JP2008003151A - Liquid crystal display device and method for manufacturing the same - Google Patents

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Takashi Hashiguchi
隆史 橋口
Hironori Aoki
宏憲 青木
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device capable of reducing the occurrence of alignment abnormality and to provide a method for manufacturing the device. <P>SOLUTION: The liquid crystal display device in one embodiment has a TFT array substrate 201 on which pixels having a transmissive portion 21b and a reflective portion 21a are arrayed in a matrix; the device also has a flattening film 10 having an opening 15 provided on the TFT array substrate 201, a reflective pixel electrode 12 provided on the flattening film 10, a transmissive pixel electrode 11 provided in the opening of the flattening film 10, and an alignment layer that is provided over the reflective pixel electrode 12 and the transmissive pixel electrode 11 and that is rubbed in a rubbing direction inclined from the arrayed direction of the pixels 50, with the opening 15 having a side perpendicular to the rubbing direction. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は液晶表示装置、及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

近年、電気機器においても、表示装置の適用が急速に普及している。特に、携帯型のものについては、消費電力を減少させるためにバックライトを必要としない反射型の液晶表示装置が多く用いられている。しかし、この反射型液晶表示装置は、外光を光源としているため、暗い室内などでは、画面が見えにくくなってしまう。そこで、近年、透過型と反射型の性質を併せ持つ、半透過型液晶表示装置の開発が進められてきている。   In recent years, application of display devices has been rapidly spreading also in electrical equipment. In particular, for a portable type, a reflective liquid crystal display device that does not require a backlight to reduce power consumption is often used. However, since this reflective liquid crystal display device uses external light as a light source, the screen becomes difficult to see in a dark room or the like. Therefore, in recent years, transflective liquid crystal display devices having both transmissive and reflective properties have been developed.

半透過型液晶表示装置は、１つの画素内に、透明電極を備えた透過部と、反射電極を備えた反射部を有している。そして、暗所においては、バックライトを点灯して画素の透過部を利用して画像を表示している。一方、明所においては、バックライトを点灯することなく、反射部の反射電極で外光を反射して、画像を表示している。これにより、明所、及び暗所のいずれでも優れた表示を行なうことができる。さらに、常時バックライトを点灯する必要がなくなるため、消費電力を低減することができる。   The transflective liquid crystal display device includes a transmissive portion having a transparent electrode and a reflective portion having a reflective electrode in one pixel. In a dark place, the backlight is turned on and an image is displayed using the transmission part of the pixel. On the other hand, in a bright place, without turning on the backlight, the external light is reflected by the reflective electrode of the reflective portion and an image is displayed. Thereby, an excellent display can be performed in both a bright place and a dark place. Furthermore, since it is not necessary to always turn on the backlight, power consumption can be reduced.

特開２００５−１５７１０５号公報JP-A-2005-157105

このように、半透過型液晶表示装置は、同一画素内に透過部と反射部とを有している。よって、透過部と、反射部の液晶の光学特性を制御するため、透過部と反射部でセルギャップを変える必要がある。このため、特許文献１では、ＴＦＴアレイ基板側の透過部において、絶縁膜を掘り込み、透過部と、反射部とに１〜３μｍの段差を設けている。   Thus, the transflective liquid crystal display device has a transmissive part and a reflective part in the same pixel. Therefore, in order to control the optical characteristics of the liquid crystal in the transmissive part and the reflective part, it is necessary to change the cell gap between the transmissive part and the reflective part. For this reason, in Patent Document 1, an insulating film is dug in the transmission part on the TFT array substrate side, and a step of 1 to 3 μm is provided between the transmission part and the reflection part.

ここで、図１４、及び図１５を用いて従来の液晶表示装置の画素構造について説明する。図１４は、従来の液晶表示装置の１画素の構成を模式的に示す平面図である。図１５は、従来の液晶表示装置におけるＴＦＴアレイ基板に設けられた一部の画素を示す平面図である。図１５に示すように、矩形状の画素５０は、マトリクス状に配列されている。図１５では、横４×縦２の８つの画素５０のみを示している。半透過型液晶表示装置の場合、図１４に示すように、画素５０には、反射画素電極１２が形成されている。この反射画素電極１２が形成されている領域が外光を反射する反射部となる。そして、反射画素電極１２の一部には、矩形状の開口部１５が形成されている。開口部１５はバックライトからの光を透過する透過部となる。また、透過部と反射部との境界部Ａでは、傾斜面が形成されている。すなわち、開口部１５では、絶縁膜が除去されているため、開口部１５の周辺の境界部Ａでは急峻な傾斜面が形成されている。   Here, a pixel structure of a conventional liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. FIG. 14 is a plan view schematically showing the configuration of one pixel of a conventional liquid crystal display device. FIG. 15 is a plan view showing a part of pixels provided on a TFT array substrate in a conventional liquid crystal display device. As shown in FIG. 15, the rectangular pixels 50 are arranged in a matrix. In FIG. 15, only 8 pixels 50 of 4 × 2 are shown. In the case of a transflective liquid crystal display device, a reflective pixel electrode 12 is formed on the pixel 50 as shown in FIG. A region where the reflective pixel electrode 12 is formed becomes a reflective portion that reflects external light. A rectangular opening 15 is formed in a part of the reflective pixel electrode 12. The opening 15 serves as a transmission part that transmits light from the backlight. In addition, an inclined surface is formed at the boundary portion A between the transmission portion and the reflection portion. That is, since the insulating film is removed from the opening 15, a steep inclined surface is formed at the boundary portion A around the opening 15.

ここで、画素５０が配列されている方向と配向膜のラビング方向とが傾いている。すなわち、図１４に示すように、ラビング方向は、画素５０を画定するゲート配線２、及びソース配線８のいずれとも平行になっていない。透過部と反射部との段差は、１〜３μｍあるため、従来の液晶表示装置では、境界部Ａにおいてラビング不良による配向異常が発生してしまうという問題点がある。すなわち、境界部Ａをラビングすると、開口部１５のコーナー部Ｄでは、図１６に示すように、傾斜面下方向への力の影響によって、ラビング方向にばらつきが生じてしまう。特に、矩形状の開口部１５の対角線方向にラビングが実施された場合、開口部１５のコーナー部Ｄで配向異常が発生しやすくなってしまう。このような、配向異常が発生すると、表示品位が劣化してしまう。   Here, the direction in which the pixels 50 are arranged and the rubbing direction of the alignment film are inclined. That is, as shown in FIG. 14, the rubbing direction is not parallel to any of the gate wiring 2 and the source wiring 8 that define the pixel 50. Since the step between the transmissive portion and the reflective portion is 1 to 3 μm, the conventional liquid crystal display device has a problem that an alignment abnormality due to a rubbing failure occurs in the boundary portion A. That is, when the boundary portion A is rubbed, in the corner portion D of the opening 15, as shown in FIG. 16, the rubbing direction varies due to the influence of the downward force on the inclined surface. In particular, when rubbing is performed in the diagonal direction of the rectangular opening 15, an orientation abnormality tends to occur at the corner portion D of the opening 15. When such an orientation abnormality occurs, display quality deteriorates.

上述のように従来の液晶表示装置では、配向不良により表示品位が劣化してしまうという問題点があった。
本発明はこのような問題点を鑑みてなされたものであり、配向異常の発生を低減することができる液晶表示装置、並びにその製造方法を提供することを目的とする。 As described above, the conventional liquid crystal display device has a problem in that the display quality is deteriorated due to the alignment failure.
The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of reducing the occurrence of alignment abnormality and a method for manufacturing the same.

本発明の第１の態様にかかる液晶表示装置は、透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置であって、前記アレイ基板上に設けられた開口部を有する平坦化膜と、前記平坦化膜上に設けられた反射電極と、前記平坦化膜の開口部に設けられた透過電極と、前記反射電極と透過電極の上に設けられ、前記画素の配列方向から傾いたラビング方向でラビングされた配向膜とを備え、前記開口部が前記ラビング方向と垂直な方向の辺を有するものである。   A liquid crystal display device according to a first aspect of the present invention is a liquid crystal display device having an array substrate in which pixels each having a transmissive portion and a reflective portion are arranged in a matrix, and an opening provided on the array substrate. A planarizing film having a portion, a reflective electrode provided on the planarizing film, a transmissive electrode provided in an opening of the planarized film, and provided on the reflective electrode and the transmissive electrode, the pixel And an alignment film that is rubbed in a rubbing direction inclined from the arrangement direction. The opening has a side in a direction perpendicular to the rubbing direction.

本発明の第２の態様にかかる液晶表示装置は、透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置であって、前記アレイ基板上に設けられた開口部を有する平坦化膜と、前記平坦化膜上に設けられた反射電極と、前記平坦化膜の開口部に設けられた透過電極と、前記反射電極の上に設けられ、前記アレイ基板の端辺から傾いたラビング方向でラビングされた配向膜とを備え、前記開口部の少なくとも１辺が前記ラビング方向と垂直になるよう、前記画素が前記ラビング方向に沿って配列されているものである。   A liquid crystal display device according to a second aspect of the present invention is a liquid crystal display device having an array substrate in which pixels having a transmissive portion and a reflective portion are arranged in a matrix, and an opening provided on the array substrate. A planarization film having a portion, a reflective electrode provided on the planarization film, a transmission electrode provided in an opening of the planarization film, and an edge of the array substrate provided on the reflective electrode And an alignment film rubbed in a rubbing direction inclined from the side, and the pixels are arranged along the rubbing direction so that at least one side of the opening is perpendicular to the rubbing direction.

本発明の第３の態様にかかる液晶表示装置は、透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置であって、前記アレイ基板上に設けられた開口部を有する平坦化膜と、前記平坦化膜上に設けられた反射電極と、前記平坦化膜の開口部に設けられた透過電極と、前記反射電極の上に設けられ、所定のラビング方向でラビングされた配向膜とを備え、前記開口部周辺の傾斜面に、前記ラビング方向に沿って設けられた凹溝が形成されているものである。   A liquid crystal display device according to a third aspect of the present invention is a liquid crystal display device having an array substrate in which pixels having a transmissive portion and a reflective portion are arranged in a matrix, and an opening provided on the array substrate. A planarizing film having a portion, a reflective electrode provided on the planarized film, a transmissive electrode provided in an opening of the planarized film, and provided on the reflective electrode, in a predetermined rubbing direction. And a rubbed alignment film, and a concave groove provided along the rubbing direction is formed on an inclined surface around the opening.

本発明によれば、配向異常の発生を低減することができる液晶表示装置、並びにその製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the liquid crystal display device which can reduce generation | occurrence | production of orientation abnormality, and its manufacturing method can be provided.

以下に、本発明を適用可能な実施の形態を説明する。説明の明確化のため以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。   Hereinafter, embodiments to which the present invention can be applied will be described. For clarity of explanation, the following description and drawings are omitted and simplified as appropriate. Moreover, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same element and the duplication description is abbreviate | omitted as needed.

実施の形態１．
液晶パネル２００の全体的な構成について図１を用いて説明する。図１は、液晶表示装置の一例として、ＴＮ（Twisted Nematic）タイプのアクティブマトリクス液晶パネル２００の構成を示す模式断面図である。以下の説明においては、アクティブマトリックス、ＴＮタイプの液晶表示装置を例として説明するが、本発明は、パッシブ駆動の液晶パネルにも適用可能である。図１に示すように液晶パネル２００は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アレイ基板２０１、対向基板２０２、液晶２０３、ＴＦＴ２０４、画素電極２０５、コモン電極２０６、カラーフィルタ２０７、ブラックマトリクス２０８及び配向膜２０９を有する。また、ＴＦＴ２０４は、ゲート電極２ａ、ソース電極８ａ及びドレイン電極７を有する。このＴＦＴ２０４が設けられた画素の詳細な構成については後述する。 Embodiment 1 FIG.
The overall configuration of the liquid crystal panel 200 will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a TN (Twisted Nematic) type active matrix liquid crystal panel 200 as an example of a liquid crystal display device. In the following description, an active matrix, TN type liquid crystal display device will be described as an example, but the present invention can also be applied to a passively driven liquid crystal panel. As shown in FIG. 1, a liquid crystal panel 200 includes a TFT (Thin Film Transistor) array substrate 201, a counter substrate 202, a liquid crystal 203, a TFT 204, a pixel electrode 205, a common electrode 206, a color filter 207, a black matrix 208, and an alignment film 209. Have. The TFT 204 includes a gate electrode 2a, a source electrode 8a, and a drain electrode 7. A detailed configuration of the pixel provided with the TFT 204 will be described later.

