦横の境界領域に沿ってデータ配線44及びゲート配線46が形成されている。画素40は、平面視で液晶パネル32の上下方向又は左右方向に対して傾斜するように配置されている。又、画素電極34及び共通電極38は、平面視で液晶パネル32の上下方向又は左右方向に対して傾斜するように配置されている。つまり、画素電極34及び共通電極38は、画素40の傾きに対し、画素40の矩形状に合わせて配置されている。
As shown in FIGS. 3A and 3B, a plurality of light-transmissive pixel electrodes 34 (regions surrounded by long dotted lines) are formed on the
又、素子基板14の画像表示領域24(図1(A)参照)の略全面には光透過性導電膜等(例えばITO(Indium Tin Oxide)膜)からなる共通電極38が形成されており、共通電極38には、スリット状の開口部50(実線で示す)が複数、形成されている。本実施形態において、複数の開口部50は、ゲート配線46の延設方向に沿って互いに平行に延びている。開口部50の端部は、画素40の領域枠に沿わせた角度である(開口部50の端部と画素40の領域枠との交差角度は0度である)。これにより、ディスクリネーションが画像表示領域24内に入り込むことを防止できる。共通電極38は、開口部50の長軸方向或いは短軸方向と画素40の領域枠との交差角が直角になるように配置されている。共通電極38は、少なくとも一部を遮光膜36とオーバーラップするように配置されている。これにより、画像表示領域24内にディスクリネーションが入り込むことを防止できる。ここで、画素40の領域枠とは、画素40として表示に寄与する領域の枠のことであり、画素ピッチの中で表示動作に寄与しない領域は画素領域ではないものとしている。尚、上記構成は、共通電極38に替えて画素電極34に開口部50が形成されていてもよい。
Further, a
素子基板14の配向膜(図示せず)及び対向基板12の配向膜(図示せず)は、いずれも平面視で開口部50の長軸方向或いは短軸方向と所定角度α(例えば所定角度αは5度である)を有する方向にラビング処理されている。ラビング処理は、液晶パネル32の上下方向又は左右方向とは異なる方向に設けられている。
The alignment film (not shown) of the
画像表示領域24においては、複数のゲート配線46と複数のデータ配線44とが交差するように形成されている。画素40は、ゲート配線46とデータ配線44とで囲まれた矩形状の領域に対応して設けられており、画素40毎に画素電極34が形成されている。
In the
図3(A)に示す素子基板14の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板等の光透過性絶縁基板14Aからなり、対向基板12の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板等の光透過性絶縁基板12Aからなる。本実施形態では、光透過性絶縁基板12A,14Aのいずれについてもガラス基板が用いられている。
3A includes a light-transmitting
素子基板14には、光透過性絶縁基板14Aの表面にシリコン酸化膜等からなる下地保護膜(図示せず)が形成されていると共に、その表面側において、各画素電極34に隣接する位置にトップゲート構造の薄膜トランジスタ42が形成されている。図3(A)、(B)に示すように、薄膜トランジスタ42は、島状の半導体膜52Aに対して、チャネル形成領域52B、ソース領域52C、ドレイン領域52Dが形成された構造を備えており、チャネル形成領域52Bの両側に低濃度領域を備えたLDD(Lightly Doped Drain)構造を有するように形成されることもある。本実施形態において、半導体膜52Aは、素子基板14に対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニール等により多結晶化されたポリシリコン膜である。
On the
半導体膜52Aの上層には、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、或いはそれらの積層膜からなるゲート絶縁膜54が形成され、ゲート絶縁膜54の上層には、ゲート配線46の一部がゲート電極として重なっている。本実施形態では、半導体膜52Aがコの字形状に屈曲しおり、ゲート電極がチャネル方向における2箇所に形成されたツインゲート構造を有している。
A
ゲート電極(ゲート配線46)の上層にはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、或いはそれらの積層膜からなる層間絶縁膜56が形成されている。層間絶縁膜56の表面にはデータ配線44が形成され、このデータ配線44は、層間絶縁膜56に形成されたコンタクトホール56Aを介して最もデータ配線44側に位置するソース領域52Cに電気的に接続している。又、層間絶縁膜56の表面にはドレイン電極58が形成されており、ドレイン電極58は、データ配線44と同時形成された導電膜である。ドレイン電極58は、層間絶縁膜56に形成されたコンタクトホール56Bを介してドレイン領域52Dに電気的に接続している。
An interlayer insulating
データ配線44及びドレイン電極58の上層側には、層間絶縁膜60が形成されている。本実施形態において、層間絶縁膜60は、厚さが1.5〜3.0μmの厚い感光性樹脂からなる平坦化膜として形成されている。
An interlayer insulating
層間絶縁膜60の表面にはITO膜からなる画素電極34が島状に形成されている。画素電極34は、層間絶縁膜60に形成されたコンタクトホール60Aを介してドレイン電極58に電気的に接続し、このドレイン電極58は、層間絶縁膜56及びゲート絶縁膜54に形成されたコンタクトホール56Bを介してドレイン領域52Dに電気的に接続している。ここで、コンタクトホール60Aのアスペクト比は0.4以上である。
