JP2008157997A - Liquid crystal device and electronic equipment - Google Patents

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JP2008157997A JP2006343311A JP2006343311A JP2008157997A JP 2008157997 A JP2008157997 A JP 2008157997A JP 2006343311 A JP2006343311 A JP 2006343311A JP 2006343311 A JP2006343311 A JP 2006343311A JP 2008157997 A JP2008157997 A JP 2008157997A
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Toshihiro Otake
俊裕 大竹
Kosuke Uchida
浩輔 内田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal device which has a liquid crystal made thin and improved in manufacturing efficiency, decreases alignment defects of liquid crystal by preventing a beltlike electrode formed in a reflective display area from being broken or short-circuited, and prevents display quality from decreasing, and electronic equipment. <P>SOLUTION: The liquid crystal device has an element substrate 21 provided with a plurality of pixel areas S each having a reflective display area R and a counter substrate 22, a liquid crystal layer 23 held between the element substrate 21 and the counter substrate 22 which face each other, an inter-layer insulating layer 33 which is provided in the reflective display area R on the element substrate 21 and has an uneven surface 33A, a reflecting layer 44 which is provided on the inter-layer insulating layer 33 and has an uneven portion 44a corresponding to the uneven surface 33A, and a pixel electrode 11 and a common electrode 45 which are provided above the reflecting layer 44 and apply a voltage to the liquid crystal layer 23, a flattened layer 34 being provided between the reflecting layer 44 and pixel electrode 11, and the common electrode 45. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。   The present invention relates to a liquid crystal device and an electronic apparatus.

従来から、明るい場所では外光を利用し、暗い場所ではバックライトなどの内部の光源を利用して表示を視認可能として半透過反射型の液晶装置が利用されている。この半透過反射型の液晶装置では、反射型と透過型を兼ね備えた表示方式を採用しており、周囲の明るさに応じて反射モードまたは透過モードのいずれかの表示方式に切り替えることにより、消費電力を低減しつつ周囲が暗い場合でも明瞭な表示が行えるようにしたものである。   2. Description of the Related Art Conventionally, transflective liquid crystal devices have been used in which external light is used in bright places and display is visible using an internal light source such as a backlight in dark places. This transflective liquid crystal device employs a display system that has both a reflective type and a transmissive type. By switching to either the reflective mode or the transmissive mode depending on the ambient brightness, It is designed to enable clear display even when the surroundings are dark while reducing power.

ところで、このような半透過反射型の液晶装置では、1つの画素領域内に半透過表示を行う透過表示と反射表示を行う反射表示領域とが設けられている。そして、液晶装置のうち反射表示領域と対応する領域には、液晶層に入射した外光を入射面に向けて反射する反射層が設けられている。この反射層の表面には、反射表示において良好な表示特性を得ることを目的として、光を散乱させながら反射するための凹凸が形成されている。   By the way, in such a transflective liquid crystal device, a transmissive display for performing transflective display and a reflective display region for performing reflective display are provided in one pixel region. A reflective layer that reflects external light incident on the liquid crystal layer toward the incident surface is provided in a region corresponding to the reflective display region of the liquid crystal device. The surface of the reflective layer is provided with irregularities for reflecting light while scattering for the purpose of obtaining good display characteristics in reflective display.

また、液晶装置の広視野角化を図る一手段として、液晶層に対して基板方向の電界を発生させて液晶分子の配向制御を行う方式(以下、横電界方式と称する)を用いることが知られており、このような横電界方式としてIPS(In-Plane Switching)方式やFFS(Fringe-Field Switching)方式が知られている。このような横電界方式を用いた液晶装置では、液晶層を挟持する一対の基板の一方に液晶分子を駆動するための一対の電極である画素電極及び共通電極が設けられている。例えば、FFS方式の液晶装置における画素電極は、共通電極との間で電界を発生させるために間隔をあけて設けられた複数の帯状電極を備えている。   Further, as one means for achieving a wide viewing angle of the liquid crystal device, it is known to use a method of controlling the alignment of liquid crystal molecules by generating an electric field in the substrate direction with respect to the liquid crystal layer (hereinafter referred to as a transverse electric field method). As such a horizontal electric field method, an IPS (In-Plane Switching) method and an FFS (Fringe-Field Switching) method are known. In a liquid crystal device using such a horizontal electric field method, a pixel electrode and a common electrode, which are a pair of electrodes for driving liquid crystal molecules, are provided on one of a pair of substrates that sandwich a liquid crystal layer. For example, a pixel electrode in an FFS mode liquid crystal device includes a plurality of band-like electrodes provided at intervals in order to generate an electric field with the common electrode.

半透過反射型のFFS方式を用いた液晶装置では、反射表示領域における画素電極が反射表示領域と対応する凹凸面上に設けられることがある。そして、凹凸面上に帯状電極(櫛歯状電極)を形成することから、帯状電極の微細加工が困難となり、帯状電極の断線や隣接する他の帯状電極との短絡が発生する場合がある。また、凹凸面上に直接画素電極を形成することから画素電極が凹凸状に形成されてしまう。すると、電圧を掛けたときに電界に乱れが生じて所望の方向に液晶が配向しない場合がある。なお、カラーフィルタ及びオーバーコートで平坦化を図りその上に電極を形成するという構造が開示されている(特許文献1、2参照)。
特開2002−258262号公報 特許公報3733923号
In a liquid crystal device using a transflective FFS method, a pixel electrode in a reflective display region may be provided on an uneven surface corresponding to the reflective display region. Since the strip electrode (comb-like electrode) is formed on the uneven surface, it is difficult to finely process the strip electrode, and the strip electrode may be disconnected or short-circuited with another adjacent strip electrode. In addition, since the pixel electrode is directly formed on the uneven surface, the pixel electrode is formed in an uneven shape. Then, when a voltage is applied, the electric field may be disturbed and the liquid crystal may not be aligned in a desired direction. A structure is disclosed in which planarization is performed with a color filter and an overcoat, and electrodes are formed thereon (see Patent Documents 1 and 2).
JP 2002-258262 A Japanese Patent No. 3733923

しかし、上記特許文献においては、凹凸部を有する反射層上に電極を形成する際の問題点については考慮されていない。   However, in the said patent document, the problem at the time of forming an electrode on the reflective layer which has an uneven | corrugated | grooved part is not considered.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、液晶装置の薄型化や製造効率の向上を図るとともに、反射表示領域に形成された電極の断線や短絡を防止して液晶の配向不良を少なくし、表示品位の低下を防ぐことを可能とした液晶装置及び電子機器を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and its object is to reduce the thickness of the liquid crystal device and improve the manufacturing efficiency, and to prevent the disconnection and short circuit of the electrodes formed in the reflective display region. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal device and an electronic apparatus that can reduce alignment defects and prevent deterioration of display quality.

本発明の液晶装置は、上記課題を解決するために、反射表示領域を有する複数の画素領域が設けられた一対の基板と、互いに対向する一対の基板間に挟持された液晶層と、一対の基板のうちの一方の基板における反射表示領域に設けられ、凹凸面を有する下地層と、下地層上に設けられ、凹凸面に対応する凹凸部を有する反射層と、反射層の上方に設けられ、液晶層に電圧を印加する第1電極及び第2電極と、を備え、反射層と、第1電極及び第2電極と、の間には、平坦化層が設けられていることを特徴とする液晶装置。   In order to solve the above problems, a liquid crystal device according to the present invention includes a pair of substrates provided with a plurality of pixel regions having a reflective display region, a liquid crystal layer sandwiched between a pair of substrates facing each other, and a pair of substrates. Provided in the reflective display area of one of the substrates, a base layer having an uneven surface, a reflective layer provided on the base layer and having an uneven portion corresponding to the uneven surface, and provided above the reflective layer A first electrode and a second electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer, and a planarizing layer is provided between the reflective layer and the first electrode and the second electrode. Liquid crystal device.

従来の反射表示領域を有する液晶装置では、反射層の凹凸が電極形状に反映されてしまっていたのに対し、本発明の液晶装置によれば、反射層の有する凹凸部の段差が平坦化層によって平坦化されるため、反射層上、すなわち平坦化層の表面を略平坦な面とすることができる。このような平坦な表面を有する平坦化層の上方に第1電極及び第2電極を形成することで、後述する実施例において説明するように、液晶層を駆動する電界の乱れを少なくさせることができる。このように、平坦化層を用いて反射層の凹凸部が第1電極及び第2電極の形状に反映されることを阻止しているので、液晶の配向方向の乱れが改善され、液晶の配向不良に起因する表示特性の低下を回避することができる。また、平坦な面に第1電極及び第2電極を形成することができるので、パターニングする際に、断線や短絡が生じることもなくなり歩留まりが向上する。   In the conventional liquid crystal device having a reflective display area, the unevenness of the reflective layer is reflected in the electrode shape, whereas according to the liquid crystal device of the present invention, the level difference of the uneven portion of the reflective layer is a flattened layer. Therefore, the surface of the reflective layer, that is, the surface of the flattened layer can be made a substantially flat surface. By forming the first electrode and the second electrode above the flattening layer having such a flat surface, the disturbance of the electric field for driving the liquid crystal layer can be reduced, as will be described in Examples described later. it can. As described above, since the uneven portion of the reflective layer is prevented from being reflected in the shapes of the first electrode and the second electrode by using the planarizing layer, the disorder of the alignment direction of the liquid crystal is improved, and the alignment of the liquid crystal is improved. Degradation of display characteristics due to defects can be avoided. In addition, since the first electrode and the second electrode can be formed on a flat surface, no disconnection or short circuit occurs during patterning, and the yield is improved.

また、第1電極及び第2電極が、平坦化層上に設けられていることも好ましい。
このような構成によれば、第1電極及び第2電極を平坦化層上に設けることによって、反射層の凹凸部が第2電極の形状に反映されることを防止することができる。よって、液晶を良好な配向状態で駆動することができる。
Moreover, it is also preferable that the first electrode and the second electrode are provided on the planarization layer.
According to such a structure, it can prevent that the uneven | corrugated | grooved part of a reflection layer is reflected in the shape of a 2nd electrode by providing a 1st electrode and a 2nd electrode on a planarization layer. Therefore, the liquid crystal can be driven in a good alignment state.

本発明の液晶装置は、反射表示領域を有する複数の画素領域が設けられた一対の基板と、互いに対向する一対の基板間に挟持された液晶層と、一対の基板のうちの一方の基板における反射表示領域に設けられ、凹凸面を有する下地層と、下地層上に設けられ、凹凸面に対応した凹凸部を有する反射層からなる第1電極と、第1電極の上方に設けられ、当該第1電極との間で液晶層に電圧を印加する第2電極と、を備え、第1電極と、第2電極と、の間には、平坦化層が設けられていることを特徴とする。   The liquid crystal device according to the present invention includes a pair of substrates provided with a plurality of pixel regions having a reflective display region, a liquid crystal layer sandwiched between a pair of substrates facing each other, and one of the pair of substrates. A first electrode comprising a base layer having a concavo-convex surface provided in the reflective display area, a reflective layer having a concavo-convex portion corresponding to the concavo-convex surface provided on the base layer, and provided above the first electrode; And a second electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer between the first electrode and a planarizing layer provided between the first electrode and the second electrode. .