液晶パネル２００は、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向配置される対向基板２０２と両基板を接着する図示しないシール材との間の空間に液晶２０３を封入した構成を有する。ＴＦＴアレイ基板２０１上には、互いに直交する方向に図示しないゲート線（走査線）及びソース線（信号線）が形成されており、ゲート線とソース線との交差点近傍にはＴＦＴ２０４が設けられている。また、ゲート線とソース線との間にマトリクス状に形成された複数の画素電極２０５を有している。ＴＦＴ２０４のゲート電極２ａがゲート線に、ソース電極８ａがソース線に、ドレイン電極７が画素電極２０５に夫々接続される。なお、画素電極２０５は、後述する反射画素電極、及び透過画素電極を有している。この液晶パネル２００の背面側にバックライトユニットを配置することによって、半透過型液晶表示装置を構成することができる。この画素電極２０５の詳細な構成については、後述する。   The liquid crystal panel 200 has a configuration in which a liquid crystal 203 is sealed in a space between a counter substrate 202 disposed to face the TFT array substrate 201 and a seal material (not shown) that bonds the two substrates. On the TFT array substrate 201, gate lines (scanning lines) and source lines (signal lines) (not shown) are formed in directions orthogonal to each other, and a TFT 204 is provided in the vicinity of the intersection of the gate lines and the source lines. Yes. In addition, a plurality of pixel electrodes 205 are formed in a matrix between the gate line and the source line. The gate electrode 2 a of the TFT 204 is connected to the gate line, the source electrode 8 a is connected to the source line, and the drain electrode 7 is connected to the pixel electrode 205. Note that the pixel electrode 205 includes a reflective pixel electrode and a transmissive pixel electrode, which will be described later. By disposing a backlight unit on the back side of the liquid crystal panel 200, a transflective liquid crystal display device can be configured. The detailed configuration of the pixel electrode 205 will be described later.

他方、対向基板２０２上にはコモン電極２０６及びＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタ２０７、ブラックマトリクス２０８が形成されている。コモン電極２０６は、画素電極２０５と対向するように対向基板２０２の略全面に形成される短形状の透明電極である。コモン電極２０６としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜を用いる。ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２との間は、図示しないビーズスペーサ、柱状スペーサ等によって所定の間隔になるように維持されている。   On the other hand, a common electrode 206 and R (red), G (green), and B (blue) color filters 207 and a black matrix 208 are formed on the counter substrate 202. The common electrode 206 is a short transparent electrode formed on substantially the entire surface of the counter substrate 202 so as to face the pixel electrode 205. As the common electrode 206, a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide) is used. The TFT array substrate 201 and the counter substrate 202 are maintained at a predetermined interval by a bead spacer, a columnar spacer or the like (not shown).

ＴＦＴアレイ基板２０１及び対向基板２０２は矩形状に形成されている。ＴＦＴアレイ基板２０１及び対向基板２０２の対向する面には、夫々所定の方向に配向された配向膜２０９が形成されている。両基板は、図示しない枠状のシール材により周辺を接着され、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２とシール材とで形成される空間に液晶２０３が封入されている。これら両基板に挟持された液晶２０３は、夫々の基板上に設けられた配向膜２０９によって所定の方向に配向する。なお、対向基板２０２には、コモン電極２０６の下にカラーフィルタ２０７、及びブラックマトリクス２０８を覆うためのオーバコート膜を形成してもよい。   The TFT array substrate 201 and the counter substrate 202 are formed in a rectangular shape. On the opposing surfaces of the TFT array substrate 201 and the counter substrate 202, an alignment film 209 that is aligned in a predetermined direction is formed. Both substrates are bonded at the periphery by a frame-shaped sealing material (not shown), and a liquid crystal 203 is sealed in a space formed by the TFT array substrate 201, the counter substrate 202, and the sealing material. The liquid crystal 203 sandwiched between these substrates is aligned in a predetermined direction by an alignment film 209 provided on each substrate. Note that an overcoat film for covering the color filter 207 and the black matrix 208 may be formed on the counter substrate 202 under the common electrode 206.

液晶パネル２００の基板表面には、偏光板や位相差板等が貼着される。さらに、液晶パネル２００には画素電極２０５を駆動するドライバ（図示せず）を装着する。そして、バックライトを液晶パネル２００の背面側に配置することにより、液晶表示装置が完成する。   A polarizing plate, a retardation plate, or the like is attached to the substrate surface of the liquid crystal panel 200. Further, a driver (not shown) for driving the pixel electrode 205 is attached to the liquid crystal panel 200. Then, by arranging the backlight on the back side of the liquid crystal panel 200, the liquid crystal display device is completed.

上述の様な配向膜２０９の液晶配向機能は、ＴＦＴアレイ基板２０１及び対向基板２０２上に形成された配向膜２０９表面をラビング（こする）ことにより与えられる。配向膜２０９のラビング処理について図を用いて説明する。図２（ａ）は、本実施形態に係るラビング処理を示す斜視図、図２（ｂ）は同上面図であるである。図２においては、１枚のマザー基板１０３上に２つのＴＦＴアレイ基板２０１が形成された多面取り構成を示している。しかしこれに限定されず、１枚のマザー基板１０３で１つのＴＦＴアレイ基板２０１を形成しても良いし、３つ以上のＴＦＴアレイ基板２０１を形成しても良い。以下の説明においては、ＴＦＴアレイ基板２０１のラビング処理の例について説明する。   The liquid crystal alignment function of the alignment film 209 as described above is given by rubbing the surface of the alignment film 209 formed on the TFT array substrate 201 and the counter substrate 202. A rubbing process for the alignment film 209 will be described with reference to the drawings. FIG. 2A is a perspective view showing a rubbing process according to this embodiment, and FIG. 2B is a top view thereof. FIG. 2 shows a multi-cavity configuration in which two TFT array substrates 201 are formed on one mother substrate 103. However, the present invention is not limited to this, and one TFT array substrate 201 may be formed by one mother substrate 103, or three or more TFT array substrates 201 may be formed. In the following description, an example of rubbing processing of the TFT array substrate 201 will be described.

本実施形態に係るラビング処理は、回転するラビングローラ１００を、マザー基板１０３に当接させながら、マザー基板１０３が載置されたステージ１０２をラビングローラ１００の回転方向と略反対方向に移動させることにより行う。ラビングローラ１００は円筒状の部材であり、その円筒軸を中心に回転している。   In the rubbing process according to the present embodiment, the stage 102 on which the mother substrate 103 is placed is moved in a direction substantially opposite to the rotation direction of the rubbing roller 100 while the rotating rubbing roller 100 is in contact with the mother substrate 103. To do. The rubbing roller 100 is a cylindrical member and rotates about its cylindrical axis.

ラビングローラ１００には、例えばレーヨン布等のラビング布１０１が巻きつけられている。このラビング布１０１がマザー基板１０３表面に形成された配向膜２０９をこすることにより、当該配向膜２０９に液晶分子を配向する機能を持たせることができる。   A rubbing cloth 101 such as a rayon cloth is wound around the rubbing roller 100. By rubbing the alignment film 209 formed on the surface of the mother substrate 103 with the rubbing cloth 101, the alignment film 209 can have a function of aligning liquid crystal molecules.

ステージ１０２はマザー基板１０３を載置する台であり、マザー基板１０３が載置された状態で、ラビングローラ１００に対して相対的に移動する。ステージ１０２の移動方向は、マザー基板１０３載置面と平行な方向である。ステージ１０２とラビングローラ１００とは、マザー基板１０３載置面とラビングローラ１００の円筒軸とが平行になるように配置される。また、図２（ｂ）に示すように、マザー基板１０３載置面側から見た場合において、ステージ１０２の移動方向とラビングローラ１００の円筒軸とは直交しておらず、所定の角度を有するように配置されている。ここで、ラビングローラ１００の円筒軸と直交する方向がラビング方向となる。従って、ラビング方向は、ＴＦＴアレイ基板２０１の端辺から所定の角度だけ傾いた方向になる。すなわち、矩形状のＴＦＴアレイ基板２０１の直交する端辺の間の方向がラビング方向となる。このラビング方向は、液晶２０３を配向させる方向に応じて決定されている。このようにして、ＴＦＴアレイ基板２０１の表面に形成された配向膜２０９がラビング処理される。この場合、ＴＦＴアレイ基板２０１の画素の配列方向から傾いた方向がラビング方向となる。   The stage 102 is a stage on which the mother substrate 103 is placed, and moves relative to the rubbing roller 100 in a state where the mother substrate 103 is placed. The moving direction of the stage 102 is a direction parallel to the mounting surface of the mother substrate 103. The stage 102 and the rubbing roller 100 are disposed so that the mother substrate 103 mounting surface and the cylindrical axis of the rubbing roller 100 are parallel to each other. As shown in FIG. 2B, when viewed from the surface on which the mother substrate 103 is placed, the moving direction of the stage 102 and the cylindrical axis of the rubbing roller 100 are not orthogonal to each other and have a predetermined angle. Are arranged as follows. Here, the direction orthogonal to the cylindrical axis of the rubbing roller 100 is the rubbing direction. Therefore, the rubbing direction is inclined by a predetermined angle from the end side of the TFT array substrate 201. That is, the direction between the orthogonal edges of the rectangular TFT array substrate 201 is the rubbing direction. The rubbing direction is determined according to the direction in which the liquid crystal 203 is aligned. In this way, the alignment film 209 formed on the surface of the TFT array substrate 201 is rubbed. In this case, the direction inclined from the pixel arrangement direction of the TFT array substrate 201 is the rubbing direction.

次に、マザー基板１０３について説明する。マザー基板１０３は、上述したようにＴＦＴ２０４や画素電極２０５等が形成され画像表示を行う領域である表示領域１０４を複数備えている。なお、配向膜２０９は少なくとも表示領域１０４を覆うように形成される。矩形状の表示領域１０４内のゲート線は端子１０７を介してゲートドライバと接続され、ソース線は端子１０７を介してソースドライバと接続される。端子１０７は、表示領域１０４の直交する２辺に夫々複数形成されており、一方の辺に形成された端子１０７が表示領域１０４中のゲート線、他方の辺に形成された端子１０７がソース線に夫々接続されている。なお、端子１０７は、表示領域１０４の一辺に沿って全て配置されることもある。   Next, the mother substrate 103 will be described. As described above, the mother substrate 103 includes a plurality of display areas 104 that are formed with the TFTs 204, the pixel electrodes 205, and the like and that perform image display. Note that the alignment film 209 is formed so as to cover at least the display region 104. A gate line in the rectangular display region 104 is connected to a gate driver via a terminal 107, and a source line is connected to the source driver via a terminal 107. A plurality of terminals 107 are formed on two orthogonal sides of the display region 104, the terminal 107 formed on one side is a gate line in the display region 104, and the terminal 107 formed on the other side is a source line. Connected to each. Note that all the terminals 107 may be arranged along one side of the display area 104.

なお、図２において、端子１０７は極めて簡略化されて示されている。典型的には、端子１０７はその大部分がマザー基板１０３表面において絶縁されており、表示領域１０４とは反対側の端部のみ導体面が露出している。端子１０７の導体面の露出した端部において、端子１０７とドライバとが接続される。   In FIG. 2, the terminal 107 is shown in a very simplified manner. Typically, most of the terminals 107 are insulated on the surface of the mother substrate 103, and the conductor surface is exposed only at the end opposite to the display region 104. At the exposed end of the conductor surface of the terminal 107, the terminal 107 and the driver are connected.

上記のように、ＴＦＴアレイ基板２０１には、矩形状の表示領域１０４が設けられている。そして、この表示領域１０４には、画素がマトリクス状に配置されている。そして、それぞれの画素にはＴＦＴ２０４が配置されている。次に、この画素の構成について図を用いて説明する。図３は、ＴＦＴアレイ基板２０１に設けられた１画素の構成を模式的に示す平面図である。また、図３では、反射画素電極１２で覆われている構成を説明するため、反射画素電極１２の下に設けられている一部の構成要素に付いても合わせて示している。図４は、図３のＸ−Ｘ'断面図であり、ＴＦＴアレイ基板の画素の構成を模式的に示している。   As described above, the TFT array substrate 201 is provided with the rectangular display region 104. In the display area 104, pixels are arranged in a matrix. A TFT 204 is disposed in each pixel. Next, the configuration of this pixel will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a plan view schematically showing the configuration of one pixel provided on the TFT array substrate 201. In FIG. 3, in order to explain the configuration covered with the reflective pixel electrode 12, some components provided below the reflective pixel electrode 12 are also shown. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 3, and schematically shows the configuration of the pixel on the TFT array substrate.