画素電極34の表面には電極間絶縁膜62が形成されている。本実施形態において、電極間絶縁膜62は、膜厚が400nm以下のシリコン酸化膜或いはシリコン窒化膜からなる。
An interelectrode insulating
電極間絶縁膜62の上層には、前述した共通電極38が形成されている。ここで、共通電極38は、画素電極34に対する対向電極と機能すると共に、画素電極34に対して電極間絶縁膜62を介して対向している。従って、画素電極34と共通電極38との間には、電極間絶縁膜62を誘電体膜とする保持容量48が形成されている。又、画素電極34と共通電極38との間に形成された電界によって液晶層30を駆動することができ、画像を表示することができる。
The
(コンタクトホール60A周辺の構成)
このように本実施形態では、素子基板14上には、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ42と、薄膜トランジスタ42を覆う層間絶縁膜56,60と、層間絶縁膜60に形成されたコンタクトホール60A及びドレイン電極58を介して薄膜トランジスタ42のドレイン領域52Dに電気的に接続された画素電極34と、この画素電極34を覆う電極間絶縁膜62と、この電極間絶縁膜62の上層に形成された共通電極38とが順に形成されている。
(Configuration around
As described above, in the present embodiment, on the
(製造方法)
図4は、本実施形態に係る液晶装置10に用いた素子基板14の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態の液晶装置10の製造工程のうち、素子基板14の製造工程では、ガラス基板からなる光透過性絶縁基板14Aの表面にシリコン酸化膜からなる下地保護膜(図示せず)を形成した後、薄膜トランジタ形成工程を行う。
具体的には、先ず、ポリシリコン膜からなる半導体膜52Aを島状に形成する。それには、基板温度が150〜450℃の温度条件下で、光透過性絶縁基板14Aの全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体膜をプラズマCVD法により、例えば、40〜50nmの厚さに形成した後、レーザアニール法等により、シリコン膜を多結晶化させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、半導体膜52Aを形成する。
(Production method)
FIG. 4 is a process cross-sectional view illustrating a method for manufacturing the
Specifically, first, a
次に、CVD法等を用いて、半導体膜52Aの表面にシリコン窒化膜やシリコン酸化膜、或いはそれらの積層膜からなるゲート絶縁膜54を形成する。
Next, a
次に、光透過性絶縁基板14Aの表面全体にモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜等の金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、ゲート配線46(ゲート電極)を形成する。
Next, after forming a metal film such as a molybdenum film, an aluminum film, a titanium film, a tungsten film, or a tantalum film on the entire surface of the light-transmitting
次に、半導体膜52Aに不純物を導入して、ソース領域52Cやドレイン領域52D等を形成する。
Next, impurities are introduced into the
次に、第1層間絶縁膜形成工程においては、CVD法等を用いて、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜、或いはそれらの積層膜からなる層間絶縁膜56を形成する。
Next, in the first interlayer insulating film forming step, an
次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、層間絶縁膜56にコンタクトホール56A、56Bを形成する。
Next,
次に、光透過性絶縁基板14Aの表面全体にモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、或いはそれらの積層膜等の金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、データ配線44及びドレイン電極58を形成する。
Next, a metal film such as a molybdenum film, an aluminum film, a titanium film, a tungsten film, a tantalum film, or a laminated film thereof is formed on the entire surface of the light transmissive insulating
次に、第2層間絶縁膜形成工程において、感光性樹脂を塗布した後、露光、現像し、図4(A)に示すように、コンタクトホール60Aを備えた層間絶縁膜60(平坦化膜)を1.5〜3.0μmの厚さに形成する。 Next, in the second interlayer insulating film forming step, a photosensitive resin is applied, and then exposed and developed. As shown in FIG. 4A, the interlayer insulating film 60 (planarizing film) provided with the contact holes 60A. Is formed to a thickness of 1.5 to 3.0 μm.