本発明の液晶装置によれば、さらに、本発明においては、反射層を第1電極として機能させているので、作業工程が減ってコスト削減が図れるとともに装置全体を薄型化できる。
また、反射層の有する凹凸部の段差が平坦化層によって平坦化されるため、反射層からなる第1電極上、すなわち平坦化層の表面を略平坦な面とすることができる。このような平坦な表面を有する平坦化層の上方に第2電極を形成することで、後述する実施例において説明するように、液晶層を駆動する電界の乱れを少なくさせることができる。このように、平坦化層を用いて反射層の凹凸部が第2電極の形状に反映されることを阻止しているので、液晶の配向方向の乱れが改善され、液晶の配向不良に起因する表示特性の低下を回避することができる。また、平坦な面に第2電極を形成することができるので、パターニングする際に、断線や短絡が生じることもなくなり歩留まりが向上する。
Further, according to the liquid crystal device of the present invention, since the reflective layer functions as the first electrode in the present invention, the number of work steps can be reduced, the cost can be reduced, and the entire device can be thinned.
In addition, since the level difference of the concavo-convex portion of the reflective layer is flattened by the flattening layer, the surface of the first electrode made of the reflective layer, that is, the surface of the flattened layer can be made substantially flat. By forming the second electrode above the planarizing layer having such a flat surface, it is possible to reduce the disturbance of the electric field that drives the liquid crystal layer, as will be described in Examples described later. As described above, since the uneven portion of the reflective layer is prevented from being reflected in the shape of the second electrode by using the flattening layer, the disorder of the alignment direction of the liquid crystal is improved, resulting from the poor alignment of the liquid crystal. Degradation of display characteristics can be avoided. In addition, since the second electrode can be formed on a flat surface, no disconnection or short circuit occurs during patterning, thereby improving yield.

また、第2電極が、平坦化層からなる誘電層を介して、第1電極の上方に設けられていることも好ましい。
このような構成によれば、第1電極及び第2電極の配置により、容易にFFS方式の電極配置が採用された液晶装置を実現することができる。このようなFFS方式の電極配置を採用した場合、電極の上方に位置する液晶も駆動することができる。また、平坦化層からなる誘電層上に第2電極が設けられるため、反射層の凹凸部が第2電極の形状に反映されることを防止することができる。よって、第2電極上に位置する液晶を良好な配向状態で駆動することができる。
It is also preferable that the second electrode is provided above the first electrode through a dielectric layer made of a planarizing layer.
According to such a configuration, it is possible to easily realize a liquid crystal device in which the FFS mode electrode arrangement is adopted by the arrangement of the first electrode and the second electrode. When such an FFS electrode arrangement is employed, the liquid crystal positioned above the electrode can also be driven. In addition, since the second electrode is provided on the dielectric layer made of the planarizing layer, it is possible to prevent the uneven portion of the reflective layer from being reflected in the shape of the second electrode. Therefore, the liquid crystal positioned on the second electrode can be driven in a good alignment state.

前記画素領域には、前記反射層が形成されていない透過表示領域が設けられており、前記透過表示領域には、前記第2電極との間で前記液晶層に電圧を印加する第3電極が設けられており、前記第1電極と前記第3電極とが、同層に設けられるとともに互いに導通しており、前記第2電極が、前記平坦化層からなる誘電層を介して、前記第1電極及び前記第3電極の上方に設けられていることも好ましい。
このような構成によれば、また、反射表示領域に設けられる第1電極(反射層)と、透過表示領域に設けられる第3電極と、が同層に設けられるとともに互いに導通しているので、基板上での積層数を増やすことなく第2電極の上方に位置する液晶を駆動することができる。また、上記した構成の第1電極及び第3電極により、反射表示領域及び透過表示領域に亘って設けられる第2電極との間で、反射表示領域及び透過表示領域において液晶層に均一な電圧を印加することができる。よって、液晶を良好な配向状態で駆動することができる。
The pixel region is provided with a transmissive display region in which the reflective layer is not formed, and a third electrode that applies a voltage to the liquid crystal layer between the second electrode and the transmissive display region. The first electrode and the third electrode are provided in the same layer and are electrically connected to each other, and the second electrode is connected to the first electrode via a dielectric layer made of the planarizing layer. It is also preferable to be provided above the electrode and the third electrode.
According to such a configuration, the first electrode (reflective layer) provided in the reflective display region and the third electrode provided in the transmissive display region are provided in the same layer and are electrically connected to each other. The liquid crystal positioned above the second electrode can be driven without increasing the number of stacked layers on the substrate. In addition, by the first electrode and the third electrode having the above-described configuration, a uniform voltage is applied to the liquid crystal layer in the reflective display region and the transmissive display region between the second electrode provided across the reflective display region and the transmissive display region. Can be applied. Therefore, the liquid crystal can be driven in a good alignment state.

また、第2電極が、誘電層を介して第1電極の上方に設けられていると共に、複数本の電極指を有することも好ましい。
このような構成によれば、第1電極及び第3電極よりも液晶層側に平坦化層を介して反射層上に形成される第2電極は、複数本の電極指を有するものであるので、第1電極、第2電極、第3電極の配置により、容易にFFS方式の電極配置が採用された液晶装置を実現することができる。このようなFFS方式の電極配置を採用した場合、電極の上方に位置する液晶を良好に駆動することができる。
It is also preferable that the second electrode is provided above the first electrode via the dielectric layer and has a plurality of electrode fingers.
According to such a configuration, the second electrode formed on the reflective layer via the planarization layer on the liquid crystal layer side than the first electrode and the third electrode has a plurality of electrode fingers. By arranging the first electrode, the second electrode, and the third electrode, it is possible to easily realize a liquid crystal device that employs an FFS electrode arrangement. When such an FFS-type electrode arrangement is employed, the liquid crystal positioned above the electrodes can be driven satisfactorily.

また、画素領域には、第2電極が形成されていない電極非形成領域が設けられており、平坦化層は、電極非形成領域に重なる部分の膜厚が、第2電極に重なる部分の膜厚よりも薄いことも好ましい。
このような構成によれば、製造過程において平坦化層が厚くなってしまった場合にも、第2電極の電極指同士の間に対応する箇所(電極非形成領域)の膜厚を第2電極が形成された箇所の膜厚よりも薄く形成することによって、平坦化層の厚みを部分的に薄くすることができる。これにより、低電圧で第1電極と第2電極との間に電界を発生させることができる。ここで、平坦化層の表面において第1及び第2電極が形成される領域が平坦であればよいので、薄膜化する方法は問わない。
The pixel region is provided with an electrode non-formation region in which the second electrode is not formed, and the planarization layer has a film thickness in a portion overlapping the electrode non-formation region and a film in a portion overlapping the second electrode. It is also preferable that the thickness is smaller than the thickness.
According to such a configuration, even when the planarization layer becomes thick in the manufacturing process, the thickness of the portion (electrode non-formation region) corresponding to the gap between the electrode fingers of the second electrode is set to the second electrode. The thickness of the planarization layer can be partially reduced by forming the film thinner than the film thickness of the portion where the film is formed. Thereby, an electric field can be generated between the first electrode and the second electrode at a low voltage. Here, since the area | region where the 1st and 2nd electrode is formed in the surface of the planarization layer should just be flat, the method of thinning is not ask | required.

本発明の液晶装置は、反射表示領域を有する複数の画素領域が設けられた一対の基板と、互いに対向する一対の基板間に挟持された液晶層と、一対の基板のうちの一方の基板における反射表示領域に設けられ、凹凸面を有する下地層と、下地層上に設けられ、凹凸面に対応する凹凸部を有する反射層と、反射層の上方に設けられ、複数の帯状電極部を有すると共に、液晶層に電圧を印加する電極と、を備え、反射層と電極との間には、平坦化層が設けられていることを特徴とする。   The liquid crystal device according to the present invention includes a pair of substrates provided with a plurality of pixel regions having a reflective display region, a liquid crystal layer sandwiched between a pair of substrates facing each other, and one of the pair of substrates. A base layer having an uneven surface provided in the reflective display region, a reflective layer having an uneven portion corresponding to the uneven surface provided on the base layer, and a plurality of strip electrode portions provided above the reflective layer And an electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer, and a planarization layer is provided between the reflective layer and the electrode.

本発明の液晶装置によれば、反射層の上方に平坦化層を介して複数の帯状電極部が設けられているので、容易にIPS方式の電極配置が採用された液晶装置を実現することができる。このようなIPS方式の電極配置を採用した場合、電極の上方に位置する液晶を良好に駆動することができる。   According to the liquid crystal device of the present invention, since the plurality of strip electrode portions are provided above the reflective layer via the flattening layer, it is possible to easily realize a liquid crystal device that employs an IPS electrode arrangement. it can. When such an IPS electrode arrangement is adopted, the liquid crystal positioned above the electrode can be driven well.

本発明の電子機器は、上記のような液晶装置を備えていることを特徴とする。
本発明の電子機器によれば、反射膜の凹凸部による電界の乱れを防止することのできる上記液晶装置を備えて構成されるので、高品位表示を可能としたものとなる。
An electronic apparatus according to the present invention includes the liquid crystal device as described above.
According to the electronic apparatus of the present invention, since it is configured to include the liquid crystal device that can prevent the electric field from being disturbed by the uneven portion of the reflective film, high-quality display can be achieved.

[第1実施形態]
以下、本発明における液晶装置の第1実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図1は液晶装置を示す等価回路図、図2はサブ画素領域の平面構成図、図3は図2のA−A矢視断面図、図4は図2のA−A断面図における要部拡大図である。図4は液晶装置の概略構成を示す断面図であり、一部の構成要素が省略してある。
[First Embodiment]
Hereinafter, a liquid crystal device according to a first embodiment of the invention will be described with reference to the drawings. In each drawing used in the following description, the scale is appropriately changed to make each member a recognizable size. Here, FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing a liquid crystal device, FIG. 2 is a plan view of a sub-pixel region, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2, and FIG. FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the liquid crystal device, and some components are omitted.

〔液晶装置〕
本実施形態における液晶装置1は、カラー液晶装置であって、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色光を出射する3個のサブ画素領域で1個の画素を構成する液晶装置である。以下、表示を構成する最小単位となる画素領域を「サブ画素領域」と称する。
[Liquid crystal device]
The liquid crystal device 1 in the present embodiment is a color liquid crystal device, and one pixel is constituted by three sub-pixel regions that emit light of each color of R (red), G (green), and B (blue). It is a liquid crystal device. Hereinafter, the pixel area which is the minimum unit constituting the display is referred to as a “sub-pixel area”.