図３に示すように、ゲート配線２とソース配線８とが互いに交差するように設けられている。ＴＦＴアレイ基板２０１上には、複数のゲート配線２が平行に配置される。また、ＴＦＴアレイ基板２０１上には、複数のソース配線８が平行に配置される。ゲート配線２とソース配線８とは、ゲート絶縁膜４を介して直交するように配置されている。このゲート配線２とソース配線８とで囲まれた領域が画素５０となる。従って、画素５０は矩形状となる。よって、ＴＦＴアレイ基板２０１には、矩形状の画素５０がマトリクス状に配列されている。ゲート配線２とソース配線８との交差点近傍には、ＴＦＴ２０４が配置されている。ゲート配線２と、ソース配線８とは通常、ＴＦＴアレイ基板２０１の端辺と平行に配置されている。   As shown in FIG. 3, the gate wiring 2 and the source wiring 8 are provided so as to cross each other. On the TFT array substrate 201, a plurality of gate wirings 2 are arranged in parallel. A plurality of source lines 8 are arranged in parallel on the TFT array substrate 201. The gate wiring 2 and the source wiring 8 are arranged so as to be orthogonal to each other with the gate insulating film 4 interposed therebetween. A region surrounded by the gate wiring 2 and the source wiring 8 is a pixel 50. Accordingly, the pixel 50 has a rectangular shape. Therefore, rectangular pixels 50 are arranged in a matrix on the TFT array substrate 201. A TFT 204 is disposed in the vicinity of the intersection between the gate line 2 and the source line 8. The gate wiring 2 and the source wiring 8 are usually arranged in parallel with the end side of the TFT array substrate 201.

図４に示すように、ゲート電極２ａを有するゲート配線２の上には、ゲート絶縁膜４が形成されている。ゲート絶縁膜４は、ゲート配線２、及びゲート電極２ａを覆うように形成されている。さらに、隣接するゲート配線２の間には、補助容量配線３が形成されている。補助容量配線３は、ゲート配線２と平行に設けられている。そして、補助容量配線３は、ゲート配線２と同じ層で形成されている。従って、補助容量配線３も、ゲート絶縁膜４によって覆われている。ゲート配線２、ゲート電極２ａ、補助容量配線３は、例えば、Ａｌ、Ｃｒなどの金属膜によって形成されている。ゲート絶縁膜４は、例えば、窒化シリコン膜や酸化シリコンなどの透明性無機絶縁膜によって形成されている。   As shown in FIG. 4, a gate insulating film 4 is formed on the gate wiring 2 having the gate electrode 2a. The gate insulating film 4 is formed so as to cover the gate wiring 2 and the gate electrode 2a. Further, an auxiliary capacitance line 3 is formed between the adjacent gate lines 2. The auxiliary capacitance line 3 is provided in parallel with the gate line 2. The auxiliary capacitance line 3 is formed in the same layer as the gate line 2. Therefore, the auxiliary capacitance line 3 is also covered with the gate insulating film 4. The gate wiring 2, the gate electrode 2a, and the auxiliary capacitance wiring 3 are formed of a metal film such as Al or Cr, for example. The gate insulating film 4 is formed of a transparent inorganic insulating film such as a silicon nitride film or silicon oxide, for example.

ゲート絶縁膜４の上には、半導体層５が設けられている。半導体層５は、ゲート絶縁膜４上に設けられた半導体能動膜５ａと、半導体能動膜５ａ上に設けられたオーミックコンタクト膜５ｂとから構成されている。半導体層５は、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）や、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によって形成される。また、オーミックコンタクト膜５ｂにはリンなどの不純物が所定量注入されている。半導体層５は、ゲート絶縁膜４を介してゲート電極２ａと対向するよう配置されている。半導体層５の半導体能動膜５ａは、ソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャネル領域を備えている。また、半導体層５を、ソース配線８とゲート配線２との交差部に設けてもよい。これにより、交差部における断線等を防ぐことができる。   A semiconductor layer 5 is provided on the gate insulating film 4. The semiconductor layer 5 is composed of a semiconductor active film 5a provided on the gate insulating film 4 and an ohmic contact film 5b provided on the semiconductor active film 5a. The semiconductor layer 5 is formed of, for example, amorphous silicon (a-Si) or polysilicon (p-Si). A predetermined amount of impurities such as phosphorus is implanted into the ohmic contact film 5b. The semiconductor layer 5 is disposed so as to face the gate electrode 2a with the gate insulating film 4 interposed therebetween. The semiconductor active film 5a of the semiconductor layer 5 includes a channel region disposed between the source region and the drain region. Further, the semiconductor layer 5 may be provided at the intersection between the source wiring 8 and the gate wiring 2. Thereby, the disconnection etc. in an intersection part can be prevented.

半導体層５の上には、ソース電極８ａ、及びドレイン電極７が設けられている。ソース電極８ａは、ソース配線８から延在されている。ソース電極８ａは半導体層５のソース領域の上に配置され、ドレイン電極７は半導体層５のドレイン領域の上に配置される。従って、ソース電極８ａとドレイン電極７は、チャネル領域を挟んで対向配置されている。ゲート電極２ａ、半導体層５、ソース電極８ａ、及びドレイン電極７によってＴＦＴ２０４が形成される。ソース配線８、ソース電極８ａ、及びドレイン電極７は、例えば、Ｃｒなどの金属膜から形成される。また、ドレイン電極７は、補助容量配線３の上まで延在され、補助容量を形成している。すなわち、ドレイン電極７と補助容量配線３とがゲート絶縁膜４を介して一部重複することで、補助容量が形成される。これにより、画素５０の電圧保持特性を向上することができる。   A source electrode 8 a and a drain electrode 7 are provided on the semiconductor layer 5. The source electrode 8 a extends from the source wiring 8. The source electrode 8 a is disposed on the source region of the semiconductor layer 5, and the drain electrode 7 is disposed on the drain region of the semiconductor layer 5. Accordingly, the source electrode 8a and the drain electrode 7 are arranged to face each other with the channel region interposed therebetween. A TFT 204 is formed by the gate electrode 2 a, the semiconductor layer 5, the source electrode 8 a, and the drain electrode 7. The source wiring 8, the source electrode 8a, and the drain electrode 7 are formed from, for example, a metal film such as Cr. Further, the drain electrode 7 extends over the auxiliary capacitance line 3 and forms an auxiliary capacitance. That is, the drain electrode 7 and the auxiliary capacitance line 3 partially overlap with each other via the gate insulating film 4, thereby forming an auxiliary capacitance. Thereby, the voltage holding characteristic of the pixel 50 can be improved.

ソース電極８ａ、及びドレイン電極７の上には、層間絶縁膜９が形成されている。層間絶縁膜９は、ソース電極８ａ、ドレイン電極７、及びソース配線８を覆うように形成されている。層間絶縁膜９は、例えば、ＳｉＮなどの透明性無機絶縁膜から形成される。層間絶縁膜９の上には、平坦化膜１０が形成されている。平坦化膜１０は、ドレイン電極７、平坦化膜１０は、例えば、アクリル系樹脂などの透明性有機絶縁膜から形成される。平坦化膜１０のは、例えば、１〜３μｍの厚さで形成され、ゲート配線２、ゲート絶縁膜４、ソース配線８、及び層間絶縁膜９よりも十分厚く形成されている。この平坦化膜１０によって、ＴＦＴなどの段差が低減され、平坦化を図ることができる。さらに、平坦化膜１０の表面には、反射特性を向上するための凹凸パターン１０ａが形成されている。この凹凸パターン１０ａは、少なくとも、後述する反射部２１ａに形成されている。   An interlayer insulating film 9 is formed on the source electrode 8 a and the drain electrode 7. The interlayer insulating film 9 is formed so as to cover the source electrode 8 a, the drain electrode 7, and the source wiring 8. The interlayer insulating film 9 is formed from, for example, a transparent inorganic insulating film such as SiN. A planarizing film 10 is formed on the interlayer insulating film 9. The planarization film 10 is formed from a drain electrode 7 and the planarization film 10 is made of a transparent organic insulating film such as an acrylic resin, for example. The planarizing film 10 is formed with a thickness of 1 to 3 μm, for example, and is sufficiently thicker than the gate wiring 2, the gate insulating film 4, the source wiring 8, and the interlayer insulating film 9. The planarization film 10 can reduce the level difference of the TFT and the like, and can be planarized. Furthermore, a concavo-convex pattern 10 a for improving reflection characteristics is formed on the surface of the planarizing film 10. The concavo-convex pattern 10a is formed at least on the reflection portion 21a described later.

平坦化膜１０の上には、透過画素電極１１が形成されている。透過画素電極１１は、例えば、ＩＴＯなどの透明導電膜によって形成されている。透過画素電極１１の上には、反射画素電極１２が形成されている。反射画素電極１２は、例えば、反射率の高い金属材料によって形成されている。具体的には、反射画素電極１２としてＡｌやＡｇなどの反射膜を用いることができる。反射画素電極１２は、透過画素電極１１の上に直接成膜されているため、反射画素電極１２と透過画素電極１１とは、導通している。この反射画素電極１２と透過画素電極１１によって、図１で示した画素電極２０５が形成される。すなわち、液晶２０３を駆動するための画素電極２０５は、透過画素電極１１と、その上に設けられた反射画素電極１２との２層から構成される。さらに、ドレイン電極７上の平坦化膜１０、及び層間絶縁膜９には、コンタクトホール１９が形成されている。このコンタクトホール１９を介して透過画素電極１１とドレイン電極７とが接続されている。また、反射画素電極１２と透過画素電極１１とが電気的に接続されているため、ＴＦＴ２０４がＯＮするとソース配線８からＴＦＴ２０４を介して、反射画素電極１２と透過画素電極１１とに同じ表示電圧が印加される。   A transmissive pixel electrode 11 is formed on the planarizing film 10. The transmissive pixel electrode 11 is formed of a transparent conductive film such as ITO, for example. A reflective pixel electrode 12 is formed on the transmissive pixel electrode 11. The reflective pixel electrode 12 is made of, for example, a metal material having a high reflectance. Specifically, a reflective film such as Al or Ag can be used as the reflective pixel electrode 12. Since the reflective pixel electrode 12 is formed directly on the transmissive pixel electrode 11, the reflective pixel electrode 12 and the transmissive pixel electrode 11 are electrically connected. The reflective pixel electrode 12 and the transmissive pixel electrode 11 form the pixel electrode 205 shown in FIG. That is, the pixel electrode 205 for driving the liquid crystal 203 is composed of two layers of the transmissive pixel electrode 11 and the reflective pixel electrode 12 provided thereon. Further, a contact hole 19 is formed in the planarizing film 10 and the interlayer insulating film 9 on the drain electrode 7. The transmissive pixel electrode 11 and the drain electrode 7 are connected through the contact hole 19. Further, since the reflective pixel electrode 12 and the transmissive pixel electrode 11 are electrically connected, when the TFT 204 is turned on, the same display voltage is applied to the reflective pixel electrode 12 and the transmissive pixel electrode 11 from the source wiring 8 via the TFT 204. Applied.