次に、光透過性絶縁基板14Aの表面全体にITO膜からなる光透過性導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、図4(B)に示すように、画素電極34を形成する。
Next, after forming a light-transmitting conductive film made of an ITO film on the entire surface of the light-transmitting
次に、電極間絶縁膜形成工程においては、CVD法等を用いて、図4(C)に示すように、膜厚が400nm以下のシリコン窒化膜やシリコン酸化膜からなる電極間絶縁膜62を形成する。
Next, in the interelectrode insulating film forming step, as shown in FIG. 4C, an interelectrode
次に、図4(D)に示すように、光透過性絶縁基板14Aの表面全体にITO膜からなる光透過性導電膜64を形成した後、感光性樹脂の塗布、露光、現像を行い、図4(E)に示すように、共通電極38を残す領域にレジストマスク66を形成する。そして、レジストマスク66を形成した状態で、光透過性導電膜64をエッチングし、共通電極38を形成する(図3(A)参照)。
Next, as shown in FIG. 4D, after forming a light-transmitting
[その他の実施形態]
続いて、その他の実施形態について説明する。本実施形態は、共通電極38の複数の開口部50の形成位置が上記の実施形態と異なり、その他の点は上記の実施形態と同様である。
図5〜図7は、本実施形態に係る液晶装置の画素の平面図である。
[Other Embodiments]
Subsequently, other embodiments will be described. The present embodiment is different from the above embodiment in the formation positions of the plurality of
5 to 7 are plan views of pixels of the liquid crystal device according to the present embodiment.
先ず、図5に示すように、液晶装置68は、複数の画素70がマトリクス状に配置されている。画素70の共通電極72は、ゲート配線46と平行に等間隔で配列された複数のブレンチ74と、ゲート配線46の延設方向に沿って互いに平行に延びているスリット状の複数の開口部50と、ブレンチ74の一端を連結するバー76と、を含む櫛歯形状が形成されている。画素70(共通電極72)は、液晶パネルの上下方向又は左右方向に対し傾斜するように配置されている。開口部50の長軸方向或いは短軸方向と画素70の領域枠との交差角は直角になるように配置されている。素子基板14の配向膜(図示せず)及び対向基板12の配向膜(図示せず)は、いずれも平面視で開口部50の長軸方向或いは短軸方向と所定角度α(例えば所定角度αは5度である)を有する方向にラビング処理されている。
First, as shown in FIG. 5, the
次に、図6に示すように、液晶装置78は、複数の画素80がマトリクス状に配置されている。画素80の共通電極82は、データ配線44の延設方向に沿って互いに平行に延びているスリット状の複数の開口部50を含んでいる。画素80(共通電極82)は、液晶パネルの上下方向又は左右方向に対し傾斜するように配置されている。開口部50の長軸方向或いは短軸方向と画素80の領域枠との交差角は直角になるように配置されている。
Next, as shown in FIG. 6, the
次に、図7に示すように、液晶装置84は、複数の画素86がマトリクス状に配置されている。画素86の共通電極88は、データ配線44と平行に等間隔で配列された複数のブレンチ74と、データ配線44の延設方向に沿って互いに平行に延びているスリット状の複数の開口部50と、ブレンチ74の一端を連結するバー76と、を含む櫛歯形状が形成されている。画素86(共通電極88)は、液晶パネルの上下方向又は左右方向に対し傾斜するように配置されている。開口部50の長軸方向或いは短軸方向と画素86の領域枠との交差角は直角になるように配置されている。
Next, as shown in FIG. 7, the
又、本実施形態は、薄膜トランジスタ42及びコンタクト部(図示せず)の形成位置が上記の実施形態と異なり、その他の点は上記の実施形態と同様である。
図8〜図11は、本実施形態に係る液晶装置の画素の平面図である。
Further, the present embodiment is different from the above embodiment in the formation positions of the
8 to 11 are plan views of pixels of the liquid crystal device according to this embodiment.