まず、液晶装置1の概略構成について説明する。液晶装置1は、図1に示すように、画像表示領域を構成する複数のサブ画素領域がマトリックス状に配置されている。この複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極11と、画素電極11をスイッチング制御するためのTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)素子(駆動素子)12とが形成されている。このTFT素子12は、ソース電極が液晶装置1に設けられたデータ線駆動回路13から延在するデータ線14に電気的に接続され、ゲートが液晶装置1に設けられた走査線駆動回路15から延在する走査線16に電気的に接続され、ドレイン電極が画素電極11に電気的に接続されている。   First, a schematic configuration of the liquid crystal device 1 will be described. As shown in FIG. 1, the liquid crystal device 1 has a plurality of sub-pixel areas constituting an image display area arranged in a matrix. In each of the plurality of sub-pixel regions, a pixel electrode 11 and a TFT (Thin Film Transistor) element (drive element) 12 for switching control of the pixel electrode 11 are formed. The TFT element 12 has a source electrode electrically connected to a data line 14 extending from a data line driving circuit 13 provided in the liquid crystal device 1, and a gate from a scanning line driving circuit 15 provided in the liquid crystal device 1. The drain scanning electrode 16 is electrically connected to the extending scanning line 16, and the drain electrode is electrically connected to the pixel electrode 11.

データ線駆動回路13は、データ線14を介して画像信号S1、S2、…、Snを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、データ線駆動回路13は、画像信号S1〜Snをこの順で線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線14同士に対してグループ毎に供給してもよい。   The data line driving circuit 13 is configured to supply image signals S1, S2,..., Sn to the sub-pixel regions via the data line. Here, the data line driving circuit 13 may supply the image signals S1 to Sn line-sequentially in this order, or may supply each of the data lines 14 adjacent to each other for each group.

走査線駆動回路15は、走査線16を介して走査信号G1、G2、…、Gmを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、走査線駆動回路15は、走査信号G1〜Gmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。   The scanning line driving circuit 15 is configured to supply scanning signals G1, G2,..., Gm to the sub-pixel regions via the scanning lines 16. Here, the scanning line drive circuit 15 supplies the scanning signals G1 to Gm in a pulse-sequential manner at predetermined timing.

また、液晶装置1は、スイッチング素子であるTFT素子12が走査信号G1〜Gmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線14から供給される画像信号S1〜Snが所定のタイミングで画素電極11に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極11を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1〜Snは、画素電極11と後述する共通電極45との間で一定期間保持される。   Further, in the liquid crystal device 1, the TFT elements 12 that are switching elements are turned on for a certain period by the input of the scanning signals G <b> 1 to Gm, so that the image signals S <b> 1 to Sn supplied from the data line 14 have a predetermined timing. Thus, the pixel electrode 11 is written. A predetermined level of image signals S1 to Sn written to the liquid crystal via the pixel electrode 11 is held for a certain period between the pixel electrode 11 and a common electrode 45 described later.

次に、液晶装置1の詳細な構成について、図2から図4を参照しながら説明する。なお、図2では、対向基板の図示を省略している。また、図2において、平面視でほぼ矩形状のサブ画素領域Sの長軸方向をX軸方向、短軸方向をY軸方向とする。
液晶装置1は、各サブ画素領域Sにおいて、図2及び図3に示すように、サブ画素領域Sの長軸方向(X軸方向)の一端部(サブ画素領域Sのうち長軸方向で二分割した領域のうち当該サブ画素領域Sと対応して設けられた走査線16から離間する側)と対応する領域を反射表示領域Rとし、他の領域を透過表示領域Tとした2つの表示領域を有している。
Next, a detailed configuration of the liquid crystal device 1 will be described with reference to FIGS. In FIG. 2, the counter substrate is not shown. In FIG. 2, the major axis direction of the sub-pixel region S that is substantially rectangular in plan view is defined as the X-axis direction, and the minor axis direction is defined as the Y-axis direction.
As shown in FIGS. 2 and 3, the liquid crystal device 1 has one end portion in the major axis direction (X-axis direction) of the sub-pixel region S (two in the major-axis direction of the sub-pixel region S). Of the divided areas, two display areas in which the area corresponding to the sub-pixel area S and the side away from the scanning line 16) is the reflective display area R and the other area is the transmissive display area T. have.

液晶装置1は、図3に示すように、素子基板(基板)21と、素子基板21と対向配置された対向基板22と、素子基板21及び対向基板22の間に挟持された液晶層23と、素子基板21の外面側(液晶層23と反対側)に設けられた偏光板24と、対向基板22の外面側に設けられた偏光板25とを備えている。そして、液晶装置1は、素子基板21の外面側から照明光が照射される構成となっている。
また、液晶装置1には、素子基板21と対向基板22とが対向する領域の縁端に沿ってシール材(図示略)が設けられており、このシール材、素子基板21及び対向基板22によって液晶層23が封止されている。
As shown in FIG. 3, the liquid crystal device 1 includes an element substrate (substrate) 21, a counter substrate 22 disposed to face the element substrate 21, and a liquid crystal layer 23 sandwiched between the element substrate 21 and the counter substrate 22. The polarizing plate 24 provided on the outer surface side of the element substrate 21 (the side opposite to the liquid crystal layer 23) and the polarizing plate 25 provided on the outer surface side of the counter substrate 22 are provided. The liquid crystal device 1 is configured to be irradiated with illumination light from the outer surface side of the element substrate 21.
The liquid crystal device 1 is provided with a sealing material (not shown) along the edge of the region where the element substrate 21 and the counter substrate 22 face each other. The liquid crystal layer 23 is sealed.

素子基板21は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料からなる基板本体31と、基板本体31の内側(液晶層23側)の表面に順次積層されたゲート絶縁膜32、層間絶縁層33(下地層)及び配向膜36とを備えている。   The element substrate 21 includes, for example, a substrate body 31 made of a light-transmitting material such as glass, quartz, and plastic, a gate insulating film 32 and an interlayer insulating layer sequentially stacked on the inner surface (the liquid crystal layer 23 side) of the substrate body 31. 33 (underlying layer) and an alignment film 36 are provided.

また、素子基板21は、基板本体31の内側の表面に配置された走査線16と、ゲート絶縁膜32の内側の表面に配置されたデータ線14(図2に示す)、半導体層41、ソース電極43及びドレイン電極42と、層間絶縁層33の内側の表面に配置された反射層44と、層間絶縁層33及び反射層44の内側の表面に配置された平坦化層34と、平坦化層34の内側の表面に配置された共通電極45と、共通電極45の内側表面に配置された誘電層35と、誘電層35の内側の表面に配置された画素電極11とを備えている。   The element substrate 21 includes a scanning line 16 disposed on the inner surface of the substrate body 31, a data line 14 (shown in FIG. 2) disposed on the inner surface of the gate insulating film 32, a semiconductor layer 41, a source The electrode 43 and the drain electrode 42, the reflective layer 44 disposed on the inner surface of the interlayer insulating layer 33, the planarizing layer 34 disposed on the inner surface of the interlayer insulating layer 33 and the reflective layer 44, and the planarizing layer 34, a common electrode 45 disposed on the inner surface of the common electrode 45, a dielectric layer 35 disposed on the inner surface of the common electrode 45, and a pixel electrode 11 disposed on the inner surface of the dielectric layer 35.

データ線14は、図2に示すように、平面視で矩形状のサブ画素領域Sの長軸方向(X軸方向)に沿って配置されている。また、走査線16は、サブ画素領域Sの短軸方向(Y軸方向)に沿って配置されている。したがって、データ線14及び走査線16は、平面視でほぼ格子状に配線されている。   As shown in FIG. 2, the data line 14 is arranged along the long axis direction (X-axis direction) of the rectangular sub-pixel region S in plan view. The scanning lines 16 are arranged along the minor axis direction (Y-axis direction) of the sub-pixel region S. Therefore, the data lines 14 and the scanning lines 16 are wired in a substantially lattice shape in plan view.

図3に示すゲート絶縁膜32は、例えばSiO2(酸化シリコン)などの透光性材料で構成されており、基板本体31上に形成された走査線16を覆うように設けられている。   The gate insulating film 32 shown in FIG. 3 is made of a translucent material such as SiO 2 (silicon oxide), for example, and is provided so as to cover the scanning lines 16 formed on the substrate body 31.

半導体層41は、図2及び図3に示すように、平面視でゲート絶縁膜32を介して走査線16と重なる領域に部分的に形成され、アモルファスシリコンやポリシリコンなどの半導体で構成されている。また、ソース電極43は、データ線14から分岐しており、一部が半導体層41の一部を覆うように形成されている。そして、ドレイン電極42は、一部が半導体層41の一部を覆うように形成されており、層間絶縁層33及び平坦化層34を貫通するコンタクトホールHを介して画素電極11と導通している。これら半導体層41、ドレイン電極42及びソース電極43によって、TFT素子12が構成されている。また、TFT素子12は、図2に示すようにデータ線14及び走査線16の交差部近傍に設けられている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the semiconductor layer 41 is partially formed in a region overlapping the scanning line 16 through the gate insulating film 32 in plan view, and is made of a semiconductor such as amorphous silicon or polysilicon. Yes. The source electrode 43 is branched from the data line 14 and is formed so as to partially cover the semiconductor layer 41. The drain electrode 42 is formed so as to partially cover the semiconductor layer 41, and is electrically connected to the pixel electrode 11 through the contact hole H penetrating the interlayer insulating layer 33 and the planarization layer 34. Yes. The TFT layer 12 is configured by the semiconductor layer 41, the drain electrode 42, and the source electrode 43. The TFT element 12 is provided in the vicinity of the intersection of the data line 14 and the scanning line 16 as shown in FIG.

層間絶縁層33は、ゲート絶縁膜32と同様に、例えばSiN(窒化シリコン)などの透光性材料で構成され、図2及び図3に示すように、ゲート絶縁膜32上に形成されたデータ線14、半導体層41、ソース電極43及びドレイン電極42を覆うようにしてゲート絶縁膜32の表面に設けられている。   Like the gate insulating film 32, the interlayer insulating layer 33 is made of a light-transmitting material such as SiN (silicon nitride), for example, and the data formed on the gate insulating film 32 as shown in FIGS. It is provided on the surface of the gate insulating film 32 so as to cover the line 14, the semiconductor layer 41, the source electrode 43 and the drain electrode 42.

そして、図4に示すように、反射表示領域Rに対応する内側の表面が凹凸形状となっており、内側の表面に分散して形成された複数の凸部33aを有している。これら複数の凸部33aは、層間絶縁層33をパターニングすることによって形成される。このように、凸部33aが複数配置された構成とすることにより、層間絶縁層33の内側表面に凹凸面33Aが形成される。 As shown in FIG. 4, the inner surface corresponding to the reflective display region R has an uneven shape, and has a plurality of convex portions 33a formed dispersed on the inner surface. The plurality of convex portions 33 a are formed by patterning the interlayer insulating layer 33. In this way, by providing a configuration in which a plurality of convex portions 33 a are arranged, the concave and convex surface 33 </ b> A is formed on the inner surface of the interlayer insulating layer 33.