ここで、透過画素電極１１は、画素５０の略全体に設けられている。一方。反射画素電極１２は、透過画素電極１１よりも若干大きなパターン形状となっているが、その一部に開口部１５が形成されている。この開口部１５では、平坦化膜１０が形成されていない。開口部１５は、矩形状に形成されている。この開口部１５では、反射画素電極１２が除去され、透過画素電極１１が露出している。すなわち、開口部１５では、反射膜からなる反射画素電極１２が設けられていない。よって、開口部１５がバックライトからの光を透過する透過部２１ｂとなる。一方、反射画素電極１２が設けられている箇所が、外光を反射する反射部２１ａとする。このように、本実施の形態にかかる液晶表示装置は、１画素内に外光を反射する反射部２１ａと、バックライトからの光を透過する透過部２１ｂと、が設けられている半透過型液晶表示装置である。また、開口部１５では、反射画素電極１２のみでなく平坦化膜１０、及び層間絶縁膜９も除去されている。すなわち、開口部１５では、基板１上に直接、透過画素電極１１が形成されている。このように、開口部１５において、平坦化膜１０等を除去することによって、透過部２１ｂと反射部２１ａとの間に所望のセルギャップ差を設けることが可能となる。   Here, the transmissive pixel electrode 11 is provided on substantially the entire pixel 50. on the other hand. The reflective pixel electrode 12 has a slightly larger pattern shape than the transmissive pixel electrode 11, but an opening 15 is formed in a part thereof. In the opening 15, the planarizing film 10 is not formed. The opening 15 is formed in a rectangular shape. In the opening 15, the reflective pixel electrode 12 is removed and the transmissive pixel electrode 11 is exposed. That is, the reflective pixel electrode 12 made of a reflective film is not provided in the opening 15. Therefore, the opening 15 serves as a transmission portion 21b that transmits light from the backlight. On the other hand, a location where the reflective pixel electrode 12 is provided is a reflective portion 21a that reflects external light. As described above, the liquid crystal display device according to the present embodiment is a transflective type in which the reflection portion 21a that reflects external light and the transmission portion 21b that transmits light from the backlight are provided in one pixel. It is a liquid crystal display device. In the opening 15, not only the reflective pixel electrode 12 but also the planarization film 10 and the interlayer insulating film 9 are removed. That is, the transmissive pixel electrode 11 is formed directly on the substrate 1 in the opening 15. As described above, by removing the planarization film 10 and the like in the opening 15, it is possible to provide a desired cell gap difference between the transmission portion 21 b and the reflection portion 21 a.

開口部１５は、図３に示すように、隣の画素５０のＴＦＴ２０４に接続されたゲート配線２と補助容量配線３との間に配置されている。すなわち、開口部１５は、画素５０内のＴＦＴ２０４から離れた側に配置されている。従って、開口部１５は、隣接するソース配線８と、補助容量配線３と、隣のゲート配線２との間に配置されている。そして、開口部１５は、画素５０において、傾いて配置されている。従って、開口部１５は、ゲート配線２、及びソース配線８の方向から傾いて設けられている。すなわち、矩形状の開口部１５は、ゲート配線２、及びソース配線８と所定の角度だけ傾いて配置されている。そして、開口部１５の辺がラビング方向と直交するように配置されている。従って、矩形状の開口部１５は、ラビング方向に垂直な方向の２辺と平行な方向の２辺とを有している。すなわち、ラビング方向に応じた角度だけ、開口部１５がソース配線８、及びゲート配線２から傾いて配置されている。換言すると、開口部１５の２辺が、ラビングローラ１００の円筒軸と平行になるよう配設されている。   As shown in FIG. 3, the opening 15 is disposed between the gate wiring 2 connected to the TFT 204 of the adjacent pixel 50 and the auxiliary capacitance wiring 3. That is, the opening 15 is arranged on the side away from the TFT 204 in the pixel 50. Therefore, the opening 15 is disposed between the adjacent source line 8, the auxiliary capacity line 3, and the adjacent gate line 2. The opening 15 is arranged in an inclined manner in the pixel 50. Accordingly, the opening 15 is provided to be inclined from the direction of the gate wiring 2 and the source wiring 8. That is, the rectangular opening 15 is arranged to be inclined at a predetermined angle with respect to the gate wiring 2 and the source wiring 8. And it arrange | positions so that the edge | side of the opening part 15 may intersect orthogonally with a rubbing direction. Accordingly, the rectangular opening 15 has two sides in a direction perpendicular to the rubbing direction and two sides in a direction parallel to the side. That is, the opening 15 is arranged to be inclined from the source wiring 8 and the gate wiring 2 by an angle corresponding to the rubbing direction. In other words, the two sides of the opening 15 are arranged so as to be parallel to the cylindrical axis of the rubbing roller 100.

ここで、図４に示すように、反射部２１ａにおける透過部２１ｂ側の境界近傍を境界部Ａとする。境界部Ａは開口部１５の周辺に配置される。開口部１５の周辺の境界部Ａでは、傾斜面が形成されている。反射部２１ａと透過部２１ｂとでは、ゲート絶縁膜４、層間絶縁膜９、平坦化膜１０、及び反射画素電極１２の厚さだけ段差がある。よって、開口部１５の周辺の境界部Ａには、ゲート絶縁膜４、層間絶縁膜９、平坦化膜１０、及び反射画素電極１２の合計厚さに応じた傾斜面が形成されている。この境界部Ａでは、開口部１５から離れるほど、表面が高くなる。なお、この境界部Ａ上においても反射画素電極１２が形成されているため、視認側から入射した外光を反射する。   Here, as shown in FIG. 4, the vicinity of the boundary on the transmission part 21 b side in the reflection part 21 a is defined as a boundary part A. The boundary portion A is disposed around the opening 15. An inclined surface is formed at the boundary portion A around the opening 15. The reflective portion 21 a and the transmissive portion 21 b have a level difference corresponding to the thickness of the gate insulating film 4, the interlayer insulating film 9, the planarizing film 10, and the reflective pixel electrode 12. Therefore, an inclined surface corresponding to the total thickness of the gate insulating film 4, the interlayer insulating film 9, the planarizing film 10, and the reflective pixel electrode 12 is formed at the boundary portion A around the opening 15. In this boundary A, the surface becomes higher as the distance from the opening 15 increases. Note that, since the reflective pixel electrode 12 is also formed on the boundary portion A, external light incident from the viewing side is reflected.

このように、開口部１５の各辺が、ラビング方向と垂直又は平行に配置されている。そのため、境界部Ａをラビングローラ１００が通過する際、図５に示すように、傾斜面下方向への力の影響が小さく、境界部Ａ以外の箇所と同様にラビングすることができる。なお、図５は、図３に示す開口部１５のコーナー部近傍Ｅにおけるラビング処理を模式的に示す図である。境界部Ａではラビングローラ１００が一定の傾斜角度を持つ傾斜面を、傾斜面に沿って上るようラビングする。そのため、傾斜面下方向の力が一定となる。これにより、境界部Ａにおけるラビング方向のバラツキが低減される。従って、境界部Ａに対しても所定の方向にラビングすることができる。これにより、境界部Ａにおける配向不良の発生を防ぐことができる。特に、従来の液晶表示装置において、開口部１５のコーナー近傍での配向異常の発生を低減することができる。さらに、境界部Ａからの配向異常領域の広がりを低減することができる。そのため、透過部２１ｂを広げることにより開口率向上が可能となる。従って、液晶表示装置の表示品位を向上することができる。   In this way, each side of the opening 15 is arranged perpendicularly or parallel to the rubbing direction. Therefore, when the rubbing roller 100 passes through the boundary portion A, as shown in FIG. 5, the influence of the force in the downward direction of the inclined surface is small, and the rubbing can be performed in the same manner as the portion other than the boundary portion A. FIG. 5 is a diagram schematically showing the rubbing process in the vicinity E of the corner portion of the opening 15 shown in FIG. In the boundary portion A, the rubbing roller 100 rubs an inclined surface having a certain inclination angle so as to rise along the inclined surface. Therefore, the force in the downward direction of the inclined surface is constant. Thereby, the variation in the rubbing direction at the boundary A is reduced. Therefore, the boundary portion A can be rubbed in a predetermined direction. Thereby, it is possible to prevent the occurrence of alignment failure in the boundary portion A. In particular, in the conventional liquid crystal display device, it is possible to reduce the occurrence of alignment abnormality near the corner of the opening 15. Furthermore, the spread of the abnormal alignment region from the boundary portion A can be reduced. Therefore, the aperture ratio can be improved by widening the transmission part 21b. Therefore, the display quality of the liquid crystal display device can be improved.

実施の形態２．
本実施の形態にかかる液晶表示装置について図６を用いて説明する。図６は、本実施の形態にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板２０１の画素構成を示す平面図である。本実施の形態にかかる液晶表示装置の基本的構成、及びラビング処理については、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。本実施の形態では、開口部１５の形状が実施の形態１と異なっている。ここで、図６（ａ）〜図６（ｃ）のそれぞれに、開口部１５の形状の例を示す。まず、図６（ａ）に示された構成について説明する。図６（ａ）に示す構成では、画素５０に直角三角形状の開口部１５が設けられている。ここで、三角形状の開口部１５の１辺がラビング方向と垂直となっている。そして、開口部１５のラビング方向と垂直な辺は、平坦化膜１０が設けられていない透過部２１ｂから平坦化膜１０が設けられている反射部２１ａにラビングローラ１００が乗り上げる箇所に配置されている。すなわち、ラビング処理において、ラビングローラ１００のラビング布１０１が透過部２１ｂを通過して反射部２１ａとなる箇所では、境界部Ａがラビング方向と垂直な方向になっている。このように、開口部１５のうち、ラビングローラ１００のラビング布１０１が開口部１５から平坦化膜１０、及び反射画素電極１２に乗り上げる１辺のみをラビング方向と垂直にしている。したがって、実施の形態１と同様に、実施の形態１と同様に、境界部Ａにおける傾斜面下方向の力によって発生する配向異常領域の広がりを低減することができる。 Embodiment 2. FIG.
A liquid crystal display device according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a plan view showing a pixel configuration of the TFT array substrate 201 of the liquid crystal display device according to the present embodiment. The basic configuration of the liquid crystal display device according to the present embodiment and the rubbing process are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted. In the present embodiment, the shape of the opening 15 is different from that of the first embodiment. Here, the example of the shape of the opening part 15 is shown to each of FIG. 6 (a)-FIG.6 (c). First, the configuration shown in FIG. 6A will be described. In the configuration shown in FIG. 6A, the pixel 50 is provided with a right triangle opening 15. Here, one side of the triangular opening 15 is perpendicular to the rubbing direction. The side perpendicular to the rubbing direction of the opening 15 is arranged at a location where the rubbing roller 100 rides on the reflecting portion 21a provided with the planarizing film 10 from the transmitting portion 21b where the planarizing film 10 is not provided. Yes. That is, in the rubbing process, the boundary portion A is in a direction perpendicular to the rubbing direction at a location where the rubbing cloth 101 of the rubbing roller 100 passes through the transmission portion 21b and becomes the reflection portion 21a. Thus, only one side of the opening 15 where the rubbing cloth 101 of the rubbing roller 100 rides on the planarizing film 10 and the reflective pixel electrode 12 from the opening 15 is perpendicular to the rubbing direction. Therefore, similarly to the first embodiment, as in the first embodiment, it is possible to reduce the spread of the abnormal alignment region caused by the force in the downward direction of the inclined surface at the boundary portion A.

このように、本実施の形態では、開口部１５のうち、ラビングローラ１００が開口部１５から平坦化膜１０、及び反射画素電極１２に乗り上げる方向にラビングする箇所のみをラビング方向と垂直にしている。従って、開口部１５を矩形以外の形状にすることができる。すなわち、本実施の形態では、開口部１５から平坦化膜１０、及び反射画素電極１２に乗り上げる１辺以外の辺を任意の傾きとすることができる。そのため、画素をさまざまな構成とすることができる。すなわち、本実施の形態では、特定の１辺のみをラビング方向と垂直にしている。なお、開口部１５の形状は三角形に限られるものではない。すなわち、境界部Ａのうち、平坦化膜１０が設けられていない透過部２１ｂから平坦化膜１０が設けられている反射部２１ａにラビングローラが乗り上げる箇所に、開口部１５のラビング方向と垂直な辺が配置されていればよい。したがって、平坦化膜１０が設けられている反射部２１ａから平坦化膜１０が設けられていない透過部２１ｂにラビングする箇所では、開口部１５の辺を任意の傾きとすることができる。これにより、ラビング方向のバラツキによって生じる配向異常を防ぐことができる。よって、表示品位の低下を防ぐことができる。   As described above, in the present embodiment, only the portion of the opening 15 where the rubbing roller 100 rubs in the direction of running from the opening 15 onto the planarizing film 10 and the reflective pixel electrode 12 is perpendicular to the rubbing direction. . Accordingly, the opening 15 can be formed in a shape other than a rectangle. That is, in the present embodiment, the sides other than the one that runs from the opening 15 to the planarization film 10 and the reflective pixel electrode 12 can be set to an arbitrary inclination. Therefore, the pixel can have various configurations. That is, in this embodiment, only one specific side is set perpendicular to the rubbing direction. The shape of the opening 15 is not limited to a triangle. That is, in the boundary portion A, the portion where the rubbing roller rides on the reflecting portion 21a where the planarizing film 10 is provided from the transmission portion 21b where the planarizing film 10 is not provided is perpendicular to the rubbing direction of the opening 15. It suffices if the sides are arranged. Therefore, the side of the opening 15 can be made to have an arbitrary inclination at a location where the reflective portion 21a provided with the planarizing film 10 is rubbed to the transmissive portion 21b not provided with the planarizing film 10. Thereby, the alignment abnormality which arises by the variation in a rubbing direction can be prevented. Therefore, it is possible to prevent display quality from deteriorating.