先ず、図8に示すように、液晶装置90は、複数の画素92がマトリクス状に配置されている。画素92の共通電極38は、ゲート配線46の延設方向に沿って互いに平行に延びているスリット状の複数の開口部50を含んでいる。画素92(共通電極38)は、液晶パネルの上下方向又は左右方向に対し傾斜するように配置されている。開口部50の長軸方向或いは短軸方向と画素92の領域枠との交差角は直角になるように配置されている。更に、液晶装置90は、複数の画素92を傾けることで発生したスペース内に薄膜トランジスタ42が形成されている。
First, as shown in FIG. 8, the
次に、図9に示すように、液晶装置94は、複数の画素96がマトリクス状に配置されている。画素96の共通電極72は、ゲート配線46と平行に等間隔で配列された複数のブレンチ74と、ゲート配線46の延設方向に沿って互いに平行に延びているスリット状の複数の開口部50と、ブレンチ74の一端を連結するバー76と、を含む櫛歯形状が形成されている。画素96(共通電極72)は、液晶パネルの上下方向又は左右方向に対し傾斜するように配置されている。開口部50の長軸方向或いは短軸方向と画素96の領域枠との交差角は直角になるように配置されている。更に、液晶装置94は、複数の画素96を傾けることで発生したスペース内に薄膜トランジスタ42が形成されている。
Next, as shown in FIG. 9, the
次に、図10に示すように、液晶装置98は、複数の画素100がマトリクス状に配置されている。画素100の共通電極82は、データ配線44の延設方向に沿って互いに平行に延びているスリット状の複数の開口部50を含んでいる。画素100(共通電極82)は、液晶パネルの上下方向又は左右方向に対し傾斜するように配置されている。開口部50の長軸方向或いは短軸方向と画素100の領域枠との交差角は直角になるように配置されている。更に、液晶装置98は、複数の画素100を傾けることで発生したスペース内に薄膜トランジスタ42が形成されている。
Next, as shown in FIG. 10, the
次に、図11に示すように、液晶装置102は、複数の画素104がマトリクス状に配置されている。画素104の共通電極88は、データ配線44と平行に等間隔で配列された複数のブレンチ74と、データ配線44の延設方向に沿って互いに平行に延びているスリット状の複数の開口部50と、ブレンチ74の一端を連結するバー76と、を含む櫛歯形状が形成されている。画素104(共通電極88)は、液晶パネルの上下方向又は左右方向に対し傾斜するように配置されている。開口部50の長軸方向或いは短軸方向と画素104の領域枠との交差角は直角になるように配置されている。更に、液晶装置102は、複数の画素104を傾けることで発生したスペース内に薄膜トランジスタ42が形成されている。
Next, as shown in FIG. 11, the
これにより、薄膜トランジスタ42及びコンタクト部を、画素92,96,100,104を傾けることで生まれたスペースに入れることで画素92,96,100,104の表示領域が拡大し、良好な透過率、輝度の液晶装置90,94,98,102を得ることができる。尚、上記構成では共通電極に開口部50を形成したが、共通電極に替えて画素電極に開口部50が形成されていてもよい。
Accordingly, the display area of the
[電子機器への搭載例]
次に、上述した実施形態に係る液晶装置10を適用した電子機器について説明する。図12(A)に、液晶装置10を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ106は、液晶装置10と本体部108を備える。本体部108には、電源スイッチ110及びキーボード112が設けられている。図12(B)に、液晶装置10を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機114は、複数の操作ボタン116及びスクロールボタン118、並びに液晶装置10を備える。スクロールボタン118を操作することによって、液晶装置10に表示される画面がスクロールされる。図12(C)に、液晶装置10を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末120は、複数の操作ボタン122及び電源スイッチ124、並びに液晶装置10を備える。電源スイッチ124を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置10に表示される。
[Example of mounting on electronic devices]
Next, an electronic apparatus to which the
尚、液晶装置10が適用される電子機器としては、図12に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、及びタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した液晶装置10が適用可能である。
Note that electronic devices to which the
10…液晶装置 12…対向基板(第2基板) 12A…光透過性絶縁基板 14…素子基板(第1基板) 14A…光透過性絶縁基板 16…シール部 18…データ配線駆動回路 20…実装端子 22…ゲート配線駆動回路 24…画像表示領域 26…配線 28…額縁 30…液晶層 32…液晶パネル 34…画素電極 36…遮光膜 38…共通電極 40…画素 42…薄膜トランジスタ 44…データ配線 46…ゲート配線 48…保持容量 50…開口部 52A…半導体膜 52B…チャネル形成領域 52C…ソース領域 52D…ドレイン領域 54…ゲート絶縁膜 56…層間絶縁膜 56A,56B…コンタクトホール 58…ドレイン電極 60…層間絶縁膜 60A…コンタクトホール 62…電極間絶縁膜 64…光透過性導電膜 66…レジストマスク 68…液晶装置 70…画素 72…共通電極 74…ブレンチ 76…バー 78…液晶装置 80…画素 82…共通電極 84…液晶装置 86…画素 88…共通電極 90…液晶装置 92…画素 94…液晶装置 96…画素 98…液晶装置 100…画素 102…液晶装置 104…画素 106…パーソナルコンピュータ 108…本体部 110…電源スイッチ 112…キーボード 114…携帯電話機 116…操作ボタン 118…スクロールボタン 120…情報携帯端末 122…操作ボタン 124…電源スイッチ。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記第1基板上に形成されたゲート配線と、
前記ゲート配線と交差して矩形状の画素の領域を定義するデータ配線と、
前記ゲート配線及び前記データ配線に連結されている薄膜トランジスタと、
前記矩形状の画素の領域と対応し、複数のスリット状の開口部を有し、前記開口部の長手方向と前記矩形状の画素の領域枠のいずれかの一辺との交差角が直角である共通電極と、
前記薄膜トランジスタに連結され前記共通電極と重なる画素電極と、
前記第1基板と向かい合うように配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた液晶層と、
を含み、
前記第1基板と前記第2基板と前記液晶層とにより、液晶パネルを形成し、
前記画素電極及び前記共通電極を前記液晶パネルの上下方向又は左右方向に対し傾斜させたことを特徴とする液晶装置。 A first substrate;
A gate wiring formed on the first substrate;