反射層44は、アルミニウム、APC、銀などの光反射性を有する金属膜をパターン形成したものであって、反射表示領域Rに対応する層間絶縁層33の内側の表面、すなわち凸部33a(凹凸面33A)上に形成されている。これにより、反射層44は層間絶縁層33の表面の凹凸面33Aと対応する凹凸面44Aを有した凹凸部44aを備えたものとなり、散乱反射を行う構成となっている。凹凸部44aの形状は、光を効率よく散乱・反射させるとともに、基板の平坦性を悪化させないように、凹凸の面内ピッチを所定範囲内に、また、凹凸の高さが例えば0.5〜1.0μmの範囲内にそれぞれ収まるように設定されている。   The reflective layer 44 is formed by patterning a light-reflective metal film such as aluminum, APC, or silver. The reflective layer 44 is an inner surface of the interlayer insulating layer 33 corresponding to the reflective display region R, that is, a convex portion 33a (concave / convex portion). Surface 33A). As a result, the reflective layer 44 has a concavo-convex portion 44a having a concavo-convex surface 44A corresponding to the concavo-convex surface 33A on the surface of the interlayer insulating layer 33, and is configured to perform scattering reflection. The shape of the concavo-convex portion 44a is such that the in-plane pitch of the concavo-convex is within a predetermined range and the height of the concavo-convex is 0.5 to, for example, so that light is efficiently scattered and reflected and the flatness of the substrate is not deteriorated. It is set so as to be within the range of 1.0 μm.

平坦化層34は、図3及び図4に示すように、例えば低粘度のネガレジストやUV硬化樹脂等の透光性材料で構成されており、反射層44の凹凸部44aの段差を埋め込むようにして層間絶縁層33及び反射層44を覆っている。このとき、粘度の高い材料を用いて平坦化層34を構成すると、反射層44の凹凸部44aの形状を反映してしまうことになる。これでは、反射表示領域Rにおける平坦化層34の内側表面の平坦性が損なわれてしまう。そのため平坦化層34は、反射表示領域Rにおいてもその内側表面が透過表示領域T側における内側表面と同様の平坦性を有するように、反射層44の凹凸部44aの段差に応じた粘度調整を行うことが重要である。   As shown in FIGS. 3 and 4, the planarization layer 34 is made of a light-transmitting material such as a low-viscosity negative resist or a UV curable resin, and embeds a step in the uneven portion 44 a of the reflective layer 44. Thus, the interlayer insulating layer 33 and the reflective layer 44 are covered. At this time, if the planarizing layer 34 is formed using a material having a high viscosity, the shape of the concavo-convex portion 44 a of the reflective layer 44 is reflected. This impairs the flatness of the inner surface of the flattening layer 34 in the reflective display region R. Therefore, the flattening layer 34 is adjusted in viscosity according to the level difference of the concavo-convex portion 44a of the reflective layer 44 so that the inner surface of the reflective display region R has the same flatness as the inner surface on the transmissive display region T side. It is important to do.

また、層間絶縁層33及び平坦化層34には、平面視でドレイン電極42と重なる領域に層間絶縁層33及び平坦化層34を貫通するコンタクトホールHが形成されている。   Further, in the interlayer insulating layer 33 and the planarizing layer 34, a contact hole H penetrating the interlayer insulating layer 33 and the planarizing layer 34 is formed in a region overlapping the drain electrode 42 in plan view.

共通電極45は、図2及び図3に示すように、平坦化層34及び反射層44を覆うように形成されており、例えばITO(酸化インジウムスズ)などの透光性導電材料で構成されている。
平坦化層34の内側表面が反射表示領域R及び透過表示領域Tともに平坦面となっていることから、共通電極45の内側表面も領域に問わず同様の平坦面を有したものとなっている。この共通電極45には、例えば液晶層23の駆動に用いられる所定の一定の電圧あるいは0V、または所定の一定の電位とこれと異なる他の所定の一定の電位とが周期的(フレーム期間毎またはフィールド期間毎)に切り替わる信号が印加される。
As shown in FIGS. 2 and 3, the common electrode 45 is formed so as to cover the planarization layer 34 and the reflection layer 44, and is made of a light-transmitting conductive material such as ITO (indium tin oxide). Yes.
Since the inner surface of the flattening layer 34 is a flat surface in both the reflective display region R and the transmissive display region T, the inner surface of the common electrode 45 has the same flat surface regardless of the region. . For example, a predetermined constant voltage or 0 V used for driving the liquid crystal layer 23, or a predetermined constant potential and another predetermined constant potential different from the common electrode 45 are periodically (every frame period or A signal that changes every field period) is applied.

誘電層35は、共通電極45を覆うように形成されており、無機物である場合には酸化シリコン(SiO2)等の透明性材料、有機物である場合にはアクリル樹脂等の透明性材料から構成される。そして、共通電極45と画素電極11との間に誘電層35を介在することによって共通電極45及び画素電極11同士を絶縁している。この誘電層35においても、内側表面は領域に問わず平坦な面となっている。   The dielectric layer 35 is formed so as to cover the common electrode 45, and is composed of a transparent material such as silicon oxide (SiO2) in the case of an inorganic material, and a transparent material such as an acrylic resin in the case of an organic material. The The common electrode 45 and the pixel electrode 11 are insulated from each other by interposing the dielectric layer 35 between the common electrode 45 and the pixel electrode 11. Also in this dielectric layer 35, the inner surface is a flat surface regardless of the region.

画素電極11は、誘電層35上に形成されており、図2に示すように、平面視でほぼ梯子形状であって、上記共通電極45と同様に、例えばITOなどの透光性導電材料で構成されている。そして、画素電極11は、平面視で矩形の枠状の枠部11aと、ほぼサブ画素領域Sの短軸方向(Y軸方向)に延在すると共にサブ画素領域Sの長軸方向(X軸方向)で間隔をあけて複数(15本)配置された帯状部11b(電極指)とを備えている。このような画素電極11は、図3に示すように内側表面が平坦な面とされた誘電層35上に配置されるために、反射層44の凹凸部44aの形状の影響を受けることのない構成となっている。   The pixel electrode 11 is formed on the dielectric layer 35 and has a substantially ladder shape in a plan view as shown in FIG. 2. Like the common electrode 45, the pixel electrode 11 is made of a translucent conductive material such as ITO. It is configured. The pixel electrode 11 extends in the short axis direction (Y-axis direction) of the sub-pixel region S and the long-axis direction (X-axis) of the sub-pixel region S, and extends substantially in the short-axis direction (Y-axis direction) of the sub-pixel region S. A plurality of (15) strip-like portions 11b (electrode fingers) arranged at intervals in the direction). Since such a pixel electrode 11 is disposed on the dielectric layer 35 having a flat inner surface as shown in FIG. 3, the pixel electrode 11 is not affected by the shape of the uneven portion 44a of the reflective layer 44. It has a configuration.

枠部11aは、図2に示すように、データ線14及び走査線16にそれぞれ沿う2対の帯状の電極を平面視でほぼ矩形の枠状となるように接続した構成となっており、互いに対向する2対の辺がそれぞれX軸方向及びY軸方向に沿って延在している。
帯状部11bは、互いが平行となるように形成されており、その両端がそれぞれ枠部11aのうちY軸方向に沿って延在する部分と接続されている。また、帯状部11bは、その延在方向がY軸方向と非平行となるように設けられている。すなわち、帯状部11bは、その延在方向が平面視においてデータ線14から離間する一端から近接する他端に向かうにしたがって走査線16に近接するように形成されている。
As shown in FIG. 2, the frame portion 11 a has a configuration in which two pairs of strip electrodes along the data line 14 and the scanning line 16 are connected to form a substantially rectangular frame shape in plan view. Two pairs of opposing sides extend along the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively.
The strip portions 11b are formed so as to be parallel to each other, and both ends thereof are connected to portions of the frame portion 11a extending along the Y-axis direction. Moreover, the strip | belt-shaped part 11b is provided so that the extension direction may become non-parallel to the Y-axis direction. That is, the strip portion 11b is formed so that its extending direction is closer to the scanning line 16 as it goes from one end away from the data line 14 toward the other end in plan view.

配向膜36は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、図3に示す誘電層35上に形成された画素電極11を覆うように設けられている。また、配向膜36の表面には、図2に示すサブ画素領域Sの短軸方向(Y軸方向)を配向方向とする配向処理が施されている。   The alignment film 36 is made of, for example, a resin material such as polyimide, and is provided so as to cover the pixel electrode 11 formed on the dielectric layer 35 shown in FIG. The surface of the alignment film 36 is subjected to an alignment process in which the short axis direction (Y-axis direction) of the sub-pixel region S shown in FIG.

以上より、液晶装置1は、帯状部11bと共通電極45との間に電圧を印加し、これによって生じる基板平面方向の電界(横電界)によって液晶を駆動する構成となっている。これにより、画素電極11及び共通電極45は、FFS方式の電極構造を構成している。   As described above, the liquid crystal device 1 has a configuration in which a voltage is applied between the strip portion 11b and the common electrode 45, and the liquid crystal is driven by an electric field (lateral electric field) generated in the direction of the substrate plane. Accordingly, the pixel electrode 11 and the common electrode 45 constitute an FFS type electrode structure.

一方、対向基板22は、図3に示すように、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体51と、基板本体51の内側(液晶層23側)の表面に順次積層された遮光膜52、カラーフィルタ層53、配向膜54b、位相差層55及び配向膜54aとを備えている。   On the other hand, as shown in FIG. 3, the counter substrate 22 is sequentially formed on a substrate body 51 made of a translucent material such as glass, quartz, and plastic, and on the inner surface (the liquid crystal layer 23 side) of the substrate body 51. A light shielding film 52, a color filter layer 53, an alignment film 54b, a retardation layer 55, and an alignment film 54a are provided.

遮光膜52は、基板本体51の表面のうち平面視でサブ画素領域Sの縁部と重なる領域に形成されており、サブ画素領域Sを縁取っている。
また、カラーフィルタ層53は、各サブ画素領域Sに対応して配置されており、例えばアクリルなどで構成されて各サブ画素領域Sで表示する色に対応する色材を含有している。
The light shielding film 52 is formed in a region of the surface of the substrate body 51 that overlaps the edge of the sub pixel region S in plan view, and borders the sub pixel region S.
The color filter layer 53 is disposed corresponding to each sub-pixel region S, and is made of, for example, acrylic and contains a color material corresponding to the color displayed in each sub-pixel region S.