具体的には、開口部１５の形状を図６（ｂ）に示すように十字形とすることも可能である。さらに、開口部１５の形状を、図６（ｃ）に示すように、五角形とすることも可能である。この場合も、ラビングローラ１００が開口部１５から平坦化膜１０、及び反射画素電極１２に乗り上げる方向にラビングする箇所において、開口部１５の辺をラビング方向と垂直にしている。これにより、配向異常の発生を防ぐことができる。もちろん、開口部１５の形状は、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すものに限られるものではない。本実施の形態では、開口部１５を様々な形状にすることができるため、設計の自由度を高くすることができる。   Specifically, the shape of the opening 15 can be a cross as shown in FIG. Furthermore, the shape of the opening 15 may be a pentagon as shown in FIG. Also in this case, the side of the opening 15 is perpendicular to the rubbing direction at a location where the rubbing roller 100 is rubbed in the direction to run from the opening 15 to the planarizing film 10 and the reflective pixel electrode 12. Thereby, it is possible to prevent the occurrence of abnormal alignment. Of course, the shape of the opening 15 is not limited to that shown in FIGS. 6 (a) to 6 (c). In the present embodiment, since the opening 15 can have various shapes, the degree of freedom in design can be increased.

実施の形態３．
本実施の形態にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板２０１の構成について図７を用いて説明する。図７は、ＴＦＴアレイ基板２０１の画素配列を示す平面図である。なお、液晶表示装置の基本的構成、及びラビング処理については、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。本実施の形態では、実施の形態１、２と画素の配列が異なっており、具体的には図７に示すように画素が配列されている。本実施の形態では、ＴＦＴアレイ基板２０１の端辺から一定の傾きを有する画素５０がマトリクス状に配列されている。図７では、横４×縦２の８つの画素５０が示されている。なお、図７において、画素５０の符号に後に付したｒ、ｇ、ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色のカラーフィルターに対応する画素５０であることを示している。本実施の形態では、画素５０をラビング方向に対して傾けて配列している。すなわち、矩形状の画素５０がラビング方向と垂直な辺を備えている。このように、本実施の形態では、画素５０自体がラビング方向にと垂直に配列されている。ここで、開口部１５は、画素５０の各辺と平行に形成されている。すなわち、矩形状の開口部１５の辺は、画素５０を画定するゲート配線２、又はソース配線８と平行になっている。 Embodiment 3 FIG.
The configuration of the TFT array substrate 201 of the liquid crystal display device according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a plan view showing a pixel arrangement of the TFT array substrate 201. Note that the basic configuration of the liquid crystal display device and the rubbing process are the same as those in Embodiment 1, and thus description thereof is omitted. In the present embodiment, the pixel arrangement is different from those in the first and second embodiments, and specifically, the pixels are arranged as shown in FIG. In the present embodiment, pixels 50 having a certain inclination from the edge of the TFT array substrate 201 are arranged in a matrix. In FIG. 7, eight pixels 50 of 4 × 2 are shown. In FIG. 7, r, g, and b attached to the reference numerals of the pixels 50 indicate the pixels 50 corresponding to the red, green, and blue color filters, respectively. In the present embodiment, the pixels 50 are arranged to be inclined with respect to the rubbing direction. That is, the rectangular pixel 50 has a side perpendicular to the rubbing direction. Thus, in the present embodiment, the pixels 50 themselves are arranged perpendicular to the rubbing direction. Here, the opening 15 is formed in parallel with each side of the pixel 50. That is, the side of the rectangular opening 15 is parallel to the gate line 2 or the source line 8 that defines the pixel 50.

したがって、開口部１５は、ラビング方向と垂直な方向の辺を有している。これにより、実施の形態１と同様に、境界部Ａにおける傾斜面下方向の力によって発生する配向異常領域の広がりを低減することができる。なお、本実施の形態では、例えば、ソース配線８、及びゲート配線２の方向をラビング方向に応じて決定すればよい。すなわち、ラビング方向に応じて、ＴＦＴアレイ基板２０１の端辺からゲート配線２、及びソース配線８を傾けて配置すればよい。具体的には、ソース配線８をラビング方向と平行に形成すればよい。そして、ゲート配線２が画素間を通るように、ゲート配線２を蛇行させて形成する。この蛇行したゲート配線２をラビング方向と垂直な方向に形成すればよい。また、画素５０の配列方向は、ＴＦＴアレイ基板２０１の端辺から傾いた方向となる。   Therefore, the opening 15 has a side in a direction perpendicular to the rubbing direction. Thereby, similarly to the first embodiment, it is possible to reduce the spread of the alignment abnormal region generated by the force in the downward direction of the inclined surface at the boundary portion A. In the present embodiment, for example, the direction of the source wiring 8 and the gate wiring 2 may be determined according to the rubbing direction. That is, the gate wiring 2 and the source wiring 8 may be disposed so as to be inclined from the edge of the TFT array substrate 201 according to the rubbing direction. Specifically, the source wiring 8 may be formed in parallel with the rubbing direction. Then, the gate wiring 2 is meandered so that the gate wiring 2 passes between the pixels. The meandering gate wiring 2 may be formed in a direction perpendicular to the rubbing direction. The arrangement direction of the pixels 50 is a direction inclined from the edge of the TFT array substrate 201.

このように、開口部１５の少なくとも１辺がラビング方向と垂直になるよう、ラビング方向に沿って画素５０が配列されている。さらに、開口部１５の辺のうち、開口部１５から平坦化膜１０の上に乗り上げる箇所の辺をラビング方向と垂直にする。実施の形態１、２では、画素５０に対して必要サイズの面積を確保することが困難になり、透過部２１ｂの面積が小さくなる可能性がある。また、透過部２１ｂの割合を高くしようとする場合、画素サイズによっては、開口部１５の辺をラビング方向に対して垂直な方向に形成できず、配向不良を起こす可能性がある。この問題を解消するため、本実施の形態では、画素５０の開口部１５の辺がラビング方向と垂直な方向になるように、画素５０の配列をラビング方向に沿った方向にしている。これにより、ラビングローラ１００が透過部２１ｂから平坦化膜１０と反射画素電極１２とに乗り上げる箇所では、ラビング方向が開口部１５の辺と垂直になるようラビング処理される。よって、境界部Ａでの配向異常が抑制される。また、透過部２１ｂの形状を変更しないため、画素サイズによる透過部２１ｂの面積低下が生じない。よって、画素５０における透過部２１ｂの割合を維持することができる。なお、本実施の形態では、ＴＦＴアレイ基板２０１の端辺から傾いた方向にラビングしている。   Thus, the pixels 50 are arranged along the rubbing direction so that at least one side of the opening 15 is perpendicular to the rubbing direction. Further, of the sides of the opening 15, the side of the portion that rides on the planarizing film 10 from the opening 15 is made perpendicular to the rubbing direction. In the first and second embodiments, it is difficult to secure an area of a necessary size for the pixel 50, and the area of the transmissive portion 21b may be reduced. Further, when trying to increase the ratio of the transmissive portion 21b, depending on the pixel size, the side of the opening 15 cannot be formed in a direction perpendicular to the rubbing direction, which may cause orientation failure. In order to solve this problem, in this embodiment, the pixels 50 are arranged in the direction along the rubbing direction so that the sides of the openings 15 of the pixels 50 are perpendicular to the rubbing direction. Thus, the rubbing process is performed so that the rubbing direction is perpendicular to the side of the opening 15 at the portion where the rubbing roller 100 rides on the planarizing film 10 and the reflective pixel electrode 12 from the transmission portion 21b. Therefore, the alignment abnormality in the boundary part A is suppressed. Further, since the shape of the transmissive portion 21b is not changed, the area of the transmissive portion 21b is not reduced due to the pixel size. Therefore, the ratio of the transmission part 21b in the pixel 50 can be maintained. In this embodiment, rubbing is performed in a direction inclined from the edge of the TFT array substrate 201.

実施の形態４．
本実施の形態にかかる液晶表示装置について図８を用いて説明する。図８は、ＴＦＴアレイ基板２０１の画素配列を示す平面図である。本実施の形態では、実施の形態３と異なる画素配列になっている。なお、液晶表示装置の基本的構成、及びラビング処理については、実施の形態１〜３と同様であるため、説明を省略する。図８では、横４×縦２の８つの画素５０が示されている。なお、図８において、画素５０の符号に後に付したｒ、ｇ、ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色のカラーフィルターに対応する画素５０であることを示している。本実施の形態では、実施の形態３と同様に、ラビング方向に応じて画素５０を傾けて配置している。すなわち、画素５０がラビング方向と垂直な辺を有している。さらに、本実施の形態では、１列目の画素５０と、２列目の画素５０との傾きを直交させている。すなわち、図８に示すように、１列目の画素では、実施の形態３と同じ方向に配列され、２列目の画素５０では、１列目の画素に対して９０°傾いて配列されている。１列目では、矩形状の画素５０の長辺がラビング方向に平行となり、２列目では、矩形状の画素５０の短辺がラビング方向と平行になっている。 Embodiment 4 FIG.
A liquid crystal display device according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a plan view showing the pixel arrangement of the TFT array substrate 201. In this embodiment, the pixel arrangement is different from that of the third embodiment. Note that the basic configuration of the liquid crystal display device and the rubbing process are the same as those in Embodiments 1 to 3, and a description thereof will be omitted. In FIG. 8, eight pixels 50 of 4 × 2 are shown. In FIG. 8, r, g, and b appended to the reference numerals of the pixels 50 indicate the pixels 50 corresponding to the red, green, and blue color filters, respectively. In the present embodiment, similarly to the third embodiment, the pixels 50 are arranged in an inclined manner according to the rubbing direction. That is, the pixel 50 has a side perpendicular to the rubbing direction. Further, in the present embodiment, the inclinations of the pixels 50 in the first column and the pixels 50 in the second column are orthogonal. That is, as shown in FIG. 8, the pixels in the first column are arranged in the same direction as in the third embodiment, and the pixels 50 in the second column are arranged inclined by 90 ° with respect to the pixels in the first column. Yes. In the first column, the long side of the rectangular pixel 50 is parallel to the rubbing direction, and in the second column, the short side of the rectangular pixel 50 is parallel to the rubbing direction.

このような構成とすることによって、実施の形態３と同様の効果を得ることができる。すなわち、どの画素５０においても、開口部１５がラビング方向と垂直な辺を有している。そして、ラビングローラ１００が開口部１５から平坦化膜１０の上に乗り上げる箇所では、この垂直な辺を通過する。したがって、ラビング方向が開口部１５の辺と垂直になるようラビング処理され、境界部Ａでの配向異常が抑制される。これにより、表示品位を向上することができる。また、ラビング方向に応じて透過部２１ｂの形状を変更する必要がないため、画素サイズによる透過部２１ｂの面積低下が生じない。これにより、透過光の輝度を維持することができる。このように、開口部１５の少なくとも１辺がラビング方向と垂直になるよう、ラビング方向に沿って画素５０が配列されている。そして、開口部１５の辺のうち、開口部１５から平坦化膜１０の上に乗り上げる箇所の辺をラビング方向と垂直にする。   By adopting such a configuration, the same effect as in the third embodiment can be obtained. That is, in any pixel 50, the opening 15 has a side perpendicular to the rubbing direction. The rubbing roller 100 passes through the vertical side at a position where the rubbing roller 100 rides on the planarizing film 10 from the opening 15. Therefore, the rubbing process is performed so that the rubbing direction is perpendicular to the side of the opening 15, and the alignment abnormality at the boundary A is suppressed. Thereby, display quality can be improved. Moreover, since it is not necessary to change the shape of the transmission part 21b according to the rubbing direction, the area of the transmission part 21b is not reduced due to the pixel size. Thereby, the brightness of the transmitted light can be maintained. Thus, the pixels 50 are arranged along the rubbing direction so that at least one side of the opening 15 is perpendicular to the rubbing direction. Then, of the sides of the opening 15, the side of the portion that rides on the planarizing film 10 from the opening 15 is made perpendicular to the rubbing direction.