A data line that intersects the gate line and defines a rectangular pixel region;
A thin film transistor connected to the gate line and the data line;
Corresponding to the region of the rectangular pixel, and having a plurality of slit-shaped openings, the crossing angle between the longitudinal direction of the opening and one side of the region frame of the rectangular pixels is a right angle. A common electrode;
A pixel electrode connected to the thin film transistor and overlapping the common electrode;
A second substrate disposed to face the first substrate;
A liquid crystal layer provided between the first substrate and the second substrate;
Including
A liquid crystal panel is formed by the first substrate, the second substrate, and the liquid crystal layer,
A liquid crystal device, wherein the pixel electrode and the common electrode are inclined with respect to a vertical direction or a horizontal direction of the liquid crystal panel.
前記第1基板上に、形成されたゲート配線と、
前記ゲート配線と交差して、矩形状の画素の領域を定義するデータ配線と、
前記ゲート配線及び前記データ配線に連結されている薄膜トランジスタと、
前記矩形状の画素の領域と対応して形成された共通電極と、
前記薄膜トランジスタに連結され前記共通電極と重なり、複数のスリット状の開口部を有し、前記開口部の長手方向と前記矩形状の画素の領域枠のいずれかの一辺との交差角が直角である画素電極と、
前記第1基板と向かい合うように配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた液晶層と、
を含み、
前記第1基板と前記第2基板と前記液晶層とにより、液晶パネルを形成し、
前記画素電極及び前記共通電極を前記液晶パネルの上下方向又は左右方向に対し傾斜させたことを特徴とする液晶装置。 A first substrate;
A gate wiring formed on the first substrate;
A data line that intersects the gate line and defines a region of a rectangular pixel;
A thin film transistor connected to the gate line and the data line;
A common electrode formed corresponding to the rectangular pixel region;
The thin film transistor is connected to the thin film transistor, overlaps with the common electrode, has a plurality of slit-shaped openings, and an intersection angle between the longitudinal direction of the openings and one side of the rectangular pixel region frame is a right angle. A pixel electrode;
A second substrate disposed to face the first substrate;
A liquid crystal layer provided between the first substrate and the second substrate;
Including
A liquid crystal panel is formed by the first substrate, the second substrate, and the liquid crystal layer,
A liquid crystal device, wherein the pixel electrode and the common electrode are inclined with respect to a vertical direction or a horizontal direction of the liquid crystal panel.
前記第2基板は、前記画素電極の縦横の境界領域と対向する領域に遮光膜を有し、
前記画素電極又は前記共通電極の少なくとも一部を前記遮光膜とオーバーラップさせることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal device according to claim 1 or 2,
The second substrate has a light shielding film in a region facing a vertical and horizontal boundary region of the pixel electrode,
A liquid crystal device, wherein at least a part of the pixel electrode or the common electrode overlaps the light shielding film.
前記画素電極及び前記共通電極は、光透過性導電膜からなることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal device according to any one of claims 1 to 3,
The liquid crystal device, wherein the pixel electrode and the common electrode are made of a light transmissive conductive film.
前記薄膜トランジスタは、前記画素の領域外に設けられていることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal device according to any one of claims 1 to 4,
The liquid crystal device, wherein the thin film transistor is provided outside a region of the pixel.
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