位相差層55はカラーフィルタ層53上における反射表示領域R側に設けられている。反射表示領域Rに位相差層55を設けることによって、適切な反射表示及び透過表示を得られるようにしている。液晶セルに位相差層55を内蔵させることによって、液晶セルの外側に位相差の調整のための位相差板等を設ける必要がなく、液晶セルの薄型化や低コスト化を図ることができる。   The retardation layer 55 is provided on the reflective display region R side on the color filter layer 53. By providing the retardation layer 55 in the reflective display region R, appropriate reflective display and transmissive display can be obtained. By incorporating the retardation layer 55 in the liquid crystal cell, it is not necessary to provide a retardation plate or the like for adjusting the retardation outside the liquid crystal cell, and the liquid crystal cell can be made thinner and less expensive.

また、配向膜54aは、例えばポリイミドなどの透光性の樹脂材料で構成されており、カラーフィルタ層53及び位相差層55を覆うように設けられている。また、位相差層55の基板本体51側に設けられた配向膜54bは、位相差層55の配向用に設けられている。そして、配向膜54aの内側の表面には、配向膜36の配向方向と同方向のラビング処理が施されており、配向膜54bの表面には、所望の遅相軸に対応した配向処理が施されている。   Further, the alignment film 54 a is made of a light-transmitting resin material such as polyimide, and is provided so as to cover the color filter layer 53 and the retardation layer 55. The alignment film 54 b provided on the substrate body 51 side of the retardation layer 55 is provided for the alignment of the retardation layer 55. The inner surface of the alignment film 54a is rubbed in the same direction as the alignment direction of the alignment film 36, and the alignment film 54b is subjected to an alignment process corresponding to the desired slow axis. Has been.

液晶層23を構成する液晶分子は、配向膜36、54aにサブ画素領域Sの短軸方向(Y軸方向)を配向方向とする配向処理が施されているため、画素電極11及び共通電極45の間に電圧を印加しない状態(オフ状態)において、図2に示すY軸方向に沿って水平に配向している。また、液晶分子は、画素電極11及び共通電極45の間に電圧を印加した状態(オン状態)において、帯状部11bの延在方向と直交する方向に沿って配向する。したがって、液晶層23では、オフ状態とオン状態とにおける液晶分子の配向状態の差異に基づく複屈折性を利用して液晶層23を透過する光に対して位相差を付与している。   Since the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 23 are subjected to an alignment process in which the alignment direction is the short axis direction (Y-axis direction) of the sub-pixel region S on the alignment films 36 and 54 a, the pixel electrode 11 and the common electrode 45. In a state where no voltage is applied (OFF state) during the period, the film is horizontally oriented along the Y-axis direction shown in FIG. Further, the liquid crystal molecules are aligned along a direction orthogonal to the extending direction of the belt-like portion 11b in a state where a voltage is applied between the pixel electrode 11 and the common electrode 45 (on state). Therefore, in the liquid crystal layer 23, a phase difference is given to the light transmitted through the liquid crystal layer 23 by utilizing birefringence based on the difference in the alignment state of the liquid crystal molecules between the off state and the on state.

偏光板24は、その透過軸がサブ画素領域Sの長軸方向(図2に示すX軸方向)に沿うように設けられており、偏光板25は、その透過軸がサブ画素領域Sの短軸方向(図2に示すY軸方向)に沿うように設けられている。したがって、偏光板24、25は、その透過軸が互いにほぼ直交するように設けられている。   The polarizing plate 24 is provided so that its transmission axis is along the major axis direction (X-axis direction shown in FIG. 2) of the sub-pixel region S. The polarizing plate 25 has a transmission axis shorter than that of the sub-pixel region S. It is provided along the axial direction (Y-axis direction shown in FIG. 2). Accordingly, the polarizing plates 24 and 25 are provided so that their transmission axes are substantially orthogonal to each other.

ここで、偏光板24、25の一方または双方の内側には、光学補償フィルム(図示略)を配置してもよい。光学補償フィルムを配置することで、液晶装置1を斜視した場合の液晶層23の位相差を補償することができ、光漏れを減少させてコントラストを増加させることができる。   Here, an optical compensation film (not shown) may be disposed inside one or both of the polarizing plates 24 and 25. By disposing the optical compensation film, it is possible to compensate for the phase difference of the liquid crystal layer 23 when the liquid crystal device 1 is perspective, and to reduce light leakage and increase contrast.

〔液晶装置の製造方法〕
次に、このような構成の液晶装置1の製造方法について図2から図4を用いて説明する。まず、従来の液晶装置の製造方法と同様に、基板本体31上に走査線16を形成し、これを覆うようにゲート絶縁膜32を形成する。そして、ゲート絶縁膜32上にデータ線14、半導体層41、ソース電極43及びドレイン電極42を形成し、これを覆うように層間絶縁層33を形成する。
[Method of manufacturing liquid crystal device]
Next, a manufacturing method of the liquid crystal device 1 having such a configuration will be described with reference to FIGS. First, similarly to the conventional method of manufacturing a liquid crystal device, the scanning line 16 is formed on the substrate body 31, and the gate insulating film 32 is formed so as to cover it. Then, the data line 14, the semiconductor layer 41, the source electrode 43, and the drain electrode 42 are formed on the gate insulating film 32, and the interlayer insulating layer 33 is formed so as to cover them.

そして、層間絶縁層33の内側の表面のうち反射表示領域Rと対応する領域に複数の凸部33aからなる凹凸面33Aを形成する(凹凸形状付与工程)。ここでは、層間絶縁層33上に例えばポジ型の感光性アクリル樹脂を塗布し、樹脂層(図示略)を形成する。そして、所定の開口パターンを有するマスクを用いて露光光を照射する。ここで、マスクの開口パターンは、凸部33aの非形成領域と透過表示領域Tと対応する領域に露光光を照射する形状となっている。
なお、層間絶縁層33と凸部33aとは一体形成されていてもよい。
And the uneven surface 33A which consists of several convex part 33a is formed in the area | region corresponding to the reflective display area | region R among the inner surfaces of the interlayer insulation layer 33 (uneven | corrugated shape provision process). Here, for example, a positive photosensitive acrylic resin is applied on the interlayer insulating layer 33 to form a resin layer (not shown). Then, exposure light is irradiated using a mask having a predetermined opening pattern. Here, the opening pattern of the mask has a shape in which exposure light is irradiated to a region corresponding to the non-formation region of the convex portion 33a and the transmissive display region T.
The interlayer insulating layer 33 and the convex portion 33a may be integrally formed.

その後、樹脂層のうち露光された領域を現像液によって除去する。これにより、ほぼ円柱状の突出部が形成される。さらに、樹脂層に加熱処理を施すことで、上記突出部の上端面を軟化させて凸部33aを形成する。このようにして、反射表示領域Rにおける内側の表面が凹凸面33Aとされた層間絶縁層33が形成される。   Thereafter, the exposed area of the resin layer is removed with a developer. Thereby, a substantially columnar protrusion is formed. Further, the heat treatment is performed on the resin layer, so that the upper end surface of the protruding portion is softened to form the convex portion 33a. In this way, the interlayer insulating layer 33 is formed in which the inner surface in the reflective display region R is the uneven surface 33A.

続いて、層間絶縁層33上に反射層44を形成する(反射層形成工程)。層間絶縁層33上に金属膜を成膜し、透過表示領域T側を公知のフォトリソグラフィー技術を用いてパターニングする。このようにして、層間絶縁層33のうち凸部33aが形成されている反射表示領域R側に、凸部33aに対応する凹凸部44aを有した反射層44が形成される。   Subsequently, a reflective layer 44 is formed on the interlayer insulating layer 33 (reflective layer forming step). A metal film is formed on the interlayer insulating layer 33, and the transmissive display region T side is patterned using a known photolithography technique. In this way, the reflective layer 44 having the concavo-convex portion 44a corresponding to the convex portion 33a is formed on the reflective display region R side where the convex portion 33a is formed in the interlayer insulating layer 33.

そして、層間絶縁層33及び反射層44上に平坦化層34を形成する(平坦化層形成工程)。このとき、反射層44の凹凸部44aの段差を埋め込むようにして、反射表示領域Rと透過表示領域Tとで同等の平坦性を有するような膜厚で形成する。これにより、平坦化層34の内側表面が反射表示領域R及び透過表示領域Tともに同様の平坦性を有した平坦面となる。   Then, a planarizing layer 34 is formed on the interlayer insulating layer 33 and the reflective layer 44 (planarizing layer forming step). At this time, the reflective display region R and the transmissive display region T are formed in such a film thickness that has the same flatness so as to bury the step of the uneven portion 44a of the reflective layer 44. Thereby, the inner surface of the planarization layer 34 becomes a flat surface having the same flatness in both the reflective display region R and the transmissive display region T.

次に、平坦化層34上に共通電極45を形成し(電極形成工程)、これを覆うように誘電層35を形成する。さらに、層間絶縁層33及び平坦化層34を貫通するコンタクトホールHを形成し、誘電層35上に画素電極11を形成する。ここで、反射層44上に平坦化層34が設けられていることで共通電極45及び誘電層35の内側表面の平坦性が向上しているので、枠部11a及び帯状部11bが断線したり、隣り合う帯状部11bと短絡したりすることなくパターン形成される。つまり、反射層44の凹凸部44aの形状の影響が画素電極11の形成に及ばない構成となっている。
その後、これを覆うように配向膜36を形成する。以上のようにして、素子基板21を形成する。
Next, the common electrode 45 is formed on the planarizing layer 34 (electrode forming step), and the dielectric layer 35 is formed so as to cover it. Further, a contact hole H penetrating the interlayer insulating layer 33 and the planarizing layer 34 is formed, and the pixel electrode 11 is formed on the dielectric layer 35. Here, since the flatness of the inner surface of the common electrode 45 and the dielectric layer 35 is improved by providing the flattening layer 34 on the reflective layer 44, the frame portion 11a and the strip-shaped portion 11b are disconnected. The pattern is formed without short-circuiting with the adjacent belt-like portion 11b. That is, the configuration is such that the influence of the shape of the uneven portion 44 a of the reflective layer 44 does not reach the formation of the pixel electrode 11.
Thereafter, an alignment film 36 is formed so as to cover it. As described above, the element substrate 21 is formed.

また、基板本体51上には、遮光膜52及びカラーフィルタ層53を形成する。そして、カラーフィルタ層53上の反射表示領域R側における配向膜54b上に位相差層55を形成し、この位相差層55及びカラーフィルタ層53を覆うようにして配向膜54aを形成する。以上のようにして、対向基板22を形成する。
その後、上述のように形成した素子基板21及び対向基板22をシール材で貼り合わせて液晶を注入、封止することで液晶層23を形成する。そして、素子基板21及び対向基板22のそれぞれの外面に偏光板24、25を配置する。以上のようにして液晶装置1を製造する。
A light shielding film 52 and a color filter layer 53 are formed on the substrate body 51. Then, the retardation layer 55 is formed on the alignment film 54 b on the reflective display region R side on the color filter layer 53, and the alignment film 54 a is formed so as to cover the retardation layer 55 and the color filter layer 53. As described above, the counter substrate 22 is formed.
Thereafter, the element substrate 21 and the counter substrate 22 formed as described above are bonded together with a sealing material, and liquid crystal is injected and sealed, thereby forming the liquid crystal layer 23. Then, polarizing plates 24 and 25 are disposed on the outer surfaces of the element substrate 21 and the counter substrate 22, respectively. The liquid crystal device 1 is manufactured as described above.