実施の形態５．
本実施の形態にかかる液晶表示装置の構成について図９〜図１１を用いて説明する。図９は、ＴＦＴアレイ基板２０１の画素構成を示す平面図である。図１０は、ＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す工程断面図である。図１１は、画素５０に設けられた開口部１５の角部Ｇを示す図である。なお、本実施の形態にかかる液晶表示装置の基本的構成、及びラビング処理は実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。本実施の形態では、図９に示すように、開口部１５がラビング方向と垂直な辺を有していない。すなわち、本実施の開口部１５が画素に対して傾いておらず、開口部１５がゲート配線２、及びソース配線８と平行な辺を有している。 Embodiment 5. FIG.
The structure of the liquid crystal display device according to this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a plan view showing a pixel configuration of the TFT array substrate 201. FIG. 10 is a process cross-sectional view showing the manufacturing process of the TFT array substrate. FIG. 11 is a diagram illustrating a corner G of the opening 15 provided in the pixel 50. The basic configuration of the liquid crystal display device according to this embodiment and the rubbing process are the same as those in the first embodiment, and thus description thereof is omitted. In the present embodiment, as shown in FIG. 9, the opening 15 does not have a side perpendicular to the rubbing direction. That is, the opening 15 in this embodiment is not inclined with respect to the pixel, and the opening 15 has a side parallel to the gate wiring 2 and the source wiring 8.

ここで、図１０（ｃ）に示すように、開口部１５の周辺の境界部Ｂにおいて、平坦化膜１０には凹凸形状１０ｂが形成されている。すなわち、開口部１５の周辺の傾斜面には、凹凸形状１０ｂが形成されている。ここで、凹凸形状１０ｂは、平坦化膜１０の表面に形成されている。境界部Ｂでは、凹凸形状１０ｂの上に、透過画素電極１１、及び反射画素電極１２が形成されている。従って、境界部Ｂの表面には、凹凸形状１０ｂに応じた凹溝１８が形成される。すなわち、開口部１５の周辺の傾斜面では、凹溝１８を有する凹凸が形成される。この凹凸は、平坦化膜１０の凹凸形状１０ｂに応じたパターンとなっている。すなわち、配向膜２０９の表面には凹溝１８に基づく凹凸が形成される。   Here, as shown in FIG. 10C, an uneven shape 10 b is formed in the planarizing film 10 at the boundary B around the opening 15. That is, the uneven shape 10 b is formed on the inclined surface around the opening 15. Here, the uneven shape 10 b is formed on the surface of the planarizing film 10. In the boundary portion B, the transmissive pixel electrode 11 and the reflective pixel electrode 12 are formed on the concavo-convex shape 10b. Accordingly, a groove 18 corresponding to the concavo-convex shape 10b is formed on the surface of the boundary portion B. That is, irregularities having the groove 18 are formed on the inclined surface around the opening 15. The unevenness is a pattern corresponding to the uneven shape 10 b of the planarizing film 10. That is, irregularities based on the concave grooves 18 are formed on the surface of the alignment film 209.

ここで、凹凸形状１０ｂは、ラビング方向に沿って設けられている。従って、境界部Ｂにおける傾斜面には、図１１に示すように、凹溝１８がラビング方向と平行に形成されている。境界部Ｂでは、この凹溝１８を有する凹凸の上をラビングローラ１００が通過する。この凹溝１８に沿ってラビングすることによって、境界部Ｂでの配向不良を防ぐことができる。すなわち、境界部Ｂにおいて、傾斜面下方向への力によって生じるラビング方向のばらつきを低減することができる。これにより、ラビング布１０１の毛先の乱れを抑制し、配向異常による表示不良を低減することができる。   Here, the concavo-convex shape 10b is provided along the rubbing direction. Therefore, as shown in FIG. 11, the groove 18 is formed in the inclined surface in the boundary part B in parallel with the rubbing direction. At the boundary portion B, the rubbing roller 100 passes over the unevenness having the concave groove 18. By rubbing along the concave groove 18, alignment failure at the boundary B can be prevented. That is, in the boundary portion B, it is possible to reduce the variation in the rubbing direction caused by the downward force on the inclined surface. Thereby, disorder of the hair tip of the rubbing cloth 101 can be suppressed, and display defects due to orientation abnormality can be reduced.

次に、図１０を用いて本実施の形態にかかる液晶表示装置の製造工程について説明する。まず、基板１上に、スパッタ法などによってＡｌ、Ｔｉ、又はＣｒ等からなる第１の金属膜を成膜する。そして、写真製版工程等によって、レジストを露光、現像して、第１の金属膜をパターニングする。これにより、ゲート配線２、ゲート電極２ａ及び補助容量配線３が形成される。次に、プラズマＣＶＤ法等によって、ゲート配線２、ゲート電極２ａ及び補助容量配線３の上に、シリコン窒化膜等からなるゲート絶縁膜４、及びａ−Ｓｉ膜を成膜する。そして、写真製版工程によって、ａ−Ｓｉ膜をパターニングする。これにより、ＴＦＴとなる箇所に、島状の半導体層５のパターンが形成される。   Next, the manufacturing process of the liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. First, a first metal film made of Al, Ti, Cr or the like is formed on the substrate 1 by sputtering or the like. Then, the resist is exposed and developed by a photolithography process or the like, and the first metal film is patterned. Thereby, the gate wiring 2, the gate electrode 2a, and the auxiliary capacitance wiring 3 are formed. Next, a gate insulating film 4 made of a silicon nitride film or the like and an a-Si film are formed on the gate wiring 2, the gate electrode 2a, and the auxiliary capacitance wiring 3 by a plasma CVD method or the like. Then, the a-Si film is patterned by a photolithography process. As a result, a pattern of the island-shaped semiconductor layer 5 is formed at a location to be a TFT.

そして、ゲート絶縁膜４、半導体層５の上に、Ｃｒ膜等からなる第２の金属膜をスパッタ法等によって成膜する。写真製版工程等によって第２の金属膜をパターニングする。これにより、ソース電極８ａ、ドレイン電極７、及びソース配線８が形成される。このとき、ドレイン電極７が補助容量配線３の一部と重複するようパターニングを行なう。これにより、補助容量が形成される。また、ここで、ＴＦＴのチャネル領域のオーミックコンタクト膜５ｂをエッチングする。次に、ソース電極８ａ、ドレイン電極７、及びソース配線８の上に、シリコン窒化膜からなる層間絶縁膜９を成膜する。層間絶縁膜９の上に、平坦化膜１０となる感光性樹脂膜を塗布する。これにより、ＴＦＴなどの段差が緩和され、図１０（ａ）に示す構成となる。なお、実施の形態１〜３においても、本実施の形態と同様の工程を用いている。   Then, a second metal film made of a Cr film or the like is formed on the gate insulating film 4 and the semiconductor layer 5 by a sputtering method or the like. The second metal film is patterned by a photolithography process or the like. Thereby, the source electrode 8a, the drain electrode 7, and the source wiring 8 are formed. At this time, patterning is performed so that the drain electrode 7 overlaps a part of the auxiliary capacitance wiring 3. Thereby, an auxiliary capacitor is formed. Further, here, the ohmic contact film 5b in the channel region of the TFT is etched. Next, an interlayer insulating film 9 made of a silicon nitride film is formed on the source electrode 8 a, the drain electrode 7, and the source wiring 8. A photosensitive resin film to be the planarizing film 10 is applied on the interlayer insulating film 9. As a result, steps such as TFTs are alleviated, resulting in the configuration shown in FIG. In the first to third embodiments, the same steps as those in the present embodiment are used.

そして、写真製版工程によって、感光性樹脂膜をパターニングして、平坦化膜１０を形成する。開口部１５、コンタクトホール１９となる箇所では、平坦化膜１０が除去される。さらに、平坦化膜１０の表面には、凹凸パターン１０ａ、及び凹凸形状１０ｂが形成される。凹凸パターン１０ａは反射部２１ａに形成され、凹凸形状１０ｂは境界部Ｂの傾斜面に形成される。感光性樹脂膜の露光量を部分的に変化させることによって、平坦化膜１０の表面に凹凸パターン１０ａ、及び凹凸形状１０ｂを形成することができる。さらに、平坦化膜１０をマスクとして、ゲート絶縁膜４、及び層間絶縁膜９をエッチングする。これにより、開口部１５、コンタクトホール１９が形成され、図１０（ｂ）に示す構成となる。   Then, the planarizing film 10 is formed by patterning the photosensitive resin film by a photolithography process. The planarizing film 10 is removed at the locations where the openings 15 and the contact holes 19 are to be formed. Furthermore, a concavo-convex pattern 10 a and a concavo-convex shape 10 b are formed on the surface of the planarizing film 10. The concavo-convex pattern 10a is formed on the reflecting portion 21a, and the concavo-convex shape 10b is formed on the inclined surface of the boundary portion B. By partially changing the exposure amount of the photosensitive resin film, the concavo-convex pattern 10 a and the concavo-convex shape 10 b can be formed on the surface of the planarizing film 10. Further, the gate insulating film 4 and the interlayer insulating film 9 are etched using the planarizing film 10 as a mask. As a result, an opening 15 and a contact hole 19 are formed, resulting in the configuration shown in FIG.

凹凸パターン１０ａ、凹凸形状１０ｂ、開口部１５、及びコンタクトホール１９が形成された平坦化膜１０の上に、透過画素電極１１となる透明導電膜を成膜する。透明導電膜としては、例えば、ＩＴＯを用いることができる。そして、写真製版工程によって、レジスト塗布、露光、現像を行った後、透明導電膜をエッチングする。これにより、透明導電膜がパターニングされ、透過画素電極１１が形成される。透過画素電極１１は、コンタクトホール１９を介してドレイン電極７と接続される。また、平坦化膜１０が形成されていない開口部１５にも、透過画素電極１１が形成される。次に、透過画素電極１１の上に、Ａｌ等からなる反射膜を成膜する。そして、反射膜を同様にパターニングして、透過画素電極１１の上に、反射画素電極１２を形成する。この工程では、開口部１５に成膜された反射膜がエッチングされ、透過部２１ｂが形成される。これにより、図１０（ｃ）に示す構成となる。そして、反射画素電極１２の上に配向膜２０９を形成する。従って、平坦化膜１０に形成された凹凸形状１０ｂによって、開口部周辺の傾斜面に凹溝１８を有する凹凸が形成される。   A transparent conductive film to be the transmissive pixel electrode 11 is formed on the planarizing film 10 on which the uneven pattern 10a, the uneven shape 10b, the opening 15 and the contact hole 19 are formed. For example, ITO can be used as the transparent conductive film. And after performing resist application, exposure, and development by a photolithography process, the transparent conductive film is etched. Thereby, the transparent conductive film is patterned, and the transmissive pixel electrode 11 is formed. The transmissive pixel electrode 11 is connected to the drain electrode 7 through the contact hole 19. The transmissive pixel electrode 11 is also formed in the opening 15 where the planarizing film 10 is not formed. Next, a reflective film made of Al or the like is formed on the transmissive pixel electrode 11. Then, the reflective film is similarly patterned to form the reflective pixel electrode 12 on the transmissive pixel electrode 11. In this step, the reflective film formed in the opening 15 is etched to form the transmission part 21b. As a result, the configuration shown in FIG. Then, an alignment film 209 is formed on the reflective pixel electrode 12. Therefore, the concave / convex shape having the concave groove 18 is formed on the inclined surface around the opening by the concave / convex shape 10 b formed in the planarizing film 10.