〔液晶装置の動作〕
次に、このような構成の液晶装置1の動作について説明する。
まず、透過表示(透過モード)について説明する。素子基板21の外面側から透過表示領域Tに入射した光は、偏光板24によってサブ画素領域Sの長軸方向(図2に示すX軸方向)に平行な直線偏光に変換されて液晶層23に入射する。
ここで、オフ状態の場合であれば、液晶層23に入射した直線偏光は、液晶層23により入射時と同一の偏光状態で液晶層23から出射する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板25の透過軸と直交するため、偏光板25で遮断され、サブ画素領域Sが暗表示となる。
[Operation of liquid crystal device]
Next, the operation of the liquid crystal device 1 having such a configuration will be described.
First, transmissive display (transmission mode) will be described. Light incident on the transmissive display region T from the outer surface side of the element substrate 21 is converted by the polarizing plate 24 into linearly polarized light parallel to the major axis direction (X-axis direction shown in FIG. 2) of the sub-pixel region S, and the liquid crystal layer 23. Is incident on.
Here, in the off state, the linearly polarized light incident on the liquid crystal layer 23 is emitted from the liquid crystal layer 23 in the same polarization state as that upon incidence by the liquid crystal layer 23. The linearly polarized light has its polarization direction orthogonal to the transmission axis of the polarizing plate 25, and is thus blocked by the polarizing plate 25, and the sub-pixel region S is darkly displayed.

一方、オン状態の場合であれば、液晶層23に入射した直線偏光は、入射時の偏光方向と直交する直線偏光に変換されて液晶層23から出射する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板25の透過軸と平行であるため、偏光板25を透過して表示光として視認され、サブ画素領域Sが明表示となる。   On the other hand, in the case of the on state, the linearly polarized light incident on the liquid crystal layer 23 is converted into linearly polarized light orthogonal to the polarization direction at the time of incidence and is emitted from the liquid crystal layer 23. Since the polarization direction of the linearly polarized light is parallel to the transmission axis of the polarizing plate 25, the linearly polarized light passes through the polarizing plate 25 and is visually recognized as display light, and the sub-pixel region S is brightly displayed.

続いて、反射表示(反射モード)について説明する。対向基板22の外面側から入射した光は、偏光板25によってサブ画素領域Sの短軸方向(図2に示すY軸方向)に平行な直線偏光に変換されて液晶層23に入射する。
ここで、オフ状態の場合であれば、液晶層23に入射した直線偏光は、円偏光に変換されて反射層44に達する。
Subsequently, reflection display (reflection mode) will be described. Light incident from the outer surface side of the counter substrate 22 is converted into linearly polarized light parallel to the minor axis direction of the sub-pixel region S (Y-axis direction shown in FIG. 2) by the polarizing plate 25 and is incident on the liquid crystal layer 23.
Here, in the off state, the linearly polarized light incident on the liquid crystal layer 23 is converted into circularly polarized light and reaches the reflective layer 44.

この円偏光が反射層44で反射すると、回転方向が反転する。その後、円偏光は、液晶層23により入射時の偏光方向と直交する直線偏光に変換されて液晶層23から出射する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板25の透過軸と直交するため、偏光板25で遮断され、サブ画素領域Sが暗表示となる。 When this circularly polarized light is reflected by the reflective layer 44, the rotation direction is reversed. Thereafter, the circularly polarized light is converted into linearly polarized light orthogonal to the polarization direction at the time of incidence by the liquid crystal layer 23 and is emitted from the liquid crystal layer 23. The linearly polarized light has its polarization direction orthogonal to the transmission axis of the polarizing plate 25, and is thus blocked by the polarizing plate 25, and the sub-pixel region S is darkly displayed.

一方、オン状態の場合であれば、液晶層23に入射した直線偏光は、液晶層23により入射時と同一の偏光状態で反射層44に達する。そして、反射層44で反射した直線偏光は、入射時と同一の偏光方向で液晶層23から出射する。その後、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板25の透過軸と平行であるため、偏光板25を透過して表示光として視認され、サブ画素領域Sが明表示となる。   On the other hand, in the case of the ON state, the linearly polarized light incident on the liquid crystal layer 23 reaches the reflective layer 44 in the same polarization state as that upon incidence by the liquid crystal layer 23. The linearly polarized light reflected by the reflective layer 44 is emitted from the liquid crystal layer 23 in the same polarization direction as that at the time of incidence. Thereafter, since the polarization direction of the linearly polarized light is parallel to the transmission axis of the polarizing plate 25, the linearly polarized light is transmitted through the polarizing plate 25 and visually recognized as display light, and the sub-pixel region S is brightly displayed.

ここで、反射層44の凹凸部44aに入射した光は、反射層44の内側の表面が凹凸面44Aであることから、散乱反射されて液晶層23に再度入射する。これにより、オン状態における外光の正反射を防止して視認性に優れた反射表示となる。   Here, the light incident on the concavo-convex portion 44 a of the reflective layer 44 is scattered and reflected and reenters the liquid crystal layer 23 because the inner surface of the reflective layer 44 is the concavo-convex surface 44 </ b> A. Thereby, regular reflection of external light in the on state is prevented, and a reflective display with excellent visibility is obtained.

本実施形態の液晶装置1は、反射層44の凹凸部44aの段差に、共通電極45の内側表面及び誘電層35の内側表面が平坦となるように平坦化層34が埋め込まれている。平坦化層34の内側表面を平坦面とすることで、平面視で反射層44(凹凸部44a)と重なる領域における画素電極11の帯状部11bの形成面(誘電層35の内側表面)が平坦面になる。これにより、枠部11a及び複数の帯状部11bのパターニングを精度良く行うことができるので、枠部11a及び帯状部11bの断線や隣接する他の帯状部11bなどとの短絡が防止できる。また、反射表示領域Rにおける共通電極45と画素電極11の帯状部11bとの間で生じる電界に、凹凸形状に起因した乱れが生じることが抑制でき、透過表示領域Tと同様の表示特性を得ることができる。すなわち、従来生じていた反射表示領域Rにおける電界の乱れが改善されることで、透過表示領域Tと同様に、画素電極11上に位置する液晶分子の長軸方向が電圧印加状態で画素電極11の帯状部11bの延在方向に直交する方向に制度良く配向する。   In the liquid crystal device 1 of the present embodiment, the planarization layer 34 is embedded in the step of the concavo-convex portion 44 a of the reflective layer 44 so that the inner surface of the common electrode 45 and the inner surface of the dielectric layer 35 are flat. By forming the inner surface of the flattening layer 34 as a flat surface, the formation surface (the inner surface of the dielectric layer 35) of the strip 11b of the pixel electrode 11 in a region overlapping the reflective layer 44 (uneven portion 44a) in a plan view is flat. It becomes a surface. Thereby, since patterning of the frame part 11a and the some strip | belt-shaped part 11b can be performed with a sufficient precision, the disconnection of the frame part 11a and the strip | belt-shaped part 11b, the short circuit with the adjacent other strip-shaped part 11b, etc. can be prevented. Moreover, it is possible to suppress the occurrence of disturbance due to the uneven shape in the electric field generated between the common electrode 45 and the band-like portion 11b of the pixel electrode 11 in the reflective display region R, and display characteristics similar to those of the transmissive display region T are obtained. be able to. That is, by improving the conventional electric field disturbance in the reflective display region R, as in the transmissive display region T, the major axis direction of the liquid crystal molecules positioned on the pixel electrode 11 is in a state where a voltage is applied to the pixel electrode 11. It is systematically oriented in a direction perpendicular to the extending direction of the belt-like portion 11b.

[第2実施形態]
次に、本発明における液晶装置の第2実施形態を図面に基づいて説明する。ここで、図5は、第2実施形態における液晶装置のサブ画素領域を示す断面図である。なお、本実施形態では、第1実施形態のサブ画素領域の構成が異なるため、この点を中心に説明するとともに、上記第1実施形態で説明した構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, a liquid crystal device according to a second embodiment of the invention will be described with reference to the drawings. Here, FIG. 5 is a cross-sectional view showing a sub-pixel region of the liquid crystal device in the second embodiment. In this embodiment, since the configuration of the sub-pixel region of the first embodiment is different, this point will be mainly described, and the components described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, Description is omitted.

本実施形態における液晶装置60では、図5に示すように、アルミニウム、APC、銀などの導電性材料からなる反射層44と共通電極45とが形成され、これら反射層44と共通電極45とが導通するような構成となっている。   In the liquid crystal device 60 according to the present embodiment, as shown in FIG. 5, a reflective layer 44 and a common electrode 45 made of a conductive material such as aluminum, APC, or silver are formed, and the reflective layer 44 and the common electrode 45 are formed. It is configured to conduct.

詳細には、素子基板21側において、上記実施形態と同様に反射表示領域Rにおける層間絶縁層33の凸部33a(凹凸面33A)上に反射層44が設けられる。本実施形態における共通電極45は、上記第1実施形態のように反射層44を覆うように設けるのではなく、その殆どが透過表示領域Tにおいて露出している層間絶縁層33を被覆するように設けられている。ここで、反射表示領域Rと透過表示領域Tとの境界部分にあたる反射層44の端部上にのみ、共通電極45が積層してあり、反射層44が共通電極45と導通がとられている。   Specifically, on the element substrate 21 side, the reflective layer 44 is provided on the convex portion 33a (uneven surface 33A) of the interlayer insulating layer 33 in the reflective display region R as in the above embodiment. The common electrode 45 in this embodiment is not provided so as to cover the reflective layer 44 as in the first embodiment, but most of the common electrode 45 covers the interlayer insulating layer 33 exposed in the transmissive display region T. Is provided. Here, the common electrode 45 is laminated only on the end portion of the reflective layer 44 corresponding to the boundary between the reflective display region R and the transmissive display region T, and the reflective layer 44 is electrically connected to the common electrode 45. .

そして、反射層44及び共通電極45上に誘電層35が積層され、反射層44の凹凸部44aの段差を埋めるようにして設けられている。誘電層35は、その内側表面が平坦面とされる膜厚であれば良く、また反射層44の凹凸部44aの形状を反映しない程度の粘度を有したものとする。但し、誘電層35の厚さが厚すぎると電界が掛かり難くなるため適宜調整することが好ましい。   Then, the dielectric layer 35 is laminated on the reflective layer 44 and the common electrode 45, and is provided so as to fill the step of the uneven portion 44a of the reflective layer 44. The dielectric layer 35 has only to have a film thickness that allows the inner surface thereof to be a flat surface, and has a viscosity that does not reflect the shape of the uneven portion 44 a of the reflective layer 44. However, if the thickness of the dielectric layer 35 is too thick, it is difficult to apply an electric field.

このような誘電層35上に画素電極11が形成される。内側表面が平坦面とされているので、画素電極11のパターニングを精度良く行うことができるので、枠部11a及び帯状部11bの断線や隣接する他の帯状部11bなどとの短絡が防止できる。また、反射表示領域Rにおける共通電極45と画素電極11の帯状部11bとの間で生じる電界に乱れが生じることが抑制できて、反射表示領域Rにおいても透過表示領域Tと同様の表示特性を得ることができる。このように上記第1実施形態同様、反射表示領域Rにおける電界の乱れが改善されることで、透過表示領域Tと同様に、画素電極11上に位置する液晶分子の長軸方向が電圧印加状態で画素電極11の帯状部11bの延在方向に直交する方向に制度良く配向する。   The pixel electrode 11 is formed on such a dielectric layer 35. Since the inner surface is a flat surface, patterning of the pixel electrode 11 can be performed with high accuracy, so that the disconnection of the frame portion 11a and the strip portion 11b and the short circuit with the other adjacent strip portion 11b can be prevented. Further, it is possible to suppress the occurrence of disturbance in the electric field generated between the common electrode 45 in the reflective display region R and the strip 11b of the pixel electrode 11, and the reflective display region R has the same display characteristics as the transmissive display region T. Obtainable. Thus, as in the first embodiment, the disturbance of the electric field in the reflective display region R is improved, so that the major axis direction of the liquid crystal molecules located on the pixel electrode 11 is in the voltage application state as in the transmissive display region T. Thus, they are systematically oriented in the direction orthogonal to the extending direction of the strip 11b of the pixel electrode 11.

また、本実施形態においては、反射層44と共通電極45とが導通していることから、反射層44が共通電極45の機能を果たすことになる。このような反射層44と共通電極45上を誘電層35で覆うようにすれば、凹凸部44aの段差を埋めることができるとともに、電極機能を果たす反射層44及び共通電極45と、画素電極11とを絶縁することができるので、上記第1実施形態で設けた平坦化層34を別途形成する必要がなくなる。これにより、製造工程数が削減されて製造効率が向上するとともに、液晶セルの薄型化及びそれに伴うコスト削減を実現することができる。なお、反射層44と共通電極45とが導通していれば、反射層44上に共通電極45が直接積層されていなくても良い。 In this embodiment, since the reflective layer 44 and the common electrode 45 are electrically connected, the reflective layer 44 functions as the common electrode 45. If the reflective layer 44 and the common electrode 45 are covered with the dielectric layer 35, the step of the concavo-convex portion 44a can be filled, and the reflective layer 44 and the common electrode 45 that perform the electrode function, and the pixel electrode 11 can be filled. Therefore, it is not necessary to separately form the planarizing layer 34 provided in the first embodiment. As a result, the number of manufacturing steps can be reduced and the manufacturing efficiency can be improved, and the liquid crystal cell can be thinned and the cost can be reduced accordingly. If the reflective layer 44 and the common electrode 45 are electrically connected, the common electrode 45 may not be directly laminated on the reflective layer 44.

[第3実施形態]
次に、本発明における液晶装置の第3実施形態を図面に基づいて説明する。ここで、図6は、第3実施形態における液晶装置のサブ画素領域を示す断面図である。なお、本実施形態では、第1実施形態のサブ画素領域の構成が異なるため、この点を中心に説明するとともに、上記第1実施形態で説明した構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
[Third Embodiment]
Next, a liquid crystal device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Here, FIG. 6 is a cross-sectional view showing a sub-pixel region of the liquid crystal device according to the third embodiment. In this embodiment, since the configuration of the sub-pixel region of the first embodiment is different, this point will be mainly described, and the components described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, Description is omitted.

本実施形態における液晶装置60では、図6に示すように、誘電層35の表面における画素電極11の非形成領域がエッチングされ、誘電層35の厚さが部分的に薄くされた構成となっている。   In the liquid crystal device 60 according to the present embodiment, as shown in FIG. 6, the non-formation region of the pixel electrode 11 on the surface of the dielectric layer 35 is etched, and the thickness of the dielectric layer 35 is partially reduced. Yes.

詳細には、素子基板21側において、上記第1実施形態と同様に反射表示領域Rにおける層間絶縁層33の凸部33a(凹凸面33A)上に反射層44が設けられる。反射層44及び層間絶縁層33の内側表面上には共通電極45が積層されており、反射表示領域R側における共通電極45には反射層44の凹凸部44aを反映した凹凸面45Aが形成されている。さらに、このような共通電極45上に誘電層35が積層される。誘電層35は、共通電極45の凹凸面45Aの凹凸部45aの段差を埋めるようにして所定の粘度及び膜厚で設けられ、製造過程におけるその内側表面は平坦面とされる。平坦面とされた誘電層35の内側表面上に画素電極11が形成されることになるが、本実施形態では、誘電層35上に画素電極11を形成する前に、画素電極11の隣接する帯状部11b間に対応する電極非形成領域にエッチングを施して凹部71を形成し、誘電層35の膜厚を部分的に薄くしている。これにより、製造過程において誘電層35が厚くなってしまった場合でも、低電圧で画素電極11及び共通電極45間に電界を生じさせることができる。よって、省電力化を図ることができる。   Specifically, on the element substrate 21 side, the reflective layer 44 is provided on the convex portion 33a (uneven surface 33A) of the interlayer insulating layer 33 in the reflective display region R as in the first embodiment. A common electrode 45 is laminated on the inner surfaces of the reflective layer 44 and the interlayer insulating layer 33, and an uneven surface 45 </ b> A reflecting the uneven portion 44 a of the reflective layer 44 is formed on the common electrode 45 on the reflective display region R side. ing. Further, the dielectric layer 35 is laminated on the common electrode 45. The dielectric layer 35 is provided with a predetermined viscosity and film thickness so as to fill the steps of the concavo-convex portion 45a of the concavo-convex surface 45A of the common electrode 45, and its inner surface in the manufacturing process is a flat surface. The pixel electrode 11 is formed on the inner surface of the dielectric layer 35 that is a flat surface. In this embodiment, the pixel electrode 11 is adjacent to the pixel electrode 11 before the pixel electrode 11 is formed on the dielectric layer 35. The recesses 71 are formed by etching the electrode non-formation regions corresponding to the strips 11b, and the thickness of the dielectric layer 35 is partially reduced. Thereby, even when the dielectric layer 35 becomes thick in the manufacturing process, an electric field can be generated between the pixel electrode 11 and the common electrode 45 at a low voltage. Therefore, power saving can be achieved.

また、本実施形態においても、誘電層35上に形成される画素電極11に対する反射層44の凹凸部44aの影響を、誘電層自体で解消しているので、第1実施形態で用いた平坦化層を別途形成する工程が必要なくなる。これにより、製造工程数が削減されて製造効率が向上するとともに、液晶装置の薄型化及びそれに伴うコスト削減を実現することができる。   Also in this embodiment, since the influence of the uneven portion 44a of the reflective layer 44 on the pixel electrode 11 formed on the dielectric layer 35 is eliminated by the dielectric layer itself, the planarization used in the first embodiment is used. A step of separately forming the layer is not necessary. As a result, the number of manufacturing steps can be reduced and the manufacturing efficiency can be improved, and the liquid crystal device can be made thinner and the cost can be reduced accordingly.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、液晶装置は、上記第1から第3の実施形態における構成を適宜組み合わせてもよい。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, the liquid crystal device may appropriately combine the configurations in the first to third embodiments.

また、感光性樹脂材料で構成された層間絶縁層33に対して開口パターンを有するマスクを用いることや、グレースケール法を用いることにより凹凸形状を付与しているが、複数のマスクを用いて複数回露光することによって凹凸形状を付与してもよく、これらを組み合わせてもよい。   Moreover, although the uneven | corrugated shape is provided by using the mask which has an opening pattern with respect to the interlayer insulation layer 33 comprised with the photosensitive resin material, or using the gray scale method, it is a plurality using several masks. The concavo-convex shape may be imparted by multiple exposure, or these may be combined.

また、TFT素子12に電気的に接続される画素電極11が平坦化層34及び誘電層35を介して共通電極45よりも液晶層23側に形成されているが、共通電極45が平坦化層34及び誘電層35を介して画素電極11よりも液晶層23側に形成した構成としてもよい。このとき、共通電極45が上記実施形態における画素電極11と同様に帯状電極(帯状部11bに相当)を有することとなる。   In addition, the pixel electrode 11 electrically connected to the TFT element 12 is formed on the liquid crystal layer 23 side of the common electrode 45 through the flattening layer 34 and the dielectric layer 35. Alternatively, the liquid crystal layer 23 may be formed on the liquid crystal layer 23 side with respect to the pixel electrode 11 with the liquid crystal layer 34 and the dielectric layer 35 interposed therebetween. At this time, the common electrode 45 has a strip electrode (corresponding to the strip portion 11b) similarly to the pixel electrode 11 in the above embodiment.

そして、画素電極11及び共通電極45によってFFS方式の電極構造を形成しているが、IPS方式の電極構造を形成してもよい。この場合、例えば、画素電極11及び共通電極45が平面視でそれぞれ櫛歯形状を有するなど、それぞれが互いに帯状電極を有している。ここで、画素電極11を構成する帯状電極と共通電極45を構成する帯状電極とは、それぞれが互いに噛み合うように配置されている。さらに、島状に形成された画素電極が、帯状電極部を有する共通電極に重なるように配置してもよい。   The pixel electrode 11 and the common electrode 45 form an FFS electrode structure, but an IPS electrode structure may be formed. In this case, for example, each of the pixel electrode 11 and the common electrode 45 has a comb-like shape in plan view, and each has a band-like electrode. Here, the strip electrode constituting the pixel electrode 11 and the strip electrode constituting the common electrode 45 are arranged so as to mesh with each other. Furthermore, the pixel electrode formed in an island shape may be arranged so as to overlap with the common electrode having the strip electrode portion.

さらに、画素領域内において、反射層の上方に形成された電極が帯状電極部を有していれば、FFS方式やIPS方式のようないわゆる横電界方式の液晶装置に限らず、液晶層23を挟持する素子基板21及び対向基板22の間で発生する電界によって駆動するTN(Twisted Nematic)モードや負の誘電率異方性を有するVAN(Vertically Aligned Nematic)モード、ECB(Electrically Controlled Birefringence)モード、OCB(Optical Compensated Bend)モードなど、他のモードで動作する液晶を用いた液晶装置であってもよい。   Further, in the pixel region, if the electrode formed above the reflective layer has a strip electrode portion, the liquid crystal layer 23 is not limited to a so-called lateral electric field type liquid crystal device such as an FFS mode or an IPS mode. TN (Twisted Nematic) mode driven by an electric field generated between the sandwiched element substrate 21 and the counter substrate 22, a VAN (Vertically Aligned Nematic) mode having negative dielectric anisotropy, an ECB (Electrically Controlled Birefringence) mode, A liquid crystal device using a liquid crystal that operates in another mode such as an OCB (Optical Compensated Bend) mode may be used.