ここで、反射部２１ａでは、反射画素電極１２が、凹凸パターン１０ａの上に形成されている。従って、反射画素電極１２の表面は粗くなる。よって、反射画素電極１２に入射した光は任意の方向に散乱して反射される。これにより、所望の散乱角度特性を得ることができ、表示品位を向上することができる。   Here, in the reflective portion 21a, the reflective pixel electrode 12 is formed on the concavo-convex pattern 10a. Accordingly, the surface of the reflective pixel electrode 12 becomes rough. Therefore, the light incident on the reflective pixel electrode 12 is scattered and reflected in an arbitrary direction. Thereby, desired scattering angle characteristics can be obtained, and display quality can be improved.

さらに、境界部Ｂでは、透過画素電極１１、及び反射画素電極１２が凹凸形状１０ｂの上に形成されている。従って、凹凸形状１０ｂを有する下地の上に反射画素電極１２が形成され、傾斜面の表面に凹部と凸部が形成される。ここで、凹凸形状１０ｂは、ラビング方向に応じた方向にパターニングされている。これにより、境界部Ｂの表面に、ラビング方向と平行な凹溝１８を有する凹凸が形成される。これにより、配向異常を防ぐことができ、表示品位の低下を防ぐことができる。なお、凹凸形状１０ｂについては、境界部Ｂの全体に形成しなくてもよく、例えば、図１２に示すように、ラビングローラ１００が開口部１５から平坦化膜１０、及び反射画素電極１２に乗り上げる２辺のみに形成してもよい。すなわち、開口部１５の４辺うち、ラビングローラ１００が開口部１５から平坦化膜１０、及び反射画素電極１２に乗り上げる方向にラビングするコーナーを形成する２辺にのみ、凹凸形状１０ｂを設けても良い。これにより、開口部１５のコーナー部分近傍での配向異常の発生を防ぐことができる。さらに、本実施の形態では、平坦化膜１０の露光量を部分的に変えるだけで、凹凸形状１０ｂを形成することができる。よって、製造工程の増加を防ぐことができる。これにより、高い表示品位の液晶表示装置を生産性よく製造することができる。   Further, at the boundary portion B, the transmissive pixel electrode 11 and the reflective pixel electrode 12 are formed on the concavo-convex shape 10b. Therefore, the reflective pixel electrode 12 is formed on the base having the concavo-convex shape 10b, and the concave portion and the convex portion are formed on the surface of the inclined surface. Here, the uneven shape 10b is patterned in a direction corresponding to the rubbing direction. Thereby, the unevenness | corrugation which has the ditch | groove 18 parallel to a rubbing direction is formed in the surface of the boundary part B. FIG. Thereby, it is possible to prevent abnormal alignment and to prevent deterioration of display quality. The concavo-convex shape 10b may not be formed on the entire boundary portion B. For example, as shown in FIG. 12, the rubbing roller 100 runs over the planarization film 10 and the reflective pixel electrode 12 from the opening 15. It may be formed on only two sides. That is, of the four sides of the opening 15, the uneven shape 10 b may be provided only on the two sides that form corners where the rubbing roller 100 rubs in the direction of running from the opening 15 to the planarization film 10 and the reflective pixel electrode 12. good. Thereby, it is possible to prevent the occurrence of abnormal alignment in the vicinity of the corner portion of the opening 15. Furthermore, in the present embodiment, the uneven shape 10b can be formed by only partially changing the exposure amount of the planarizing film 10. Therefore, an increase in the manufacturing process can be prevented. Thereby, a liquid crystal display device with high display quality can be manufactured with high productivity.

実施の形態６．
本実施の形態にかかる液晶表示装置について、図１３を用いて説明する。図１３は、ＴＦＴアレイ基板の画素の製造工程を示す工程断面図である。本実施の形態では、実施の形態５と同様に、開口部１５がラビング方向と垂直な辺を有しておらず、開口部１５の周辺の境界部Ｂに凹凸が形成されている。しかしながら、本実施の形態では、実施の形態５と異なり、境界部Ｂにおいて、平坦化膜１０に凹凸形状１０ｂが形成されていない。すなわち、本実施の形態では、図１３（ｄ）に示すように、平坦化膜１０上に透過画素電極１１によってスリットパターン１１ａを設けて、境界部Ｂの傾斜面に凹凸を形成している。例えば、スリットパターン１１ａは、透過画素電極１１にラビング方向と平行なスリットによって形成される。また、複数のスリットパターン１１ａを、同じ方向に形成する。そして、スリットパターン１１ａを有する透過画素電極１１の上から反射画素電極１２を形成する。これにより、境界部Ｂの表面には、ラビング方向と平行な凹溝１８が形成される。すなわち、配向膜２０９の表面には凹溝１８を有する凹凸が形成される。よって、実施の形態５と同様に、配向異常の発生を防ぐことができる。 Embodiment 6 FIG.
A liquid crystal display device according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a process cross-sectional view illustrating a process for manufacturing a pixel of the TFT array substrate. In the present embodiment, as in the fifth embodiment, the opening 15 does not have a side perpendicular to the rubbing direction, and irregularities are formed at the boundary B around the opening 15. However, in the present embodiment, unlike the fifth embodiment, the uneven shape 10 b is not formed in the planarizing film 10 at the boundary portion B. That is, in the present embodiment, as shown in FIG. 13D, the slit pattern 11a is provided on the planarizing film 10 by the transmissive pixel electrode 11, and unevenness is formed on the inclined surface of the boundary portion B. For example, the slit pattern 11a is formed in the transmissive pixel electrode 11 by a slit parallel to the rubbing direction. A plurality of slit patterns 11a are formed in the same direction. Then, the reflective pixel electrode 12 is formed from above the transmissive pixel electrode 11 having the slit pattern 11a. Thereby, a concave groove 18 parallel to the rubbing direction is formed on the surface of the boundary portion B. That is, irregularities having the concave grooves 18 are formed on the surface of the alignment film 209. Therefore, as in the fifth embodiment, it is possible to prevent the occurrence of orientation abnormality.

次に、ＴＦＴアレイ基板の製造工程について説明する。まず、層間絶縁膜９の上に平坦化膜１０を塗布する。これにより、図１３（ａ）に示す構成となる。なお、ここまでの工程は、実施の形態５で示した図１０（ａ）までの工程と同様であるため説明を省略する。そして、平坦化膜１０を露光、現像する。これにより、平坦化膜１０がパターニングされる。なお、本実施の形態では、境界部Ｂの平坦化膜１０に凹凸形状１０ｂを形成しないため、境界部Ｂにおける露光量を一定としている。一方、境界部Ｂ以外の反射部２１ａでは、実施の形態５と同様に、凹凸パターン１０ａを形成するため、露光量を変化させている。さらに、この工程で、開口部１５、及びコンタクトホール１９となる箇所では、平坦化膜１０を除去して層間絶縁膜９を露出させる。さらに、平坦化膜１０をマスクとして、層間絶縁膜９、及びゲート絶縁膜４をエッチングする。これにより、コンタクトホール１９、及び開口部１５が形成される。これにより、図１３（ｂ）に示す構成となる。   Next, a manufacturing process of the TFT array substrate will be described. First, a planarizing film 10 is applied on the interlayer insulating film 9. As a result, the configuration shown in FIG. Since the steps up to here are the same as the steps up to FIG. 10A shown in the fifth embodiment, the description thereof is omitted. Then, the planarizing film 10 is exposed and developed. Thereby, the planarizing film 10 is patterned. In the present embodiment, since the uneven shape 10b is not formed in the planarizing film 10 at the boundary B, the exposure amount at the boundary B is constant. On the other hand, in the reflection part 21a other than the boundary part B, the exposure amount is changed in order to form the concave / convex pattern 10a as in the fifth embodiment. Further, in this step, the planarizing film 10 is removed and the interlayer insulating film 9 is exposed at the locations to be the openings 15 and the contact holes 19. Further, the interlayer insulating film 9 and the gate insulating film 4 are etched using the planarizing film 10 as a mask. Thereby, the contact hole 19 and the opening 15 are formed. As a result, the configuration shown in FIG.

そして、平坦化膜１０の上に、透過画素電極１１となる透明導電膜をスパッタ法などによって成膜する。そして、写真製版工程によって、透明導電膜上にレジストを塗布し、露光、現像する。そして、レジストを介して透明導電膜をエッチングすることによって、透過画素電極１１が形成される。これにより、図１３（ｃ）に示す構成となる。ここで、透過画素電極１１は、境界部Ｂにおいてスリットパターン１１ａを有するようパターニングされる。すなわち、境界部Ｂの傾斜面では、透過画素電極１１にラビング方向と平行なスリットパターン１１ａが形成される。ここで、スリットパターン１１ａと、透過画素電極１１は導通している。   Then, a transparent conductive film to be the transmissive pixel electrode 11 is formed on the planarizing film 10 by a sputtering method or the like. Then, a resist is applied on the transparent conductive film, exposed and developed by a photolithography process. Then, the transmissive pixel electrode 11 is formed by etching the transparent conductive film through the resist. As a result, the configuration shown in FIG. Here, the transmissive pixel electrode 11 is patterned so as to have the slit pattern 11 a at the boundary B. That is, on the inclined surface of the boundary portion B, the slit pattern 11 a parallel to the rubbing direction is formed on the transmissive pixel electrode 11. Here, the slit pattern 11a and the transmissive pixel electrode 11 are electrically connected.

そして、スリットパターン１１ａが形成された透過画素電極１１の上に、反射画素電極１２となる反射膜を成膜する。反射膜としては、Ａｌ、又はＡｇなどの反射機能の高い金属材料を用いることができる。この反射膜を上記と同様にパターニングすることによって、反射画素電極１２が形成される。これにより、図１３（ｄ）に示す構成となる。そして、反射画素電極１２の上に配向膜２０９を形成する。従って、透過画素電極１１に形成されたスリットパターン１１ａによって、開口部周辺の傾斜面に凹溝１８を有する凹凸が形成される。   Then, a reflective film to be the reflective pixel electrode 12 is formed on the transmissive pixel electrode 11 on which the slit pattern 11a is formed. As the reflection film, a metal material having a high reflection function such as Al or Ag can be used. The reflective pixel electrode 12 is formed by patterning the reflective film in the same manner as described above. As a result, the configuration shown in FIG. Then, an alignment film 209 is formed on the reflective pixel electrode 12. Accordingly, the slit pattern 11 a formed in the transmissive pixel electrode 11 forms an unevenness having the concave groove 18 on the inclined surface around the opening.

このように、透過画素電極１１をパターニングすることによって、境界部Ｂにスリットパターン１１ａが形成される。従って、境界部Ｂでは、反射画素電極１２にも、スリットパターン１１ａに応じて凹凸が形成される。これにより、境界部Ｂの表面に凹凸が形成される。従って、実施の形態５と同様に、配向異常の発生を防ぐことができる。さらに、本実施の形態では、透過画素電極１１にスリットパターン１１ａを設けるだけで、境界部Ｂの表面に凹凸を形成することができる。よって、透過画素電極１１のパターニング時にスリットパターン１１ａを形成することで、製造工程の増加を防ぐことができる。これにより、高い表示品位の液晶表示装置を生産性よく製造することができる。もちろん、本実施の形態においても、乗り上げる側の辺についてのみ凹溝１８を形成してもよい。   In this manner, the slit pattern 11 a is formed at the boundary portion B by patterning the transmissive pixel electrode 11. Therefore, at the boundary portion B, irregularities are also formed in the reflective pixel electrode 12 according to the slit pattern 11a. Thereby, irregularities are formed on the surface of the boundary B. Therefore, as in the fifth embodiment, it is possible to prevent the occurrence of orientation abnormality. Furthermore, in this embodiment, it is possible to form irregularities on the surface of the boundary portion B simply by providing the transmissive pixel electrode 11 with the slit pattern 11a. Therefore, by forming the slit pattern 11a when patterning the transmissive pixel electrode 11, an increase in manufacturing steps can be prevented. Thereby, a liquid crystal display device with high display quality can be manufactured with high productivity. Of course, also in this embodiment, the concave groove 18 may be formed only on the side on the ride side.