また、液晶装置は、反射表示領域Rと透過表示領域Tとを有する半透過反射型の液晶装置としているが、反射表示領域Rのみを有する反射型の構成とされた液晶装置であってもよい。
そして、液晶装置は、画素電極をスイッチング制御する駆動素子としてTFT素子12を用いているが、TFT素子12に限らず、TFD(Thin Film Diode:薄膜ダイオード)素子など、他の駆動素子を用いてもよい。
The liquid crystal device is a transflective liquid crystal device having a reflective display region R and a transmissive display region T, but may be a reflective liquid crystal device having only a reflective display region R. .
The liquid crystal device uses the TFT element 12 as a driving element for switching control of the pixel electrode. However, the liquid crystal device is not limited to the TFT element 12, and other driving elements such as a TFD (Thin Film Diode) element are used. Also good.

さらに、液晶装置は、R、G、Bの3色の色表示を行うカラー液晶装置としているが、他の色表示を行うサブ画素領域Sを備える構成としてもよく、単色の色表示を行う構成としてもよい。ここで、対向基板22にカラーフィルタ層53を設けずに、素子基板21にカラーフィルタ層53を設けてもよい。   Further, the liquid crystal device is a color liquid crystal device that displays three colors of R, G, and B. However, the liquid crystal device may include a sub-pixel region S that displays other colors, or a structure that displays a single color. It is good. Here, the color filter layer 53 may be provided on the element substrate 21 without providing the color filter layer 53 on the counter substrate 22.

〔電子機器〕
以上のような構成の液晶装置1は、例えば図7に示すような携帯電話機100の表示部101として適用される。この携帯電話機100は、複数の操作ボタン102、受話口103、送話口104及び上記表示部101を有する本体部105を備えている。
〔Electronics〕
The liquid crystal device 1 having the above configuration is applied as a display unit 101 of a mobile phone 100 as shown in FIG. The cellular phone 100 includes a main body 105 having a plurality of operation buttons 102, a mouthpiece 103, a mouthpiece 104, and the display unit 101.

以上のように、本実施形態における液晶装置1によれば、反射層44の凹凸部44aの段差を埋めるようにして平坦化層34或いは誘電層35を形成することで、反射表示領域Rにおける枠部11a及び帯状部11bの形成面の平坦性が従来よりも高くなる。これにより、枠部11a及び帯状部11bの断線や短絡の発生を抑制できると共に、反射表示領域Rにおける電界の乱れが改善されて液晶の配向不良が抑制できるので、反射表示領域Rにおける画像の表示特性が向上する。   As described above, according to the liquid crystal device 1 in the present embodiment, the flattening layer 34 or the dielectric layer 35 is formed so as to fill the steps of the concavo-convex portion 44 a of the reflective layer 44, thereby forming the frame in the reflective display region R. The flatness of the formation surface of the part 11a and the belt-like part 11b becomes higher than before. As a result, it is possible to suppress the occurrence of disconnection or short circuit in the frame portion 11a and the strip portion 11b, and to improve the disturbance of the electric field in the reflective display region R and suppress the alignment failure of the liquid crystal, thereby displaying an image in the reflective display region R. Improved characteristics.

なお、液晶装置を備える電子機器としては、携帯電話機に限らず、PDA(Personal Digital Assistant:携帯情報端末機)やパーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、ワークステーション、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、カーナビゲーション装置、ヘッドアップディスプレイ、デジタルビデオカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、電子ブックやプロジェクタ、ワードプロセッサ、テレビ電話機、POS端末、タッチパネルを備える機器、照明装置などのような他の電子機器であってもよい。   Electronic devices including a liquid crystal device are not limited to mobile phones, but include PDAs (Personal Digital Assistants), personal computers, notebook personal computers, workstations, digital still cameras, in-vehicle monitors, car navigation systems. Equipment, head-up display, digital video camera, television receiver, viewfinder type or monitor direct-view type video tape recorder, pager, electronic notebook, calculator, electronic book or projector, word processor, video phone, POS terminal, touch panel Other electronic devices such as devices and lighting devices may be used.

本発明の実施形態に係る液晶装置を示す等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram illustrating a liquid crystal device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係るサブ画素領域の平面構成図である。It is a plane block diagram of the sub pixel area | region which concerns on embodiment of this invention. 図2のA−A矢視断面図である。It is AA arrow sectional drawing of FIG. 図3の要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of FIG. 第2実施形態におけるサブ画素領域を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the sub pixel area | region in 2nd Embodiment. 第3実施形態におけるサブ画素領域を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the sub pixel area | region in 3rd Embodiment. 本発明の実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the electronic device which concerns on embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1,60,70…液晶装置、21…素子基板、22…対向基板、23…液晶層、44a…凹凸部、44…反射層、33…層間絶縁層(下地層)、11…画素電極、45…共通電極、34…平坦化層、35…誘電層、11b…帯状部(電極指)、71…凹部、
100…携帯電話機(電子機器)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,60,70 ... Liquid crystal device, 21 ... Element substrate, 22 ... Counter substrate, 23 ... Liquid crystal layer, 44a ... Uneven part, 44 ... Reflective layer, 33 ... Interlayer insulating layer (underlayer), 11 ... Pixel electrode, 45 ... Common electrode, 34 ... Planarizing layer, 35 ... Dielectric layer, 11b ... Band-shaped part (electrode finger), 71 ... Recessed part,
100: Mobile phone (electronic equipment)

Claims (8)

反射表示領域を有する複数の画素領域が設けられた一対の基板と、
互いに対向する前記一対の基板間に挟持された液晶層と、
前記一対の基板のうちの一方の基板における前記反射表示領域に設けられ、凹凸面を有する下地層と、
前記下地層上に設けられ、前記凹凸面に対応する凹凸部を有する反射層と、
前記反射層の上方に設けられ、前記液晶層に電圧を印加する第1電極及び第2電極と、を備え、
前記反射層と、前記第1電極及び前記第2電極と、の間には、平坦化層が設けられていることを特徴とする液晶装置。
A pair of substrates provided with a plurality of pixel regions having a reflective display region;
A liquid crystal layer sandwiched between the pair of substrates facing each other;
An underlayer having an uneven surface provided in the reflective display region of one of the pair of substrates;
A reflective layer provided on the underlayer and having an uneven portion corresponding to the uneven surface;
A first electrode and a second electrode that are provided above the reflective layer and apply a voltage to the liquid crystal layer;
A liquid crystal device, wherein a planarizing layer is provided between the reflective layer and the first electrode and the second electrode.
反射表示領域を有する複数の画素領域が設けられた一対の基板と、
互いに対向する前記一対の基板間に挟持された液晶層と、
前記一対の基板のうちの一方の基板における前記反射表示領域に設けられ、凹凸面を有する下地層と、
前記下地層上に設けられ、前記凹凸面に対応した凹凸部を有する反射層からなる第1電極と、
前記第1電極の上方に設けられ、当該第1電極との間で前記液晶層に電圧を印加する第2電極と、を備え、
前記第1電極と、前記第2電極と、の間には、平坦化層が設けられていることを特徴とする液晶装置。
A pair of substrates provided with a plurality of pixel regions having a reflective display region;
A liquid crystal layer sandwiched between the pair of substrates facing each other;
An underlayer having an uneven surface provided in the reflective display region of one of the pair of substrates;
A first electrode comprising a reflective layer provided on the underlayer and having an uneven portion corresponding to the uneven surface;
A second electrode that is provided above the first electrode and applies a voltage to the liquid crystal layer between the first electrode, and
A liquid crystal device, wherein a planarization layer is provided between the first electrode and the second electrode.
前記第2電極が、前記平坦化層からなる誘電層を介して、前記第1電極の上方に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の液晶装置。     The liquid crystal device according to claim 2, wherein the second electrode is provided above the first electrode with a dielectric layer made of the planarizing layer interposed therebetween. 前記画素領域には、前記反射層が形成されていない透過表示領域が設けられており、
前記透過表示領域には、前記第2電極との間で前記液晶層に電圧を印加する第3電極が設けられており、
前記第1電極と前記第3電極とが、同層に設けられるとともに互いに導通しており、
前記第2電極が、前記平坦化層からなる誘電層を介して、前記第1電極及び前記第3電極の上方に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の液晶装置。
The pixel region is provided with a transmissive display region in which the reflective layer is not formed,
The transmissive display region is provided with a third electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer between the second electrode,
The first electrode and the third electrode are provided in the same layer and are electrically connected to each other,
3. The liquid crystal device according to claim 2, wherein the second electrode is provided above the first electrode and the third electrode via a dielectric layer made of the planarizing layer.
前記第2電極が、誘電層を介して前記第1電極の上方に設けられていると共に、複数本の電極指を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の液晶装置。     5. The liquid crystal according to claim 1, wherein the second electrode is provided above the first electrode via a dielectric layer, and has a plurality of electrode fingers. 6. apparatus. 前記画素領域には、前記第2電極が形成されていない電極非形成領域が設けられており、
前記平坦化層は、前記電極非形成領域に重なる部分の膜厚が、前記第2電極に重なる部分の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項2乃至5のいずれか一項に記載の液晶装置。
The pixel area is provided with an electrode non-formation area where the second electrode is not formed,
6. The flattening layer according to claim 2, wherein a thickness of a portion overlapping the electrode non-formation region is smaller than a thickness of a portion overlapping the second electrode. Liquid crystal device.
反射表示領域を有する複数の画素領域が設けられた一対の基板と、
互いに対向する前記一対の基板間に挟持された液晶層と、
前記一対の基板のうちの一方の基板における前記反射表示領域に設けられ、凹凸面を有する下地層と、
前記下地層上に設けられ、前記凹凸面に対応する凹凸部を有する反射層と、
前記反射層の上方に設けられ、複数の帯状電極部を有すると共に、前記液晶層に電圧を印加する電極と、を備え、
前記反射層と前記電極との間には、平坦化層が設けられていることを特徴とする液晶装置。
A pair of substrates provided with a plurality of pixel regions having a reflective display region;
A liquid crystal layer sandwiched between the pair of substrates facing each other;
An underlayer having an uneven surface provided in the reflective display region of one of the pair of substrates;
A reflective layer provided on the underlayer and having an uneven portion corresponding to the uneven surface;
An electrode that is provided above the reflective layer and has a plurality of strip-shaped electrode portions and applies a voltage to the liquid crystal layer;
A liquid crystal device, wherein a planarizing layer is provided between the reflective layer and the electrode.
前記請求項1乃至7のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。     An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1.
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