なお、本実施の形態では、透過画素電極１１にスリットパターン１１ａを設ける構成について説明したが、これに限るものではない。例えば、反射画素電極１２にスリットパターンを形成してもよい。この反射画素電極１２に設けられたスリットパターンによって、境界部Ｂの表面に凹凸を形成することができる。すなわち、反射画素電極１２に形成されたスリットパターンによって、開口部１５の周辺の傾斜面に凹溝１８を有する凹凸が形成される。よって、配向異常の発生を防ぐことができる。   In the present embodiment, the configuration in which the slit pattern 11a is provided in the transmissive pixel electrode 11 has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, a slit pattern may be formed in the reflective pixel electrode 12. Unevenness can be formed on the surface of the boundary portion B by the slit pattern provided in the reflective pixel electrode 12. That is, the slit pattern formed in the reflective pixel electrode 12 forms an unevenness having the concave groove 18 on the inclined surface around the opening 15. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of abnormal alignment.

なお、本発明は上述した実施の形態１〜６のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは勿論である。さらに、実施の形態１〜６を適宜組み合わせてもよい。   In addition, this invention is not limited only to Embodiment 1-6 mentioned above, Of course, a various change is possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. Furthermore, Embodiments 1 to 6 may be combined as appropriate.

実施の形態１にかかる液晶パネルの構成を模式的に示す断面図である。2 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a liquid crystal panel according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態１にかかるラビング工程を示す図である。It is a figure which shows the rubbing process concerning Embodiment 1. FIG. 実施の形態１にかかるＴＦＴアレイ基板の画素構造を模式的に示す平面図である。FIG. 2 is a plan view schematically showing a pixel structure of a TFT array substrate according to the first exemplary embodiment. 実施の形態１にかかるＴＦＴアレイ基板の画素構造を模式的に示す断面図であるFIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a pixel structure of the TFT array substrate according to the first exemplary embodiment. ＴＦＴアレイ基板の画素の境界部Ａでのラビング処理を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the rubbing process in the boundary part A of the pixel of a TFT array substrate. 実施の形態２にかかるＴＦＴアレイ基板の画素構造を模式的に示す平面図である。FIG. 6 is a plan view schematically showing a pixel structure of a TFT array substrate according to a second exemplary embodiment. 実施の形態３にかかるＴＦＴアレイ基板の画素配列を模式的に示す平面図である。FIG. 6 is a plan view schematically showing a pixel array of a TFT array substrate according to a third exemplary embodiment. 実施の形態４にかかるＴＦＴアレイ基板の画素配列を模式的に示す平面図である。FIG. 6 is a plan view schematically showing a pixel array of a TFT array substrate according to a fourth exemplary embodiment. 実施の形態５にかかるＴＦＴアレイ基板の画素構造を模式的に示す平面図である。FIG. 10 is a plan view schematically showing a pixel structure of a TFT array substrate according to the fifth exemplary embodiment. 実施の形態５にかかるＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す工程断面図である。FIG. 10 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the TFT array substrate according to the fifth embodiment. ＴＦＴアレイ基板の画素の境界部Ｂでのラビング処理を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the rubbing process in the boundary part B of the pixel of a TFT array substrate. 実施の形態５にかかるＴＦＴアレイ基板の別の画素構造を模式的に示す平面図である。FIG. 10 is a plan view schematically showing another pixel structure of the TFT array substrate according to the fifth exemplary embodiment. 実施の形態６にかかるＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す工程断面図である。FIG. 10 is a process cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the TFT array substrate according to the sixth embodiment. 従来のＴＦＴアレイ基板の画素構造を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the pixel structure of the conventional TFT array substrate. 従来のＴＦＴアレイ基板の画素配列を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the pixel arrangement | sequence of the conventional TFT array substrate. ＴＦＴアレイ基板の画素の境界部Ａでのラビング処理を模式的に示す図であるIt is a figure which shows typically the rubbing process in the boundary part A of the pixel of a TFT array substrate.

符号の説明Explanation of symbols

１ 基板、２ ゲート配線、２ａ、ゲート電極、３ 補助容量配線、４ ゲート絶縁膜、
５ 半導体層、５ａ 半導体能動膜、５ｂ オーミックコンタクト膜、
７ ドレイン電極、８ ソース配線、８ａ ソース電極、９ 層間絶縁膜、
１０ 平坦化膜、１０ａ 凹凸パターン、１０ｂ 凹凸形状、１１ 透過画素電極、
１１ａ スリットパターン、１２ 反射画素電極、１５ 開口部、１８ 凹溝、
１９ コンタクトホール、５０ 画素、
１００ ラビングローラ、１０１ ラビング布、１０２ ステージ、
１０３ マザー基板、１０４ 表示領域、２００ 液晶パネル
２０１ ＴＦＴアレイ基板、２０２ 対向基板、２０３ 液晶、２０４ ＴＦＴ、
２０５ 画素電極、２０６ コモン電極、２０７ カラーフィルタ、
２０８ ブラックマトリクス、２０９ 配向膜 1 substrate, 2 gate wiring, 2a, gate electrode, 3 auxiliary capacitance wiring, 4 gate insulating film,
5 semiconductor layer, 5a semiconductor active film, 5b ohmic contact film,
7 drain electrode, 8 source wiring, 8a source electrode, 9 interlayer insulation film,
10 planarization film, 10a uneven pattern, 10b uneven shape, 11 transmissive pixel electrode,
11a slit pattern, 12 reflective pixel electrode, 15 opening, 18 concave groove,
19 contact holes, 50 pixels,
100 rubbing rollers, 101 rubbing cloth, 102 stages,
103 mother substrate, 104 display area, 200 liquid crystal panel 201 TFT array substrate, 202 counter substrate, 203 liquid crystal, 204 TFT,
205 pixel electrode, 206 common electrode, 207 color filter,
208 Black matrix, 209 Alignment film

Claims (14)

透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置であって、
前記アレイ基板上に設けられた開口部を有する平坦化膜と、
前記平坦化膜上に設けられた反射電極と、
前記平坦化膜の開口部に設けられた透過電極と、
前記反射電極と透過電極の上に設けられ、前記画素の配列方向から傾いたラビング方向でラビングされた配向膜とを備え、
前記開口部が前記ラビング方向と垂直な方向の辺を有する液晶表示装置。 A liquid crystal display device having an array substrate in which pixels having a transmissive portion and a reflective portion are arranged in a matrix,
A planarization film having an opening provided on the array substrate;
A reflective electrode provided on the planarizing film;
A transmissive electrode provided in the opening of the planarization film;
An alignment film provided on the reflective electrode and the transmissive electrode and rubbed in a rubbing direction inclined from the arrangement direction of the pixels;
A liquid crystal display device in which the opening has a side in a direction perpendicular to the rubbing direction. 前記開口部が矩形状であり、前記開口部の対向する２辺が、前記ラビング方向と垂直に配置されている請求項１に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the opening has a rectangular shape, and two opposite sides of the opening are arranged perpendicular to the rubbing direction. 前記開口部の１辺のみが、前記ラビング方向と垂直である請求項１に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein only one side of the opening is perpendicular to the rubbing direction. 透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置であって、
前記アレイ基板上に設けられた開口部を有する平坦化膜と、
前記平坦化膜上に設けられた反射電極と、
前記平坦化膜の開口部に設けられた透過電極と、
前記反射電極の上に設けられ、前記アレイ基板の端辺から傾いたラビング方向でラビングされた配向膜とを備え、
前記開口部の少なくとも１辺が前記ラビング方向と垂直になるよう、前記画素が前記ラビング方向に沿って配列されている液晶表示装置。 A liquid crystal display device having an array substrate in which pixels having a transmissive portion and a reflective portion are arranged in a matrix,
A planarization film having an opening provided on the array substrate;
A reflective electrode provided on the planarizing film;
A transmissive electrode provided in the opening of the planarization film;
An alignment film provided on the reflective electrode and rubbed in a rubbing direction inclined from an edge of the array substrate;
The liquid crystal display device, wherein the pixels are arranged along the rubbing direction so that at least one side of the opening is perpendicular to the rubbing direction. 透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置であって、
前記アレイ基板上に設けられた開口部を有する平坦化膜と、
前記平坦化膜上に設けられた反射電極と、
前記平坦化膜の開口部に設けられた透過電極と、
前記反射電極の上に設けられ、所定のラビング方向でラビングされた配向膜とを備え、
前記開口部周辺の傾斜面に、前記ラビング方向に沿って設けられた凹溝が形成されている液晶表示装置。 A liquid crystal display device having an array substrate in which pixels having a transmissive portion and a reflective portion are arranged in a matrix,
A planarization film having an opening provided on the array substrate;
A reflective electrode provided on the planarizing film;
A transmissive electrode provided in the opening of the planarization film;
An alignment film provided on the reflective electrode and rubbed in a predetermined rubbing direction;
A liquid crystal display device, wherein a concave groove provided along the rubbing direction is formed on an inclined surface around the opening. 前記開口部周辺の傾斜面において、前記平坦化膜に凹凸形状を設けることによって、前記凹溝が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the concave groove is formed by providing an uneven shape on the planarizing film on an inclined surface around the opening. 前記開口部周辺の傾斜面において、前記透過電極に前記ラビング方向に沿ったスリットパターンが設けられ、
前記透過電極に設けられたスリットパターンによって、前記凹溝が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。 In the inclined surface around the opening, the transmission electrode is provided with a slit pattern along the rubbing direction,
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 5, wherein the concave groove is formed by a slit pattern provided in the transmissive electrode. 前記開口部周辺の傾斜面において、前記反射電極に前記ラビング方向に沿ったスリットパターンが設けられ、
前記反射電極に設けられたスリットパターンによって、前記凹溝が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。 In the inclined surface around the opening, the reflective electrode is provided with a slit pattern along the rubbing direction,
The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the groove is formed by a slit pattern provided in the reflective electrode. 透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記アレイ基板上に、開口部を有する平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜の上に、反射電極を形成する工程と、
前記反射電極の上に、配向膜を形成する工程と、
前記画素の配列方向から傾いた方向であって、前記開口部の少なくとも１辺と垂直な方向に、前記配向膜をラビング処理する工程と、を備える液晶表示装置の製造方法。 A method of manufacturing a liquid crystal display device having an array substrate in which pixels having a transmissive portion and a reflective portion are arranged in a matrix,
Forming a planarization film having an opening on the array substrate;
Forming a reflective electrode on the planarizing film;
Forming an alignment film on the reflective electrode;
Rubbing the alignment film in a direction inclined from the pixel arrangement direction and perpendicular to at least one side of the opening. 前記ラビング処理を行うラビングローラが前記開口部から前記平坦化膜の上に乗り上げる箇所において、前記開口部の辺と垂直な方向に前記ラビング処理を行う請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。   10. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 9, wherein the rubbing process is performed in a direction perpendicular to a side of the opening at a location where a rubbing roller that performs the rubbing process runs on the planarizing film from the opening. . 透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記アレイ基板上に、開口部を有する平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜の上に、反射電極を形成する工程と、
前記反射電極の上に、配向膜を形成する工程と、
前記開口部周辺の傾斜面に所定の方向で設けられた凹溝に沿って、前記配向膜をラビング処理する工程を備える液晶表示装置の製造方法。 A method of manufacturing a liquid crystal display device having an array substrate in which pixels having a transmissive portion and a reflective portion are arranged in a matrix,
Forming a planarization film having an opening on the array substrate;
Forming a reflective electrode on the planarizing film;
Forming an alignment film on the reflective electrode;
A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a step of rubbing the alignment film along a concave groove provided in a predetermined direction on an inclined surface around the opening. 前記開口部周辺の傾斜面において、前記平坦化膜に凹凸形状が形成され、
前記平坦化膜に形成された凹凸形状によって、前記凹溝が設けられている請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。 In the inclined surface around the opening, an uneven shape is formed in the planarization film,
The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 11, wherein the concave groove is provided by an uneven shape formed in the planarizing film. 前記平坦化膜の上に、前記反射電極と接続される透過電極を形成する工程をさらに備え、
前記開口部周辺の傾斜面において、前記透過電極に形成されたスリットパターンによって、前記凹溝が形成されている請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。 Forming a transmissive electrode connected to the reflective electrode on the planarizing film;
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 11, wherein the groove is formed by a slit pattern formed in the transmission electrode on an inclined surface around the opening. 前記開口部周辺の傾斜面において、前記反射電極に前記ラビング方向に沿ったスリットパターンが設けられ、
前記反射電極に設けられたスリットパターンによって、前記凹溝が形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
In the inclined surface around the opening, the reflective electrode is provided with a slit pattern along the rubbing direction,
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 11, wherein the concave groove is formed by a slit pattern provided in the reflective electrode.
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